JPH0794591A - 半導体集積回路装置の設計方法 - Google Patents

半導体集積回路装置の設計方法

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JPH0794591A
JPH0794591A JP5237047A JP23704793A JPH0794591A JP H0794591 A JPH0794591 A JP H0794591A JP 5237047 A JP5237047 A JP 5237047A JP 23704793 A JP23704793 A JP 23704793A JP H0794591 A JPH0794591 A JP H0794591A
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JP
Japan
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transistors
group
graph
transistor
nodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP5237047A
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English (en)
Inventor
Sachiko Kurosawa
幸子 黒沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH0794591A publication Critical patent/JPH0794591A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】トランジスタをグループ毎に指定された高さで
多段に配置し、サイズが様々なトランジスタをデッドス
ペースを少なくレイアウトとすると共に、上下左右の隣
接するトランジスタで拡散層を共有させて更に面積縮小
を図る。 【構成】まず全てのトランジスタの中から、P・Nそれ
ぞれの最大のトランジスタサイズを抽出し、P・Nそれ
ぞれの領域の高さ及び領域間の間隔を決定する。次に接
続記述のグループ情報に従ってグループ毎に該P・Nそ
れぞれの高さで、それぞれの領域内では上下左右で隣接
するトランジスタができる限り多く拡散層を共有する様
に、また、PとNの領域間では領域間のトランジスタを
接続する配線ができるだけ少なくなるように配置する。
グループ高さは一定であるので、続いてグループの配置
・配線を従来のマスタースラス方式での配置手法で行
う。 【効果】サイズの様々なトランジスタの自動設計をデッ
ドスペースが少なく実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
設計方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来は、サイズの異なるトランジスタか
らなるCMOS回路のトランジスタレベルでの自動設計
は行われていなかった。従来は、同じ大きさのトランジ
スタを拡散層の共有をできるだけ多くするようにPN各
一列に配置していた。しかし、大きさの異なるトランジ
スタを該手法で配置するとトランジスタ列に凸凹ができ
てしまい、デッドスペースが多くなるという問題点があ
った。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決しようとするもので、サイズの異なるトランジス
タを最大トランジスタサイズに合わせて多段に配置する
事でデッドスペースを減らすものである。さらに、該配
置は左右上下で隣接するトランジスタとできる限り多く
拡散層を共有させ面積縮小をはかる。また、該トランジ
スタの配置を指定されたグループ毎に行う事により、効
率よく簡単化してレイアウトする事ができる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明を実現する手段と
してまず、全てのトランジスタの中から、P・Nそれぞ
れの最大のトランジスタサイズを抽出し、グループ内の
Pチャネルトランジスタ領域・Nチャネルトランジスタ
領域の高さ及びPチャネル領域とNチャネル領域の間隔
を決定する。次に接続記述のグループ情報に従ってグル
ープ毎に該P・Nそれぞれの高さにレイアウトをする。
この際、図10に示した様に、P・Nそれぞれでは上下
左右で隣接するトランジスタができる限り多く拡散層を
共有する配置を行う。また、グループ内のPとNの領域
ではその領域同士のトランジスタを接続する配線ができ
るだけ少なくなるように配置する。次に該トランジスタ
配置されたグループの配置を行う。グループは図11に
示したように、横方向がPまたはNの列、縦方向がP・
Nそれぞれの領域がPNNPPNまたはNPPNNPの
様に交互になるように並べる。グループ高さは一定であ
るので、続いてグループの配置・配線を従来のマスター
スラス方式での配置手法で効率よく行う事ができる。
【0005】また、グループ内のトランジスタ配置を行
う手段のひとつとして、グループ内のトランジスタのソ
ースまたはドレインにつながるネットをノード、トラン
ジスタをエッジとしたときにその接続を現すグラフを作
成、該グラフを従来の手法により平面化し、該平面化さ
れたグラフにおいて同じx座標にあるノードがあっても
よいがエッジでつながっているノード同士はどちらが左
かを決めることにより、ノードの左からの順序を決定す
るグラフの変形を行う。該グラフの変形では、縦方向に
並ぶエッジの大きさすなわちトランジスタの高さの和が
トランジスタ領域の高さにできる限り近くなるように
し、該グラフの位置関係でトランジスタの配置をおこな
う。
【0006】
【作用】本発明によれば、従来のようにPチャネルトラ
ンジスタ、Nチャネルトランジスタを1列に並べるので
なく、グループ毎に拡散層の共有、面積最少化したトラ
ンジスタの多段配置の決められた高さでトランジスタを
多段に積み上げることによりトランジスタサイズが異な
ってもデッドスペースを少なくする事ができる。また、
トランジスタの配置は上下左右のトランジスタが拡散層
をできる限り多く共有するように、またグループ内の配
線をできる限り少なくするように配置することにより、
配線数を最小にする事ができる。
【0007】また、グループごとにトランジスタ配置を
行い、グループ配置と配線のステップでは該グループを
矩形として扱えるので、グループの配置・配線は従来の
マスタスライス方式での配置配線手法を用いる事がで
き、効率よくレイアウトする事ができる。
【0008】
【実施例】図1に本発明の処理手順を示す。まず、ステ
ップ11で、すべてのトランジスタのトランジスタサイ
ズ1のデータの中から、P・Nそれぞれの最大のトラン
ジスタサイズを抽出し、グループのレイアウト高さを決
定する。次に、ステップ12で、グループ情報2のデー
タに従って、グループ毎にステップ11で決めたP・N
それぞれの高さにレイアウトをする。この際、P・Nそ
れぞれでは上下左右で隣接するトランジスタがなるべく
多く拡散層を共有する配置を行う。また、接続記述3の
データによりグループ内のPとNの領域ではその領域同
士のトランジスタを接続する配線ができるだけ少なくな
るように接続のあるトランジスタを近くに配置する。こ
こで、P・Nそれぞれの領域間の間隔は全てのグループ
とも一定にする。次に、ステップ13で該トランジスタ
配置されたグループの配置を行う。P・Nそれぞれの高
さはステップ11で決められた一定値であり、P・N間
の高さも全てのグループで一定であるのでグループ全体
の高さも一定である。従って、グループは同じ高さの矩
形として扱え該グループの配置は従来のマスタースライ
スでの配置手法で効率よく行う事ができる。ステップ1
4での配線も同様に従来の配線手法を用いる事ができ
る。
【0009】図2に本発明の第二の実施例の処理手順を
示す。ステップ21で第一の実施例同様にトランジスタ
サイズ1からP・Nそれぞれの領域の高さ及びP・N領
域間の間隔を決定する。次に、ステップ22で、グルー
プ内のトランジスタのソースまたはドレインにつながる
ネットをノード、トランジスタをエッジとしたときにそ
の接続を現すグラフを作成する。図4は図3のPチャネ
ルトランジスタ300〜309と接続点310〜316
を示すグラフである。続いてステップ23で該グラフを
従来の手法により平面化する。もし、平面化できないと
きは、一つのノードを複数に分割して平面化する。分割
されたノード間は後でメタル配線で結合されることにな
る。図5が図4のグラフを平面化に埋め込んだグラフで
ある。該平面化されたグラフにおいて同じx座標にある
ノードがあってもよいがエッジでつながっているノード
同士はどちらが左かを決めることにより、ノードの左か
らの順序を決定するグラフの変形(ステップ24)を行
なう。図6が図5のグラフを変形した例である。該グラ
フの変形では、グラフ中のエッジの位置関係がこのまま
トランジスタの位置関係となるので、縦方向に並ぶエッ
ジの大きさすなわちトランジスタの高さの和がステップ
21で決定したトランジスタ領域の高さになるべく近く
なるように行う。ここで、どの様なノードの順序付けを
しても、縦方向に重なるトランジスタの高さの和が領域
の高さの和を越えてしまうときは、一つのノードを複数
に分割してグラフを再構成し、ノードの順序付けをやり
直す。例えば図6の点線400の部分でトランジスタ3
01、307、308、304、305の高さの和が領
域の和を越えているとすると、ノード313を分割して
図7のような順序づけをやり直す。更にNチャネルトラ
ンジスタの平面グラフの変形も考慮して、接続のあるト
ランジスタは近くに配置する。次に、ステップ25の該
グラフの位置関係でトランジスタの配置をおこなう。図
7の変形グラフに従ってトランジスタ配置を行った例が
図8である。ステップ26、27のグループ配置、配線
は第一の実施例同様に行う。
【0010】ノードの順序付けはトランジスタサイズに
よって変わる。図6の平面グラフにおける他のトランジ
スタサイズでのノードの順序付けをした例が図9であ
り、これに従ってトランジスタ配置を行った例が図10
である。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、従来行われていなかっ
たサイズの異なるトランジスタからなるCMOS回路の
自動設計を実現でき、またそのトランジスタの配置は最
大トランジスタサイズにあわせて多段に配置するのでデ
ッドスペースを減らす事ができる。また、該配置は左右
上下で隣接するトランジスタと拡散層を共有するので面
積縮小をはかることができる。さらに、該トランジスタ
の配置を指定されたグループ毎に行う事により、グルー
プ内のトランジスタの配置後は該グループを矩形として
扱え、かつ該グループ矩形は同じ高さであるので従来の
マスタースライス方式における配置配線手法を用いるこ
とができ、効率よく簡単化してレイアウトする事ができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例を示すフロー図。
【図2】本発明の第二の実施例を示すフロー図。
【図3】第二の実施例のPチャネルトランジスタの接続
記述例を示す回路図。
【図4】図3のグラフ。
【図5】図4の平面化グラフの例を示す線図。
【図6】図5のグラフを変形した例を示す線図。
【図7】図6のグラフの順序付けをした例を示す線図。
【図8】図7に従いトランジスタ配置した例を示す配置
図。
【図9】図6のグラフのノードの順序付けの他の例を示
す線図。
【図10】図9に従いトランジスタ配置した例を示す配
置図。
【図11】グループ内のトランジスタ配置の例を示す配
置図。
【図12】グループの配置例を示す配置図。
【符号の説明】
1…トランジスタサイズ 2…グループ情報 3…接続記述 11…P/Nそれぞれの最大トランジスタを抽出するス
テップ 12…グループ毎に拡散層の共有面積最少化したトラン
ジスタを多段配置するステップ 13…グループ配置するステップ 14…配線するステップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/04 21/822 8122−4M H01L 21/82 M 8832−4M 27/04 A

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】横方向にP型またはN型のトランジスタ列
    が並ぶCMOS回路のトランジスタレベルでのパターン
    の自動設計において、近くに配置すべきトランジスタを
    グループ化した情報と、トランジスタのサイズの情報と
    から成る接続記述が与えられているとき、トランジスタ
    のサイズの最大値をもとにP型トランジスタ及びN型ト
    ランジスタそれぞれの配置高さを決定し、該高さでグル
    ープ毎に左右上下で隣接するトランジスタができるだけ
    多く拡散層を共有できるように多段にトランジスタの配
    置を行い、次に該同じ高さに配置されたグループを矩形
    として扱い、該グループを単位として全体の配置及び配
    線を行う事を特徴とする半導体集積回路装置の設計方
    法。
  2. 【請求項2】グループ内のトランジスタ配置を、まずグ
    ループ内のトランジスタのソースまたはドレインにつな
    がるネットをノード、トランジスタをエッジとしたとき
    にその接続を表すグラフを作成し、該グラフを平面化
    し、該平面化されたグラフにおいて同じx座標にあるノ
    ードがあってもよいがエッジでつながっているノード同
    士はどちらが左かを決定してノードの左からの順序を決
    定してグラフの変形を行ない、該変形したグラフのトラ
    ンジスタの高さがグループのレイアウト高さを満たすグ
    ラフを作成し、このエッジの並び順に従ってグループ内
    のトランジスタ配置を行う事を特徴とする請求項1記載
    の半導体集積回路装置の設計方法。
JP5237047A 1993-09-24 1993-09-24 半導体集積回路装置の設計方法 Pending JPH0794591A (ja)

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JP5237047A Pending JPH0794591A (ja) 1993-09-24 1993-09-24 半導体集積回路装置の設計方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6393601B1 (en) 1997-04-14 2002-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Layout designing apparatus for integrated circuit, transistor size determining apparatus, circuit characteristic evaluating method, and transistor size determining method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6393601B1 (en) 1997-04-14 2002-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Layout designing apparatus for integrated circuit, transistor size determining apparatus, circuit characteristic evaluating method, and transistor size determining method

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