JP3110420B2 - 半導体集積回路及びそのレイアウト設計方法並びに装置 - Google Patents

半導体集積回路及びそのレイアウト設計方法並びに装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
設計方法に関し、特に、スタンダードセル方式等による
自動配置配線を用いてレイアウト設計する半導体集積回
路及びその設計方法並びに装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のスタンダードセル(「ビルディン
グブロック方式」ともいう)方式の半導体集積回路の自
動配置配線処理においては、予め設定されたロウ部分
に、ライブラリ等に予め登録された標準セル(スタンダ
ードセル)である基本論理セルを自動配置し自動配線を
施すことで、LSIチップを形成する。このロウには、
回路接続情報等に基づき、1つの基本セルもしくは互い
に並置された複数の基本セルが自動配置される。
【0003】逆に、スタンダードセル方式の半導体集積
回路の自動配置配線処理においては、ロウ部分にしか、
基本論理セルを配置することができない。このため、ロ
ウ以外の部分にトランジスタ素子を配置したり、ラッチ
アップ対策のためにストッパーを配置しようとした場
合、専ら、人手で行うしかなく、人為的ミス等も発生す
る可能性もあり、またスタンダードセルを自動配置する
場合と比べ、その作業工数も多大なものとなり、長時間
の作業が必要とされ、TAT(Turn Around Time)が
増大する。
【0004】ところで、CMOS構造には、よく知られ
ているように寄生的にバイポーラNPNトランジスタと
PNPトランジスタが存在し、これらは帰還をもつサイ
リスタを構成しており、入出力端子でのオーバーシュー
ト、アンダーシュート等が原因して、この2つのトラン
ジスタの電流増幅率の積が1を超えると、大電流が電源
VDD、VSS間に流れCMOS構造を破壊されること
にもなり、この状態をラッチアップという。
【0005】ここで、ラッチアップ対策としては、例え
ば素子のウェル境界にガードリングと呼ばれる電位固定
の拡散層(N型基板には電源電位に接続したN+拡散
層、Pウエルには接地電位に接続したP+拡散層)を設
ける方法や、ウェル境界をトレンチ(溝)で分離する方
法等が用いられ、あるいはイントリンシックゲッタリン
グを用いる方法等もある。
【0006】図5は、従来のラッチアップ対策を施した
スタンダードセル方式の半導体集積回路のレイアウトの
一例を示す図である。図5を参照すると、ロウ1、1´
の端部にそれぞれキャップセル2、3を配置し、外来の
ラッチアップトリガー(例えば入出力端子でのオーバー
シュートやアンダーシュート)を入出力セル5内に配置
されたストッパー(ガードリング等)で防止するレイア
ウトとされている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
素子の微細化により、入出力セル5内のストッパーだけ
では、ラッチアップを抑えきれないようになってきてい
る。また、できるだけ素子の近くにストッパーを配置す
ることが、ラッチアップ対策として有効である。
【0008】上記したように、従来のスタンダードセル
方式の半導体集積回路の自動レイアウトにおいては、ロ
ウ部分にしか、基本論理セルを配置することができず、
このため、ロウ以外の部分にトランジスタ素子を配置し
たり、ラッチアップ対策のためにストッパーを配置しよ
うとした場合、人手で行うしかなく、人為的ミス等も発
生する可能性もあり、またスタンダードセルを自動配置
する場合と比べ、その作業工数が多大なものとなり、作
業時間もかかる、という問題点を有している。
【0009】そして、ラッチアップ対策として、できる
だけ素子の近くにストッパーを配置することが有効であ
るが、上記したスタンダードセル方式のレイアウト設計
においては、ロウ以外の部分に基本セルを配置すること
ができないため、ラッチアップのストッパーが連続的で
なくなり、ラッチアップトリガー防止に有効に機能し得
ない、という問題点を有している。
【0010】たしかに、人手でロウ以外の領域にストッ
パーを配置することも可能ではあるが、入手による端末
装置等での修正は、本来の自動配置配線の利点が活かせ
ないことに加えて、多大な作業工数が必要とされ、設計
効率が悪く、また人為的ミスが発生し易い。
【0011】なお、例えば特開昭60−158644号
公報には、従来使用されていなかった配線領域の一部
を、論理ゲートセルとして使用可能とし集積度を向上す
るマスタスライス方式の半導体集積回路として、複数個
のセルが配列されてなる複数個の第1のセル列を並列に
配列し、第1のセル列の間に該セルよりも少ない個数の
セルを有する第2のセル列を配置した構成が提案されて
いる。しかしながら、これは、マスタースライス方式で
あり、予め配線領域以外の部分が固定的にレイアウトさ
れるものであり、チップサイズの増大を招く場合もあ
る。
【0012】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、チップ面積の増
大を抑止して、効率的な半導体集積回路のレイアウト設
計を可能とする方法及び装置並びに半導体集積回路を提
供することにある。
【0013】また、本発明の他の目的は、人手作業によ
るレイアウト設計に依らずに、従来法の自動配置配線で
は不十分であったロウ以外の配線領域の有効活用を可能
とし、設計期間を増やすことなく、かつミスの作り込み
をなくし、設計効率を向上する方法及び半導体集積回路
を提供することにある。これ以外の本発明の目的、特徴
等は以下の説明から容易に明らかとされるであろう。
【0014】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明は、スタンダードセル方式の自動配置配線のレイアウ
ト方法において、互いに並設される複数のロウの端部に
ラッチアップ対策セルを自動配置し、前記複数のロウ間
領域に新たにロウを自動生成し、前記新たに生成され
たロウの端部に、前記ラッチアップ対策セル間を接続す
セルを自動配置するようにしたものである。上記目的
は本願請求項1乃至7に記載された発明によって達成さ
れる。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明は、その好ましい実施の形態において、ス
タンダードセル方式の自動配置配線のレイアウト方法に
おいて、(a)基本セルが配置されるロウとは別の配線
領域のうち所望の空き領域に新たにロウを自動配置配線
ツールを用いて自動生成するステップと、(b)前記新
たに生成されたロウに基本セルを自動配置配線ツールを
用いて自動配置するステップとを備える。本発明の実施
の形態は、(a)互いに並設される複数のロウの端部に
ラッチアップ対策セルを自動配置するステップと、
(b)前記複数のロウ間の領域に新たにロウを自動生成
するステップと、(c)前記新たに生成されたロウの端
部に、前記ラッチアップ対策セル間を接続するセルを自
動配置するステップを有する。これらのステップの各処
理は、半導体集積回路の自動配置配線装置において実行
される。
【0016】図1は、本発明の一実施の形態を説明する
ためのレイアウト図である。図1を参照すると、本発明
の実施の形態においては、従来、基本論理セルを配置で
きるロウ1以外の配線領域としてしか使用していなかっ
た部分(4)に、ロウを自動的に生成することで、従来
法と同様の手段をもって、基本セルを配置可能としてお
り、配線領域の有効活用を可能とし、チップ面積の縮小
や、ラッチアップ耐性向上、設計効率の向上等を図るこ
とができる。
【0017】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して以下
に説明する。前述したとおり、トランジスタ素子の微細
化に伴いラッチアップ耐性向上が課題の一つとしてあげ
られており、以下に説明する実施例では、ラッチアップ
耐性向上を目的とした場合について、以下説明する。な
お、本発明は、ラッチアップ対策構造に限定されるもの
でなく、スタンダードセル方式の半導体集積回路のレイ
アウトにおいて、ロウ間に新たに生成されたロウには、
任意の基本論理セルを自動配置することができる。
【0018】図1は、本発明に係るスタンダードセル方
式の自動配置配線によるレイアウト結果の一例を示した
ものであり、基本論理セルは、「ロウ(Row)」と呼ば
れる行1の部分に配置される。
【0019】本発明の一実施例においては、ラッチアッ
プ対策のため、基本論理セルのトランジスタ素子の近傍
には、N型拡散層、P型拡散層によるストッパー(ガー
ド層)が配置されている。さらに、そのロウ1、1´の
両端を固めるように、ラッチアップ防止セル(以下「キ
ャップセル」)2、3が隣接して配置されている。なお
図1では、ロウ1、1´の一端側のみが示されており、
他端は示されていない。
【0020】本発明の一実施例では、さらに、キャップ
セル間に7および8を対角とするロウ4を自動的に生成
することで、基本論理セルを配置するのと同様にして、
自動配置配線ツールにより、あらかじめ作成され、ライ
ブラリに登録しておいたキャップセル間接続用のセル
(「キャップ接続セル」という)を配置する。ロウの高
さとロウーロウ間の配線領域の高さ(間隔)が同じであ
る場合は、キャップセルをもってキャップセル間接続セ
ルとしてもかまわない。
【0021】またチップ外枠6の内側に配置した入出力
用セル5内にも、ラッチアップ対策用のパターンが設け
られているが、これは従来のレイアウトでも設けられる
公知のものである。
【0022】図2は、図1におけるキャップセル2、
3、及びそれらの接続をするキャップ接続セル部分のレ
イアウトの一例を示したものである。図2において、1
1がキャップセル2、9がキャップセル3にそれぞれ相
当し、10はキャップ接続セル4に対応する。次に、キ
ャップセル9、11及びキャップ接続セル10の構成を
説明する。
【0023】図2を参照すると、14及び18は電源ラ
インであり、実際のLSIチップのレイアウトでは、ロ
ウ1、1´に配置されている基本論理セルの電源ライン
と接続される。13はN型拡散層であり、N型ウェル領
域12及び電源ライン14、18と、N型拡散層コンタ
クト(以下「ウェルコンタクト」という)15により、
電気的に接続され、電源電位とされるN型拡散層13は
ロウ1の側面を隙間なく覆う構成とされガード層として
機能し、これによりラッチアップ防止セルを構成してい
る。
【0024】17及び20は接地ラインであり、実際は
ロウ1、1´に配置されている基本論理セルの接地ライ
ンと接続される。19はP型拡散層で、基板電位及び接
地ライン17、20と、P型拡散層コンタクト(以下
「サブストレートコンタクト」という)16により電気
的に接続され、接地電位とされるP型拡散層19はロウ
1の側面を隙間なく覆う構成とされガード層として機能
し、ラッチアップ防止セルを構成している。キャップ接
続セル10はキャップセル9、10を電気的に接続する
ものであり、N型拡散層13、P型拡散層19がセル間
にわたって設けられている。
【0025】なお、キャップセルおよびキャップ接続セ
ルのレイアウトは一例を示したものであり、本発明はか
かるレイアウトに限定されるものでない。すなわち、N
型拡散層、P型拡散層によるストッパー構造に相当する
セル以外にも、ラッチアップ対策用の公知の各種構成の
セルを設けてもよい。
【0026】基本論理セルは、ロウ1、1´の部分に配
置される。ラッチアップ対策用のキャップセル2、3
は、ロウ1、1´の両端に配置されており、これは通常
の自動配置配線ツールを用いることで配置される。この
キャップセル2、3間は、通常、配線領域となってお
り、基本論理セル等を配置することはできない。
【0027】本発明の一実施例においては、キャップセ
ル2、3を新たに接続用のセル4を配置することで、N
型拡散層およびP型拡散層によるストッパーの電位を安
定させ、かつ隙間なくストッパーを配置し、ラッチアッ
プ対策の効果を高めることができる。
【0028】キャップ接続セル4の配置は、以下のよう
にして行われる。自動配置配線されたデータから、キャ
ップセルの寸法としてその高さと横幅を抽出する。ま
た、実際に配置されたキャップセルの1つの頂点の座標
を抽出する。説明を容易とするためキャップセルが同じ
向きに配置した場合を考える。
【0029】キャップセル2の横幅をx、キャップセル
2の左上角の座標を抽出し、これを(a1,b1)とす
る。
【0030】キャップセル2の1頂点の座標がキャップ
セル2の左下角としてしか得られないのであれば、キャ
ップセルの高さyおよび、抽出したキャップセル2の左
下角座標が(c1、d1)のとき、 a1=c1、b1=d1+y として求められる。キャップセルの他の1頂点の座標し
か得られない場合でも、同様にしてキャップセル2の左
上角の座標を求めることができる。
【0031】キャップセル3の右下角の座標を抽出し、
(a2,b2)とする。
【0032】キャップセル3の1頂点の座標がキャップ
セル3の左下角としてしかえられないのであれば、その
座標が(c2、d2)、キャップセルの横幅xから、 a2=c2+x、b2=d2 として求められる。他の1頂点の座標しか得られない場
合も同様にして、キャップセル3の右下角の座標を求め
ることができる。
【0033】以上でキャップ接続セルを配置すべき領域
の左上、右上の座標が得られたことになる。
【0034】後は、通常のロウを生成する処理手順を用
いてロウを自動的に生成する。
【0035】複数行のロウが存在する場合には、上記処
理を繰り返すことで、自動的にキャップ接続セル用のロ
ウを生成する。この場合、ロウを生成するための左下座
標もしくは右上の座標を得ることができなければ、処理
が、最上方もしくは最下方の基本論理セル配置用のロウ
に達したと判断でき、無駄なロウを生成することはな
い。この処理は、右端と左端とで同じ処理を行えば良
い。
【0036】後は、基本論理セルが配置可能なロウが生
成されているので、通常の基本セルを配置するのと同じ
手段、もしくは自動的にキャップ接続セルを配置し、所
望のレイアウトを得ることができる。
【0037】次に本発明の第2の実施例について説明す
る。図3は、本発明の第2の実施例を説明するためのレ
イアウト図である。
【0038】図3を参照すると、本発明の第2の実施例
では、ロウ1a及びロウ1b間の配線領域にロウ4aを
生成する。
【0039】このレイアウト図において、ロウ1a及び
ロウ4a、ロウ1b及びロウ4a間は互いに離間してい
るが、接触・非接触はそれぞれの間隔が0か否かで決ま
り、座標計算時のパラメータとして考慮すればよいた
め、以下では、接触していない場合について説明する。
【0040】ロウ4aは、新たに自動で生成させるロウ
であるが、その左下21、右上22を対角とする矩形と
して生成される。座標が求められていれば、通常の自動
配置配線ツールのロウ生成の処理手順で新たにロウが生
成される。
【0041】ロウ1aの左上角の座標が抽出される。こ
の座標を、自動配置配線されたデータから、直接に抽出
できない場合であっても、前述した通り、他の1頂点の
座標およびロウ1aの高さ、横幅から求めることができ
る。ロウ1aの左上角の座標を(e1,f1)とする。
【0042】同様にしてロウ1bの右下角の座標を抽出
する。ロウ1bの右下角の座標を(e2,f2)とす
る。
【0043】ロウ4aの高さはこの部分に配置する基本
セルの高さと同じ高さとなる。ラッチアップ対策のため
に、例えば図4に示したようなセルを用いる場合につい
て説明する。図4に示したこのセルの高さをy1とす
る。
【0044】ここで、ロウ1aとロウ4aとの間隔g
は、 ((f2−f1)−y1)/2 で求められる。
【0045】このため、ロウ4aの左下角21のy座標
は、 f1+g=f1+((f2−f1)−y1)/2) =(f1+f2−y1)/2 となる。
【0046】また、ロウ4aの右上角22のy座標は、 f1+g+y1=f1+((f2−f1)−y1)/2)+y1 =(f1+f2+y1)/2 となる。
【0047】ロウ4aの左下角21のx座標はe1、右
上22の座標はe2であるため、結局、ロウ4aの左下
角21の座標は、 (e1、(f1+f2−y1)/2)、 ロウ4aの右下角22の座標は、 (e2、(f1+f2+y1)/2) と求まる。
【0048】後は、自動配置配線ツールによる通常のレ
イアウト設計方法により、たとえば図4に示したような
ラッチアップ対策用のセルを配置することでラッチアッ
プ耐性を向上させることができる。
【0049】図4に示したラッチアップ対策セルは、図
2に示したキャップセル9と基本的に同等のものであ
り、同一の要素には同一の参照符号が付されている。図
4に示すセルでは、N型拡散層コンタクト15、P型拡
散層コンタクト16が横方向に配置されている。
【0050】本発明の第2の実施例では、2つのロウ間
に自動的に新たなロウを生成する方法について説明した
が、この処理を繰り返すことで、複数行のロウの間に新
たなロウを生成することができる。また、この場合、必
ずしも全てのロウ間に新たなロウを生成する必要はな
く、所望の場所に生成させるようにしてもよい。
【0051】さらに、ロウ間だけでなく、最上方のロウ
の上方、あるいは最下方のロウの下方に生成したり、ロ
ウ1の両端と入出力セル5の間に、それぞれに接触しな
いように新たにロウを生成するようにしてもよい。
【0052】また前記第1の実施例と前記第2の実施例
で説明したロウの生成を組み合わせて実施するようにし
てもよい。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
既存の自動配置配線装置が基本的に具備する機能の範囲
内で、処理時間を低下させず、チップ面積をほとんど増
やすことなく、効率的な半導体集積回路のレイアウト設
計を行うことができる、という効果を奏する。
【0054】また、本発明によれば、人手作業によるレ
イアウト設計に依らずに、従来法の自動配置配線では不
十分であったロウ以外の配線領域を有効に活用すること
ができ、設計期間を増やすことなく、かつミスの作り込
みをなくし、設計効率、配線領域を向上するという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を説明するためのレイアウト
を示す図である。
【図2】本発明の一実施例を説明するためのレイアウト
を示す図である。
【図3】本発明の他の実施例を説明するためのレイアウ
トを示す図である。
【図4】本発明の他の実施例を説明するためのレイアウ
トを示す図である。
【図5】従来のスタンダードセル方式の半導体集積回路
のレイアウトの一例を示す図である。
【符号の説明】
1、1a、1b、4a ロウ 2、3 キャップセル 4 キャップ接続セル 5 入出力セル 6 チップ外枠 9、11 キャップセル 10 キャップ接続セル 12 N型ウエル領域 13 N型拡散層 14、18 電源ライン 15 N型拡散層コンタクト 16 P型拡散層コンタクト 17、20 接地ライン 19 P型拡散層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/82 G06F 17/50

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】スタンダードセル方式の半導体集積回路の
    レイアウト設計方法において、 (a)互いに並設される第1、第2のロウの間の領域、
    前記第1のロウの前記第2のロウに対向する辺と反対の
    辺側の領域、前記第2のロウの前記第1のロウに対向す
    る辺と反対の辺側の領域、もしくは前記ロウと入出力セ
    ルの間の領域のいずれかの領域に新たに矩形のロウを自
    動生成するステップと、 ()前記新たに生成されたロウに所望の基本セルを自
    動配置するステップと、 を含むことを特徴とする半導体集積回路のレイアウト設
    計方法。
  2. 【請求項2】スタンダードセル方式の半導体集積回路の
    レイアウト設計方法において、 (a)互いに並設される複数のロウの端部にラッチアッ
    プ対策セルを自動配置するステップと、 (b)前記複数のロウ間の領域に新たにロウを自動生成
    するステップと、 (c)前記新たに生成されたロウの端部に、前記ラッチ
    アップ対策セル間を接続するセルを自動配置するステッ
    プと、 を含むことを特徴とする半導体集積回路のレイアウト設
    計方法。
  3. 【請求項3】スタンダードセル方式の半導体集積回路に
    おいて、 それぞれ基本セルが配置される複数のロウの端部にラッ
    チアップ対策セルを備え、前記複数のロウの間に生成さ
    れたロウに、前記ラッチアップ対策セル間を接続するセ
    ルを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
  4. 【請求項4】スタンダードセル方式の半導体集積回路の
    自動配置配線装置において、 互いに並設される第1、第2のロウの間の領域、前記第
    1のロウの前記第2のロウに対向する辺と反対の辺側の
    領域、前記第2のロウの前記第1のロウに対向する辺と
    反対の辺側の領域、もしくは前記ロウと入出力セルの間
    の領域のいずれかの領域に新たに矩形のロウを自動生成
    する手段と、 前記新たに生成されたロウに、基本セルをなすラッチア
    ップ対策セルを自動配置する手段とを含むことを特徴とする半導体集積回路の自動配置配線
    装置
  5. 【請求項5】スタンダードセル方式の半導体集積回路の
    自動配置配線装置において、チップ上の基本セルが自動配置され、互いに並設される
    複数のロウの端部にラッチアップ対策セルを自動配置す
    る手段 と、前記複数のロウ間の領域に新たにロウを自動生成する手
    段と、 前記新たに生成されたロウの端部に、前記ラッチアップ
    対策セル間を接続するセルを自動配置する手段と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の自動配置配線
    装置。
  6. 【請求項6】前記新たに生成されたロウに自動配置され
    る前記基本セルが、コンタクトを介して電源ラインに接
    続されるN型拡散層と、コンタクトを介して接地ライン
    に接続されるP型拡散層を含むラッチアップ対策セルよ
    りなる、ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回
    路のレイアウト設計方法。
  7. 【請求項7】前記ラッチアップ対策セルが、前記ロウの
    側面を覆うように配設されコンタクトを介して電源ライ
    ンに接続されるN型拡散層と、前記ロウの側面を覆うよ
    うに配設されコンタクトを介して接地ラインに接続され
    るP型拡散層を含み、 前記ラッチアップ対策セル間を接続するセルが、前記ラ
    ッチアップ対策セル間にわたって設けられ、コンタクト
    を介して電源ラインに接続されるN型拡散層と、コンタ
    クトを介して接地ラインに接続されるP型拡散層を含
    む、ことを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路の
    レイアウト設計方法。
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