JPH07307448A - 半導体集積回路装置の設計方法 - Google Patents

半導体集積回路装置の設計方法

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JPH07307448A
JPH07307448A JP7055876A JP5587695A JPH07307448A JP H07307448 A JPH07307448 A JP H07307448A JP 7055876 A JP7055876 A JP 7055876A JP 5587695 A JP5587695 A JP 5587695A JP H07307448 A JPH07307448 A JP H07307448A
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Sachiko Aoki
木 幸 子 青
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 トランジスタの自動レイアウトを実現する。 【構成】 まずネットを構成するトランジスタのサイズ
及びそれをX方向に配列したトランジスタ列のX方向及
びY方向サイズに関する制約条件となる理想モジュール
サイズに基づき設計対象に必要なトランジスタを配線長
が可及的に短くなる配置関係となるように配置した列を
示す情報を生成する(S101)。次に列情報に基づき
これが示す列のXY各方向サイズを示す列サイズ情報を
生成する(S102〜S104)。次いで配置関係を変
更しないでそのトランジスタ列が列サイズ情報が示すX
Y各方向サイズ内に収まるようトランジスタの並列化を
行う(S105)。配置処理の前或いは列サイズ決定処
理の後に、サイズ情報に基づき特定条件に従う設計対象
を構成するp・nペアのグループ化を行なうことも可能
である。配置処理は例えばミニ・カット法により実行す
る。 【効果】 大きさの異なるトランジスタの自動レイアウ
トをデッドスペース無く実現可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置の設
計方法に係り、具体的には設計対象のモジュールを多数
のトランジスタによりどのように形成するかというトラ
ンジスタレベルでの半導体集積回路装置の設計方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置のレイアウト
を設計する際にトランジスタレベルでの設計においては
手書きによるパターン設計が主であった。この手書きパ
ターンによるレイアウト設計においてはレイアウトすべ
き形状に合わせてトランジスタの形状を変形し、レイア
ウトするパターンを構成する各要素の形状・その変形可
能性・位置関係等を合わせて変形するようになってい
る。
【0003】例えば、コンピュータ援用設計システム
(Computer Aided Design System−CAD system−)を用
いて、半導体チップを構成するモジュールを自動設計す
る場合には、モジュールを構成するトランジスタ幅が異
なるときであっても、そのままレイアウトを行なってい
たために、モジュールの一部分を構成するトランジスタ
列の個々のトランジスタの幅に凹凸ができてしまい、同
一の列でも全幅が短いトランジスタの端部の外側にはデ
ッドスペースが生じることになる。この詳細を図12を
参照しながら具体的に説明する。
【0004】図12は従来のトランジスタのパターン設
計処理の概念を示す説明図であり、図12(a)はパタ
ーン記号と回路記号の対応関係を、図12(b)はある
モジュールに配置されたトランジスタ列の一列を、図1
2(c)は従来の並列化を行なった状態をそれぞれ示し
ている。
【0005】まず、図12(a)において、記号Gはゲ
ートを、Sはソースを、Dはドレインを示している。回
路としては図12(a)の右側に示す構成を有するトラ
ンジスタのパターンは、図12(b)のようなトランジ
スタ列として配置され、このトランジスタ列を多数含む
ようにモジュールが構成される。図12(b)におい
て、符号a01,a02,…,a0iは1つのトランジスタ列
の半分を構成するpchトランジスタであり、符号b0
1,b02,…,b0iは同じトランジスタ列の残りの半分
を構成するnchトランジスタである。このモジュール
の一部分としてのトランジスタ列についてトランジスタ
のサイズとレイアウトとによりデッドスペースDSがで
きてしまう状況を説明する。
【0006】トランジスタ列のモジュール幅方向(以
下、X方向という)の長さはXM であり、トランジスタ
列の幅方向(以下、Y方向という)の長さはYc であ
る。前述のように1つのトランジスタ列はpch及びn
chのトランジスタを含む1対のトランジスタにより1
本毎の列となっているので、pch及びnchトランジ
スタ用のスペースのY方向の幅はYt となっている。こ
の幅Yt とYt との間の点線の領域はデッドスペースで
ある。また、個々の素子においてもトランジスタ列のp
ch側及びnch側のそれぞれについて最も幅の長いト
ランジスタに比して幅が短い分だけそれぞれデッドスペ
ースDSが生じることになる。なお、図12(b)にお
いて、符号Xt はトランジスタのX方向の長さであり、
Xs は隣接するトランジスタとトランジスタとの間隙で
ある。ここで、トランジスタ幅とはパターン記号におけ
るトランジスタの幅方向(即ちX方向)の長さをいい、
トランジスタ長とは、パターン記号におけるトランジス
タの長さ方向(Y方向)の長さをいう。図5は平面的に
略式表現されているが、511,512はトランジスタ
を表わしている。513はトランジスタ511のゲート
であり、そのゲート幅はTw1 である。以下、トランジ
スタに関してはY方向をトランジスタ幅、X方向をトラ
ンジスタ長という。この各素子単位のデッドスペースD
Sは図12(b)における1点鎖線で囲まれた斜線の領
域をいう。
【0007】このようなデッドスペースDSを無くすた
めに、トランジスタの並列化を行なうことがある。この
並列化とは、トランジスタを複数に分割したり、折曲げ
たりして、トランジスタ列を構成するトランジスタの特
にY方向サイズを合わせるようにすることである。しか
し、この並列化を行なうと、トランジスタ列のX方向の
サイズが変化することから、新たにデッドスペースが生
じてしまうこともある。図12(c)はその状態を示す
ものである。この図において、c01,c02,…は1列の
半分を構成するpchトランジスタ、d01,d02,…は
1列の半分を構成するnchトランジスタであり、pc
hトランジスタc021 〜c023 、nchトランジスタd
031 ,d032 及びpchトランジスタc041 〜c043 は
並列化した結果、得られたものである。このような分割
を行なった結果、pchトランジスタc021 と対向する
nchトランジスタ配置領域、pchトランジスタc02
3と対向するnchトランジスタ配置領域、nchトラ
ンジスタd032 と対向するpchトランジスタ配置領
域、pchトランジスタc041 と対向するnchトラン
ジスタ配置領域には、新たなデッドスペースDSが形成
されることになる。
【0008】このようなデッドスペースが生じた場合に
は、作業者がそのスペースを無くするように設計を再検
討する以外に方法はなく、このような場合、作業能率の
低下は免れない。
【0009】以上のように従来の半導体集積回路装置の
設計方法では、トランジスタのX方向及びY方向に生ず
るデッドスペースを無くするのに有効な対策がなく、自
動化が非常に困難である、という問題もあった。
【0010】上述のデッドスペースをなるべく少なくす
るために、アメリカ電気・電子学会(Institute of Ele
ctrical and Electronics Engineers −IEEE)の“コン
ピュータ援用設計についての国際会議[1989]予講
集(International Conference on Computer Aided Des
ign −ICCAD −)”第340ないし343頁に開示され
た“CLEO:CMOSレイアウト生成器(CLEO:a CM
OS Layout Generator)”が提案されている。
【0011】このCLEOは、モジュール幅及び各列の
高さを決定し、列の高さに基づいて所望の構成のトラン
ジスタをどの列に配置することができるかを検討する。
この検討においては決定されたモジュール幅及び各列の
高さに合わせてトランジスタの配列関係を変更し、か
つ、必要に応じて特定の部分に配置されるトランジスタ
の並列化が行なわれる。
【0012】しかしながら、上記のような先行技術によ
れば、決定された列の形状(モジュール幅及び列の高
さ)に合わせてトランジスタの配置関係を変更したり素
子の並列化を行なったりしているために、実際のトラン
ジスタの配列と本来のトランジスタの配列とが大きく相
違してしまうことがあり、回路設計上好ましくないばか
りでなく、配線量の増加を招く場合もあるため全体的な
省スペースの点からも好ましくない場合もあった。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の有する問題点に鑑みてなされたもので、トランジスタ
列毎に最適なトランジスタ列高さを決定し、該高さより
大きなトランジスタ幅をもつトランジスタの並列化(分
割・折曲げ)を行い、大きさの異なるトランジスタの自
動レイアウトをデッドスペース無く実現することにあ
る。
【0014】具体的には、本発明は、トランジスタ列の
Y方向寸法の違いによる凹凸が原因で生ずるデッドスペ
ースを無くすことができる半導体集積回路装置の設計方
法を提供することを目的とする。
【0015】また、本発明は、トランジスタを並列化し
たときに、隣接するトランジスタとの間に生ずるデッド
スペースを無くすことができる半導体集積回路装置の設
計方法を提供することを目的とする。
【0016】しかしながら、上記のような先行技術によ
れば、決定された列の形状(モジュール幅及び列の高
さ)に合わせてトランジスタの配置関係を変更したり素
子の並列化を行なったりしているために、実際のトラン
ジスタの配列と本来のトランジスタの配列とが置きく相
違してしまうことがああり、回路設計上好ましくないば
かりでなく、配線量の増加を招く場合もあるため全体的
な省スペースの点からも好ましくない場合もあった。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置の設計方法は、トランジスタのネットを構成する各
種トランジスタのサイズ情報及び該各種トランジスタを
X方向に配列してなるトランジスタ列のX方向のサイズ
及び該X方向に直交するY方向のサイズに関する制約条
件となる理想モジュールサイズ情報に基づいて設計対象
トランジスタ列の構成に必要なトランジスタを配線長が
可及的に短くなるように配置したトランジスタ列を示す
列情報を生成する配置ステップと、前記列情報に基づい
て該列情報が示すトランジスタ列のX方向及びY方向の
サイズを示す列サイズ情報を生成する列サイズ決定ステ
ップと、前記列情報が示すトランジスタ列が前記列サイ
ズ情報が示すX方向及びY方向のサイズ内に収まるよう
に該トランジスタ列を構成するトランジスタの並列化を
行なう並列化ステップとを含むことを特徴とする。
【0018】また、本発明の半導体集積回路装置の設計
方法は、配置ステップの前あるいは列サイズ決定ステッ
プの後に、理想モジュールサイズ情報に基づいて特定の
条件に従った設計対象モジュールを構成するトランジス
タのp・nペアのグループ化を行なうステップを含む構
成とすることができる。
【0019】また、この発明に係る半導体集積回路の設
計方法においては、前記列情報を生成する配置ステップ
として理想モジュールサイズのX方向サイズよりも小さ
い幅で配置するようにしても良い。
【0020】さらに、この発明に係る半導体集積回路の
設計方法においては、列情報を生成する配置ステップと
してネットのつながりをより重視して配置するようにし
ても良い。
【0021】さらにまた、この発明に係る半導体集積回
路の設計方法においては、列サイズ決定ステップとして
理想モジュールサイズのX方向サイズになる様にすべて
のトランジスタ列のY方向サイズを決定するようにして
も良い。
【0022】そして、この発明に係る半導体集積回路の
設計方法においては、列サイズ決定ステップとして一番
長いトランジスタ列が理想モジュールサイズのX方向サ
イズと一致した場合、理想モジュールサイズのX方向サ
イズになる様にすべてのトランジスタ列のY方向サイズ
を決定するようにしても良い。
【0023】最後に、この発明に係る半導体集積回路の
設計方法においては、列サイズ決定ステップとして、理
想モジュールのY方向サイズが規定されていた時に各ト
ランジスタ列のY方向サイズを一定又はその総和が理想
モジュールサイズのY方向サイズとなる様に決定するよ
うにしても良い。
【0024】
【作用】配置ステップは、カット数を最少にするように
p・nペアの集合を細分化してゆくことによりp・nペ
アの配置を決定するミニ・カット法により配置処理を実
行するものとして構成することができる。また、配置は
ミニ・カット法のみならず、その他の従来使用されてい
る配置手法を適用することが可能である。
【0025】本発明によれば、トランジスタ列毎にその
最適なX方向及びY方向サイズを決定し、このX方向及
びY方向サイズよりも大きなトランジスタ幅をもつトラ
ンジスタについて並列化を行なうようになっているた
め、大きさの異なるトランジスタの自動レイアウトをデ
ッドスペース無く実現することができる。
【0026】
【実施例】以下、この発明に係る半導体集積回路装置の
設計方法の好適な実施例について、添付図面を参照しな
がら詳細に説明する。
【0027】本発明の実施例について説明する前に、ま
ず、設計の対象となるトランジスタモジュール及び各実
施例の説明において取扱う各部分のサイズの概念につい
て説明する。図2は1モジュールの設計において取扱う
各部のサイズの概念について図解するものである。この
図において、60はモジュール、61〜63はそのモジ
ュール60を構成するトランジスタ列である。トランジ
スタ列61はn1個の要素モジュール611〜613か
らなり、トランジスタ列62はn2個の要素モジュール
トランジスタペア621〜622からなり、トランジス
タ列63はn3個のトランジスタペア631〜632か
らなっている。XM はモジュール60のX方向の寸法、
Yc はトランジスタ列のY方向の寸法、Xp はトランジ
スタペア611〜632のX方向の寸法、Tl はトラン
ジスタのX方向の寸法(即ち、トランジスタ長)、Tw
はトランジスタのY方向の寸法(即ち、トランジスタ
幅)、Xs はトランジスタとトランジスタとの配置間隔
(X方向寸法)をそれぞれ示すものである。Tl 、Xs
は最小寸法であればよく、可変であるが、説明の簡単化
のために一定とする。即ち、図2においてトランジスタ
長Tl と必要とする配置間隔Xs の和であるXp は、す
べてトランジスタペアで一定である。
【0028】そして、図1は本発明の第1実施例に係る
自動設計方法の流れを示すフローチャートである。ま
ず、ステップS101において、ネット記述データ10
1と、モジュールの理想形状データ102とからトラン
ジスタの配置を決定する。ネット記述データ101には
トランジスタ同士の接続を示す記述と、図3(a)に示
される各トランジスタペア7101〜7111を構成し
ている各々のトランジスタのX方向サイズTl (トラン
ジスタ長)、Y方向サイズTw (トランジスタ幅)など
の条件データと、からなっている。モジュール理想形状
データ102には、図3に示されるモジュール71のX
方向及びY方向のサイズの比(XM0/YM0)、または、
X方向のサイズ、Y方向のサイズの上限値が含まれてい
る。
【0029】このステップS101においては、pch
型トランジスタ、nch型トランジスタについてそれぞ
れ列状に配置を行なう。配置は、カット数を最小にする
ようにトランジスタペアの集合を細分化していくことに
よって、その位置を決定するミニカット(mini-cut)法
等、ネットの接続関係を考慮し、配線長を短くするもの
ならどの様な手法を用いても良い。各列のX方向サイズ
XM はモジュール理想形状データ102で直接得られる
か、または、モジュール理想形状データ102から推測
できるレイアウトパターンのX方向サイズであるモジュ
ール理想長XM0を越えないようにするだけでよく、ネッ
トのつながりをより多く考慮して配置する。
【0030】次に、ステップS102において、ステッ
プS101により配置されたトランジスタ列のそれぞれ
Y方向のサイズYc1〜Yc3と、各トランジスタ列ごとの
トランジスタのX方向サイズXc1〜Xc3(ni を該トラ
ンジスタ列iにおけるトランジスタの個数としたときX
ci=ni・Xp )を算出する(図4(a))。
【0031】次いで、ステップS103において、トラ
ンジスタ列の、列毎のトランジスタのX方向サイズXc1
〜Xc3と理想モジュール形状とから、モジュールX方向
サイズXM を決定することとなる(図4(b))。
【0032】その後、ステップS104において、決め
られたトランジスタ列のY方向の寸法YC1よりも大きな
Y方向サイズを有するトランジスタは並列化または折曲
げを行なうため、各トランジスタペア列ごとのY方向の
サイズを決定する。図4はこのサイズの決定を概念的に
示したもので、モジュールのX方向サイズとトランジス
タペアののX方向サイズとは、例えば、図4(a)に示
すような関係となり、トランジスタペアのX方向サイズ
Xp11 〜Xp14 またはXp21 〜Xp23 またはXp31 〜X
p34 を加えたものが各列のX方向サイズとなる。また、
Yc1〜Yc3は各列のY方向サイズである。ステップS1
04では、これらのX方向及びY方向サイズXp11 〜X
p14 またはXp21 〜Xp23 またはXp31 〜Xp34 、Yc1
〜Yc3を求めることとなる。この図4(a)に示すケー
スはモジュールとして完全な矩形となるように決定する
場合であり、また、モジュール理想形状とレイアウト形
状とが一致する理想的な場合を示している。このモジュ
ールのX方向及びY方向のサイズ決定処理はモジュール
全体として完全な矩形になるように決定する場合に限ら
れない。図4(b)はX方向サイズだけトランジスタペ
ア列毎に決定するようにしたものであり、このような手
法はX方向の形状に余裕がある場合またはY方向のサイ
ズが固定されている場合に適している。また、図4
(c)はX方向及びY方向の両サイズ共にトランジスタ
ペア列毎に決定するようにしたもので、これはX方向及
びY方向の両方向について設計形状に余裕がある場合に
適している。
【0033】トランジスタ高さTw2の計算法の一例をあ
げる。トランジスタのY方向サイズTw1はWの倍数、ト
ランジスタペアのX方向サイズをXp とする。ここで、
Wは設計ル−ルにより許容されたトランジスタ幅の最小
値の正数倍の大きさである。Wは並列化後のトランジス
タ幅の最小値として設定される値である。配置されたト
ランジスタペア列のX方向サイズXciが該モジュール幅
XM0以下のトランジスタペア列全てに対して、該各トラ
ンジスタ列にそれぞれ属するトランジスタのY方向サイ
ズ(トランジスタ幅)の総和をTtwとすると、仮トラン
ジスタ列高さ(Y方向の寸法)Ytci をTtw/(XMO/
Xp )に最も近いWの2n倍の数とする。このトランジ
スタ列中のトランジスタで、そのY方向サイズTw1がT
w2=Ytci /2を越えるものであるときの、そのトラン
ジスタを折曲げたときのトランジスタのX方向サイズの
和Xci' を計算し、これがモジュール幅XM0を越えた場
合にはTw2をwだけ大きくする。これをトランジスタ列
のX方向サイズXC1' がモジュールのX方向サイズXM0
以下で最大になるまで繰返し、このときのTw2がトラン
ジスタの折曲げ幅となる。これは、Pチャンネルトラン
ジスタ、Nチャンネルトランジスタそれぞれの折曲げ幅
を同じにした例であり、この折り曲げ幅の割合を変える
ことも可能である。上記の例はX方向サイズの制約が厳
しい時に適している。また、配置後の列幅が理想モジュ
ールサイズ内におさまっている場合は、短い列のX方向
サイズを最も幅の列の長い列に合わせて決定し、これに
合わせて各列のTw2を決定すれば、X方向・Y方向、両
方向のスペースの無駄を少なくできる。図4(b)の場
合のように、のX方向に余裕があって各列の幅が多少違
っても良い場合や、Y方向のサイズの制約が厳しい場合
等は、Tw2を列中で最も小さなトランジスタ幅やWのn
(1以上の正数)倍の固定値として決めておく事もでき
る。Tw2を固定値とした場合にはモジュールの高さを固
定する事が可能である。Tw2を列中で最も小さなトラン
ジスタ幅とした場合には図4(c)の様にX方向のサイ
ズの差を固定値の場合よりも少なく抑えられ、各列の高
さYcnをスペースの無駄の少ない値にできる。
【0034】次に、ステップS105において、各トラ
ンジスタ列のY方向サイズTw2を越えるY方向サイズT
w1を持つトランジスタは、(Tw1/Tw2)個に、また、
トランジスタのY方向サイズTw がトランジスタ列のY
方向サイズTw2で割切れない場合は(Tw1/Tw2+1)
個に並列化して並べる。図3(c)に示すように、例え
ば、1個のトランジスタ73を3個のトランジスタ73
1〜733に分割し、それらをゲート共通で並列に接続
することとなる。図5は並列化の各種態様を示したもの
で、図5(a)はトランジスタの並列化前(原状態)、
同図(b)〜(d)は並列化後の状態を示している。図
5(a)に示すように、トランジスタのY方向サイズT
w1がトランジスタ列の理想Y方向サイズTw2より大きい
場合にその並列化を行なうことになるが、この場合、分
割並列化(b)・(c)、折曲げ並列化(d)のいずれ
かを選定することができる。分割並列化の場合にはY方
向サイズTw1に応じて、図5(b)に示すようにY方向
サイズTw21 の3個のトランジスタに分割並列化した
り、図5(c)に示すようにY方向サイズTw22 の2個
のトランジスタに分割並列化する等、任意の個数に分割
することができる。また、折曲げ並列化の場合にY方向
サイズTw2に応じてそのY方向サイズTw23 を決定し、
折曲げることとなる。以上の操作から分かるように、ト
ランジスタ列のY方向サイズTw1によってトランジスタ
列のX方向サイズXM は調整できるので、トランジスタ
の配置は従来に比べトランジスタ列の幅よりもネットの
つながりをより重視して行なうことが可能である。
【0035】上記の例はX方向サイズの制約が厳しい時
に適している。また、配置後の列幅が理想モジュールサ
イズ内におさまっている場合は、短い列のX方向サイズ
を最も幅の長い列に合わせて決定し、これに合わせて各
列のTw2を決定すれば、X方向及びY方向の両方向にお
けるスペースの無駄をより少なくすることができる。
【0036】図4(b)の場合のように、X方向に余裕
があって各列の幅が多少違っていても良い場合や、Y方
向のサイズの制約が厳しい場合等は、Tw2を列中で最も
小さなトランジスタ幅やWのn(1以上の正数)倍の固
定値として決めておくこともできる。Tw2を固定値とし
た場合にはモジュールの高さを固定することが可能であ
る。Tw2を列中で最も小さなトランジスタ幅とした場合
には図4(c)のようにX方向のサイズの差は固定値の
場合よりも少なく抑えられ、各列の高さYcnはスペース
に生じる無駄が少なくなるような値に設定できる。
【0037】次に、ステップS106において、モジュ
ールを構成する全てのトランジスタ列についてその列の
Y方向のサイズの決定(ステップS104)と、各列ご
とのトランジスタの並列化(S105)とが終了してい
るか否かが判断される。ステップS106の判断の結
果、何れかのトランジスタ列についてサイズの決定及び
並列化が終了していないものと判断された場合には、処
理が未終了のトランジスタ列についてステップS104
及びS105の処理動作を繰り返すことになる。また、
ステップS106の判断の結果、ステップS104及び
S105の処理が終了しているものと判断された場合に
は、処理動作はステップS107へと進むことになる。
【0038】次に、ステップS107において、図6に
示すように従来の方法で配線を行ない、所望のレイアウ
トパターンを得ることができる。図6はその配線例を回
路例と共に示すもので、ここでは図6(a)に示す4個
のトランジスタ1〜4からなる回路例について、同図
(b)に示すように配線する例を示したものである。ト
ランジスタ1,3はpMOS、トランジスタ2,4はn
MOSである。このような回路を形成する場合、図6
(b)に示すように、2組のp・nペアからなる隣接ト
ランジスタが使用され、極力その配線が簡素なものとな
るようにパターン設計される。以上のように本第1実施
例によれば、トランジスタ列毎にその最適なX方向及び
Y方向サイズを決定し、このX方向及びY方向サイズよ
りも大きなトランジスタ幅をもつトランジスタについて
並列化を行なうようになっているため、大きさの異なる
トランジスタの自動レイアウトをデッドスペース無く実
現することができることとなる。
【0039】図7は本発明の第2実施例に係る半導体集
積回路装置の設計方法を示すものである。トランジスタ
の並列化を行なった場合、ペアで配置したpchトラン
ジスタとnchトランジスタとのX方向のサイズTwp,
Twnが大きく違うとその位置にずれを生じ、最終的な配
置関係が遠くなってしまう場合がある。また、ゲート間
をポリシリコン層で接続した場合の容量やスキューを考
え、図8(c)に示すように、p・nペアのトランジス
タを向かい合わせに配置するとデッドスペースDS1 〜
DS8 が生じてしまう。第2実施例ではこの問題を解決
するもので、図8(d)に示すように、トランジスタの
並列化もしくは折曲げた後にトランジスタペアのp・n
のX方向サイズの大きさが異なってもデッドスペースが
できないようにペアをグループ化し、これを隣接させて
配置する。図8(d)に示すように、デッドスペースD
S1 〜DS8 はそれぞれ有効利用され、スペースの無駄
がなくなる。
【0040】グループ化の方法として、まず、p・nペ
アそれぞれのトランジスタの幅Twの和が同じになるペ
アをグループにする。このペアは、まず、ネット情報2
01から、p・nペアそれぞれのトランジスタのY方向
サイズTw の和がほぼ同じになるトランジスタのp・n
ペアの集合、即ち、pchトランジスタのトランジスタ
のY方向サイズTwpがa1 、nchトランジスタのY方
向サイズTwnがb1 のペアの集合(集合S1 )と、pc
hトランジスタのトランジスタY方向サイズTwpがa2
、nchトランジスタのトランジスタY方向サイズTw
nがb2 のペアの集合(集合S2 )とを全て抽出する。
集合S1 と集合S2 とからそれぞれネットの接続度の高
いペアの集合を全て抽出する。図8(a)、(b)はそ
の様子を概念的に示すものであり、図8(a)に示すよ
うに各種サイズのトランジスタが存在するとした場合、
そのp・nペアとしてのY方向サイズがほぼ同じとなる
組合わせを追及した結果、A,B,C及びDの各グルー
プに分けられたもので、図8(b)は、これを配置換え
した状態を示しているものである。集合S1 ,S2 とか
ら、これらからそれぞれネットの接続度の高いペア一組
ずつを組み合わせ、これをグループとする。
【0041】また、グループ化の別の方法として、pc
hトランジスタの基準幅がTwp、nchトランジスタの
基準幅がTwnであるとき、pchトランジスタの幅Twp
1 、nchトランジスタの幅Twn1 が Twp*(n1 −1)<Twp1 ≦Twp*n1 Twp*(n2 −1)<Twn1 ≦Twn*n2 であるp・nペアの集合S1 と、pchトランジスタの
幅Twp2 、nchトランジスタの幅Twn2 が Twp*(n2 −1)<Twp2 ≦Twp*n2 Twn*(n1 −1)<Twn2 ≦Twn*n1 であるp・nペアの集合S2とを全て抽出し、集合S
1,S2からそれぞれネットの接続度の高いペア一組ず
つを組み合わせ、これをグループとする。p・nトラン
ジスタの基準幅Twp,Twnが、p・nトランジスタそれ
ぞれの平均のY方向サイズ(トランジスタ幅)や、それ
ぞれの最小サイズ、トランジスタ列の高さの予測値の平
均等を自由に設定できる。次のステップS202のトラ
ンジスタ配置では、グループは隣合わせに配置する。以
下のステップS203からステップS208の処理は第
1実施例と同様に行なうこととなる。
【0042】図9は本発明の第3実施例に係る半導体集
積回路装置の設計方法を示すもので、ここでは、トラン
ジスタのグループ化を、上記第2実施例とは異なり、ト
ランジスタ配置処理、各種サイズの決定処理を実行した
後に行なうようになっていることを特徴とする。まず、
S301〜S04までは第1実施例と同様に行なう。因
みに、S301はS101に対応し、また、S302は
S102に、S303はS103に、S304はS10
4にそれぞれ対応する。そして、S305において、各
トランジスタ列毎にそのトランジスタ列の高さから、p
chトランジスタとnchトランジスタのサイズの違い
によりデッドスペースができるトランジスタペアを空き
領域とネットの接続度とをパラメータとしてグループ化
する。
【0043】例えば、その一例として、pchトランジ
スタ列のY方向サイズがYcp、nchトランジスタ列の
Y方向サイズがYcnであるとき)、pchトランジスタ
のY方向サイズ(トランジスタ長)Twp1 、nchトラ
ンジスタのX方向サイズ(トランジスタ幅)Twn1 が、 Twp*(n1 −1)<Twp1 ≦Twp*n1 Twp*(n2 −1)<Twn1 ≦Twn*n2 であるペアの集合S1と、pchトランジスタのY方向
サイズ(トランジスタ幅)Twp2 、nchトランジスタ
のY方向サイズ(トランジスタ幅)Twn2 が、 Ycp*(n2 −1)<Twp2 ≦Ycp*n2 Ycn*(n1 −1)<Twn2 ≦Ycn*n1 であるペアの集合S2とを該トランジスタ列に属する全
てのトランジスタから抽出し、集合S1とS2とからそ
れぞれネットの接続度の高いペア一組ずつを組み合わ
せ、これをグループとする。
【0044】また別の例として、pchトランジスタ列
のY方向サイズがYcp、nchトランジスタ列のY方向
サイズがYcnであるとき、 n1 +n4 =n2 +n3 なる関係のn1 ,n2 ,n3 ,n4 に対し、pchトラ
ンジスタのY方向サイズTwp1 、nchトランジスタの
Y方向サイズTwn1 が Ycp*(n1 −1)<Twp2 ≦Ycp*n1 Ycn*(n2 −1)<Twn1 ≦Tcn*n2 であるペアの集合S1と、pchトランジスタのY方向
のサイズ(トランジスタ幅)Twp2 、nchトランジス
タのY方向のサイズ(トランジスタ幅)Twn2 が Ycp*(n3 −1)<Twp2 ≦Ycp*n3 Ycn*(n4 −1)<Twn2 ≦Ycn*n4 であるペアの集合S2とを該トランジスタ列に属する全
てのトランジスタから抽出する。集合S1,S2からそ
れぞれネットの接続度の高いペア一組ずつを組合わせ、
これをグループとする。さらに、ステップS306で、
各グループに属するトランジスタペアが隣同士になるよ
うにトランジスタの配置の入替えを行なう。以下、ステ
ップS307〜S309までを第1実施例および第2実
施例と同様に行なう。因みに、ステップS307はステ
ップS105、ステップS308はステップS106、
ステップS309はステップS107にそれぞれ対応す
るものとなる。
【0045】図10及び図11は、この発明に係る半導
体集積回路装置の設計方法により設計された装置の効果
を並列化を行なわない通常のモジュール、従来の並列化
モジュール及び本発明による並列化モジュールの三者の
比較の下に示す表である。図10より明らかなように、
本発明による並列化処理においては、モジュール幅の最
大値が並列化を行なわないものより約42%、従来の並
列化よりも約34%増えているが、列の合計値では並列
化を行なわないものの約1/6、従来の並列化よりも約
5/8短くなっている。
【0046】このため、図11に示すように各タイプ
(A)(B)(C)の面積は、本発明による並列化モジ
ュールのものが並列化を行なわないものの約2/9、従
来のものの約4/5まで縮小できるという優れた効果を
奏する。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ト
ランジスタ列毎に最適なトランジスタ列のY方向のサイ
ズを決定し、このY方向のサイズより大きなY方向のサ
イズを有するトランジスタは並列化(分割・折曲げ)を
行なって、大きさの異なるトランジスタの自動レイアウ
トをデッドスペースをもたせずに実現することができ
る。
【0048】すなわち、本発明は、並列化によってトラ
ンジスタ列のY方向の寸法の違いによる凹凸が原因とな
って生ずるデッドスペースを無くすことができ、かつト
ランジスタを並列化したときに、隣接するトランジスタ
との間に生ずるデッドスペースも無くすように隣接トラ
ンジスタを決定するようになっているために、本発明の
ステップを踏むことで、大きさの異なるトランジスタで
あってもデッドスペースの無いレイアウトを確実に実現
することができ、設計の自動化実現に大きく貢献できる
ものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る半導体集積回路装置
の設計方法を実現するコンピュータ処理の内容を示すフ
ローチャートである。
【図2】本発明で処理対象とするトランジスタモジュー
ルの概要を示すモジュール模式図である。
【図3】図1に示す方法に従う設計手順を示す説明図で
ある。
【図4】図1で示す方法に従う設計手順におけるモジュ
ールサイズの決定を概念的に示す模式図である。
【図5】図1に示す方法に従う設計手順における並列化
(分割、折曲げ)処理の概念を示す模式図である。
【図6】本発明で取扱うパターン記号と回路記号との関
係を示す説明図である。
【図7】本発明の第2実施例に係る半導体集積回路装置
の設計方法を実現するコンピュータ処理の内容を示すフ
ローチャートである。
【図8】図7及び図9に示す方法に従う設計手順におけ
るp・nペア決定処理の概念を示す説明図である。
【図9】本発明の第3実施例に係る半導体集積回路装置
の設計方法を実現するコンピュータ処理の内容を示すフ
ローチャートである。
【図10】並列化をしない場合、従来の並列化の場合、
及び本発明による並列化の場合の各列のモジュール幅及
び高さ実験例を示す図表である。
【図11】図10のそれぞれの合計数値に基づいて求め
た各例の面積を示す図表である。
【図12】従来のトランジスタパターン設計処理の概念
を示す説明図である。
【符号の説明】
S101,S202,S301 配置処理 S103,S104,S203〜S205,S302〜
S304 列サイズ決定処理 S105,S206,S307 並列化処理 S201,S305 p・nペア決定処理
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/04 21/822 H01L 21/82 R 27/04 A

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】トランジスタのネット記述とこれを構成す
    る各種トランジスタのサイズ情報及び該各種トランジス
    タをX方向に配列してなるトランジスタ列のX方向のサ
    イズ及び該X方向に直交するY方向のサイズに関する制
    約条件となる理想モジュールサイズ情報に基づいて設計
    対象トランジスタ列の構成に必要なトランジスタを配線
    長が可及的に短くなるように配置したトランジスタ列を
    示す列情報を生成する配置ステップと、 前記列情報に基づいて該列情報が示すトランジスタ列の
    X方向及びY方向のサイズを示す列サイズ情報を生成す
    る列サイズ決定ステップと、 前記列情報が示すトランジスタ列が前記列サイズ情報が
    示すX方向及びY方向のサイズ内に収まるように該トラ
    ンジスタ列を構成するトランジスタの並列化を行なう並
    列化ステップとを含むことを特徴とする半導体集積回路
    装置の設計方法。
  2. 【請求項2】配置ステップの前あるいは列サイズ決定ス
    テップの後に、 理想モジュールサイズ情報に基づいて特定の条件に従っ
    た設計対象モジュールを構成するトランジスタのp・n
    ペアのグループ化を行なうステップを含んでいることを
    特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の設計
    方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6415417B1 (en) 1999-03-01 2002-07-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for transistor optimization, method and apparatus for layout design of integrated circuit, and integrated circuit
US6806738B2 (en) 2002-11-27 2004-10-19 Renesas Technology Corp. Semiconductor circuit device capable of high speed decoding
JP2012064854A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Toshiba Corp 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6415417B1 (en) 1999-03-01 2002-07-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for transistor optimization, method and apparatus for layout design of integrated circuit, and integrated circuit
US6806738B2 (en) 2002-11-27 2004-10-19 Renesas Technology Corp. Semiconductor circuit device capable of high speed decoding
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