JPH0788550B2 - 電子機器用パッケ−ジのリ−ド材 - Google Patents
電子機器用パッケ−ジのリ−ド材Info
- Publication number
- JPH0788550B2 JPH0788550B2 JP62146500A JP14650087A JPH0788550B2 JP H0788550 B2 JPH0788550 B2 JP H0788550B2 JP 62146500 A JP62146500 A JP 62146500A JP 14650087 A JP14650087 A JP 14650087A JP H0788550 B2 JPH0788550 B2 JP H0788550B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- content
- ppm
- lead material
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気機器用パッケージのリード材、特に800〜1
000℃の高温加熱下でろう付け接合され、1/0端子を形成
し、かつ基板へのIC実装時に折れ、屈曲等を起すことの
ない銅合金よりなるサイドブレーズ型のセラミックパッ
ケージICや、ピン・グリットアレイICといわれる半導体
集積回路用のパッケージ用リード材に関するものであ
る。
000℃の高温加熱下でろう付け接合され、1/0端子を形成
し、かつ基板へのIC実装時に折れ、屈曲等を起すことの
ない銅合金よりなるサイドブレーズ型のセラミックパッ
ケージICや、ピン・グリットアレイICといわれる半導体
集積回路用のパッケージ用リード材に関するものであ
る。
集積回路のパッケージには、プラスチック樹脂を用いて
素子を封止したものと、セラミックを用いて素子を封止
したものがあり、プラスチックタイプのリード材には様
々の銅合金材が用いられ、セラミックタイプのリード材
にはCo−Ni−Fe合金（コバール）やFe−42％Ni合金（42
アロイ）が使用されてきた。
素子を封止したものと、セラミックを用いて素子を封止
したものがあり、プラスチックタイプのリード材には様
々の銅合金材が用いられ、セラミックタイプのリード材
にはCo−Ni−Fe合金（コバール）やFe−42％Ni合金（42
アロイ）が使用されてきた。
コバールや42アロイはパッケージに用いるセラミックス
とほぼ同等の熱膨張率を有するところから、セラミック
スとの間に熱応力を発生させることがなく、セラミック
スの破壊が起らず、また高温での熱履歴によっても軟化
することのない高い耐熱性を有している。
とほぼ同等の熱膨張率を有するところから、セラミック
スとの間に熱応力を発生させることがなく、セラミック
スの破壊が起らず、また高温での熱履歴によっても軟化
することのない高い耐熱性を有している。
しかしながらコバールや42アロイは電気伝導度が３％IA
CS程度と小さく、当然のことながら電気伝導度と比例関
係を示す熱伝導度も小さく、従ってIC素子の発熱に対す
る熱放散性が劣り、信頼性の観点から問題となってい
る。更に近年の高密度化に伴って発生する熱量は増加の
傾向を示し、この点からもより放熱性の高い材料の開発
が望まれている。
CS程度と小さく、当然のことながら電気伝導度と比例関
係を示す熱伝導度も小さく、従ってIC素子の発熱に対す
る熱放散性が劣り、信頼性の観点から問題となってい
る。更に近年の高密度化に伴って発生する熱量は増加の
傾向を示し、この点からもより放熱性の高い材料の開発
が望まれている。
これに対し良熱伝導体である銅合金の使用が考えられる
が、耐熱性の面でコバールや42アロイに比較して劣り、
高温でのろう付け時に軟化してしまい、基板へのIC実装
時に折れや屈曲が起り、歩留りの低下を招き、かつ信頼
性を落す要因となる。
が、耐熱性の面でコバールや42アロイに比較して劣り、
高温でのろう付け時に軟化してしまい、基板へのIC実装
時に折れや屈曲が起り、歩留りの低下を招き、かつ信頼
性を落す要因となる。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、コバールや42アロ
イと同等又はより以上の耐熱性、高温強度及び電気・熱
伝導度を有する電子機器用パッケージのリード材を開発
したものである。
イと同等又はより以上の耐熱性、高温強度及び電気・熱
伝導度を有する電子機器用パッケージのリード材を開発
したものである。
即ち本発明の一つは、Ni0.1〜4.5wt％（以下wt％を％と
略記）,Si0.05〜1.2％,V0.005〜0.2％を含み、O2含有量
を200ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm
以下とし、残部Cuと不可避的不純物からなることを特徴
とするものである。
略記）,Si0.05〜1.2％,V0.005〜0.2％を含み、O2含有量
を200ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm
以下とし、残部Cuと不可避的不純物からなることを特徴
とするものである。
また本発明リード材の他の一つは、Ni0.1〜4.5％,Si0.0
5〜1.2％,V0.005〜0.2％を含み、更にZn5.0％以下を含
み、O2含有量を200ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ
含有量を20ppm以下とし、残部Cuと不可避的不純物から
なることを特徴とするものである。
5〜1.2％,V0.005〜0.2％を含み、更にZn5.0％以下を含
み、O2含有量を200ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ
含有量を20ppm以下とし、残部Cuと不可避的不純物から
なることを特徴とするものである。
また本発明リード材の他の一つは、Ni0.1〜4.5％,Si0.0
5〜1.2％,V0.005〜0.2％を含み、更に0.3％以下のCa,M
g,ミッシュメタル（MM）,P,Cr,Zr,B,Y,La,Fe,Coの何れ
か１種又は２種以上を合計0.5％以下含み、O2含有量を2
00ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm以
下とし、残部Cuと不可避的不純物からなることを特徴と
するものである。
5〜1.2％,V0.005〜0.2％を含み、更に0.3％以下のCa,M
g,ミッシュメタル（MM）,P,Cr,Zr,B,Y,La,Fe,Coの何れ
か１種又は２種以上を合計0.5％以下含み、O2含有量を2
00ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm以
下とし、残部Cuと不可避的不純物からなることを特徴と
するものである。
更に本発明のリード材の他の一つは、Ni0.1〜4.5％,Si
0.05〜1.2％,V0.005〜0.2％,Zn5.0％以下を含み、更に
0.3％以下のCa,Mg,ミッシュメタル（MM）,P,Cr,Zr,B,Y,
La,Fe,Coの何れか１種又は２種以上を合計0.5％以下含
み、O2含有量を200ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ
含有量を20ppm以下とし、残部Cuと不可避的不純物から
なることを特徴とするものである。
0.05〜1.2％,V0.005〜0.2％,Zn5.0％以下を含み、更に
0.3％以下のCa,Mg,ミッシュメタル（MM）,P,Cr,Zr,B,Y,
La,Fe,Coの何れか１種又は２種以上を合計0.5％以下含
み、O2含有量を200ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ
含有量を20ppm以下とし、残部Cuと不可避的不純物から
なることを特徴とするものである。
本発明リード材においてNiとSiはそれぞれ強度及び耐熱
性を向上すると共に相互作用によりNi−Siの析出化合物
を形成し、強度や耐熱性の向上に大きく寄与し、更に半
田付けの信頼性を向上する。しかしてNi含有量を0.1〜
4.5％、Si含有量を0.05〜1.2％と限定したのは、何れも
下限未満では効果がなく、上限を越えると熱間加工性や
導電性（伝熱性）を低下し、かつ半田付けの信頼性が逆
に低下するためである。Ｖはろう付け時の高温下におけ
る結晶の粗大化を抑制するもので、高温・長時間によっ
てもその作用を失わない特性を持つ。しかしてＶ含有量
を0.005〜0.2％と限定したのは、下限未満では効果が見
られず、上限を越えると上記特性が飽和するばかりか、
鋳造性を悪化させるためである。
性を向上すると共に相互作用によりNi−Siの析出化合物
を形成し、強度や耐熱性の向上に大きく寄与し、更に半
田付けの信頼性を向上する。しかしてNi含有量を0.1〜
4.5％、Si含有量を0.05〜1.2％と限定したのは、何れも
下限未満では効果がなく、上限を越えると熱間加工性や
導電性（伝熱性）を低下し、かつ半田付けの信頼性が逆
に低下するためである。Ｖはろう付け時の高温下におけ
る結晶の粗大化を抑制するもので、高温・長時間によっ
てもその作用を失わない特性を持つ。しかしてＶ含有量
を0.005〜0.2％と限定したのは、下限未満では効果が見
られず、上限を越えると上記特性が飽和するばかりか、
鋳造性を悪化させるためである。
本発明リード材は更にZnを添加するとよい。Znは半田や
メッキとの接合強度の劣化を抑制するのに有効であり、
かつ熱や電子によるマイブレーションを予防する働きを
持つ。しかしてその含有量を5.0％以下と限定したの
は、5.0％を越えると導電率が低下すると共に加工性も
悪くなるためである。また本発明リード材は0.3％以下
のCa,Mg,ミッシュメタル（MM）,P,Cr,Zr,B,Y,La,Fe,Co
（以下副成分と称す）の何れか１種又は２種以上を合計
0.5％以下を添加するとよい。これ等副成分は結晶粒を
微細化し、ろう付け等の高温熱処理における強度低下を
抑制すると共に、繰返し曲げ特性の低下も抑制し、更に
半田信頼性の向上にも有効である。しかしてその含有量
を単独で0.3％以下、２種以上の合計で0.5％以下と限定
したのは、これを越えると導電率が低下すると共に、加
工性が悪くなって製造が困難となるためである。
メッキとの接合強度の劣化を抑制するのに有効であり、
かつ熱や電子によるマイブレーションを予防する働きを
持つ。しかしてその含有量を5.0％以下と限定したの
は、5.0％を越えると導電率が低下すると共に加工性も
悪くなるためである。また本発明リード材は0.3％以下
のCa,Mg,ミッシュメタル（MM）,P,Cr,Zr,B,Y,La,Fe,Co
（以下副成分と称す）の何れか１種又は２種以上を合計
0.5％以下を添加するとよい。これ等副成分は結晶粒を
微細化し、ろう付け等の高温熱処理における強度低下を
抑制すると共に、繰返し曲げ特性の低下も抑制し、更に
半田信頼性の向上にも有効である。しかしてその含有量
を単独で0.3％以下、２種以上の合計で0.5％以下と限定
したのは、これを越えると導電率が低下すると共に、加
工性が悪くなって製造が困難となるためである。
次に本発明リード材において、O2含有量を200ppm以下、
H2含有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm以下と制限した
のは下記の理由によるものである。即ちO2は前記Ni−Si
化合物或いはＶの微細かつ均一な析出並びに半田付け
性、メッキ性を向上するも、含有量が200ppmを越えると
これ等の効果が見られなくなり、またろう付け時に高温
脆化を起しやすくなる。H2はろう付け時における高温脆
化を防止するも、含有量が10ppmを越えると逆に高温脆
化を起しやすくなると共に、半田付け性、メッキ性、耐
熱性等を悪くする。ＳはNi−Si化合物、或いはＶの微細
かつ均一な析出並びに熱間加工性を向上するも、含有量
が20ppmを越えるとこれ等の効果が見られないばかり
か、逆に熱間加工性も悪くするためである。
H2含有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm以下と制限した
のは下記の理由によるものである。即ちO2は前記Ni−Si
化合物或いはＶの微細かつ均一な析出並びに半田付け
性、メッキ性を向上するも、含有量が200ppmを越えると
これ等の効果が見られなくなり、またろう付け時に高温
脆化を起しやすくなる。H2はろう付け時における高温脆
化を防止するも、含有量が10ppmを越えると逆に高温脆
化を起しやすくなると共に、半田付け性、メッキ性、耐
熱性等を悪くする。ＳはNi−Si化合物、或いはＶの微細
かつ均一な析出並びに熱間加工性を向上するも、含有量
が20ppmを越えるとこれ等の効果が見られないばかり
か、逆に熱間加工性も悪くするためである。
〔実施例〕 第１表に示す組成のCu合金を冷却鋳型を用いて半連続鋳
造し、850℃で熱間圧延後、面削して厚さ10mmの板とし
た。これを加工率96％で冷間圧延した後、500℃で30分
間熱処理してから加工率25％で冷間圧延して厚さ0.3mm
の板とし、更に400℃で30分間調質焼鈍を行なってリー
ド材を作製した。
造し、850℃で熱間圧延後、面削して厚さ10mmの板とし
た。これを加工率96％で冷間圧延した後、500℃で30分
間熱処理してから加工率25％で冷間圧延して厚さ0.3mm
の板とし、更に400℃で30分間調質焼鈍を行なってリー
ド材を作製した。
上記リード材について引張強さ、導電率、半田接合部の
接合強度、メッキ膜の密着性、繰返し曲げ性、耐熱性等
を評価し、その結果を従来材（Fe−42％Ni合金）と比較
して第２表に示した。
接合強度、メッキ膜の密着性、繰返し曲げ性、耐熱性等
を評価し、その結果を従来材（Fe−42％Ni合金）と比較
して第２表に示した。
引張強さはJIS−Z2241、導電率はJIS−H0505に基づいて
測定し、半田接合部の接合強度は、リード材に直径2mm
の無酸素銅線を60/40共晶半田により半田付けしてから1
50℃に500時間保持した後、引張試験することにより求
めた。メッキ膜の密着性は、リード材を電解脱脂、酸洗
してからホウフッ化物浴を用いてSn−５％Pb合金を7.5
μｍの厚さにメッキし、これを105℃に1000時間保持し
た後、180゜に折曲げ、折曲げ部におけるメッキ膜の剥
離の有無を調べた。繰返し曲げ性及び耐熱性について
は、リード材を875℃で５分間加熱後、室温まで冷却
し、その後450℃で30分間の熱処理を行なった材料につ
いて、繰返し曲げ性はMIL−STD 883/2004 Condition B2
で測定し、耐熱性はJIS−Z2241に基づいて引張強さによ
り測定した。
測定し、半田接合部の接合強度は、リード材に直径2mm
の無酸素銅線を60/40共晶半田により半田付けしてから1
50℃に500時間保持した後、引張試験することにより求
めた。メッキ膜の密着性は、リード材を電解脱脂、酸洗
してからホウフッ化物浴を用いてSn−５％Pb合金を7.5
μｍの厚さにメッキし、これを105℃に1000時間保持し
た後、180゜に折曲げ、折曲げ部におけるメッキ膜の剥
離の有無を調べた。繰返し曲げ性及び耐熱性について
は、リード材を875℃で５分間加熱後、室温まで冷却
し、その後450℃で30分間の熱処理を行なった材料につ
いて、繰返し曲げ性はMIL−STD 883/2004 Condition B2
で測定し、耐熱性はJIS−Z2241に基づいて引張強さによ
り測定した。
第１表及び第２表から明らかなように本発明リード材N
o.1〜19は何れも従来リード材であるFe−42％Ni合金No.
28と比較して、同等又はそれ以上の引張強さや耐熱性を
保持し、かつ20倍以上の高い導電性（熱放散性）を有す
ることが判る。
o.1〜19は何れも従来リード材であるFe−42％Ni合金No.
28と比較して、同等又はそれ以上の引張強さや耐熱性を
保持し、かつ20倍以上の高い導電性（熱放散性）を有す
ることが判る。
しかしながらNi及びSi含有量の少ない比較リード材No.2
0では十分な強度と耐熱性が得られず、Ni及びSi含有量
の多い比較リード材No.21では強度及び耐熱性は十分で
あるが、半田接合性、メッキ密着性及び導電性が低下し
ている。またＶ含有量の多い比較リード材No.22及び副
成分の多い比較リード材No.24では鋳造や熱間圧延が難
しく供試材が得られなかった。またZn含有量の多い比較
リード材No.23では導電率の低下が著しいことが判る。
更にO2やH2の多い比較リード材No.25及び27では耐熱
性、繰返し曲げ性及びメッキ密着性が劣り、Ｓの多い比
較リード材No.26では熱間圧延で割れを生じ、供試材を
得ることができなかった。
0では十分な強度と耐熱性が得られず、Ni及びSi含有量
の多い比較リード材No.21では強度及び耐熱性は十分で
あるが、半田接合性、メッキ密着性及び導電性が低下し
ている。またＶ含有量の多い比較リード材No.22及び副
成分の多い比較リード材No.24では鋳造や熱間圧延が難
しく供試材が得られなかった。またZn含有量の多い比較
リード材No.23では導電率の低下が著しいことが判る。
更にO2やH2の多い比較リード材No.25及び27では耐熱
性、繰返し曲げ性及びメッキ密着性が劣り、Ｓの多い比
較リード材No.26では熱間圧延で割れを生じ、供試材を
得ることができなかった。
このように本発明リード材は従来材よりも導電性及び熱
放散性がはるかに優れていると共に、従来材（Fe−42％
Ni合金）と同等の優れた耐熱性、強度、半田付け性及び
メッキ性を有し、電子機器におけるサイドブレース型や
ピン・グリッド・アレイ型のセラミックパッケージ用リ
ード材として好適であり、プラスチックパッケージ用リ
ード材としても適用できるもので、電子機器の高集積
化、小型化、高機能化を容易にする等工業上顕著な効果
を奏するものである。
放散性がはるかに優れていると共に、従来材（Fe−42％
Ni合金）と同等の優れた耐熱性、強度、半田付け性及び
メッキ性を有し、電子機器におけるサイドブレース型や
ピン・グリッド・アレイ型のセラミックパッケージ用リ
ード材として好適であり、プラスチックパッケージ用リ
ード材としても適用できるもので、電子機器の高集積
化、小型化、高機能化を容易にする等工業上顕著な効果
を奏するものである。
Claims (4)
- 【請求項１】Ni0.1〜4.5wt％,Si0.05〜1.2wt％,V0.005
〜0.2wt％を含み、O2含有量を200ppm以下、H2含有量を1
0ppm以下、Ｓ含有量を20ppm以下とし、残部Cuと不可避
的不純物からなる電子機器用パッケージのリード材。 - 【請求項２】Ni0.1〜4.5wt％,Si0.05〜1.2wt％,V0.005
〜0.2wt％を含み、更にZn5.0wt％以下を含み、O2含有量
を200ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm
以下とし、残部Cuと不可避的不純物からなる電子機器用
パッケージのリード材。 - 【請求項３】Ni0.1〜4.5wt％,Si0.05〜1.2wt％,V0.005
〜0.2wt％を含み、更に0.3wt％以下のCa,Mg,ミッシュメ
タル,P,Cr,Zr,B,Y,La,Fe,Coの何れか１種又は２種以上
を合計0.5wt％以下含み、O2含有量を200ppm以下、H2含
有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm以下とし、残部Cuと
不可避的不純物からなる電子機器用パッケージのリード
材。 - 【請求項４】Ni0.1〜4.5wt％,Si0.05〜1.2wt％,V0.005
〜0.2wt％,Zn5.0wt％以下を含み、更に0.3wt％以下のC
a,Mg,ミッシュメタル,P,Cr,Zr,B,Y,La,Fe,Coの何れか１
種又は２種以上を合計0.5wt％以下含み、O2含有量を200
ppm以下、H2含有量を10ppm以下、Ｓ含有量を20ppm以下
とし、残部Cuと不可避的不純物からなる電子機器用パッ
ケージのリード材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146500A JPH0788550B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子機器用パッケ−ジのリ−ド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146500A JPH0788550B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子機器用パッケ−ジのリ−ド材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310933A JPS63310933A (ja) | 1988-12-19 |
| JPH0788550B2 true JPH0788550B2 (ja) | 1995-09-27 |
Family
ID=15409031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146500A Expired - Fee Related JPH0788550B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子機器用パッケ−ジのリ−ド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0788550B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5287037A (en) * | 1991-12-03 | 1994-02-15 | General Electric Company | Metal ferrules for hermetically sealing electric lamps |
| CN102855957A (zh) * | 2012-09-10 | 2013-01-02 | 顾建 | 一种用于导线的铜合金材料 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57116738A (en) * | 1981-01-10 | 1982-07-20 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead material of semiconductor apparatus |
| JPS5959850A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-05 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム合金 |
| JPS60158650A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-20 | Kobe Steel Ltd | 半導体機器用リ−ド材料 |
| JPS6286151A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-20 | Kobe Steel Ltd | ピン・グリツト・アレイｉｃリ−ド用線材の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62146500A patent/JPH0788550B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57116738A (en) * | 1981-01-10 | 1982-07-20 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead material of semiconductor apparatus |
| JPS5959850A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-05 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム合金 |
| JPS60158650A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-20 | Kobe Steel Ltd | 半導体機器用リ−ド材料 |
| JPS6286151A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-20 | Kobe Steel Ltd | ピン・グリツト・アレイｉｃリ−ド用線材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63310933A (ja) | 1988-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950004935B1 (ko) | 전자 기기용 구리 합금 | |
| JPS63130739A (ja) | 半導体機器リ−ド材又は導電性ばね材用高力高導電銅合金 | |
| JPH0551671A (ja) | 曲げ性及び応力緩和特性に優る電子機器用高力高導電性銅合金 | |
| JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
| JPS6386838A (ja) | 半導体リ−ド用銅合金 | |
| JPH02163331A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電性銅合金 | |
| JPH09157775A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS62182240A (ja) | 導電性高力銅合金 | |
| JPH0425339B2 (ja) | ||
| JPH0788550B2 (ja) | 電子機器用パッケ−ジのリ−ド材 | |
| JPH0788549B2 (ja) | 半導体機器用銅合金とその製造法 | |
| JPS6267144A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPH034613B2 (ja) | ||
| JPH02118037A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電性銅合金 | |
| JPS6250426A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS63192835A (ja) | セラミツクパツケ−ジ用リ−ド材 | |
| JPS6365748B2 (ja) | ||
| JPH07122108B2 (ja) | 曲げ性及び応力緩和特性に優る電子機器用高力高導電性銅合金 | |
| JPH06172896A (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
| JPS63313844A (ja) | 電子機器用パッケ−ジのリ−ド材 | |
| JPH06235035A (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
| JPH06184666A (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
| JPH0380856B2 (ja) | ||
| JP2576853B2 (ja) | はんだ接合強度に優れた電子機器用銅合金とその製造法 | |
| JPH06184676A (ja) | 高力高導電性銅合金 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |