JPH0786337A - Ｔａｂテ−プ及びその製造方法 - Google Patents
Ｔａｂテ−プ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0786337A JPH0786337A JP5249953A JP24995393A JPH0786337A JP H0786337 A JPH0786337 A JP H0786337A JP 5249953 A JP5249953 A JP 5249953A JP 24995393 A JP24995393 A JP 24995393A JP H0786337 A JPH0786337 A JP H0786337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- hole
- tab tape
- inner lead
- carrier film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャリアフィルムに設けるチップと、当該キ
ャリアフィルムに形成した導体回路のインナーリードと
のボンディングを、チップにダメ−ジを与ることなくで
き、また超多ピンであってもリードパターンが形状よく
形成され、さらに実装性がすぐれるＴＡＢテ−プを得
る。 【構成】 デバイスホ−ルとスプロケットホ−ル及びア
ウターリードホ−ルを形成したキャリアフィルムに接着
した金属箔に食刻して形成した導体回路のインナーリー
ド先端部が、デバイスホ−ル上に突き出し、当該インナ
ーリードと別途設けられるチップをボンディングするＴ
ＡＢテ−プにおいて、前記インナーリード先端部にＡｌ
が被覆され、また必要に応じて導体回路のアウターリー
ドに錫、鉛、亜鉛、金、銀又はこれらの合金を被覆して
いるＴＡＢテ−プである。
ャリアフィルムに形成した導体回路のインナーリードと
のボンディングを、チップにダメ−ジを与ることなくで
き、また超多ピンであってもリードパターンが形状よく
形成され、さらに実装性がすぐれるＴＡＢテ−プを得
る。 【構成】 デバイスホ−ルとスプロケットホ−ル及びア
ウターリードホ−ルを形成したキャリアフィルムに接着
した金属箔に食刻して形成した導体回路のインナーリー
ド先端部が、デバイスホ−ル上に突き出し、当該インナ
ーリードと別途設けられるチップをボンディングするＴ
ＡＢテ−プにおいて、前記インナーリード先端部にＡｌ
が被覆され、また必要に応じて導体回路のアウターリー
ドに錫、鉛、亜鉛、金、銀又はこれらの合金を被覆して
いるＴＡＢテ−プである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリア方式で
半導体装置を製造するＴＡＢテ−プに関する。
半導体装置を製造するＴＡＢテ−プに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、多機能化、多ピン化、小
型化あるいは薄型化を要請されている。これに対処せん
として例えば特開平３−１１６４１号公報に記載のよう
に、キャリアフィルムに接着した金属箔にインナーリー
ド、アウターリードの微細なリードパターンをエッチン
グで形成し、当該キャリアフィルムに穿設しているデバ
イスホ−ルに設ける半導体チップ（以下 チップとい
う）と前記インナーリードを接続して半導体装置を製造
するＴＡＢテ−プがある。
型化あるいは薄型化を要請されている。これに対処せん
として例えば特開平３−１１６４１号公報に記載のよう
に、キャリアフィルムに接着した金属箔にインナーリー
ド、アウターリードの微細なリードパターンをエッチン
グで形成し、当該キャリアフィルムに穿設しているデバ
イスホ−ルに設ける半導体チップ（以下 チップとい
う）と前記インナーリードを接続して半導体装置を製造
するＴＡＢテ−プがある。
【０００３】ＴＡＢテ−プはチップの一層の高密度、高
集積化に対応した超多ピン化が図られるが、チップとイ
ンナーリードをボンディングする際、チップに損傷を与
えずに信頼性高く接合することが重要である。
集積化に対応した超多ピン化が図られるが、チップとイ
ンナーリードをボンディングする際、チップに損傷を与
えずに信頼性高く接合することが重要である。
【０００４】チップとＴＡＢテ−プに設けたインナーリ
ードのボンディング方法として、例えば特開昭６０−２
４２６５６号公報には無電解銅めっき上に、金めっきし
てバンプを形成し、これをキャリアフィルム（テ−プ）
に設けたインナーリードに転写して移し換え、チップと
ボンディングするものが提案されている。これではボン
ディングの信頼性が向上する作用効果を奏している。
ードのボンディング方法として、例えば特開昭６０−２
４２６５６号公報には無電解銅めっき上に、金めっきし
てバンプを形成し、これをキャリアフィルム（テ−プ）
に設けたインナーリードに転写して移し換え、チップと
ボンディングするものが提案されている。これではボン
ディングの信頼性が向上する作用効果を奏している。
【０００５】
【この発明が解決しようとする課題】ところで、チップ
はますます高集積度になりマイクロプロセッサ−、ＡＳ
ＩＣ、コンピュ−タ等のデバイスとして使用されるもの
は、多層且つ緻密なＩＣ配線を有することから、前記ボ
ンディングの際にその端子周辺にダメ−ジを与えぬよう
にしなければならない。しかし、これまでの金めっきに
よるバンブ、あるいは半田によるバンプを介してのボン
ディングでは、接合の際に比較的強い荷重と比較的高い
温度を要しているので、チップにダメ−ジを及ぼすこと
があって前記高集積化デバイスでは改善しなけければな
らない。
はますます高集積度になりマイクロプロセッサ−、ＡＳ
ＩＣ、コンピュ−タ等のデバイスとして使用されるもの
は、多層且つ緻密なＩＣ配線を有することから、前記ボ
ンディングの際にその端子周辺にダメ−ジを与えぬよう
にしなければならない。しかし、これまでの金めっきに
よるバンブ、あるいは半田によるバンプを介してのボン
ディングでは、接合の際に比較的強い荷重と比較的高い
温度を要しているので、チップにダメ−ジを及ぼすこと
があって前記高集積化デバイスでは改善しなけければな
らない。
【０００６】また、前記ボンディング技術として、キャ
リアフィルムに設けた金属箔から形成したインナーリー
ドの先端部をハ−フエッチングして突起を形成し、該突
起とチップ端子をボンディングするものがあり、メサバ
ンプ法と称されている。これはリ−ドを微小ピッチとし
たファインピッチのリードパターンのものには突起の形
成が難しく、超多ピンに対応するのが困難である。
リアフィルムに設けた金属箔から形成したインナーリー
ドの先端部をハ−フエッチングして突起を形成し、該突
起とチップ端子をボンディングするものがあり、メサバ
ンプ法と称されている。これはリ−ドを微小ピッチとし
たファインピッチのリードパターンのものには突起の形
成が難しく、超多ピンに対応するのが困難である。
【０００７】本発明はキャリアフィルムに設けるチップ
と、当該キャリアフィルムに接着した金属箔をエッチン
グして形成したインナーリードとのボンディングがチッ
プにダメ−ジを与ることなくでき、また超多ピンであっ
てもリードパターンが形状よく形成されるＴＡＢテ−プ
を目的とする。さらに実装性がすぐれるＴＡＢテ−プを
目的とする。
と、当該キャリアフィルムに接着した金属箔をエッチン
グして形成したインナーリードとのボンディングがチッ
プにダメ−ジを与ることなくでき、また超多ピンであっ
てもリードパターンが形状よく形成されるＴＡＢテ−プ
を目的とする。さらに実装性がすぐれるＴＡＢテ−プを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、デバイ
スホ−ルとスプロケットホ−ル及びアウターリードホ−
ルを形成したキャリアフィルムに接着された金属箔を食
刻して形成した導体回路のインナーリード先端部が、前
記デバイスホ−ル上に突き出し、当該インナーリードと
別途設けられるチップをボンディングするＴＡＢテ−プ
において、前記デバイスホ−ルに設けるチップの端子と
ボンディングする前記インナーリード先端部の表面にＡ
ｌが被覆され、また必要に応じてインナーリードと連な
るアウターリードに錫、鉛、亜鉛、金、銀又はこれらの
合金の１種又は２種以上が被覆されているＴＡＢテ−プ
にある。
スホ−ルとスプロケットホ−ル及びアウターリードホ−
ルを形成したキャリアフィルムに接着された金属箔を食
刻して形成した導体回路のインナーリード先端部が、前
記デバイスホ−ル上に突き出し、当該インナーリードと
別途設けられるチップをボンディングするＴＡＢテ−プ
において、前記デバイスホ−ルに設けるチップの端子と
ボンディングする前記インナーリード先端部の表面にＡ
ｌが被覆され、また必要に応じてインナーリードと連な
るアウターリードに錫、鉛、亜鉛、金、銀又はこれらの
合金の１種又は２種以上が被覆されているＴＡＢテ−プ
にある。
【０００９】他の要旨は、キャリアフィルムにデバイス
ホ−ルとガイドホ−ルを穿設し、該フィルムに接着した
金属箔に導体回路を食刻し、そのインナーリード先端部
を前記デバイスホ−ル上に突き出して形成するＴＡＢテ
−プの製造方法において、導体回路を形成する前の前記
金属箔にＡｌを被覆し、その後、該導体回路のインナー
リードとアウターリードをエッチングで形成し、インナ
ーリード先端部以外のＡｌ被覆層を除去し、さらに必要
に応じ、アウターリードに錫、鉛、亜鉛、金、銀又はこ
れらの合金の１種又は２種以上を被覆するＴＡＢテ−プ
の製造方法にある。
ホ−ルとガイドホ−ルを穿設し、該フィルムに接着した
金属箔に導体回路を食刻し、そのインナーリード先端部
を前記デバイスホ−ル上に突き出して形成するＴＡＢテ
−プの製造方法において、導体回路を形成する前の前記
金属箔にＡｌを被覆し、その後、該導体回路のインナー
リードとアウターリードをエッチングで形成し、インナ
ーリード先端部以外のＡｌ被覆層を除去し、さらに必要
に応じ、アウターリードに錫、鉛、亜鉛、金、銀又はこ
れらの合金の１種又は２種以上を被覆するＴＡＢテ−プ
の製造方法にある。
【００１０】
【作用】本発明のＴＡＢテ−プはキャリアフィルムに接
着した金属箔にはＡｌを被覆した後、エッチングにより
導体回路を形成し、該導体回路のインナーリード先端部
以外のＡｌを除去しているので、導体回路は全て同じ表
層状態の金属箔から食刻され、ピッチを微細にした超多
ピンのリードパターンでも形状精度よく形成される。さ
らにインナーリード先端部には表面にＡｌが被覆されて
いるから、キャリアフィルムのデバイスホ−ルに設ける
チップとのボンディングが低温で且つ押付け荷重を低く
してなされ、チップが高集積度であってもダメ−ジを与
えず、信頼性高く接合され、マイクロプロセッサ−、Ａ
ＳＩＣ、コンピュタ−のデバイスとして好適なＴＡＢテ
−プが得られる。
着した金属箔にはＡｌを被覆した後、エッチングにより
導体回路を形成し、該導体回路のインナーリード先端部
以外のＡｌを除去しているので、導体回路は全て同じ表
層状態の金属箔から食刻され、ピッチを微細にした超多
ピンのリードパターンでも形状精度よく形成される。さ
らにインナーリード先端部には表面にＡｌが被覆されて
いるから、キャリアフィルムのデバイスホ−ルに設ける
チップとのボンディングが低温で且つ押付け荷重を低く
してなされ、チップが高集積度であってもダメ−ジを与
えず、信頼性高く接合され、マイクロプロセッサ−、Ａ
ＳＩＣ、コンピュタ−のデバイスとして好適なＴＡＢテ
−プが得られる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明について１実施例に基づき図面
を参照して詳細に説明する。図面において、１はキャリ
アフィルムで、デバイスホ−ル２、スプロケットホ−ル
３、アウターリードホ−ル４が穿設されている。該キャ
リアフィルム１には金属箔５例えば銅箔、銅合金箔、ま
たは鉄−Ｎｉ箔等が接着されている。
を参照して詳細に説明する。図面において、１はキャリ
アフィルムで、デバイスホ−ル２、スプロケットホ−ル
３、アウターリードホ−ル４が穿設されている。該キャ
リアフィルム１には金属箔５例えば銅箔、銅合金箔、ま
たは鉄−Ｎｉ箔等が接着されている。
【００１２】金属箔５には形成するリードパターンとチ
ップとの接合性を高め、これまでより低温で且つ低い押
付け荷重で確実にボンディングするために図２に示すよ
うにＡｌ６をめっき等で被覆している。
ップとの接合性を高め、これまでより低温で且つ低い押
付け荷重で確実にボンディングするために図２に示すよ
うにＡｌ６をめっき等で被覆している。
【００１３】金属箔５にフォトレジストフィルム７を貼
着し、該フィルム７にインナーリード８、アウターリー
ド９のリードパターンを焼付け、現像し、その後、エッ
チングして微細なリードを食刻している。インナーリー
ド８の先端部はデバイスホ−ル２上に突き出ている。な
お、テストパッド１０とこれに連なるリ−ドも形成して
いる。
着し、該フィルム７にインナーリード８、アウターリー
ド９のリードパターンを焼付け、現像し、その後、エッ
チングして微細なリードを食刻している。インナーリー
ド８の先端部はデバイスホ−ル２上に突き出ている。な
お、テストパッド１０とこれに連なるリ−ドも形成して
いる。
【００１４】前記金属箔５にはＡｌ６が全面的に被覆さ
れているので、エッチングでリードパターンを形成する
際に、金属箔５を同じ条件下で食刻でき微細なリードパ
ターンであっても一様に形状よく形成できる。
れているので、エッチングでリードパターンを形成する
際に、金属箔５を同じ条件下で食刻でき微細なリードパ
ターンであっても一様に形状よく形成できる。
【００１５】前記のようにしてリードパターンを形成し
たＴＡＢテ−プ１１が製造されるが、アウターリード９
にＡｌ６が被覆されていると、回路基板との接合例えば
半田性が低下するので、図３に示すように当該アウター
リード９のＡｌ６被覆層を溶剤等で除去し、実装性を維
持している。この際、インナーリード８中間部まで除去
してもよく、要はチップ１２と接合するインナーリード
８の先端部にＡｌ６が被覆されていれば、他は除去でき
る。
たＴＡＢテ−プ１１が製造されるが、アウターリード９
にＡｌ６が被覆されていると、回路基板との接合例えば
半田性が低下するので、図３に示すように当該アウター
リード９のＡｌ６被覆層を溶剤等で除去し、実装性を維
持している。この際、インナーリード８中間部まで除去
してもよく、要はチップ１２と接合するインナーリード
８の先端部にＡｌ６が被覆されていれば、他は除去でき
る。
【００１６】また、実装性をさらに高める必要がある際
は、図４に示すように前記アウターリード９に錫、鉛、
亜鉛、金、銀又はこれらの合金の１種または２種以上か
らなる回路基板との半田系金属１３を被覆させ、回路基
板へ接着を微小当接面積で可能とする。
は、図４に示すように前記アウターリード９に錫、鉛、
亜鉛、金、銀又はこれらの合金の１種または２種以上か
らなる回路基板との半田系金属１３を被覆させ、回路基
板へ接着を微小当接面積で可能とする。
【００１７】本発明のＴＡＢテ−プ１１はキャリアフィ
ルム１に、先端部をＡｌ６で被覆したインナーリード８
と、それに連続してアウターリード９が形成され、キャ
リアフィルム１のデバイスホ−ル２に設けるチップ１２
の端子と前記インナーリード先端部とのボンディング性
を高めている。
ルム１に、先端部をＡｌ６で被覆したインナーリード８
と、それに連続してアウターリード９が形成され、キャ
リアフィルム１のデバイスホ−ル２に設けるチップ１２
の端子と前記インナーリード先端部とのボンディング性
を高めている。
【００１８】また、回路基板との実装性が一段とすぐれ
るように、必要に応じてアウターリード９に錫、鉛、亜
鉛、金、銀又はこれらの合金の１種又は２種以上を被覆
している。
るように、必要に応じてアウターリード９に錫、鉛、亜
鉛、金、銀又はこれらの合金の１種又は２種以上を被覆
している。
【００１９】
【発明の効果】本発明のＴＡＢテ−プは前記のようにイ
ンナーリード先端部にＡｌを被覆しているので、キャリ
アフィルムのデバイスホ−ルに設けるチップの端子と
は、Ａｌ系同士の接合となり、また異質な合金層をつく
らず、低温且つ低い押付け荷重でボンディングできチッ
プにダメ−ジを与えない。またボンディング不良が生ぜ
ず信頼性が高まる。
ンナーリード先端部にＡｌを被覆しているので、キャリ
アフィルムのデバイスホ−ルに設けるチップの端子と
は、Ａｌ系同士の接合となり、また異質な合金層をつく
らず、低温且つ低い押付け荷重でボンディングできチッ
プにダメ−ジを与えない。またボンディング不良が生ぜ
ず信頼性が高まる。
【００２０】また、アウターリードに錫、鉛、亜鉛、
金、銀又はそれらの合金の１種または２種以上を被覆し
たＴＡＢテ−プとしているので、回路基板との接着が容
易且つ確実で実装性が一段とすぐれる。
金、銀又はそれらの合金の１種または２種以上を被覆し
たＴＡＢテ−プとしているので、回路基板との接着が容
易且つ確実で実装性が一段とすぐれる。
【００２１】ＴＡＢテ−プの製造で、金属箔にリードパ
ターンを形成する前にＡｌを被覆し、その後、エッチン
グでリードパターンを形成するので、その食刻はすべて
同じ条件ででき微細なリードピッチでも形状不良を生じ
ることなく、超多ピンフレ−ムが得られる等の効果があ
る。
ターンを形成する前にＡｌを被覆し、その後、エッチン
グでリードパターンを形成するので、その食刻はすべて
同じ条件ででき微細なリードピッチでも形状不良を生じ
ることなく、超多ピンフレ−ムが得られる等の効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例におけるＴＡＢテ−プを示す
図。
図。
【図２】本発明の一実施例においてキャリアフィルムと
金属箔が接着した側断面を示す図。
金属箔が接着した側断面を示す図。
【図３】本発明の一実施例においてＴＡＢテ−プの側断
面を示す図。
面を示す図。
【図４】本発明の他の実施例においてＴＡＢテ−プの側
断面を示す図。
断面を示す図。
１ キャリアフィルム ２ デバイスホ−ル ３ スプロケットホ−ル ４ アウターリードホ−ル ５ 金属箔 ６ Ａｌ ７ フォトレジスト ８ インナーリード ９ アウターリード １０ テストパッド １１ ＴＡＢテ−プ １２ チップ １３ 半田系金属
Claims (4)
- 【請求項１】 デバイスホ−ルとスプロケットホ−ル及
びアウターリードホ−ルを形成したキャリアフィルムに
接着された金属箔から形成した導体回路のインナーリー
ド先端部が、前記デバイスホ−ル上に突き出し、当該イ
ンナーリードと別途設けられるチップをボンディングす
るＴＡＢテ−プにおいて、前記デバイスホ−ルに設ける
チップとボンディングするインナーリード先端部の表面
にＡｌが被覆されていることを特徴とするＴＡＢテ−
プ。 - 【請求項２】 デバイスホ−ルとスプロケットホ−ル及
びアウターリードホ−ルを形成したキャリアフィルムに
接着された金属箔から形成した導体回路のインナーリー
ド先端部が、前記デバイスホ−ル上に突き出し、当該イ
ンナーリードと別途設けられるチップとボンディングす
るＴＡＢテープにおいて、前記デバイスホ−ルに設ける
チップとボンディングするインナーリード先端部の表面
にＡｌが被覆され、アウターリードに錫、鉛、亜鉛、
金、銀又はこれら合金の１種又は２種以上が被覆されて
いることを特徴とするＴＡＢテ−プ。 - 【請求項３】 キャリアフィルムにデバイスホ−ルとス
プロケットホ−ル及びアウターリードホ−ルを穿設し、
該キャリアフィルムに接着した金属箔に導体回路を食刻
し、そのインナーリード先端部を前記デバイスホ−ル上
に突き出して形成するＴＡＢテ−プの製造方法におい
て、前記金属箔にＡｌを被覆し、その後、金属箔に設け
たフォトレジストに導体回路のインナーリードとアウタ
ーリードのリードパターンを焼付け、現像し、エッチン
グして当該リードパターンを形成し、インナーリード先
端部以外のＡｌ被覆層を除去することを特徴とするＴＡ
Ｂテ−プの製造方法。 - 【請求項４】 キャリアフィルムにデバイスホ−ルとス
プロケットホ−ル及びアウターリードホ−ルを穿設し、
該キャリアフィルムに接着した金属箔に導体回路を食刻
し、そのインナーリード先端部を前記デバイスホ−ル上
に突き出して形成するＴＡＢテ−プの製造方法におい
て、前記金属箔にＡｌを被覆し、その後、金属箔に設け
たフォトレジストに導体回路のインナーリードとアウタ
ーリードのリードパターンを焼付け、現像し、エッチン
グして当該リードパターンを形成し、インナーリード先
端部以外のＡｌ被覆層を除去し、アウターリードに錫、
鉛、亜鉛、金、銀又はこれら合金の１種又は２種以上を
被覆することを特徴とするＴＡＢテ−プの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5249953A JPH0786337A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | Ｔａｂテ−プ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5249953A JPH0786337A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | Ｔａｂテ−プ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786337A true JPH0786337A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=17200645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5249953A Pending JPH0786337A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | Ｔａｂテ−プ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786337A (ja) |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP5249953A patent/JPH0786337A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6541848B2 (en) | Semiconductor device including stud bumps as external connection terminals | |
| JP2570637B2 (ja) | Ｍｃｍキャリア | |
| EP0683517A2 (en) | Semiconductor device having semiconductor chip bonded to circuit board through bumps and process of mounting thereof | |
| JPH1116933A (ja) | 金属バンプを有する回路基板の製造方法及びこの回路基板を利用した半導体チップパッケージの製造方法 | |
| JP2779133B2 (ja) | バンプを持つ半導体構造 | |
| US6372620B1 (en) | Fabrication method of wiring substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device | |
| JP2000195984A (ja) | 半導体装置用キャリア基板及びその製造方法及び半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03293740A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JP3114926B2 (ja) | 配線基板のメッキ用マスキング方法 | |
| JPH0786337A (ja) | Ｔａｂテ−プ及びその製造方法 | |
| KR0152559B1 (ko) | 솔더 범프의 제조방법 | |
| JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP4984502B2 (ja) | Ｂｇａ型キャリア基板の製造方法及びｂｇａ型キャリア基板 | |
| KR20030072855A (ko) | 플립칩 비지에이 반도체 패키지용 인쇄회로기판의범프패드 도금방법 | |
| JP3067364B2 (ja) | 金属突起電極付き半導体装置 | |
| JPS59152656A (ja) | 半導体装置 | |
| KR950002745B1 (ko) | 탭 패키지 | |
| JP3936060B2 (ja) | グリッドアレイの製造方法 | |
| JPH0547847A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000058705A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4137295B2 (ja) | Ｃｓｐ用テープキャリアの製造方法 | |
| JPH06318666A (ja) | セラミックパッケージ | |
| JPH10340923A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JP2002026218A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2003258156A (ja) | 配線基板 |