JPH0785446A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0785446A JPH0785446A JP23197693A JP23197693A JPH0785446A JP H0785446 A JPH0785446 A JP H0785446A JP 23197693 A JP23197693 A JP 23197693A JP 23197693 A JP23197693 A JP 23197693A JP H0785446 A JPH0785446 A JP H0785446A
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- Japan
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- layer
- film
- magnetic
- stress
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドとの当たりが良好で、再生出力に
ムラが起きない磁気記録媒体を提供することである。 【構成】 支持体上に第１の層が、この第１の層の上に
第２の層が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記
第２の層が磁性層であり、かつ、この第２の層に現れる
応力の方向と第１の層に現れる応力の方向とが逆向きで
あるよう、かつ、その絶対値が実質的に異なるよう第１
の層と第２の層とが構成されてなり、その応力差によっ
てカール率が５〜１５％であるよう第２の層の中央部側
が突出構成されてなる磁気記録媒体。
ムラが起きない磁気記録媒体を提供することである。 【構成】 支持体上に第１の層が、この第１の層の上に
第２の層が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記
第２の層が磁性層であり、かつ、この第２の層に現れる
応力の方向と第１の層に現れる応力の方向とが逆向きで
あるよう、かつ、その絶対値が実質的に異なるよう第１
の層と第２の層とが構成されてなり、その応力差によっ
てカール率が５〜１５％であるよう第２の層の中央部側
が突出構成されてなる磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に金属薄膜型の磁気
記録媒体に関するものである。
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体には、非磁
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、磁性金属粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、磁性金属粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
【０００３】これらの中、金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。ところで、現在発売又は開発されている金属
薄膜型の磁気記録媒体は、図２に示される構成のものと
なっている。尚、図２中、６はポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム、７は、例えば真空蒸着法を用
いて構成された厚さが１５００ÅのＣｏ−Ｎｉ合金磁性
膜、８は潤滑剤の膜、９はバックコート層である。
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。ところで、現在発売又は開発されている金属
薄膜型の磁気記録媒体は、図２に示される構成のものと
なっている。尚、図２中、６はポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム、７は、例えば真空蒸着法を用
いて構成された厚さが１５００ÅのＣｏ−Ｎｉ合金磁性
膜、８は潤滑剤の膜、９はバックコート層である。
【０００４】ところで、このような構造の金属薄膜型磁
気記録媒体は、磁性膜が金属膜であることから、反った
形状に変形（カール）している。この為、磁気ヘッドと
の当たりが悪く、特に磁気ヘッドとの距離が位置によっ
て変動し、再生出力にムラが起きてしまう。
気記録媒体は、磁性膜が金属膜であることから、反った
形状に変形（カール）している。この為、磁気ヘッドと
の当たりが悪く、特に磁気ヘッドとの距離が位置によっ
て変動し、再生出力にムラが起きてしまう。
【０００５】
【発明の開示】本発明の目的は、磁気ヘッドとの当たり
が良好で、再生出力にムラが起きない磁気記録媒体を提
供することである。この本発明の目的は、支持体上に第
１の層が、この第１の層の上に第２の層が設けられてな
る磁気記録媒体であって、前記第２の層が磁性層であ
り、かつ、この第２の層に現れる応力の方向と第１の層
に現れる応力の方向とが逆向きであるよう第１の層と第
２の層とが構成されてなり、表面が平坦なことを特徴と
する磁気記録媒体によって達成される。
が良好で、再生出力にムラが起きない磁気記録媒体を提
供することである。この本発明の目的は、支持体上に第
１の層が、この第１の層の上に第２の層が設けられてな
る磁気記録媒体であって、前記第２の層が磁性層であ
り、かつ、この第２の層に現れる応力の方向と第１の層
に現れる応力の方向とが逆向きであるよう第１の層と第
２の層とが構成されてなり、表面が平坦なことを特徴と
する磁気記録媒体によって達成される。
【０００６】又、支持体上に第１の層が、この第１の層
の上に第２の層が設けられてなる磁気記録媒体であっ
て、前記第２の層が磁性層であり、かつ、この第２の層
に現れる応力の方向と第１の層に現れる応力の方向とが
逆向きであるよう、かつ、その絶対値が実質的に異なる
よう第１の層と第２の層とが構成されてなり、その応力
差によってカール率が５〜１５％であるよう第２の層の
中央部側が突出構成されてなることを特徴とする磁気記
録媒体によって達成される。
の上に第２の層が設けられてなる磁気記録媒体であっ
て、前記第２の層が磁性層であり、かつ、この第２の層
に現れる応力の方向と第１の層に現れる応力の方向とが
逆向きであるよう、かつ、その絶対値が実質的に異なる
よう第１の層と第２の層とが構成されてなり、その応力
差によってカール率が５〜１５％であるよう第２の層の
中央部側が突出構成されてなることを特徴とする磁気記
録媒体によって達成される。
【０００７】尚、これらの磁気記録媒体において、第２
の層は磁性層であっても、磁性層でなくても良いが、磁
性層である方が好ましい。以下、本発明について詳述す
る。金属膜を蒸着やスパッタリングといった薄膜形成手
段で形成すると、金属膜の堆積によって基板には膜応力
による反りが現れる。
の層は磁性層であっても、磁性層でなくても良いが、磁
性層である方が好ましい。以下、本発明について詳述す
る。金属膜を蒸着やスパッタリングといった薄膜形成手
段で形成すると、金属膜の堆積によって基板には膜応力
による反りが現れる。
【０００８】この反りの方向は、基板を内側にする方向
であったり、外側にする方向であったりし、金属膜の種
類や堆積時の条件によって決まる。例えば、Ｃｒ膜であ
っても、堆積時の雰囲気Ａｒ圧力が０．２Ｐａといった
場合には圧縮応力が現れるのに対して、堆積時の雰囲気
Ａｒ圧力が０．５Ｐａといった場合には引っ張り応力が
現れる。又、堆積させる金属の種類を選定することによ
って、圧縮応力が現れた膜の上に引っ張り応力が現れる
膜を構成することが出来る。
であったり、外側にする方向であったりし、金属膜の種
類や堆積時の条件によって決まる。例えば、Ｃｒ膜であ
っても、堆積時の雰囲気Ａｒ圧力が０．２Ｐａといった
場合には圧縮応力が現れるのに対して、堆積時の雰囲気
Ａｒ圧力が０．５Ｐａといった場合には引っ張り応力が
現れる。又、堆積させる金属の種類を選定することによ
って、圧縮応力が現れた膜の上に引っ張り応力が現れる
膜を構成することが出来る。
【０００９】従って、堆積させる膜を複数にし、これら
の間に現れる応力が互いに反対方向であるように設計し
ておけば、基板の反りを修正でき、平坦なものとなる。
そして、このように磁気記録媒体を構成させておけば、
磁気ヘッドとの当たりが良好となり、再生出力にムラが
起きないであろうと考えたのである。そこで、支持体上
に第１の層を、この第１の層の上に第２の層を設け、第
１の層に現れる応力の方向と第２の層に現れる応力の方
向とが逆向きであるよう第１と第２の層とを構成すると
共に、第１の層の上の第２の層を少なくとも磁性層とし
たのである。つまり、複数の層に現れる応力の方向が逆
方向となるだけでなく、第１の層の上の第２の層を少な
くとも磁性層とすることによって、磁気ヘッドとの距離
をより短くし、再生出力が大きくなるようにしたのであ
る。
の間に現れる応力が互いに反対方向であるように設計し
ておけば、基板の反りを修正でき、平坦なものとなる。
そして、このように磁気記録媒体を構成させておけば、
磁気ヘッドとの当たりが良好となり、再生出力にムラが
起きないであろうと考えたのである。そこで、支持体上
に第１の層を、この第１の層の上に第２の層を設け、第
１の層に現れる応力の方向と第２の層に現れる応力の方
向とが逆向きであるよう第１と第２の層とを構成すると
共に、第１の層の上の第２の層を少なくとも磁性層とし
たのである。つまり、複数の層に現れる応力の方向が逆
方向となるだけでなく、第１の層の上の第２の層を少な
くとも磁性層とすることによって、磁気ヘッドとの距離
をより短くし、再生出力が大きくなるようにしたのであ
る。
【００１０】本発明の磁気記録媒体に用いられる非磁性
の支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂といった高分子材料などが用いられる。
そして、支持体面上には、必要に応じて密着性を向上さ
せる為のアンダーコート層が設けられている。すなわ
ち、表面の粗さを適度に粗すことにより、例えば斜め蒸
着法により構成される薄膜の密着性を向上させ、さらに
磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性
を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚
さが０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることによっ
てアンダーコート層が構成されている。
の支持体としては、例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂といった高分子材料などが用いられる。
そして、支持体面上には、必要に応じて密着性を向上さ
せる為のアンダーコート層が設けられている。すなわ
ち、表面の粗さを適度に粗すことにより、例えば斜め蒸
着法により構成される薄膜の密着性を向上させ、さらに
磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性
を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚
さが０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることによっ
てアンダーコート層が構成されている。
【００１１】非磁性の支持体面上に第１の膜が設けられ
る。前述した如く、この第１の膜は磁性金属であって
も、非磁性の金属あるいは非金属であっても良い。尚、
第１の膜の厚さは厚くない方が好ましく、例えば８００
〜５０００Å程度であることが好ましい。この第１の膜
上に第２の膜（磁性金属膜）が設けられる。第２の膜の
材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金
属を含有させた磁性材料が用いられる。尚、この第２の
膜の厚さは、第１の膜の厚さによっても左右されるが、
例えば５００〜５０００Å程度であることが好ましい。
る。前述した如く、この第１の膜は磁性金属であって
も、非磁性の金属あるいは非金属であっても良い。尚、
第１の膜の厚さは厚くない方が好ましく、例えば８００
〜５０００Å程度であることが好ましい。この第１の膜
上に第２の膜（磁性金属膜）が設けられる。第２の膜の
材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金
属を含有させた磁性材料が用いられる。尚、この第２の
膜の厚さは、第１の膜の厚さによっても左右されるが、
例えば５００〜５０００Å程度であることが好ましい。
【００１２】そして、例えば第１の膜として２０００Å
厚さのシリコン膜を選ぶと、これは9.6 ×109 dyne/cm2
の圧縮応力が作用するようになる。これに対して、第２
の膜の磁性金属としてＣｏ−Ｎｉ（９０ａｔ％−１０ａ
ｔ％）を選び、１５００Åに設計したとすると、これは
9.5 ×109 dyne/cm2の引っ張り応力が作用するようにな
る。従って、非磁性の支持体面上に、例えば２０００Å
厚さのシリコン膜（第１の膜）を設け、この上に１５０
０Å厚さのＣｏ−Ｎｉ磁性膜（第２の膜）を設けた場合
には、第１の膜の応力と第２の膜の応力との間にはバラ
ンスが取れたものとなるから、非磁性の支持体には反り
が現れないものとなる。
厚さのシリコン膜を選ぶと、これは9.6 ×109 dyne/cm2
の圧縮応力が作用するようになる。これに対して、第２
の膜の磁性金属としてＣｏ−Ｎｉ（９０ａｔ％−１０ａ
ｔ％）を選び、１５００Åに設計したとすると、これは
9.5 ×109 dyne/cm2の引っ張り応力が作用するようにな
る。従って、非磁性の支持体面上に、例えば２０００Å
厚さのシリコン膜（第１の膜）を設け、この上に１５０
０Å厚さのＣｏ−Ｎｉ磁性膜（第２の膜）を設けた場合
には、第１の膜の応力と第２の膜の応力との間にはバラ
ンスが取れたものとなるから、非磁性の支持体には反り
が現れないものとなる。
【００１３】上記第１の膜や第２の膜は、蒸着法、直流
スパッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流
マグネトロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法などの各種の乾式メッキ手
段を採用できる。尚、第２の膜（磁性金属膜）の形成時
に酸化性ガスを供給し、磁性金属膜の表層部分が酸化さ
れ、酸化膜による保護膜が形成されるようにすることが
好ましいものである。
スパッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流
マグネトロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法などの各種の乾式メッキ手
段を採用できる。尚、第２の膜（磁性金属膜）の形成時
に酸化性ガスを供給し、磁性金属膜の表層部分が酸化さ
れ、酸化膜による保護膜が形成されるようにすることが
好ましいものである。
【００１４】そして、磁性金属膜（保護膜が設けられて
いる場合には、保護膜）の表面に、潤滑剤が塗布され
る。用いられる潤滑剤としてはパーフロオロポリエーテ
ル、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，Ｃ
Ｆ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF
2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH とい
ったようなカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテ
ル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-
(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2C
H 2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OHといったよ
うなアルコール変性パーフロオロポリエーテル等が挙げ
られる。このような潤滑剤によって構成される層の厚さ
は１０〜１００Åであることが好ましい。
いる場合には、保護膜）の表面に、潤滑剤が塗布され
る。用いられる潤滑剤としてはパーフロオロポリエーテ
ル、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，Ｃ
Ｆ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF
2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2COOH とい
ったようなカルボキシル基変性パーフロオロポリエーテ
ル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-
(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2C
H 2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OHといったよ
うなアルコール変性パーフロオロポリエーテル等が挙げ
られる。このような潤滑剤によって構成される層の厚さ
は１０〜１００Åであることが好ましい。
【００１５】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１６】
〔実施例１〕図１は、本発明に係る磁気記録媒体の概略
断面図である。同図中、１は６μｍ厚さのＰＥＴフィル
ム、２は酸素ガスを導入しながら真空蒸着法によりＰＥ
Ｔフィルム１の上に設けられた３０００Å厚さのシリコ
ン膜、３は酸素ガスを導入しながら真空蒸着法によりシ
リコン膜２の上に設けられた１５００Å厚さのＣｏ−Ｎ
ｉ（８０ａｔ％−２０ａｔ％）膜、４は潤滑剤を所定の
溶剤に溶かしてＣｏ−Ｎｉ膜３上に塗布して設けた潤滑
膜、５はバックコート層である。
断面図である。同図中、１は６μｍ厚さのＰＥＴフィル
ム、２は酸素ガスを導入しながら真空蒸着法によりＰＥ
Ｔフィルム１の上に設けられた３０００Å厚さのシリコ
ン膜、３は酸素ガスを導入しながら真空蒸着法によりシ
リコン膜２の上に設けられた１５００Å厚さのＣｏ−Ｎ
ｉ（８０ａｔ％−２０ａｔ％）膜、４は潤滑剤を所定の
溶剤に溶かしてＣｏ−Ｎｉ膜３上に塗布して設けた潤滑
膜、５はバックコート層である。
【００１７】尚、ＰＥＴフィルム面上に設けられた３０
００Å厚さのシリコン膜による応力（圧縮応力）は２
４．５×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であり、１５００Å厚
さのＣｏ−Ｎｉ（８０ａｔ％−２０ａｔ％）膜による応
力（引っ張り応力）は９．５×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2
であった。すなわち、ＰＥＴフィルム１を真空蒸着装置
に配設し、装置内のルツボに入れられているシリコンを
蒸発させてシリコン膜２を堆積させ、この後Ｃｏ−Ｎｉ
合金を蒸発させ、この蒸発粒子をシリコン膜２上に堆積
させたのである。尚、シリコン膜や磁性金属膜の形成時
には、酸素ガスが導入されている。
００Å厚さのシリコン膜による応力（圧縮応力）は２
４．５×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であり、１５００Å厚
さのＣｏ−Ｎｉ（８０ａｔ％−２０ａｔ％）膜による応
力（引っ張り応力）は９．５×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2
であった。すなわち、ＰＥＴフィルム１を真空蒸着装置
に配設し、装置内のルツボに入れられているシリコンを
蒸発させてシリコン膜２を堆積させ、この後Ｃｏ−Ｎｉ
合金を蒸発させ、この蒸発粒子をシリコン膜２上に堆積
させたのである。尚、シリコン膜や磁性金属膜の形成時
には、酸素ガスが導入されている。
【００１８】この後、ＰＥＴフィルムを真空蒸着装置か
ら取り出し、ダイ塗工法によりパーフロオロポリエーテ
ル（日本モンテジソン社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯ
Ｌ）を乾燥後の厚さが３０Åとなるよう磁性金属膜３の
表面に塗布し、この後加熱乾燥させた。そして、このよ
うにして得られた原反から通常の工程を経て磁気テープ
を作製した。
ら取り出し、ダイ塗工法によりパーフロオロポリエーテ
ル（日本モンテジソン社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯ
Ｌ）を乾燥後の厚さが３０Åとなるよう磁性金属膜３の
表面に塗布し、この後加熱乾燥させた。そして、このよ
うにして得られた原反から通常の工程を経て磁気テープ
を作製した。
【００１９】〔実施例２〕実施例１において、シリコン
膜２の厚さを３５００Åとし、磁気テープを作製した。 〔実施例３〕実施例１において、シリコン膜２の厚さを
４１００Åとし、磁気テープを作製した。
膜２の厚さを３５００Åとし、磁気テープを作製した。 〔実施例３〕実施例１において、シリコン膜２の厚さを
４１００Åとし、磁気テープを作製した。
【００２０】〔実施例４〕６μｍ厚さのＰＥＴフィルム
を真空蒸着装置に配設し、装置内のルツボに入れられて
いるＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ（７０ａｔ％−２０ａｔ％−１０
ａｔ％）合金を蒸発させ、この蒸発粒子をＰＥＴフィル
ムの一面上に堆積させた後、Ｃｏ−Ｎｉ（８０ａｔ％−
２０ａｔ％）合金を蒸発させ、この蒸発粒子を前記１２
００Å厚のＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ膜の上に１５００Å厚さ堆
積（堆積時には、酸素イオンを電子銃で照射）させた。
を真空蒸着装置に配設し、装置内のルツボに入れられて
いるＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ（７０ａｔ％−２０ａｔ％−１０
ａｔ％）合金を蒸発させ、この蒸発粒子をＰＥＴフィル
ムの一面上に堆積させた後、Ｃｏ−Ｎｉ（８０ａｔ％−
２０ａｔ％）合金を蒸発させ、この蒸発粒子を前記１２
００Å厚のＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ膜の上に１５００Å厚さ堆
積（堆積時には、酸素イオンを電子銃で照射）させた。
【００２１】尚、ＰＥＴフィルム面上に設けられた１２
００Å厚さのＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ膜による応力（圧縮応
力）は２３．８×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であり、１５
００Å厚さのＣｏ−Ｎｉ（８０ａｔ％−２０ａｔ％）膜
による応力（引っ張り応力）は９．５×１０9 ｄｙｎｅ
／ｃｍ2 であった。この後、ＰＥＴフィルムを真空蒸着
装置から取り出し、ダイ塗工法によりパーフロオロポリ
エーテル（日本モンテジソン社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ
ＤＯＬ）を乾燥後の厚さが３０Åとなるよう磁性金属膜
の表面に塗布し、この後加熱乾燥させた。
００Å厚さのＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ膜による応力（圧縮応
力）は２３．８×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であり、１５
００Å厚さのＣｏ−Ｎｉ（８０ａｔ％−２０ａｔ％）膜
による応力（引っ張り応力）は９．５×１０9 ｄｙｎｅ
／ｃｍ2 であった。この後、ＰＥＴフィルムを真空蒸着
装置から取り出し、ダイ塗工法によりパーフロオロポリ
エーテル（日本モンテジソン社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ
ＤＯＬ）を乾燥後の厚さが３０Åとなるよう磁性金属膜
の表面に塗布し、この後加熱乾燥させた。
【００２２】そして、このようにして得られた原反から
通常の工程を経て磁気テープを作製した。 〔比較例１〕実施例１において、シリコン膜を設けなか
った他は同様に行った。 〔比較例２〕実施例１において、シリコン膜２の厚さを
５３００Åとし、磁気テープを作製した。
通常の工程を経て磁気テープを作製した。 〔比較例１〕実施例１において、シリコン膜を設けなか
った他は同様に行った。 〔比較例２〕実施例１において、シリコン膜２の厚さを
５３００Åとし、磁気テープを作製した。
【００２３】〔特性〕上記各例で得られた磁気テープを
８ｍｍ幅にスリットし、市販の８ｍｍＶＴＲを改造した
装置に装着し、出力エンベロープを測定し、その減衰率
を求めたので、その結果を下記の表−１に示す。尚、各
磁気テープのカール率（カールによる変形高さ（磁性膜
の中央部が凸になる場合を＋で表示）／横幅）も併せて
表示する。
８ｍｍ幅にスリットし、市販の８ｍｍＶＴＲを改造した
装置に装着し、出力エンベロープを測定し、その減衰率
を求めたので、その結果を下記の表−１に示す。尚、各
磁気テープのカール率（カールによる変形高さ（磁性膜
の中央部が凸になる場合を＋で表示）／横幅）も併せて
表示する。
【００２４】 表−１ カール率（％） 出力エンベロープの減衰率（％） 実施例１ ５ １８ 実施例２ １０ １６ 実施例３ １５ ２０ 実施例４ ５ １５ 比較例１ −１０ ３８ 比較例２ ２１ ３２ すなわち、実施例のものでは磁性金属膜による応力がシ
リコン膜による応力によって相殺されており、出力ムラ
の小さいことが窺える。
リコン膜による応力によって相殺されており、出力ムラ
の小さいことが窺える。
【００２５】
【効果】本発明によれば、出力ムラの小さなものが得ら
れる。
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の概略図
【図２】従来の磁気記録媒体の概略図
１ ＰＥＴフィルム ２ ３０００Å厚さのシリコン膜 ３ １５００Å厚さのＣｏ−Ｎｉ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 支持体上に第１の層が、この第１の層の
上に第２の層が設けられてなる磁気記録媒体であって、
前記第２の層が磁性層であり、かつ、この第２の層に現
れる応力の方向と第１の層に現れる応力の方向とが逆向
きであるよう、かつ、その絶対値が実質的に同じである
よう第１の層と第２の層とが構成されてなり、表面が平
坦なことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体上に第１の層が、この第１の層の
上に第２の層が設けられてなる磁気記録媒体であって、
前記第２の層が磁性層であり、かつ、この第２の層に現
れる応力の方向と第１の層に現れる応力の方向とが逆向
きであるよう、かつ、その絶対値が実質的に異なるよう
第１の層と第２の層とが構成されてなり、その応力差に
よってカール率が５〜１５％であるよう第２の層の中央
部側が突出構成されてなることを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23197693A JPH0785446A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23197693A JPH0785446A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785446A true JPH0785446A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16932000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23197693A Pending JPH0785446A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785446A (ja) |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23197693A patent/JPH0785446A/ja active Pending
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