JPH0784591B2 - 放射線画像変換方法 - Google Patents
放射線画像変換方法Info
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- JPH0784591B2 JPH0784591B2 JP59196366A JP19636684A JPH0784591B2 JP H0784591 B2 JPH0784591 B2 JP H0784591B2 JP 59196366 A JP59196366 A JP 59196366A JP 19636684 A JP19636684 A JP 19636684A JP H0784591 B2 JPH0784591 B2 JP H0784591B2
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- phosphor
- radiation image
- image conversion
- radiation
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はタリウム元素付活系で付活したアルカリハライ
ド蛍光体を用いた放射線画像変換方法に関する。
ド蛍光体を用いた放射線画像変換方法に関する。
（従来技術） 従来アルカリハライド蛍光体としてはCsI:Na、CsI:Tl、
CsBr:Tl、RbBr:Eu、RbCl:Eu、KCl:Tl、LiF:Mg等が知ら
れており、この中でCsI:NaやCsI:TIはＸ線用I.I.管に応
用されており、CsBr:Tlも同様な用途への応用が試みら
れている。またRbBr:Eu、、RbCl:EuやLiF:Mgは熱輝尽性
蛍光体であることが知られており、KCl:Tlも輝尽現象を
示すことが知られている。
CsBr:Tl、RbBr:Eu、RbCl:Eu、KCl:Tl、LiF:Mg等が知ら
れており、この中でCsI:NaやCsI:TIはＸ線用I.I.管に応
用されており、CsBr:Tlも同様な用途への応用が試みら
れている。またRbBr:Eu、、RbCl:EuやLiF:Mgは熱輝尽性
蛍光体であることが知られており、KCl:Tlも輝尽現象を
示すことが知られている。
ところで、この蛍光体は輝尽性蛍光体として被写体を透
過した放射線を吸収せしめ、その後長波長可視光および
赤外線の一方またはその両方を照射することによって蛍
光体が蓄積した放射線エネルギーを蛍光として放出さ
せ、それを検出することによって被写体の放射線像を得
る蓄積型放射線画像変換パネルとしても利用できること
がわかっているが、このような放射線画像変換パネルと
して使用する際には、人が被写体となる場合が多いの
で、被写体の被曝線量をできるだけ軽減させる必要か
ら、それに用いる蛍光体としてはより輝尽発光効率の高
い蛍光体が望まれている。また、読取時間と解像力及び
放射線画像変換パネルの読取面積の関係から実用上１画
素当たりの走査時間は10μsec程度であるので、これ以
下の輝尽発光寿命を有する蛍光体が望まれている。さら
に、また読取時に輝尽発光による残光があるとSN比を劣
化させる原因となるので、この残光現象を示さない蛍光
体が望まれている。即ちこれらの要望を満足する放射線
画像変換方法が望まれている。
過した放射線を吸収せしめ、その後長波長可視光および
赤外線の一方またはその両方を照射することによって蛍
光体が蓄積した放射線エネルギーを蛍光として放出さ
せ、それを検出することによって被写体の放射線像を得
る蓄積型放射線画像変換パネルとしても利用できること
がわかっているが、このような放射線画像変換パネルと
して使用する際には、人が被写体となる場合が多いの
で、被写体の被曝線量をできるだけ軽減させる必要か
ら、それに用いる蛍光体としてはより輝尽発光効率の高
い蛍光体が望まれている。また、読取時間と解像力及び
放射線画像変換パネルの読取面積の関係から実用上１画
素当たりの走査時間は10μsec程度であるので、これ以
下の輝尽発光寿命を有する蛍光体が望まれている。さら
に、また読取時に輝尽発光による残光があるとSN比を劣
化させる原因となるので、この残光現象を示さない蛍光
体が望まれている。即ちこれらの要望を満足する放射線
画像変換方法が望まれている。
（発明の目的） 本発明はこのような要望に基づいてなされたものであ
り、より高輝度の輝尽発光を示す蛍光体、輝尽励起した
際の発光時間が短い蛍光体、さらにまた輝尽発光による
残光がない蛍光体を用いた放射線画像変換方法を提供す
ることを目的としている。
り、より高輝度の輝尽発光を示す蛍光体、輝尽励起した
際の発光時間が短い蛍光体、さらにまた輝尽発光による
残光がない蛍光体を用いた放射線画像変換方法を提供す
ることを目的としている。
（発明の構成） 本発明者等は前記本発明の目的の沿って検討した結果； 被写体を透過した放射線を下記一般式（Ｉ）で示される
タリウム元素付活ハロゲン化セシウム輝尽性蛍光体の少
なくとも１つに吸収せしめ、しかる後、この輝尽性蛍光
体を可視光及び／又は赤外線から選ばれる電磁波で励起
して輝尽性蛍光体が蓄積している前記放射線のエネルギ
ーを蛍光として放射せしめ、該蛍光を検出して放射線画
像を得ることを特徴とする放射線画像変換方法によって
達成される。
タリウム元素付活ハロゲン化セシウム輝尽性蛍光体の少
なくとも１つに吸収せしめ、しかる後、この輝尽性蛍光
体を可視光及び／又は赤外線から選ばれる電磁波で励起
して輝尽性蛍光体が蓄積している前記放射線のエネルギ
ーを蛍光として放射せしめ、該蛍光を検出して放射線画
像を得ることを特徴とする放射線画像変換方法によって
達成される。
一般式（Ｉ） （１−ｘ）csBr・xMII・aMIIX′２・bMIIIX″3:cT1・dA （但し、MIはRbおよびCsから選ばれる少なくとも一種の
アルカリ金属であり、MIIはBe、Mg、Ca、SrおよびBaか
ら選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、MIIIは
Ｙ、La、Lu、Al、GaおよびInから選ばれる少なくとも一
種の三価金属であり、Ｘ′およびＸ″はＦ、Cl、Brおよ
びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａ
はEu、NaおよびAgから選ばれる少なくとも一種の金属で
ある。また、x,a,b,cおよびｄはそれぞれ、０＜ｘ＜0.
9、０≦ａ＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜0.2、０≦ｄ＜
0.2の範囲の数値である。） 前記一般式（Ｉ）を有する本発明に係るアルカリハライ
ド蛍光体に、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射線を照射
したのち、前記蛍光体を可視光および赤外線の一方また
はその両方を照射して輝尽励起すると、従来より知られ
ているアルカリハライド蛍光体を用いて同様の操作を行
った場合に比較して明らかに強い輝尽発光を示す。
アルカリ金属であり、MIIはBe、Mg、Ca、SrおよびBaか
ら選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、MIIIは
Ｙ、La、Lu、Al、GaおよびInから選ばれる少なくとも一
種の三価金属であり、Ｘ′およびＸ″はＦ、Cl、Brおよ
びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａ
はEu、NaおよびAgから選ばれる少なくとも一種の金属で
ある。また、x,a,b,cおよびｄはそれぞれ、０＜ｘ＜0.
9、０≦ａ＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜0.2、０≦ｄ＜
0.2の範囲の数値である。） 前記一般式（Ｉ）を有する本発明に係るアルカリハライ
ド蛍光体に、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射線を照射
したのち、前記蛍光体を可視光および赤外線の一方また
はその両方を照射して輝尽励起すると、従来より知られ
ているアルカリハライド蛍光体を用いて同様の操作を行
った場合に比較して明らかに強い輝尽発光を示す。
また前記組成式を有する本発明に係るアルカリハライド
蛍光体に、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射線を照射し
たのち、前記蛍光体を可視光および赤外線の一方または
その両方をその強度が矩形に変化するようにして照射し
輝尽励起すると、従来より知られているアルカリハライ
ド蛍光体を用いて同様の操作を行った場合に比較して明
らかに輝尽励起光に対する応答性が良く、また、輝尽の
残光も少ない。
蛍光体に、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射線を照射し
たのち、前記蛍光体を可視光および赤外線の一方または
その両方をその強度が矩形に変化するようにして照射し
輝尽励起すると、従来より知られているアルカリハライ
ド蛍光体を用いて同様の操作を行った場合に比較して明
らかに輝尽励起光に対する応答性が良く、また、輝尽の
残光も少ない。
次に本発明に係るアルカリハライド蛍光体について詳し
く説明する。
く説明する。
本発明の前記一般式（Ｉ）で表される蛍光体は以下に述
べる製造方法で製造される。
べる製造方法で製造される。
先ず蛍光体原料としては、 Ｉ）CsBr II）BbI、CsIのうちの１種、 III）BeF2、BeCl2、BeBr2、BeI2、MgF2、MgCl2、MgB
r2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、S
rBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BfBr2、BaBr2・2H2O、BaI2
のうちの１種もしくは２種以上 IV）YF3、YCl3、YBr3、YI3、LaF3、LaCl3、LaBr3、La
I3、LuF3、LuCl3、LuBr3、Lul3、AlF3、AlCl3、AlBr3、
AlI3、GaF3、GaCl3、GaBr3、GaI3、InF3、InC3、InB
r3、InI3のうちの１種もしくは２種以上、 Ｖ）TIF、TICl、TIBr、TIl、TI2O、TI2O3等のタリウム
化合物のうち１種もしくは２種以上、 および VI）Eu化合物群、Na化合物群、Ag化合物群のうちの１種
もしくは２種以上の共付活剤原料が用いられる。
r2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、S
rBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BfBr2、BaBr2・2H2O、BaI2
のうちの１種もしくは２種以上 IV）YF3、YCl3、YBr3、YI3、LaF3、LaCl3、LaBr3、La
I3、LuF3、LuCl3、LuBr3、Lul3、AlF3、AlCl3、AlBr3、
AlI3、GaF3、GaCl3、GaBr3、GaI3、InF3、InC3、InB
r3、InI3のうちの１種もしくは２種以上、 Ｖ）TIF、TICl、TIBr、TIl、TI2O、TI2O3等のタリウム
化合物のうち１種もしくは２種以上、 および VI）Eu化合物群、Na化合物群、Ag化合物群のうちの１種
もしくは２種以上の共付活剤原料が用いられる。
前記原料を化学量論的に （１−ｘ）CsBr・xMII・aMIIX′２・bMIIIX″3:cT1・dA （但し、MIはRbおよびCsから選ばれる少なくとも一種の
アルカリ金属であり、MIIはBe、Mg、Ca、Sr、Baから選
ばれる少なくとも一種の二価金属であり、MIIIは、Ｙ、
La、Lu、Al、GaおよびInから選ばれる少なくとも一種の
三価金属であり、Ｘ′およびＸ″はＦ、Cl、BrおよびＩ
から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはE
u、Na、Agから選ばれる少なくとも一種の金属である。
アルカリ金属であり、MIIはBe、Mg、Ca、Sr、Baから選
ばれる少なくとも一種の二価金属であり、MIIIは、Ｙ、
La、Lu、Al、GaおよびInから選ばれる少なくとも一種の
三価金属であり、Ｘ′およびＸ″はＦ、Cl、BrおよびＩ
から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはE
u、Na、Agから選ばれる少なくとも一種の金属である。
また、x,a,b,cおよびｄはそれぞれ０＜ｘ＜0.9、０≦ａ
＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜0.2、０≦ｄ＜0.2の範囲
の数値である。） なる混合組成式になるように上記Ｉ）〜VI）の蛍光体原
料を秤量し、ボールミル、ミキサーミル、乳鉢等を用い
て十分に混合する。
＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜0.2、０≦ｄ＜0.2の範囲
の数値である。） なる混合組成式になるように上記Ｉ）〜VI）の蛍光体原
料を秤量し、ボールミル、ミキサーミル、乳鉢等を用い
て十分に混合する。
本発明に係る蛍光体においては、輝尽発光輝度、輝尽励
起光に対する応答性あるいは輝尽の残光の点から、縁切
組成式のｂおよびｃはそれぞれ、０≦ｂ＜10-2およびｃ
は10-6≦ｃ≦0.1の範囲であることが好ましく、Ｘ″は
Ｆ、ClおよびBrから選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であることが好ましい。
起光に対する応答性あるいは輝尽の残光の点から、縁切
組成式のｂおよびｃはそれぞれ、０≦ｂ＜10-2およびｃ
は10-6≦ｃ≦0.1の範囲であることが好ましく、Ｘ″は
Ｆ、ClおよびBrから選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であることが好ましい。
次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボ或はアル
ミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を
行う。焼成温度は450乃至1000℃が適当である。焼成時
間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なる
が、一般には、0.5乃至６時間が適当である。焼成雰囲
気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量
の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲
気、あるいは窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の
中性雰囲気が好ましい。なお、上記の焼成条件で一度焼
成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しか
る後焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入
れ、上記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光
輝度を更に高めることができる。また、焼成物を焼成温
度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出し
て空気中で冷却することによっても所望の蛍光体を得る
ことができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしく
は中性雰囲気のままで冷却する方が、得られた蛍光体の
輝尽発光輝度をさらに高めることができる。また、焼成
物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元
性雰囲気もしくは中性雰囲気で急冷することにより、得
られた蛍光体の輝尽発光輝度をより一層高めることがで
きる。
ミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を
行う。焼成温度は450乃至1000℃が適当である。焼成時
間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なる
が、一般には、0.5乃至６時間が適当である。焼成雰囲
気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量
の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲
気、あるいは窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の
中性雰囲気が好ましい。なお、上記の焼成条件で一度焼
成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しか
る後焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入
れ、上記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光
輝度を更に高めることができる。また、焼成物を焼成温
度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出し
て空気中で冷却することによっても所望の蛍光体を得る
ことができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしく
は中性雰囲気のままで冷却する方が、得られた蛍光体の
輝尽発光輝度をさらに高めることができる。また、焼成
物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元
性雰囲気もしくは中性雰囲気で急冷することにより、得
られた蛍光体の輝尽発光輝度をより一層高めることがで
きる。
焼成後得られる蛍光体を粉砕し、その後洗浄、乾燥、篩
い分け等の蛍光体製造に於いて一般に採用されている各
種操作によって処理して本発明に係る蛍光体を得る。
い分け等の蛍光体製造に於いて一般に採用されている各
種操作によって処理して本発明に係る蛍光体を得る。
以上のようにして得られた本発明の蛍光体（１−ｘ）Cs
Br・xMI・aMIIX2′・bMIIIX3″:cTl・dAの輝尽発光スペ
クトルを第１図に例示した。具体的な組成は下記の通り
である。
Br・xMI・aMIIX2′・bMIIIX3″:cTl・dAの輝尽発光スペ
クトルを第１図に例示した。具体的な組成は下記の通り
である。
0.98CsBr・0.02RbI:0.002Tl すなわち前記蛍光体に80KVpのＸ線を照射した後、該蛍
光体を発振波長が780nmの半導体レーザーで励起するこ
とによって測定した発光スペクトルである。
光体を発振波長が780nmの半導体レーザーで励起するこ
とによって測定した発光スペクトルである。
また第２図に本発明の蛍光体（１−ｘ）CsBr・xMI・aM
IIX2′・bMIIIX3″:cTl・dAの輝尽励起スペクトルの一
例を図示した。80KVpのＸ線を照射した前記蛍光体の輝
尽励起スペクトルである。
IIX2′・bMIIIX3″:cTl・dAの輝尽励起スペクトルの一
例を図示した。80KVpのＸ線を照射した前記蛍光体の輝
尽励起スペクトルである。
（実施例） 次に実施例及び参照例、比較例によって本発明を具体的
に説明する。尚試料（10）〜（17）は参照例である。
に説明する。尚試料（10）〜（17）は参照例である。
実施例１、参照例１ 各蛍光原料を下記（１）〜（17）に示されるように秤量
した後、ボールミルを用いて充分に混合して17種類の蛍
光体原料混合物を調合した。
した後、ボールミルを用いて充分に混合して17種類の蛍
光体原料混合物を調合した。
次に前記17種類の蛍光体原料混合物をそれぞれ石英ポー
トに詰めて電気炉に入れ焼成を行った。焼成は２容量％
の水素ガスを含む窒素ガスを流速2500cc/分で流しなが
ら650℃で２時間行い、その後室温まで放冷した。
トに詰めて電気炉に入れ焼成を行った。焼成は２容量％
の水素ガスを含む窒素ガスを流速2500cc/分で流しなが
ら650℃で２時間行い、その後室温まで放冷した。
得られた焼成物をボールミルを用いて粉砕した後、150
メッシュの篩にかけて粒子径をそろえ、それぞれの蛍光
体試料（１）〜（17）を得た。
メッシュの篩にかけて粒子径をそろえ、それぞれの蛍光
体試料（１）〜（17）を得た。
前記蛍光体試料（１）〜（17）を夫々蛍光体を測定用ホ
ルダーに詰めＸ線管球焦点から100cmの距離において管
電圧80KVp、管電流100mAのＸ線を0.1秒照射した後、こ
れを10mWのHe−Neレーザ光（633nm、10mW）で励起し、
その蛍光体から放射される輝尽による蛍光を光検出器で
測定した。結果を第１表に示す。
ルダーに詰めＸ線管球焦点から100cmの距離において管
電圧80KVp、管電流100mAのＸ線を0.1秒照射した後、こ
れを10mWのHe−Neレーザ光（633nm、10mW）で励起し、
その蛍光体から放射される輝尽による蛍光を光検出器で
測定した。結果を第１表に示す。
比較例１ 実施例においては蛍光体原料をKCl74.56g（１モル）、T
l20 0.424g（0.001モル）としたこと以外は実施例と同
様にして蛍光体KCl:0.002Tlを得た。この蛍光体を用い
て実施例１と同様にして比較試料（１）を得、更に実施
例１と同様にHe−Neレーザ（633nm、10mW）を用いて輝
尽発光輝度を測定した。結果を第１表に併記する。
l20 0.424g（0.001モル）としたこと以外は実施例と同
様にして蛍光体KCl:0.002Tlを得た。この蛍光体を用い
て実施例１と同様にして比較試料（１）を得、更に実施
例１と同様にHe−Neレーザ（633nm、10mW）を用いて輝
尽発光輝度を測定した。結果を第１表に併記する。
第１表より、本発明に係る前記試料（１）〜（９）の蛍
光体の輝尽による発光輝度は、比較例１に示した従来の
蛍光体KCl:0.002Tlよりなる比較試料（１）を同一条件
で測定した輝尽による発光輝度より大である。
光体の輝尽による発光輝度は、比較例１に示した従来の
蛍光体KCl:0.002Tlよりなる比較試料（１）を同一条件
で測定した輝尽による発光輝度より大である。
また、本発明に係る前記試料（１）〜（９）の蛍光体
は、本発明に近い組成を有する参照例の試料（10）〜
（17）の蛍光体に比較して平均して２倍の高感度を有し
ている。
は、本発明に近い組成を有する参照例の試料（10）〜
（17）の蛍光体に比較して平均して２倍の高感度を有し
ている。
実施例２ 前記実施例１と同様にして第２表に掲げる組成の蛍光体
試料（18）〜（21）を得、同様のの測定を行い、その結
果を第２表に示した。
試料（18）〜（21）を得、同様のの測定を行い、その結
果を第２表に示した。
第２表から明かなように、実施例２の試料は、前記比較
例及び参考例に比べ高感度を有している。
例及び参考例に比べ高感度を有している。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明に係る蛍光体は放射線を照
射した後に、可視光および赤外線の一方またはその両方
を照射して輝尽励起したときの輝尽発光輝度が、従来の
アルカリハライド蛍光体に比較して著しく増大するもの
である。また、本発明に係る蛍光体は放射線を照射した
後に、可視光および赤外線の一方またはその両方を照射
して輝尽励起したときの輝尽発光の応答特性および輝尽
の残光特性についても、従来のアルカリハライド蛍光体
に比較して改善される。
射した後に、可視光および赤外線の一方またはその両方
を照射して輝尽励起したときの輝尽発光輝度が、従来の
アルカリハライド蛍光体に比較して著しく増大するもの
である。また、本発明に係る蛍光体は放射線を照射した
後に、可視光および赤外線の一方またはその両方を照射
して輝尽励起したときの輝尽発光の応答特性および輝尽
の残光特性についても、従来のアルカリハライド蛍光体
に比較して改善される。
従って、本発明に係る輝尽性蛍光体は放射線に対する感
度が高いため、本発明の放射線画像変換方法をＸ線診断
等に利用する場合、被写体のＸ線被曝量を低減すること
が可能となる。
度が高いため、本発明の放射線画像変換方法をＸ線診断
等に利用する場合、被写体のＸ線被曝量を低減すること
が可能となる。
また本発明に係る輝尽性蛍光体は励起光に対する応答速
度および蓄積エネルギー（残光）の消去速度が速いた
め、本発明の放射線画像変換方法における放射線画像読
取り速度を高速化し、残像の消去時間を短縮してシステ
ムの運転効率を向上させることが可能である。
度および蓄積エネルギー（残光）の消去速度が速いた
め、本発明の放射線画像変換方法における放射線画像読
取り速度を高速化し、残像の消去時間を短縮してシステ
ムの運転効率を向上させることが可能である。
さらにまた、本発明に係る輝尽性蛍光体の輝尽励起スペ
クトルは半導体レーザの発振波長領域にまで拡大してし
ているので半導体レーザによる励起が可能であり、放射
線画像読取り装置の小型化、低価格化、簡略化が可能で
ある。
クトルは半導体レーザの発振波長領域にまで拡大してし
ているので半導体レーザによる励起が可能であり、放射
線画像読取り装置の小型化、低価格化、簡略化が可能で
ある。
第１図は本発明に係る輝尽性蛍光体例の輝尽発光スペク
トル、第２図は該蛍光体例の輝尽励起スペクトルであ
る。
トル、第２図は該蛍光体例の輝尽励起スペクトルであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ２１Ｋ 4/00 Ｍ
Claims (4)
- 【請求項１】被写体を透過した放射線を下記一般式
（Ｉ）で示されるタリウム元素付活ハロゲン化セシウム
輝尽性蛍光体の少なくとも１つに吸収せしめ、しかる
後、前記輝尽性蛍光体を可視光及び／又は赤外線から選
ばれる電磁波で励起して前記輝尽性蛍光体が蓄積してい
る前記放射線のエネルギーを蛍光として放出せしめ、前
記蛍光を検出して放射線画像を得ることを特徴とする放
射線画像変換方法。 一般式（Ｉ） （１−ｘ）csBr・xMII・aMIIX′２・bMIIIX″3:cT1・dA （但し、MIはRbおよびCsから選ばれる少なくとも一種の
アルカリ金属であり、MIIはBe、Mg、Ca、Sr、Baから選
ばれる少なくとも一種の二価金属であり、MIIIは、Ｙ、
La、Lu、Al、GaおよびInから選ばれる少なくとも一種の
三価金属であり、Ｘ′およびＸ″はＦ、Cl、BrおよびＩ
から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはE
u、Na、Agから選ばれる少なくとも一種の金属である。 また、x,a,b,cおよびｄはそれぞれ、０＜ｘ＜0.9、０≦
ａ＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜0.2、０≦ｄ＜0.2の範
囲の数値である。） - 【請求項２】前記一般式（Ｉ）におけるｂが０≦ｂ＜10
-2であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
放射線画像変換方法。 - 【請求項３】前記一般式（Ｉ）におけるＸ″がＦ、Clお
よびBrから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
放射線画像変換方法。 - 【請求項４】前記一般式（Ｉ）におけるｃが10-6≦ｃ≦
0.1であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第３項のいずれかの項記載の放射線画像変換方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196366A JPH0784591B2 (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像変換方法 |
| EP19850306567 EP0174875B1 (en) | 1984-09-14 | 1985-09-16 | Method for converting radiographic image and radiation energy storage panel having stimulable phosphor-containing layer |
| DE8585306567T DE3578081D1 (de) | 1984-09-14 | 1985-09-16 | Verfahren zur umwandlung eines radiographischen bildes und schirm zum speichern einer strahlungsenergie mit einer anregbaren phosphorschicht. |
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| JPS6173786A (ja) | 1986-04-15 |
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