JPH07778B2 - 受像管 - Google Patents
受像管Info
- Publication number
- JPH07778B2 JPH07778B2 JP60202093A JP20209385A JPH07778B2 JP H07778 B2 JPH07778 B2 JP H07778B2 JP 60202093 A JP60202093 A JP 60202093A JP 20209385 A JP20209385 A JP 20209385A JP H07778 B2 JPH07778 B2 JP H07778B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- picture tube
- tio
- metal back
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、螢光体膜のイオン焼けをメタルバックによる
ことなく解消せしめ得る高能率の受像管ことにビューフ
ァインダ用に適した超小型モノクローム受像管に関する
ものである。
ことなく解消せしめ得る高能率の受像管ことにビューフ
ァインダ用に適した超小型モノクローム受像管に関する
ものである。
従来の技術 受像管の螢光体膜にメタルバックを施すことが一般に行
われている。前記メタルバックは通常、螢光体膜の背面
にアルキルメタアクリル酸の重合体からなるラッカ膜を
塗布形成したのち、アルミニウムを0.2μｍ程度の膜厚
に真空蒸着することにより得られる。前記ラッカ膜はそ
の後に設定される加熱処理工程中にガス化して消失する
が、かかるメタルバックを備えた受像管では、イオン衝
撃による螢光体膜の劣化たるイオン焼けがほとんどな
く、しかも螢光体膜電位を安定に保つことができる。ま
た、螢光体膜から電子銃側へ向う光がメタルバックで反
射されるので、それだけ輝度特性を良好にすることがで
きる。
われている。前記メタルバックは通常、螢光体膜の背面
にアルキルメタアクリル酸の重合体からなるラッカ膜を
塗布形成したのち、アルミニウムを0.2μｍ程度の膜厚
に真空蒸着することにより得られる。前記ラッカ膜はそ
の後に設定される加熱処理工程中にガス化して消失する
が、かかるメタルバックを備えた受像管では、イオン衝
撃による螢光体膜の劣化たるイオン焼けがほとんどな
く、しかも螢光体膜電位を安定に保つことができる。ま
た、螢光体膜から電子銃側へ向う光がメタルバックで反
射されるので、それだけ輝度特性を良好にすることがで
きる。
受像管の動作時に電子線とともに放射されるイオンは、
電子の数千倍以上の重量を有しているので、偏向磁界中
では偏向されずに螢光体膜の中央部を衝撃し続ける。そ
して、このようにして起こる前記イオン焼けの程度は、
以下にのべる方法によって評価することができる。すな
わち、被評価受像管を所定の動作条件で長時間にわたり
動作させておき、テスト時にその加速電圧（陽極電圧）
を徐々に下げていく。そして、暗室内で螢光体膜中央部
にイオン焼けが認知できたときの最大加速電圧（Vioni
c）を測定して第１図に示すようなグラフを作成するの
であり、Vionicが低いものほどイオン焼けが少ない受像
管と評価される。
電子の数千倍以上の重量を有しているので、偏向磁界中
では偏向されずに螢光体膜の中央部を衝撃し続ける。そ
して、このようにして起こる前記イオン焼けの程度は、
以下にのべる方法によって評価することができる。すな
わち、被評価受像管を所定の動作条件で長時間にわたり
動作させておき、テスト時にその加速電圧（陽極電圧）
を徐々に下げていく。そして、暗室内で螢光体膜中央部
にイオン焼けが認知できたときの最大加速電圧（Vioni
c）を測定して第１図に示すようなグラフを作成するの
であり、Vionicが低いものほどイオン焼けが少ない受像
管と評価される。
発明が解決しようとする問題点 ところで、かかるメタルバックを備えた受像管では、螢
光体膜を刺激発光させるための電子線エネルギーがメタ
ルバックで浪費されるのみならず、解像度が比較的低
く、しかも螢光体膜の発光輝度にミクロ的不均一を生じ
やすいという問題点がある。一方、フェースプレートの
対角線長が１インチ以下のビューファインダ用超小型受
像管では、２〜4KVの比較的低い加速電圧（Va）で動作
させたという要望があるのみならず、再生画像を光学レ
ンズで６〜10倍に拡大して眺める場合が多いので、前述
のような問題点の排除が強く望まれるのであり、本発明
の目的とするところもこの点にある。
光体膜を刺激発光させるための電子線エネルギーがメタ
ルバックで浪費されるのみならず、解像度が比較的低
く、しかも螢光体膜の発光輝度にミクロ的不均一を生じ
やすいという問題点がある。一方、フェースプレートの
対角線長が１インチ以下のビューファインダ用超小型受
像管では、２〜4KVの比較的低い加速電圧（Va）で動作
させたという要望があるのみならず、再生画像を光学レ
ンズで６〜10倍に拡大して眺める場合が多いので、前述
のような問題点の排除が強く望まれるのであり、本発明
の目的とするところもこの点にある。
問題点を解決するための手段 本発明の受像管は、２〜4KVの加速電圧で動作される受
像管であって、電子銃にメタルバックを介することなく
向き合い、かつ一般式Y2O2S:Tb,X（ＸはDy,Sm,Euおよび
Hoのうち少なくとも１種）で表される螢光体により形成
された螢光体膜中の螢光体粒子が、前記螢光体に対して
0.5〜５重量％のTiO2で被覆されているものである。
像管であって、電子銃にメタルバックを介することなく
向き合い、かつ一般式Y2O2S:Tb,X（ＸはDy,Sm,Euおよび
Hoのうち少なくとも１種）で表される螢光体により形成
された螢光体膜中の螢光体粒子が、前記螢光体に対して
0.5〜５重量％のTiO2で被覆されているものである。
作用 TiO2被膜としては非常に薄いものが得られるので、螢光
体粒子を効率よく被覆でき、少量でありながらそれ自体
でイオン焼けを防止することができる。
体粒子を効率よく被覆でき、少量でありながらそれ自体
でイオン焼けを防止することができる。
実施例１ 本例では、Y2O2S:Tb,Dy白色発光螢光体粒子の表面にTiO
2の微粒子を2.5重量％の割合で被覆する。被覆処理とし
ては、まず、100ml内容積のビーカに50mlのエチールア
ルコールを注入する。ついで、1.08gのTi（OC4H9）４を
撹拌しながら投入して溶解させたのち、10gのY2O2S:Tb,
Dy白色発光螢光体粒子を撹拌しながら投入し、良く分散
させる。つづいて1mlの水を撹拌しながら滴下し、さら
に60分間撹拌する。この間にTi（OC4H9）４の加水分解
がすすみ、生成されたTi（OH）４の微粒子が前記螢光体
粒子の表面に付着する。
2の微粒子を2.5重量％の割合で被覆する。被覆処理とし
ては、まず、100ml内容積のビーカに50mlのエチールア
ルコールを注入する。ついで、1.08gのTi（OC4H9）４を
撹拌しながら投入して溶解させたのち、10gのY2O2S:Tb,
Dy白色発光螢光体粒子を撹拌しながら投入し、良く分散
させる。つづいて1mlの水を撹拌しながら滴下し、さら
に60分間撹拌する。この間にTi（OC4H9）４の加水分解
がすすみ、生成されたTi（OH）４の微粒子が前記螢光体
粒子の表面に付着する。
Ti（OH）４の付着した螢光体粒子を沈降させたのち、傾
斜法で上澄液を放出する。そして、110℃の温度下で乾
燥させたのち乳鉢で軽くほぐし、450℃の温度下で約２
時間焼成すると、TiO2を2.5重量％被覆したY2O2S:Tb,Dy
白色発光螢光体が得られる。なお、得られた螢光体にTi
O2の被覆が存在することは、Ｘ線マイクロアナライザで
確認することができる。
斜法で上澄液を放出する。そして、110℃の温度下で乾
燥させたのち乳鉢で軽くほぐし、450℃の温度下で約２
時間焼成すると、TiO2を2.5重量％被覆したY2O2S:Tb,Dy
白色発光螢光体が得られる。なお、得られた螢光体にTi
O2の被覆が存在することは、Ｘ線マイクロアナライザで
確認することができる。
このようにして得られたTiO2被覆のY2O2S:Tb,Dy白色発
光螢光体を用いて周知の沈降法で螢光体膜を形成し、メ
タルバックなしの超小型（フェースプレート対角線長が
0.5インチ）モノクローム受像管をつくった。そして、
この受像管のイオン焼けの程度を前述の評価方法で調べ
たところ、第１図に折線ａで示すような特性が得られ
た。折線ｃはTiO2被覆を有しないY2O2S:Tb,Dy白色発光
螢光体を用いて螢光体膜を形成した0.5インチ型モノク
ローム受像管（メタルバックなし）の特性を示すもの
で、これに対して本実施例の受像管のイオン焼け認知最
大加速電圧Vionicがきわめて低い0.4KVであることがわ
かる。
光螢光体を用いて周知の沈降法で螢光体膜を形成し、メ
タルバックなしの超小型（フェースプレート対角線長が
0.5インチ）モノクローム受像管をつくった。そして、
この受像管のイオン焼けの程度を前述の評価方法で調べ
たところ、第１図に折線ａで示すような特性が得られ
た。折線ｃはTiO2被覆を有しないY2O2S:Tb,Dy白色発光
螢光体を用いて螢光体膜を形成した0.5インチ型モノク
ローム受像管（メタルバックなし）の特性を示すもの
で、これに対して本実施例の受像管のイオン焼け認知最
大加速電圧Vionicがきわめて低い0.4KVであることがわ
かる。
実施例２ 本例では、Y2O2S:Tb,Dy,Sm白色発光螢光体粒子の表面
に、TiO2の微粒子を１重量％の割合で被覆した。被覆の
要領および得られたTiO2被覆Y2O2S:Tb,Dy,Sm螢光体を用
いての螢光体膜形成の要領は実施例１の場合と同様であ
る。完成した0.5インチ型受像管（メタルバックなし）
のイオン焼けの程度は第１図に折線ｂで示すものとな
り、Vionicは折線ｃのものに比して著しく低いことがわ
かる。
に、TiO2の微粒子を１重量％の割合で被覆した。被覆の
要領および得られたTiO2被覆Y2O2S:Tb,Dy,Sm螢光体を用
いての螢光体膜形成の要領は実施例１の場合と同様であ
る。完成した0.5インチ型受像管（メタルバックなし）
のイオン焼けの程度は第１図に折線ｂで示すものとな
り、Vionicは折線ｃのものに比して著しく低いことがわ
かる。
第２図はY2O2S:Tb,X（ただしＸはDy,Sm,Euおよびhoの少
なくとも１種）白色発光螢光体のTiO2被覆量を横軸にと
り、150時間電子線照射後のVionicおよび初期螢光面輝
度を縦軸にとった実測特性図で、TiO2の被覆量が５重量
％を越えたときの輝度低下は大きく、一方、TiO2の被覆
量が0.5重量％よりも少ないときのVionicは高く、イオ
ン焼け防止に有効でないことがわかる。また、Y2O2S:Tb
系以外の螢光体粒子を用いた場合にも第２図に示すと同
様傾向の特性が得られた。TiO2被覆の適当な量は当該螢
光体の0.5〜５重量％、より好ましくは１〜５重量％で
ある。
なくとも１種）白色発光螢光体のTiO2被覆量を横軸にと
り、150時間電子線照射後のVionicおよび初期螢光面輝
度を縦軸にとった実測特性図で、TiO2の被覆量が５重量
％を越えたときの輝度低下は大きく、一方、TiO2の被覆
量が0.5重量％よりも少ないときのVionicは高く、イオ
ン焼け防止に有効でないことがわかる。また、Y2O2S:Tb
系以外の螢光体粒子を用いた場合にも第２図に示すと同
様傾向の特性が得られた。TiO2被覆の適当な量は当該螢
光体の0.5〜５重量％、より好ましくは１〜５重量％で
ある。
発明の効果 本発明は前述のように、螢光体粒子を被覆するTiO2微粒
子によって螢光体膜のイオン焼けを防止でき、メタルバ
ックを要しないことから、メタルバックによる電子線エ
ネルギーの消費をなくし得、２〜4KV程度の加速電圧で
もって高解像度の、しかも輝度むらのない画像を効率よ
く再生することができる。
子によって螢光体膜のイオン焼けを防止でき、メタルバ
ックを要しないことから、メタルバックによる電子線エ
ネルギーの消費をなくし得、２〜4KV程度の加速電圧で
もって高解像度の、しかも輝度むらのない画像を効率よ
く再生することができる。
第１図は本発明を実施した受像管の電子線照射時間対イ
オン焼け認知最大加速電圧特性を、メタルバックなしの
従来の受像管の同特性と比較した特性図、第２図はTiO2
の被覆量を横軸にとり、イオン焼け認知最大加速電圧お
よび螢光体膜輝度を縦軸にとった特性図である。
オン焼け認知最大加速電圧特性を、メタルバックなしの
従来の受像管の同特性と比較した特性図、第２図はTiO2
の被覆量を横軸にとり、イオン焼け認知最大加速電圧お
よび螢光体膜輝度を縦軸にとった特性図である。
Claims (1)
- 【請求項１】２〜4KVの加速電圧で動作される受像管で
あって、電子銃にメタルバックを介することなく向き合
い、かつ一般式Y2O2S:Tb,X（ＸはDy,Sm,EuおよびHoのう
ち少なくとも１種）で表される螢光体により形成された
螢光体膜中の螢光体粒子が、前記螢光体に対して0.5〜
５重量％のTiO2で被覆されていることを特徴とする受像
管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202093A JPH07778B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 受像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202093A JPH07778B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 受像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262885A JPS6262885A (ja) | 1987-03-19 |
| JPH07778B2 true JPH07778B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=16451849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60202093A Expired - Fee Related JPH07778B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07778B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5222586A (en) * | 1975-08-14 | 1977-02-19 | Fujitsu Ltd | Method for protective treatment of fluorescent substance |
| JPS587477A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Toshiba Corp | 電場発光素子 |
| JPS59105254A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-18 | Futaba Corp | 螢光表示管 |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP60202093A patent/JPH07778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6262885A (ja) | 1987-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |