JPS6262885A - 受像管 - Google Patents
受像管Info
- Publication number
- JPS6262885A JPS6262885A JP20209385A JP20209385A JPS6262885A JP S6262885 A JPS6262885 A JP S6262885A JP 20209385 A JP20209385 A JP 20209385A JP 20209385 A JP20209385 A JP 20209385A JP S6262885 A JPS6262885 A JP S6262885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- picture tube
- phosphor
- fluorescent substance
- tio2
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、螢光体膜のイオン焼けをメタルノくツクによ
ることなく解消せしめ得る高能率の受像管ことにビュー
ファインダ用に適した超小凰モノクローム受像管に関す
るものである。
ることなく解消せしめ得る高能率の受像管ことにビュー
ファインダ用に適した超小凰モノクローム受像管に関す
るものである。
従来の技術
受像管の螢光体膜にメタルバックを施すことが一般に行
なわれている。前記メタルバックは通常、螢光体膜の背
面にアルキルメタアクリル酸の重合体からなるラッカ膜
を塗布形成したのち、アルミニウムを０．２μｍ程度の
膜厚に真空蒸着するととにより得られる。前記ラッカ膜
はその後に設定される加熱処理工程中にガス化して消失
するが、かかるメタルバックを備えた受像管では、イオ
ン衝撃による螢光体膜の劣化たるイオン焼けがほとんど
なく、しかも螢光体膜電位を安定に保つことができる。
なわれている。前記メタルバックは通常、螢光体膜の背
面にアルキルメタアクリル酸の重合体からなるラッカ膜
を塗布形成したのち、アルミニウムを０．２μｍ程度の
膜厚に真空蒸着するととにより得られる。前記ラッカ膜
はその後に設定される加熱処理工程中にガス化して消失
するが、かかるメタルバックを備えた受像管では、イオ
ン衝撃による螢光体膜の劣化たるイオン焼けがほとんど
なく、しかも螢光体膜電位を安定に保つことができる。
また、螢光体膜から電子銃側へ向う光がメタルバックで
反射されるので、それだけ輝度特性を良好にすることが
できる。
反射されるので、それだけ輝度特性を良好にすることが
できる。
受像管の動作時に電子線とともに放射されるイオンは、
電子の数千倍以上の重量を有しているので、偏向磁界中
では偏向されずに螢光体膜の中央部を衝撃し続ける。そ
して、このようにして起こる前記イオン焼けの程度は、
以下にのべる方法によって評価することができる。すな
わち、被評価受像管を所定の動作条件で長時間にわたり
動作させておき、テスト時にその加速電圧（陽極電圧）
を徐々に下げていく。そして、暗室内で螢光体膜中央部
にイオン焼けが認知できたときの最大加速電圧（Ｖｉｏ
ｎｉｃ） を測定して第１図に示すようなグラフを作
成するのであり、Ｖｉｏｎｉｃ が低いものはどイオ
ン焼けが少ない受像管と評価される。
電子の数千倍以上の重量を有しているので、偏向磁界中
では偏向されずに螢光体膜の中央部を衝撃し続ける。そ
して、このようにして起こる前記イオン焼けの程度は、
以下にのべる方法によって評価することができる。すな
わち、被評価受像管を所定の動作条件で長時間にわたり
動作させておき、テスト時にその加速電圧（陽極電圧）
を徐々に下げていく。そして、暗室内で螢光体膜中央部
にイオン焼けが認知できたときの最大加速電圧（Ｖｉｏ
ｎｉｃ） を測定して第１図に示すようなグラフを作
成するのであり、Ｖｉｏｎｉｃ が低いものはどイオ
ン焼けが少ない受像管と評価される。
発明が解決しようとする問題点
ところで、かかるメタルバックを備えた受像管では、螢
光体膜を刺激発光させるための電子線エネルギがメタル
バックで浪費されるのみならず、解像度が比較的低く、
しかも螢光体膜の発光輝度にミクロ的不均−を生じやす
いという問題点がある。一方、フェースプレートの対角
線長が１インチ以下のビューファインダ用超小型受像管
では、２〜４ＫＶの比較的低い加速電圧（Ｖａ）で動作
させたいという要望があるのみならず、再生画像を光学
レンズで６〜１０倍に拡大して眺める場合が多いので、
前述のような問題点の排除が強く望まれるのであり、本
発明の目的とするところもこの点にある。
光体膜を刺激発光させるための電子線エネルギがメタル
バックで浪費されるのみならず、解像度が比較的低く、
しかも螢光体膜の発光輝度にミクロ的不均−を生じやす
いという問題点がある。一方、フェースプレートの対角
線長が１インチ以下のビューファインダ用超小型受像管
では、２〜４ＫＶの比較的低い加速電圧（Ｖａ）で動作
させたいという要望があるのみならず、再生画像を光学
レンズで６〜１０倍に拡大して眺める場合が多いので、
前述のような問題点の排除が強く望まれるのであり、本
発明の目的とするところもこの点にある。
問題点を解決するだめの手段
本発明によると、螢光体膜を形成する螢光体粒子に酸化
チタン（Ｔ １０２ ）の被覆を有せしめるのであり、
ＴｌＯ２被覆の適当な量は当該螢光体の０．５〜５重量
％である。
チタン（Ｔ １０２ ）の被覆を有せしめるのであり、
ＴｌＯ２被覆の適当な量は当該螢光体の０．５〜５重量
％である。
作 用
Ｔｊ○２被膜としては非常に薄いものが得られるので、
螢光体粒子を効率よく被覆でき、少量でありながらそれ
自体でイオン焼けを防止することができる。このだめ、
メタルバンクをなくしてメタルバックによる電子線エネ
ルギ浪費をなくし得、２〜４ＫＶ程度の加速電圧でもっ
て高解像度の、しかも輝度むらのない画像を効率よく再
生することができる。
螢光体粒子を効率よく被覆でき、少量でありながらそれ
自体でイオン焼けを防止することができる。このだめ、
メタルバンクをなくしてメタルバックによる電子線エネ
ルギ浪費をなくし得、２〜４ＫＶ程度の加速電圧でもっ
て高解像度の、しかも輝度むらのない画像を効率よく再
生することができる。
実施例１
本例では、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｄｙ白色発光螢光体粒子
の表面にＴｉＯ２の微粒子を２．５重量％の割合で被覆
する。被覆処理としては、まず、１００ａｌ内容積のビ
ー力に５０ ａｇのエチールアルコールヲ注入する。つ
いで、１．０８ｐのＴｉ（○Ｃ４Ｈ９）４ を攪拌しな
がら投入して溶解させたのち、１０ｇのＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔ
ｂ、Ｄｙ白色発光螢光体粒子を攪拌しながら投入し、良
く分散させる。つづいて１ ｍｌの水を攪拌しながら滴
下し、さらに６０分間攪拌する。
の表面にＴｉＯ２の微粒子を２．５重量％の割合で被覆
する。被覆処理としては、まず、１００ａｌ内容積のビ
ー力に５０ ａｇのエチールアルコールヲ注入する。つ
いで、１．０８ｐのＴｉ（○Ｃ４Ｈ９）４ を攪拌しな
がら投入して溶解させたのち、１０ｇのＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔ
ｂ、Ｄｙ白色発光螢光体粒子を攪拌しながら投入し、良
く分散させる。つづいて１ ｍｌの水を攪拌しながら滴
下し、さらに６０分間攪拌する。
この間にＴｉ（ｏＣ４Ｈ９）４ の加水分解がすすみ、
生成されたＴ Ｉ （ＯＨ） ４の微粒子が前記螢光体
粒子の表面に付着する。
生成されたＴ Ｉ （ＯＨ） ４の微粒子が前記螢光体
粒子の表面に付着する。
Ｔ Ｌ （ＯＨ） ４の付着した螢光体粒子を沈降させ
たのち、傾斜法で上澄液を放出する。そして、１１０℃
の温度下で乾燥させたのち乳鉢で軽くほぐし、４５０℃
の温度下で約２時間焼成すると、Ｔ ｉＯ２を２．５重
量％被覆したＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｄｙ白色発光螢光体が
得られる。なお、得られた螢光体にＴ ｉＯ２の被覆が
存在することは、Ｘ線マイクロアナライザで確認するこ
とができる。
たのち、傾斜法で上澄液を放出する。そして、１１０℃
の温度下で乾燥させたのち乳鉢で軽くほぐし、４５０℃
の温度下で約２時間焼成すると、Ｔ ｉＯ２を２．５重
量％被覆したＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｄｙ白色発光螢光体が
得られる。なお、得られた螢光体にＴ ｉＯ２の被覆が
存在することは、Ｘ線マイクロアナライザで確認するこ
とができる。
このようにして得られたＴｉＯ被覆のＹ２Ｏ２Ｓ：’ｒ
ｂ、Ｄｙ白色発光螢光体を用いて周知の沈降法で螢光体
膜を形成し、メタルバックなしの超小型（フェースプレ
ート対角線長が０．５インチ）モノクローム受像管をつ
くった。そして、この受像管のイオン焼けの程度を前述
の評価方法で調べたところ、第１図に折線ａで示すよう
な特性が得られた。折線ＣはＴｉＯ被覆を有しないＹ２
Ｏ２８：Ｔｂ、Ｄ７白色発光螢光体を用いて螢光体膜を
形成した０、６インチ型モノクローム受像管（メタルバ
ックなし）の特性を示すもので、これに対して本実施例
の受像管のイオン焼は認知最大加速電圧Ｖｉｏｎｉｃが
きわめて低い０．４ ＫＶであることがわかる。
ｂ、Ｄｙ白色発光螢光体を用いて周知の沈降法で螢光体
膜を形成し、メタルバックなしの超小型（フェースプレ
ート対角線長が０．５インチ）モノクローム受像管をつ
くった。そして、この受像管のイオン焼けの程度を前述
の評価方法で調べたところ、第１図に折線ａで示すよう
な特性が得られた。折線ＣはＴｉＯ被覆を有しないＹ２
Ｏ２８：Ｔｂ、Ｄ７白色発光螢光体を用いて螢光体膜を
形成した０、６インチ型モノクローム受像管（メタルバ
ックなし）の特性を示すもので、これに対して本実施例
の受像管のイオン焼は認知最大加速電圧Ｖｉｏｎｉｃが
きわめて低い０．４ ＫＶであることがわかる。
実施例２
本例では、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｄｙ、Ｓｍ 白色発光
螢光体粒子の表面に、Ｔ ｉＯ２の微粒子を１重量％の
割合で被覆した。被覆の要領および得られたＴ ｉ０２
被覆Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｄｙ、Ｓｍ 螢光体を用いて
の螢光体膜形成の要領は実施例１の場合と同様である。
螢光体粒子の表面に、Ｔ ｉＯ２の微粒子を１重量％の
割合で被覆した。被覆の要領および得られたＴ ｉ０２
被覆Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｄｙ、Ｓｍ 螢光体を用いて
の螢光体膜形成の要領は実施例１の場合と同様である。
完成した０、５インチ型受像管（メタルバックなし）の
イオン焼けの程度は第１図に折線すで示すものとなり、
Ｖｉｏｎｉｃは折線Ｃのものに比して著しく低いことが
わかる。
イオン焼けの程度は第１図に折線すで示すものとなり、
Ｖｉｏｎｉｃは折線Ｃのものに比して著しく低いことが
わかる。
第２図はＹ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｘ（ただしＸはＤｙ、Ｓｍ
。
。
ＥｕおよびＨｏの少なくとも１種の元素）白色発光螢光
体のＴｉｏ２被覆量を横軸にとり、１５０時間電子線照
射後のＶｉｏｎｉｃおよび初期螢光面輝度を縦軸にとっ
た実測特性図で、Ｔ １０２の被覆量が５重量％を越え
たときの輝度低下は大きく、一方、ＴｉＯ２の被覆量が
０．６重量％よりも少ないときのＶｉｏｎｉｃは高く、
イオン焼は防止に有効でないことがわかる。また、Ｙ２
Ｏ２８二Ｔｂ系以外の螢光体粒子を用いた場合にも第２
図に示すと同様傾向の特性が得られた。Ｔｉ○２被覆の
適当な量は当該螢光体のＯ，Ｓ〜６重量％、より好まし
くは１〜５重量％である。
体のＴｉｏ２被覆量を横軸にとり、１５０時間電子線照
射後のＶｉｏｎｉｃおよび初期螢光面輝度を縦軸にとっ
た実測特性図で、Ｔ １０２の被覆量が５重量％を越え
たときの輝度低下は大きく、一方、ＴｉＯ２の被覆量が
０．６重量％よりも少ないときのＶｉｏｎｉｃは高く、
イオン焼は防止に有効でないことがわかる。また、Ｙ２
Ｏ２８二Ｔｂ系以外の螢光体粒子を用いた場合にも第２
図に示すと同様傾向の特性が得られた。Ｔｉ○２被覆の
適当な量は当該螢光体のＯ，Ｓ〜６重量％、より好まし
くは１〜５重量％である。
発明の効果
本発明は前述のように、螢光体粒子を被覆するＴ ｉＯ
２微粒子によって螢光体膜のイオン焼けを防止でき、メ
タルバックを要しないことから、メタルバンクによる電
子線エネルギの浪費をなくし得、２〜４ＫＶ程度の加速
電圧でもって高解像度の、しかも輝度むらのない画像を
効率よく再生することができる。
２微粒子によって螢光体膜のイオン焼けを防止でき、メ
タルバックを要しないことから、メタルバンクによる電
子線エネルギの浪費をなくし得、２〜４ＫＶ程度の加速
電圧でもって高解像度の、しかも輝度むらのない画像を
効率よく再生することができる。
第１図は本発明を実施しだ受像管の電子線照射時間対イ
オン焼は認知最大加速電圧特性を、メタルバックなしの
従来の受像管の同特性と比較した特性図、第２図はＴｉ
Ｏ２の被覆量を横軸にとり、イオン焼は認知最大加速電
圧および螢光体膜輝度を縦軸にとった特性図である。
オン焼は認知最大加速電圧特性を、メタルバックなしの
従来の受像管の同特性と比較した特性図、第２図はＴｉ
Ｏ２の被覆量を横軸にとり、イオン焼は認知最大加速電
圧および螢光体膜輝度を縦軸にとった特性図である。
Claims (1)
- 電子銃にメタルバックを介することなく向き合う螢光体
膜を、当該螢光体に対して０．５〜５重量％のＴｉＯ＿
２で被覆された螢光体粒子によって形成したことを特徴
とする受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202093A JPH07778B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 受像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202093A JPH07778B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 受像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262885A true JPS6262885A (ja) | 1987-03-19 |
| JPH07778B2 JPH07778B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=16451849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60202093A Expired - Fee Related JPH07778B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07778B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5222586A (en) * | 1975-08-14 | 1977-02-19 | Fujitsu Ltd | Method for protective treatment of fluorescent substance |
| JPS587477A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Toshiba Corp | 電場発光素子 |
| JPS59105254A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-18 | Futaba Corp | 螢光表示管 |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP60202093A patent/JPH07778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5222586A (en) * | 1975-08-14 | 1977-02-19 | Fujitsu Ltd | Method for protective treatment of fluorescent substance |
| JPS587477A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Toshiba Corp | 電場発光素子 |
| JPS59105254A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-18 | Futaba Corp | 螢光表示管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07778B2 (ja) | 1995-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |