JPH0777284B2 - 青−緑注入形レーザ装置 - Google Patents
青−緑注入形レーザ装置Info
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- JPH0777284B2 JPH0777284B2 JP5328725A JP32872593A JPH0777284B2 JP H0777284 B2 JPH0777284 B2 JP H0777284B2 JP 5328725 A JP5328725 A JP 5328725A JP 32872593 A JP32872593 A JP 32872593A JP H0777284 B2 JPH0777284 B2 JP H0777284B2
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- Japan
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- laser device
- conductivity type
- type
- substrate
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/347—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe- laser
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/327—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
-
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザに関し、特
にII／VI材料から製造され、青−緑領域にて操作する半
導体注入形レーザに関する。
にII／VI材料から製造され、青−緑領域にて操作する半
導体注入形レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】赤及び赤外領域にて操作する III／Ｖ材
料からなる半導体レーザは光学的データ貯蔵適用中に普
通に見い出される。緑、青／緑及び青のようなより短波
長にて操作するレーザ装置を用いる場合、光学的データ
貯蔵装置のデータ貯蔵密度は増加し得る。しかしなが
ら、より短波長にて操作する実際的な半導体レーザダイ
オードはまだ製造されていない。従来の技術は、より短
波長半導体レーザを作るためにII／VI材料を用いる多く
の手段上に焦点をおいていた。
料からなる半導体レーザは光学的データ貯蔵適用中に普
通に見い出される。緑、青／緑及び青のようなより短波
長にて操作するレーザ装置を用いる場合、光学的データ
貯蔵装置のデータ貯蔵密度は増加し得る。しかしなが
ら、より短波長にて操作する実際的な半導体レーザダイ
オードはまだ製造されていない。従来の技術は、より短
波長半導体レーザを作るためにII／VI材料を用いる多く
の手段上に焦点をおいていた。
【０００３】青−緑II／VI半導体注入形レーザはハッセ
氏等（「青−緑レーザ ダイオード」Appl. Phys. Let
t. ５９(11)、９、１９９１年９月）により、独立した
閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）構成を用いて製造され
た。これらのレーザはＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94クラッド層、
ＺｎＳｅ導波管領域、及びＣｄ0.2 Ｚｎ0.8 Ｓｅ量子−
井戸活性領域を有する。この構造は室温パルス及び低温
連続操作を与えるが、ＧａＡｓ基体に擬似形態的に全層
が成長できないという欠点を有する。擬似形態的レーザ
は独立した閉じ込めなしで、ＺｎＳｅガイド領域を省略
して作ることができるが、付加的な量子井戸は光学的な
閉じ込めの減少に対する補償を要求する。その結果しき
い値電流密度は増加する。又、Ｃｄ0.2 Ｚｎ0.8 Ｓｅと
ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94の間の大きな格子不整合（約1.5
％）はＣｄ0.2 Ｚｎ0.8 Ｓｅの全厚さを制限するので、
付加的な量子井戸により得られた光学的閉じ込めの改良
は制限される。
氏等（「青−緑レーザ ダイオード」Appl. Phys. Let
t. ５９(11)、９、１９９１年９月）により、独立した
閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）構成を用いて製造され
た。これらのレーザはＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94クラッド層、
ＺｎＳｅ導波管領域、及びＣｄ0.2 Ｚｎ0.8 Ｓｅ量子−
井戸活性領域を有する。この構造は室温パルス及び低温
連続操作を与えるが、ＧａＡｓ基体に擬似形態的に全層
が成長できないという欠点を有する。擬似形態的レーザ
は独立した閉じ込めなしで、ＺｎＳｅガイド領域を省略
して作ることができるが、付加的な量子井戸は光学的な
閉じ込めの減少に対する補償を要求する。その結果しき
い値電流密度は増加する。又、Ｃｄ0.2 Ｚｎ0.8 Ｓｅと
ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94の間の大きな格子不整合（約1.5
％）はＣｄ0.2 Ｚｎ0.8 Ｓｅの全厚さを制限するので、
付加的な量子井戸により得られた光学的閉じ込めの改良
は制限される。
【０００４】ＭＢＥによるＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y
材料の成長はオクヤマ氏等により示された（Jap.Ｊ．Ap
p. Phys.３０、Ｌ１６２０（１９９１年））。かれら
は、５００Ｋにまで温度を上げて操作する光学的なポン
プ性レーザ及び独立した閉じ込めなしで７７Ｋのマルチ
−量子−井戸ｐ−ｎ注入形レーザのＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy
Ｓｅ1-y クラッド層を実施する。II／VIレーザへのＺｎ
1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-yの使用は米国特許出願番号第８
１５，６８６号１９９１年１２月３１日出願にて示され
る。
材料の成長はオクヤマ氏等により示された（Jap.Ｊ．Ap
p. Phys.３０、Ｌ１６２０（１９９１年））。かれら
は、５００Ｋにまで温度を上げて操作する光学的なポン
プ性レーザ及び独立した閉じ込めなしで７７Ｋのマルチ
−量子−井戸ｐ−ｎ注入形レーザのＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy
Ｓｅ1-y クラッド層を実施する。II／VIレーザへのＺｎ
1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-yの使用は米国特許出願番号第８
１５，６８６号１９９１年１２月３１日出願にて示され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｚｎ1-x Ｍ
ｇx Ｓy Ｓｅ1-y クラッド層及びＺｎＳｚＳｅ1-z ガイ
ド層を有するＺｎ1-u Ｃｄu Ｓｅ活性層（量子井戸）及
びＧａＡｓ基板を用いる青−緑II／VI独立した閉じ込め
半導体注入形レーザを目的とする。この装置は室温にて
パルスモードで操作できる。４のＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓ
ｅ1-y クラッド層を用いると全層の格子整合とクラッド
及びガイド層バンド−ギャップの増加を共に可能にす
る。このように、レーザは改良した電気的及び光学的閉
じ込めを用いて作り得る。選択的に、活性領域のバンド
ギャップはより短波長（ｕ＝０）にてレーザの発生が増
加し得る。
ｇx Ｓy Ｓｅ1-y クラッド層及びＺｎＳｚＳｅ1-z ガイ
ド層を有するＺｎ1-u Ｃｄu Ｓｅ活性層（量子井戸）及
びＧａＡｓ基板を用いる青−緑II／VI独立した閉じ込め
半導体注入形レーザを目的とする。この装置は室温にて
パルスモードで操作できる。４のＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓ
ｅ1-y クラッド層を用いると全層の格子整合とクラッド
及びガイド層バンド−ギャップの増加を共に可能にす
る。このように、レーザは改良した電気的及び光学的閉
じ込めを用いて作り得る。選択的に、活性領域のバンド
ギャップはより短波長（ｕ＝０）にてレーザの発生が増
加し得る。
【０００６】
【実施例】図１及び図２は本発明の構造を示す。この構
造はケイ素でドーピングした、ｎ−型のＧａＡｓ：Ｓｉ
基板１０を有する。基板１０上の成長物はＣl でドーピ
ングした、ｎ−型のＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y ：Ｃl
のクラッド層１２である。クラッド層１２の上の成長物
はｎ−型のＺｎＳｚＳｅ1-z ：Ｃl の光学的ガイド層１
４である。ウエイブガイド層１４の上の成長物はＺｎ
1-u Ｃｄu Ｓｅの活性量子井戸層１６である。活性層１
６の上の成長物はＺｎＳｚＳｅ1-z ：Ｎからなるｐ−型
ガイド層１８である。ガイド層１８の上の成長物はＺｎ
1-x Ｓy Ｓｅ1- y ：Ｎのｐ−型クラッド層２０である。
層２０の上の配置物はＺｎＳｅ：Ｎのｐ−型接触層２２
である。利得−ガイドレーザを組み立てる。巾５０μm
のストライプ開口２５を有するポリイミド絶縁層２４は
エピタキシャル層２２の上に用いられる。ｐ−ＺｎＳｅ
とｎ−ＧａＡｓへの接触物をＡｕ層２６とＩｎ層２８で
各々作る。この装置を約１mmの長さに分割した。この装
置を典型的に１０〜５０ｎｓのパルス長及び１kHz の反
復度（デューティサイクル＝１〜５×１０-5) で操作し
た。
造はケイ素でドーピングした、ｎ−型のＧａＡｓ：Ｓｉ
基板１０を有する。基板１０上の成長物はＣl でドーピ
ングした、ｎ−型のＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y ：Ｃl
のクラッド層１２である。クラッド層１２の上の成長物
はｎ−型のＺｎＳｚＳｅ1-z ：Ｃl の光学的ガイド層１
４である。ウエイブガイド層１４の上の成長物はＺｎ
1-u Ｃｄu Ｓｅの活性量子井戸層１６である。活性層１
６の上の成長物はＺｎＳｚＳｅ1-z ：Ｎからなるｐ−型
ガイド層１８である。ガイド層１８の上の成長物はＺｎ
1-x Ｓy Ｓｅ1- y ：Ｎのｐ−型クラッド層２０である。
層２０の上の配置物はＺｎＳｅ：Ｎのｐ−型接触層２２
である。利得−ガイドレーザを組み立てる。巾５０μm
のストライプ開口２５を有するポリイミド絶縁層２４は
エピタキシャル層２２の上に用いられる。ｐ−ＺｎＳｅ
とｎ−ＧａＡｓへの接触物をＡｕ層２６とＩｎ層２８で
各々作る。この装置を約１mmの長さに分割した。この装
置を典型的に１０〜５０ｎｓのパルス長及び１kHz の反
復度（デューティサイクル＝１〜５×１０-5) で操作し
た。
【０００７】図１に示すレーザ構造は（１００）ＧａＡ
ｓ：Ｓｉ基板上に分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）によ
り作られた。原材料はＺｎ、Ｓｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、ＺｎＳ
であった。ｐ−型及びｎ−型ドーパメントは各々プラズ
マソースにより励起されたＮ、及びＣl （ＺｎＣl2か
ら）であった。ｐ−ＺｎＳｅ、ｐ−ＺｎＳｚＳｅ1-z 及
びｐ−Ｚｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y 領域のドーピングレ
ベルＮａ−Ｎｄは各々約１×１０18、３×１０17cm-3及
び２×１０17cm-3である。ｎ−ＺｎＳｚＳｅ1-z及びｎ
−Ｚｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y のドーピングレベルは２
×１０17cm-3であるが、Ｚｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y 層
の第１ 1000 Åを除く、これは２×１０18cm-3である。
具体例ではＺｎ1-u Ｃｄu Ｓｅ層はｕ値0.2 、ＺｎＳz
Ｓｅ1-z 層はｚ値0.06である。Ｚｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ
1-y 層ではｘ及びｙは各々約0.1 である。この例では、
フォトルミネッセンスにより決定されたＺｎ1-x Ｍｇx
ＳyＳｅ1-y のバンド−ギャップは約2.95ｅＶ（４Ｋに
て）、プリズム−カップリング法で決定された屈折率
（室温にて）は５１５nmで2.625 である。
ｓ：Ｓｉ基板上に分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）によ
り作られた。原材料はＺｎ、Ｓｅ、Ｃｄ、Ｍｇ、ＺｎＳ
であった。ｐ−型及びｎ−型ドーパメントは各々プラズ
マソースにより励起されたＮ、及びＣl （ＺｎＣl2か
ら）であった。ｐ−ＺｎＳｅ、ｐ−ＺｎＳｚＳｅ1-z 及
びｐ−Ｚｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y 領域のドーピングレ
ベルＮａ−Ｎｄは各々約１×１０18、３×１０17cm-3及
び２×１０17cm-3である。ｎ−ＺｎＳｚＳｅ1-z及びｎ
−Ｚｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y のドーピングレベルは２
×１０17cm-3であるが、Ｚｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y 層
の第１ 1000 Åを除く、これは２×１０18cm-3である。
具体例ではＺｎ1-u Ｃｄu Ｓｅ層はｕ値0.2 、ＺｎＳz
Ｓｅ1-z 層はｚ値0.06である。Ｚｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ
1-y 層ではｘ及びｙは各々約0.1 である。この例では、
フォトルミネッセンスにより決定されたＺｎ1-x Ｍｇx
ＳyＳｅ1-y のバンド−ギャップは約2.95ｅＶ（４Ｋに
て）、プリズム−カップリング法で決定された屈折率
（室温にて）は５１５nmで2.625 である。
【０００８】各層の厚さは吸収層中の光の損失を最小に
し、活性領域の光の量を最大にする方法で成長させる。
例としてのみ役立つ素子を、２ミクロンのｎ−型クラッ
ド層１２、0.25ミクロンのｎ−型ガイド層１４、６５オ
ングストロームの量子井戸層１６、0.25ミクロンのｐ−
型閉じ込め層１８、１ミクロンのｐ−型クラッド層２０
及び0.1 ミクロンのｐ−型接触層２２で形成した。ｕ
（カドミウム）の適当な範囲は０〜0.4 、ｚは０〜0.1
、ｙは0.06〜１、ｘは０〜１である。しかしながら、
ｘ及びｙはＧａＡｓに格子整合するように選択する必要
がある。装置の光出力を改良するために、ファセットコ
ーティング３０、３２を装置に適用できる。役立つ長さ
に素子を分割することでレーザ刺激を提供するために必
要な「ミラー」作用を得る。装置の光出力は、活性層１
６の厚さを減ずることにより及び／又はこの層のカドミ
ウム含有量を減ずる（ｕは０に近づく）ことにより、青
に向かって変化する。
し、活性領域の光の量を最大にする方法で成長させる。
例としてのみ役立つ素子を、２ミクロンのｎ−型クラッ
ド層１２、0.25ミクロンのｎ−型ガイド層１４、６５オ
ングストロームの量子井戸層１６、0.25ミクロンのｐ−
型閉じ込め層１８、１ミクロンのｐ−型クラッド層２０
及び0.1 ミクロンのｐ−型接触層２２で形成した。ｕ
（カドミウム）の適当な範囲は０〜0.4 、ｚは０〜0.1
、ｙは0.06〜１、ｘは０〜１である。しかしながら、
ｘ及びｙはＧａＡｓに格子整合するように選択する必要
がある。装置の光出力を改良するために、ファセットコ
ーティング３０、３２を装置に適用できる。役立つ長さ
に素子を分割することでレーザ刺激を提供するために必
要な「ミラー」作用を得る。装置の光出力は、活性層１
６の厚さを減ずることにより及び／又はこの層のカドミ
ウム含有量を減ずる（ｕは０に近づく）ことにより、青
に向かって変化する。
【０００９】図２は図１の構造により生じる光の近フィ
ールド強度（任意の単位にて）を示す、マグネシウムな
し（ｘ＝０）でアナログ構造の近フィールドパターンを
破線で示す。この構造は量子井戸及び閉じ込め層内に閉
じ込めた光のほとんどにつき光閉じ込めを改良したこと
がわかる。このように明らかな改良はＺｎz Ｓ1-z Ｓｅ
上にＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y を有するレーザに対す
る光閉じ込めに見出せる。装置は本発明に従って構成さ
れ、又以前の構成に比べて電気的閉じ込めが改良され、
欠点が減少した。
ールド強度（任意の単位にて）を示す、マグネシウムな
し（ｘ＝０）でアナログ構造の近フィールドパターンを
破線で示す。この構造は量子井戸及び閉じ込め層内に閉
じ込めた光のほとんどにつき光閉じ込めを改良したこと
がわかる。このように明らかな改良はＺｎz Ｓ1-z Ｓｅ
上にＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y を有するレーザに対す
る光閉じ込めに見出せる。装置は本発明に従って構成さ
れ、又以前の構成に比べて電気的閉じ込めが改良され、
欠点が減少した。
【００１０】活性層１６は、活性層の片側又は両側上に
ＺｎＳｅの薄い（≒１５Å）層を形成することにより作
られる。このＺｎＳｅ層又はこれの複数の層を使用する
と活性層を正確に形成できる。適用に応じて２以上の活
性層を有するアナログ構造も形成できる。更に、上記の
構造は指標ガイドレーザにも適用できる。
ＺｎＳｅの薄い（≒１５Å）層を形成することにより作
られる。このＺｎＳｅ層又はこれの複数の層を使用する
と活性層を正確に形成できる。適用に応じて２以上の活
性層を有するアナログ構造も形成できる。更に、上記の
構造は指標ガイドレーザにも適用できる。
【００１１】図１の上記実施態様では、基板と下方層は
ｎ−型で上方層はｐ−型である。アナログ構造は下方層
ｐ−型、上方層ｎ−型で形成できる。図３の実施態様で
は、基板４０は、基板上に配置したＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy
Ｓｅ1-y ：Ｎのｐ−型下方クラッド層４２及びｐ−型Ｚ
ｎＳz Ｓｅ1-z ：Ｎガイド層４４を有するＧａＡｓ：Ｚ
ｎのようなｐ−型である。Ｚｎ1-u Ｃｄu Ｓｅ活性層４
６は図１に示したと同じままであり、ＺｎＳｚＳ
ｅ1-z ：Ｃl ｎ−型上方ガイド層４８、ｎ−型Ｚｎ1- x
Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y ：Ｃl 上方クラッド層５０及びｎ−
型ＺｎＳｅ：Ｃl 接触層５２を有する。図３の構造の層
のドーピングレベルは一般に図１の層のレベルと同様で
ある。
ｎ−型で上方層はｐ−型である。アナログ構造は下方層
ｐ−型、上方層ｎ−型で形成できる。図３の実施態様で
は、基板４０は、基板上に配置したＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy
Ｓｅ1-y ：Ｎのｐ−型下方クラッド層４２及びｐ−型Ｚ
ｎＳz Ｓｅ1-z ：Ｎガイド層４４を有するＧａＡｓ：Ｚ
ｎのようなｐ−型である。Ｚｎ1-u Ｃｄu Ｓｅ活性層４
６は図１に示したと同じままであり、ＺｎＳｚＳ
ｅ1-z ：Ｃl ｎ−型上方ガイド層４８、ｎ−型Ｚｎ1- x
Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y ：Ｃl 上方クラッド層５０及びｎ−
型ＺｎＳｅ：Ｃl 接触層５２を有する。図３の構造の層
のドーピングレベルは一般に図１の層のレベルと同様で
ある。
【００１２】本発明を好ましい実施態様と共に説明した
が、本発明の範囲を逸脱することなく改変、変更するこ
とは当業者には容易にできることである。このような改
変、変更は本発明の技術的範囲内と考える。
が、本発明の範囲を逸脱することなく改変、変更するこ
とは当業者には容易にできることである。このような改
変、変更は本発明の技術的範囲内と考える。
【００１３】
【発明の効果】この装置は室温にてパルスモードで操作
できる。４のＺｎ1-x Ｍｇx ＳｙＳｅ 1-y クラッド層を
用いると全層の格子整合とクラッド及びガイド層バンド
−ギャップの増加を共に可能にする。このように、レー
ザは改良した電気的及び光学的閉じ込めを用いて作り得
る。選択的に、活性領域のバンドギャップはより短波長
（ｕ＝０）にてレーザの発生が増加し得る。
できる。４のＺｎ1-x Ｍｇx ＳｙＳｅ 1-y クラッド層を
用いると全層の格子整合とクラッド及びガイド層バンド
−ギャップの増加を共に可能にする。このように、レー
ザは改良した電気的及び光学的閉じ込めを用いて作り得
る。選択的に、活性領域のバンドギャップはより短波長
（ｕ＝０）にてレーザの発生が増加し得る。
【図１】本発明のII／VIレーザ構造の層構造の断面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示す装置の近フィールドの光出力を示
す。
す。
【図３】ｐ−型基板を用いた装置の第２実施態様を示
す。
す。
10 基板 12 クラッド層 14 ガイド層 16 活性量子井戸層 18 ガイド層 20 クラッド層 22 接触層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピオトル メンズ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 10562 オシニング リンカーン プレイス 19 −53 (72)発明者 ジョン ペトルゼーロ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 10510 カーメル ホース パンド ロード（番 地なし) (72)発明者 ジェームス ガイネス アメリカ合衆国 ニューヨーク州 10547 モウヒーガン レイク ストネイ スト リート 3397 (72)発明者 ロナルド アール ドレンテン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 10547 モウヒーガン レイク キムボール ア ベニュー 1534 (72)発明者 ケビン ダブリュー ハベラーン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 12533 ホプウェル ジャンクション クレスト ストリート ５
Claims (9)
- 【請求項１】（ａ）第１導電型の基板、 （ｂ）前記基板上に載置され、前記第１導電型のＺｎ
1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y からなるクラッド層、 （ｃ）前記第１導電型クラッド層上に載置され、前記第
１導電型のＺｎＳz Ｓｅ1-Z のガイド層、 （ｄ）前記第１導電型ガイド層上に載置され、Ｚｎ1-u
Ｃｄu Ｓｅの活性層、 （ｅ）前記活性層上に載置され、前記第１導電型と逆の
第２導電型のＺｎＳz Ｓｅ1-z のガイド層、 （ｆ）前記第２導電型のＺｎ1-x Ｍｇx Ｓy Ｓｅ1-y の
クラッド層、 及び （ｇ）ここにおいて、０≦ｕ≦0.4 、０≦ｚ≦0.1 、０
≦ｘ≦１及び0.06≦ｙ≦１、並びにクラッド層は前記基
板に整合された格子であるように選択されるｘ及びｙ、 からなるレーザ装置。 - 【請求項２】 前記第１導電型はｎであり、及び前記第
２導電型はｐである請求項１記載のレーザ装置。 - 【請求項３】 前記第２導電型クラッド層上に載置され
た第２導電型接触層を更に有する請求項１記載のレーザ
装置。 - 【請求項４】 前記基板がＧａＡｓからなる請求項１記
載のレーザ装置。 - 【請求項５】 前記ＧａＡｓをケイ素でドープする請求
項４記載のレーザ装置。 - 【請求項６】 前記クラッド層及び前記ガイド層の少な
くとも１がＣl でドープされたｎ−型である請求項１記
載のレーザ装置。 - 【請求項７】 前記ガイド層及び前記クラッド層の少な
くとも１が窒素でドープされる請求項１記載のレーザ装
置。 - 【請求項８】 ｕ＝0.2 、ｚ＝0.06、ｘ＝0.1 及びｙ＝
0.1 である請求項１記載のレーザ装置。 - 【請求項９】 前記第１導電型はｐであり、及び前記第
２導電型はｎである請求項１記載のレーザ装置。
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