JPH0766001A - チップ型電子部品用導電性ペースト - Google Patents
チップ型電子部品用導電性ペーストInfo
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- JPH0766001A JPH0766001A JP21396893A JP21396893A JPH0766001A JP H0766001 A JPH0766001 A JP H0766001A JP 21396893 A JP21396893 A JP 21396893A JP 21396893 A JP21396893 A JP 21396893A JP H0766001 A JPH0766001 A JP H0766001A
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- chip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐サーマルショック性に優れ、耐めっき液性
や耐湿性に優れ、しかもめっき膜形成性が良好なチップ
型電子部品の端子電極形成用導電性ペーストを提供す
る。 【構成】 金属粉末と無機酸化物結晶と不活性有機ビヒ
クルとを含む導電性ペーストであって、無機酸化物結晶
は、ＺｎＯ １０〜５５ｍｏｌ％と、Ｂ2 Ｏ3 ２０〜５
５ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 ０〜３０ｍｏｌ％とを含み、金
属粉末に対して、無機酸化物結晶を１〜１５重量％配合
したチップ型電子部品用導電性ペースト。 【効果】 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極
内部への浸入がない。ベアチップとの接着強度が高い。
めっき後の電気特性劣化がない。耐湿性に優れ高い信頼
性を有する。
や耐湿性に優れ、しかもめっき膜形成性が良好なチップ
型電子部品の端子電極形成用導電性ペーストを提供す
る。 【構成】 金属粉末と無機酸化物結晶と不活性有機ビヒ
クルとを含む導電性ペーストであって、無機酸化物結晶
は、ＺｎＯ １０〜５５ｍｏｌ％と、Ｂ2 Ｏ3 ２０〜５
５ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 ０〜３０ｍｏｌ％とを含み、金
属粉末に対して、無機酸化物結晶を１〜１５重量％配合
したチップ型電子部品用導電性ペースト。 【効果】 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極
内部への浸入がない。ベアチップとの接着強度が高い。
めっき後の電気特性劣化がない。耐湿性に優れ高い信頼
性を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ型電子部品用導電
性ペーストに係り、特にチップコンデンサ、チップ抵
抗、チップサーミスタ、チップインダクター等のチップ
型電子部品の端子電極を形成するための導電性ペースト
に関する。更に詳しくは、本発明は無機酸化物結晶を添
加したチップ型電子部品用導電性ペーストに関するもの
である。
性ペーストに係り、特にチップコンデンサ、チップ抵
抗、チップサーミスタ、チップインダクター等のチップ
型電子部品の端子電極を形成するための導電性ペースト
に関する。更に詳しくは、本発明は無機酸化物結晶を添
加したチップ型電子部品用導電性ペーストに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】チップコンデンサ、チップ抵抗、チップ
サーミスタ、チップインダクター等のチップ型電子部品
において、チップ型電子部品を構成するセラミック材料
からなるベアチップの表面には端子電極が形成される。
この端子電極の形成には、まず金属粉末とガラスフリッ
トと不活性有機ビヒクルを混練して調整された導電性ペ
ーストをベアチップの表面に塗布して乾燥した後、５０
０℃〜８５０℃程度の温度で焼成する。その後、電解バ
レルめっき或いは無電解めっき法でＮｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，
Ｓｎ／Ｐｂ合金等のめっき膜を形成する。このようにし
て作製されたチップ型電子部品は、その端子電極を基板
にはんだ付けして使用される。
サーミスタ、チップインダクター等のチップ型電子部品
において、チップ型電子部品を構成するセラミック材料
からなるベアチップの表面には端子電極が形成される。
この端子電極の形成には、まず金属粉末とガラスフリッ
トと不活性有機ビヒクルを混練して調整された導電性ペ
ーストをベアチップの表面に塗布して乾燥した後、５０
０℃〜８５０℃程度の温度で焼成する。その後、電解バ
レルめっき或いは無電解めっき法でＮｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，
Ｓｎ／Ｐｂ合金等のめっき膜を形成する。このようにし
て作製されたチップ型電子部品は、その端子電極を基板
にはんだ付けして使用される。
【０００３】即ち、従来、チップ型電子部品用導電性ペ
ーストには、金属の焼結を促進し、ベアチップと端子電
極との界面の接合力を高めるためにガラスフリットが添
加されている。
ーストには、金属の焼結を促進し、ベアチップと端子電
極との界面の接合力を高めるためにガラスフリットが添
加されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の導電性ペースト
中のガラスフリットは、端子電極の焼成温度５００℃〜
８５０℃で軟化、流動を示すような組成にしなければな
らないが、この温度範囲で軟化、流動挙動を示すように
ガラス組成を設計すると、その熱膨張率は５×１０7 以
上の高熱膨張率となり、低熱膨張率化することは困難で
ある。このようなガラスフリットを添加した導電性ペー
ストで端子電極を形成した場合、素体との熱膨張収縮の
適合性が悪く、サーマルショックレベルが低いという問
題点があった。
中のガラスフリットは、端子電極の焼成温度５００℃〜
８５０℃で軟化、流動を示すような組成にしなければな
らないが、この温度範囲で軟化、流動挙動を示すように
ガラス組成を設計すると、その熱膨張率は５×１０7 以
上の高熱膨張率となり、低熱膨張率化することは困難で
ある。このようなガラスフリットを添加した導電性ペー
ストで端子電極を形成した場合、素体との熱膨張収縮の
適合性が悪く、サーマルショックレベルが低いという問
題点があった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決し、耐サ
ーマルショック性に優れ、耐めっき液性や耐湿性に優
れ、しかもめっき膜形成性が良好なチップ型電子部品の
端子電極形成用導電性ペーストを提供することを目的と
する。
ーマルショック性に優れ、耐めっき液性や耐湿性に優
れ、しかもめっき膜形成性が良好なチップ型電子部品の
端子電極形成用導電性ペーストを提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１のチップ型電子
部品用導電性ペーストは、金属粉末と無機酸化物結晶と
不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、
セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した
後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端
子電極用導電性ペーストにおいて、前記無機酸化物結晶
は、ＺｎＯ １０〜５５ｍｏｌ％と、Ｂ2 Ｏ3 ２０〜５
５ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 ０〜３０ｍｏｌ％とを含み、前
記金属粉末に対して、該無機酸化物結晶が１〜１５重量
％配合されていることを特徴とする。
部品用導電性ペーストは、金属粉末と無機酸化物結晶と
不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、
セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した
後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端
子電極用導電性ペーストにおいて、前記無機酸化物結晶
は、ＺｎＯ １０〜５５ｍｏｌ％と、Ｂ2 Ｏ3 ２０〜５
５ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 ０〜３０ｍｏｌ％とを含み、前
記金属粉末に対して、該無機酸化物結晶が１〜１５重量
％配合されていることを特徴とする。
【０００７】請求項２のチップ型電子部品用導電性ペー
ストは、請求項１の導電性ペーストにおいて、チップ型
電子部品がセラミックコンデンサであることを特徴とす
る。
ストは、請求項１の導電性ペーストにおいて、チップ型
電子部品がセラミックコンデンサであることを特徴とす
る。
【０００８】請求項３のチップ型電子部品用導電性ペー
ストは、請求項２の導電性ペーストにおいて、セラミッ
クコンデンサを構成するセラミック誘電体が鉛系ペロブ
スカイト、チタン酸バリウム又はチタン酸ストロンチウ
ムを主成分とすることを特徴とする。
ストは、請求項２の導電性ペーストにおいて、セラミッ
クコンデンサを構成するセラミック誘電体が鉛系ペロブ
スカイト、チタン酸バリウム又はチタン酸ストロンチウ
ムを主成分とすることを特徴とする。
【０００９】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１０】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トに含有される無機酸化物結晶は、 ＳｉＯ2 ： ０〜３０ｍｏｌ％ Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜５５ｍｏｌ％ ＺｎＯ ：１０〜５５ｍｏｌ％ を含み、更に必要に応じて他の無機酸化物成分を含むも
のである。
トに含有される無機酸化物結晶は、 ＳｉＯ2 ： ０〜３０ｍｏｌ％ Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜５５ｍｏｌ％ ＺｎＯ ：１０〜５５ｍｏｌ％ を含み、更に必要に応じて他の無機酸化物成分を含むも
のである。
【００１１】以下に上記無機酸化物成分の添加割合の限
定理由について説明する。
定理由について説明する。
【００１２】ＳｉＯ2 は、耐めっき液性を得るために添
加するが、その割合が、３０ｍｏｌ％を超えると、金属
の焼結を遅らせてしまう。従って、ＳｉＯ2 は０〜３０
ｍｏｌ％とする。
加するが、その割合が、３０ｍｏｌ％を超えると、金属
の焼結を遅らせてしまう。従って、ＳｉＯ2 は０〜３０
ｍｏｌ％とする。
【００１３】Ｂ2 Ｏ3 は、得られる無機酸化物結晶の融
点調整のために添加するが、その割合が２０ｍｏｌ％以
下ではその効果が十分ではなく、５５ｍｏｌ％を超える
と得られる無機酸化物結晶の耐めっき液性が乏しくな
る。従って、Ｂ2 Ｏ3 は２０〜５５ｍｏｌ％とする。
点調整のために添加するが、その割合が２０ｍｏｌ％以
下ではその効果が十分ではなく、５５ｍｏｌ％を超える
と得られる無機酸化物結晶の耐めっき液性が乏しくな
る。従って、Ｂ2 Ｏ3 は２０〜５５ｍｏｌ％とする。
【００１４】ＺｎＯは素体との接着強度を得るために添
加するが、その割合が１０ｍｏｌ％未満ではその効果が
十分ではなく、５５ｍｏｌ％を超えると得られる無機酸
化物結晶の耐めっき液性が乏しくなる。従って、ＺｎＯ
は１０〜５５ｍｏｌ％とする。
加するが、その割合が１０ｍｏｌ％未満ではその効果が
十分ではなく、５５ｍｏｌ％を超えると得られる無機酸
化物結晶の耐めっき液性が乏しくなる。従って、ＺｎＯ
は１０〜５５ｍｏｌ％とする。
【００１５】本発明において、無機酸化物結晶はその他
必要に応じてＰｂＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ
2 ，ＧｅＯ2 等の他の酸化物を含んでいても良く、この
場合、ＰｂＯは３０ｍｏｌ％以下、Ａｌ2 Ｏ3 は２０ｍ
ｏｌ％以下、ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 はそれぞれ１０ｍｏｌ
％以下、ＧｅＯ2 は４０ｍｏｌ％以下とするのが好まし
い。また、これら、他の成分の含有割合は全体で５０ｍ
ｏｌ％以下とするのが望ましい。
必要に応じてＰｂＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ
2 ，ＧｅＯ2 等の他の酸化物を含んでいても良く、この
場合、ＰｂＯは３０ｍｏｌ％以下、Ａｌ2 Ｏ3 は２０ｍ
ｏｌ％以下、ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 はそれぞれ１０ｍｏｌ
％以下、ＧｅＯ2 は４０ｍｏｌ％以下とするのが好まし
い。また、これら、他の成分の含有割合は全体で５０ｍ
ｏｌ％以下とするのが望ましい。
【００１６】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トにおいて、金属粉末としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属、又はこれらを混
合した粉末が使用される。金属粉末は焼結して端子電極
に導電性を与える。
トにおいて、金属粉末としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属、又はこれらを混
合した粉末が使用される。金属粉末は焼結して端子電極
に導電性を与える。
【００１７】不活性有機ビヒクルとしては、メチルセル
ロース、エチルセルロース等をブチルカルビトール、テ
ルピネオール等の有機溶剤に溶解したものが用いられ
る。一般に上記セルロース類は上記有機溶剤に対して５
〜３０重量％の割合で混合される。有機ビヒクルは、得
られる導電性ペーストの粘度を調整し、ベアチップ表面
への塗布を容易にするために用いられる。
ロース、エチルセルロース等をブチルカルビトール、テ
ルピネオール等の有機溶剤に溶解したものが用いられ
る。一般に上記セルロース類は上記有機溶剤に対して５
〜３０重量％の割合で混合される。有機ビヒクルは、得
られる導電性ペーストの粘度を調整し、ベアチップ表面
への塗布を容易にするために用いられる。
【００１８】本発明の導電性ペーストは、ペースト重量
を１００重量％とする時、好ましくは６５〜８０重量％
の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜１５重量％の
無機酸化物結晶と、残部が有機ビヒクルとにより構成さ
れる。金属粉末が６５重量％未満であると、形成される
端子電極の導電性に劣り、８０重量％を超えると導電性
ペーストの粘度特性が劣化する。
を１００重量％とする時、好ましくは６５〜８０重量％
の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜１５重量％の
無機酸化物結晶と、残部が有機ビヒクルとにより構成さ
れる。金属粉末が６５重量％未満であると、形成される
端子電極の導電性に劣り、８０重量％を超えると導電性
ペーストの粘度特性が劣化する。
【００１９】本発明において、導電性ペースト中の無機
酸化物結晶の好適な配合比はベアチップを構成する焼結
体の種類によって異なるが、金属粉末に対する無機酸化
物結晶の配合割合が１重量％未満であると、端子電極形
成時、金属の焼結が進まず、焼結金属が多孔質となって
しまうことから、めっき液の侵入を容易なものとし、端
子電極とベアチップとの接着強度が低下し、端子電極の
耐湿性が劣化する。特に、積層セラミックコンデンサの
場合には誘電正接（ｔａｎδ）や絶縁抵抗（ＩＲ）が劣
化する。逆に、この無機酸化物結晶の配合割合が１５重
量％を超えると、焼付け時に電極層の表面に無機酸化物
結晶が浮き出して、焼付け電極層の表面に更にめっき層
を設ける際にめっき膜の形成が阻害されてしまう。従っ
て、導電性ペーストに含まれる無機酸化物結晶の配合割
合は金属粉末に対して１〜１５重量％とするのが好まし
い。
酸化物結晶の好適な配合比はベアチップを構成する焼結
体の種類によって異なるが、金属粉末に対する無機酸化
物結晶の配合割合が１重量％未満であると、端子電極形
成時、金属の焼結が進まず、焼結金属が多孔質となって
しまうことから、めっき液の侵入を容易なものとし、端
子電極とベアチップとの接着強度が低下し、端子電極の
耐湿性が劣化する。特に、積層セラミックコンデンサの
場合には誘電正接（ｔａｎδ）や絶縁抵抗（ＩＲ）が劣
化する。逆に、この無機酸化物結晶の配合割合が１５重
量％を超えると、焼付け時に電極層の表面に無機酸化物
結晶が浮き出して、焼付け電極層の表面に更にめっき層
を設ける際にめっき膜の形成が阻害されてしまう。従っ
て、導電性ペーストに含まれる無機酸化物結晶の配合割
合は金属粉末に対して１〜１５重量％とするのが好まし
い。
【００２０】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トは積層セラミックコンデンサ、チップインダクター、
チップサーミスター、チップ抵抗等のチップ型電子部品
の端子電極形成に用いられ、特に、チップインダクター
の端子電極形成に好適に用いられる。この場合、積層セ
ラミックコンデンサを構成する誘電体としては、鉛系ペ
ロブスカイト又はチタン酸バリウムやチタン酸ストロン
チウムを主成分とするセラミック誘電体材料が好まし
い。鉛系ペロブスカイトを主成分にする誘電体材料とし
てはＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎ
ｂ1/2 ）Ｏ3 ，ＰｂＴｉＯ3 等が挙げられる。
トは積層セラミックコンデンサ、チップインダクター、
チップサーミスター、チップ抵抗等のチップ型電子部品
の端子電極形成に用いられ、特に、チップインダクター
の端子電極形成に好適に用いられる。この場合、積層セ
ラミックコンデンサを構成する誘電体としては、鉛系ペ
ロブスカイト又はチタン酸バリウムやチタン酸ストロン
チウムを主成分とするセラミック誘電体材料が好まし
い。鉛系ペロブスカイトを主成分にする誘電体材料とし
てはＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎ
ｂ1/2 ）Ｏ3 ，ＰｂＴｉＯ3 等が挙げられる。
【００２１】
【作用】ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ及びその他の成分
を所定の割合で配合した無機酸化物結晶は、低熱膨張化
が容易であるため、このような無機酸化物結晶を所定の
配合割合で用いた導電性ペーストをベアチップ表面に焼
き付けて形成した端子電極は、耐サーマルショック性に
優れる。その上、耐めっき液性や耐湿性に優れ、しかも
めっき膜の形成も容易である。
を所定の割合で配合した無機酸化物結晶は、低熱膨張化
が容易であるため、このような無機酸化物結晶を所定の
配合割合で用いた導電性ペーストをベアチップ表面に焼
き付けて形成した端子電極は、耐サーマルショック性に
優れる。その上、耐めっき液性や耐湿性に優れ、しかも
めっき膜の形成も容易である。
【００２２】
【実施例】次に実施例及び比較例を挙げて、本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２３】実施例１〜７ チップ型電子部品として、図１に示すチップ型積層セラ
ミックコンデンサ１０を作製し、その特性を調べること
により各種導電性ペーストの評価を行なった。図１に示
すセラミックコンデンサ１０は、ベアチップ１１と、こ
のチップ１１の両端部に形成された端子電極（無機酸化
物結晶を含むＡｇ電極）１２とを備える。チップ１１は
鉛ペロブスカイト系（Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ）
であって、貴金属のＡｇ７０／Ｐｄ３０からなる内部電
極１３を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み
０．８５ｍｍのサイズを有する。Ａｇ下地端子電極１２
は焼付け電極層からなり、端子電極１２の表面にはＮｉ
めっき膜１４及びＳｎ／Ｐｂめっき膜１５がこの順に形
成されている。
ミックコンデンサ１０を作製し、その特性を調べること
により各種導電性ペーストの評価を行なった。図１に示
すセラミックコンデンサ１０は、ベアチップ１１と、こ
のチップ１１の両端部に形成された端子電極（無機酸化
物結晶を含むＡｇ電極）１２とを備える。チップ１１は
鉛ペロブスカイト系（Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ）
であって、貴金属のＡｇ７０／Ｐｄ３０からなる内部電
極１３を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み
０．８５ｍｍのサイズを有する。Ａｇ下地端子電極１２
は焼付け電極層からなり、端子電極１２の表面にはＮｉ
めっき膜１４及びＳｎ／Ｐｂめっき膜１５がこの順に形
成されている。
【００２４】端子電極は次の条件により形成した。
【００２５】導電性ペースト１００重量％とするとき、
７５重量％の金属粉末と、この金属粉末に対して表１に
示す配合比の無機酸化物結晶と残部を表１の割合の不活
性有機ビヒクルとを混練して導電性ペーストを調製し
た。
７５重量％の金属粉末と、この金属粉末に対して表１に
示す配合比の無機酸化物結晶と残部を表１の割合の不活
性有機ビヒクルとを混練して導電性ペーストを調製し
た。
【００２６】ここで金属粉末はＡｇ１００重量％であ
り、無機酸化物結晶はＳｉＯ2 ，Ｂ2Ｏ3 ，ＺｎＯの３
種又はＢ2 Ｏ3 とＺｎＯの２種又はその他の成分を含む
ものであって、表１に示す組成比で添加される。また、
有機ビヒクルはエチルセルロースをブチルカルビトール
とテルピネオールに混合したものを用いた。
り、無機酸化物結晶はＳｉＯ2 ，Ｂ2Ｏ3 ，ＺｎＯの３
種又はＢ2 Ｏ3 とＺｎＯの２種又はその他の成分を含む
ものであって、表１に示す組成比で添加される。また、
有機ビヒクルはエチルセルロースをブチルカルビトール
とテルピネオールに混合したものを用いた。
【００２７】このペーストを焼付け後の厚さが９０μｍ
になるようにベアチップの両端部にディップ方式で塗布
し、大気圧下、６５０〜８５０℃まで昇温し、この温度
で５分間保持した後、２０℃／分の速度で室温まで降温
してＡｇからなる下地電極を得た。
になるようにベアチップの両端部にディップ方式で塗布
し、大気圧下、６５０〜８５０℃まで昇温し、この温度
で５分間保持した後、２０℃／分の速度で室温まで降温
してＡｇからなる下地電極を得た。
【００２８】次いで、Ｎｉめっき膜及びＳｎ／Ｐｂめっ
き膜を次の条件により形成した。ｐＨ４．０、温度５０
℃のスルファミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2
・４Ｈ2 Ｏ）１２０ｇ／ｌの組成の浴を用い、電解バレ
ルめっき法で下地電極の表面に１〜３μｍ厚のＮｉめっ
き膜を形成した。更に、ｐＨ４．５、温度２５℃の錫
（Ｓｎ）１５ｇ／ｌ、鉛（Ｐｂ）６ｇ／ｌの組成の浴を
用い、電解バレルめっき法でＮｉめっき膜の表面に１０
〜１５μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき膜を形成した。これに
より、下地電極の上に更に２層のめっき膜を形成した積
層セラミックコンデンサを得た。
き膜を次の条件により形成した。ｐＨ４．０、温度５０
℃のスルファミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2
・４Ｈ2 Ｏ）１２０ｇ／ｌの組成の浴を用い、電解バレ
ルめっき法で下地電極の表面に１〜３μｍ厚のＮｉめっ
き膜を形成した。更に、ｐＨ４．５、温度２５℃の錫
（Ｓｎ）１５ｇ／ｌ、鉛（Ｐｂ）６ｇ／ｌの組成の浴を
用い、電解バレルめっき法でＮｉめっき膜の表面に１０
〜１５μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき膜を形成した。これに
より、下地電極の上に更に２層のめっき膜を形成した積
層セラミックコンデンサを得た。
【００２９】得られた積層セラミックコンデンサについ
て、諸特性を次の方法により測定し、結果を表２に示し
た。なお、括弧内の数値ｎは試験した試料数である。
て、諸特性を次の方法により測定し、結果を表２に示し
た。なお、括弧内の数値ｎは試験した試料数である。
【００３０】（ａ） 静電容量（ｎＦ）及び誘電正接
（％）（ｎ＝３０） １ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。
（％）（ｎ＝３０） １ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。
【００３１】（ｂ） 絶縁抵抗（Ω）（ｎ＝１５） ２５Ｖの直流電圧を印加した後、３０秒経過後の抵抗を
測定した。
測定した。
【００３２】（ｃ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２
０） ＋８５℃の温度で８５％の相対湿度下、１６Ｖの直流電
圧を印加して１０００時間後の劣化の有無を調べた。
０） ＋８５℃の温度で８５％の相対湿度下、１６Ｖの直流電
圧を印加して１０００時間後の劣化の有無を調べた。
【００３３】（ｄ） 引張強度（ｋｇｆ）（ｎ＝１０） 積層セラミックコンデンサの下地外部電極に０．８ｍｍ
φのはんだ引き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共
晶クリームはんだにより接着し、この鋼線を引張ること
により、引張強度を測定した。
φのはんだ引き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共
晶クリームはんだにより接着し、この鋼線を引張ること
により、引張強度を測定した。
【００３４】（ｅ） サーマルショック試験（ｎ＝２
０） ３００℃の温度で溶解させたＳｎ６３／Ｐｂ３７の共晶
はんだ（Ｈ６３Ａ）中にピンセットで試料を挟み、予熱
せずに３秒間浸漬し、その後のクラックの有無を実態顕
微鏡で観察した。
０） ３００℃の温度で溶解させたＳｎ６３／Ｐｂ３７の共晶
はんだ（Ｈ６３Ａ）中にピンセットで試料を挟み、予熱
せずに３秒間浸漬し、その後のクラックの有無を実態顕
微鏡で観察した。
【００３５】比較例１〜３ 表１に示すように、導電性ペーストに添加した無機酸化
物結晶の組成や添加量が上記実施例から外れる以外は同
様にペーストを作製した。このペーストを実施例と同様
に焼付け、めっきを行い、積層セラミックコンデンサを
得、同様に諸特性を調べ、結果を表２に示した。
物結晶の組成や添加量が上記実施例から外れる以外は同
様にペーストを作製した。このペーストを実施例と同様
に焼付け、めっきを行い、積層セラミックコンデンサを
得、同様に諸特性を調べ、結果を表２に示した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】表１，２より、実施例の積層セラミックコ
ンデンサは比較例のものと比較して電気特性の劣化が無
く、耐サーマルショック性に優れ、引張強度も高い値を
示し、品質安定性に優れ、信頼性が高いことが判明し
た。
ンデンサは比較例のものと比較して電気特性の劣化が無
く、耐サーマルショック性に優れ、引張強度も高い値を
示し、品質安定性に優れ、信頼性が高いことが判明し
た。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品用導電性ペーストによれば、耐サーマルショック
性に優れ、耐めっき液性や耐湿性に優れ、しかもめっき
膜形成性が良好なチップ型電子部品の端子電極形成用導
電性ペーストが提供される。
子部品用導電性ペーストによれば、耐サーマルショック
性に優れ、耐めっき液性や耐湿性に優れ、しかもめっき
膜形成性が良好なチップ型電子部品の端子電極形成用導
電性ペーストが提供される。
【００４０】従って、本発明のチップ型電子部品用導電
性ペーストによれば、 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極内部へ
の侵入がない。 ベアチップとの接着強度が高い。 めっき後の電気特性劣化がない。 耐湿性に優れ高い信頼性を有する。 等の高特性端子電極を形成することができ、工業的に極
めて有利である。
性ペーストによれば、 めっき膜の形成が容易でめっき液の端子電極内部へ
の侵入がない。 ベアチップとの接着強度が高い。 めっき後の電気特性劣化がない。 耐湿性に優れ高い信頼性を有する。 等の高特性端子電極を形成することができ、工業的に極
めて有利である。
【００４１】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トは、特に、鉛ペロブスカイト、チタン酸バリウム又は
チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック誘電
体よりなるセラミックコンデンサの端子電極形成に極め
て有効である。
トは、特に、鉛ペロブスカイト、チタン酸バリウム又は
チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック誘電
体よりなるセラミックコンデンサの端子電極形成に極め
て有効である。
【図１】実施例及び比較例で作製した積層セラミックコ
ンデンサの断面図である。
ンデンサの断面図である。
１０ 積層セラミックコンデンサ １１ ベアチップ １２ 端子電極 １３ 内部電極 １４ Ｎｉめっき膜 １５ Ｓｎ／Ｐｂめっき膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１のチップ型電子
部品用導電性ペーストは、金属粉末と無機酸化物結晶と
不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、
セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した
後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端
子電極用導電性ペーストにおいて、前記無機酸化物結晶
は、ＺｎＯ １０〜５５ｍｏｌ％と、Ｂ2 Ｏ3 ２０〜５
５ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 ０〜３０ｍｏｌ％からなる組成
物を含み、金属粉末に対して、該無機酸化物結晶が１〜
１５重量％配合されていることを特徴とする。
部品用導電性ペーストは、金属粉末と無機酸化物結晶と
不活性有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、
セラミック焼成体からなるベアチップの表面に塗布した
後、焼付けで端子電極を形成するチップ型電子部品の端
子電極用導電性ペーストにおいて、前記無機酸化物結晶
は、ＺｎＯ １０〜５５ｍｏｌ％と、Ｂ2 Ｏ3 ２０〜５
５ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 ０〜３０ｍｏｌ％からなる組成
物を含み、金属粉末に対して、該無機酸化物結晶が１〜
１５重量％配合されていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】本発明のチップ型電子部品用導電性ペース
トは積層セラミックコンデンサ、チップインダクター、
チップサーミスター、チップ抵抗等のチップ型電子部品
の端子電極形成に用いられ、特に、積層セラミックコン
デンサの端子電極形成に好適に用いられる。この場合、
積層セラミックコンデンサを構成する誘電体としては、
鉛系ペロブスカイト又はチタン酸バリウムやチタン酸ス
トロンチウムを主成分とするセラミック誘電体材料が好
ましい。鉛系ペロブスカイトを主成分にする誘電体材料
としてはＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，Ｐｂ（Ｆｅ
1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 ，ＰｂＴｉＯ3 等が挙げられる。
トは積層セラミックコンデンサ、チップインダクター、
チップサーミスター、チップ抵抗等のチップ型電子部品
の端子電極形成に用いられ、特に、積層セラミックコン
デンサの端子電極形成に好適に用いられる。この場合、
積層セラミックコンデンサを構成する誘電体としては、
鉛系ペロブスカイト又はチタン酸バリウムやチタン酸ス
トロンチウムを主成分とするセラミック誘電体材料が好
ましい。鉛系ペロブスカイトを主成分にする誘電体材料
としてはＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，Ｐｂ（Ｆｅ
1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 ，ＰｂＴｉＯ3 等が挙げられる。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属粉末と無機酸化物結晶と不活性有機
ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、セラミック
焼成体からなるベアチップの表面に塗布した後、焼付け
で端子電極を形成するチップ型電子部品の端子電極用導
電性ペーストにおいて、 前記無機酸化物結晶は、ＺｎＯ １０〜５５ｍｏｌ％
と、Ｂ2 Ｏ3 ２０〜５５ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2 ０〜３０
ｍｏｌ％とを含み、前記金属粉末に対して、該無機酸化
物結晶が１〜１５重量％配合されていることを特徴とす
るチップ型電子部品用導電性ペースト。 - 【請求項２】 請求項１の導電性ペーストにおいて、チ
ップ型電子部品がセラミックコンデンサであることを特
徴とするチップ型電子部品用導電性ペースト。 - 【請求項３】 請求項２の導電性ペーストにおいて、セ
ラミックコンデンサを構成するセラミック誘電体が鉛系
ペロブスカイト、チタン酸バリウム又はチタン酸ストロ
ンチウムを主成分とすることを特徴とするチップ型電子
部品用導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05213968A JP3123310B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05213968A JP3123310B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766001A true JPH0766001A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3123310B2 JP3123310B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=16648050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05213968A Expired - Fee Related JP3123310B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123310B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556419B2 (en) * | 2001-02-05 | 2003-04-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Electronic component and method for producing same |
| WO2011007514A1 (ja) | 2009-07-15 | 2011-01-20 | パナソニック株式会社 | 分析用試薬およびこれを担持した分析用デバイス |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP05213968A patent/JP3123310B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556419B2 (en) * | 2001-02-05 | 2003-04-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Electronic component and method for producing same |
| DE10204429B4 (de) * | 2001-02-05 | 2006-06-14 | Ngk Insulators, Ltd., Nagoya | Elektronische Komponente und Herstellungsverfahren dafür |
| WO2011007514A1 (ja) | 2009-07-15 | 2011-01-20 | パナソニック株式会社 | 分析用試薬およびこれを担持した分析用デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3123310B2 (ja) | 2001-01-09 |
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