JPH0765181B2 - 無機粉体のＮｉ被覆方法 - Google Patents
無機粉体のＮｉ被覆方法Info
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- JPH0765181B2 JPH0765181B2 JP61045244A JP4524486A JPH0765181B2 JP H0765181 B2 JPH0765181 B2 JP H0765181B2 JP 61045244 A JP61045244 A JP 61045244A JP 4524486 A JP4524486 A JP 4524486A JP H0765181 B2 JPH0765181 B2 JP H0765181B2
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- JP
- Japan
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- powder
- inorganic powder
- coating
- reducing agent
- hydrazine
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は金属粉末やグラファイト粉末のような無機粉体
にNi被覆を施すことの改良に関する。
にNi被覆を施すことの改良に関する。
＜発明の背景＞ 近年コンピューター機器が広汎に用いられているが、外
部の電磁波が当該コンピューター機器に影響し、誤動作
の要因となることが指摘されている。これはコンピュー
ターの筐体部に有機樹脂が使用され、有機樹脂では電磁
波が通過するためである。この防止対策として有機樹脂
を導電化して電磁シールドの効果を発揮させることが行
われている。
部の電磁波が当該コンピューター機器に影響し、誤動作
の要因となることが指摘されている。これはコンピュー
ターの筐体部に有機樹脂が使用され、有機樹脂では電磁
波が通過するためである。この防止対策として有機樹脂
を導電化して電磁シールドの効果を発揮させることが行
われている。
有機樹脂を導電化する方法としては、 （１） 有機樹脂に導鈿フィラーを含有させる。
（２） 有機樹脂に金属亜鉛の溶射を行う。
（３） 有機樹脂表面に導電塗料を塗布する。
等の方法が知られているが、最も広く行われている方法
は（３）である。
は（３）である。
導電塗料は塗料中に導電フィラーを含有させたものであ
り、導電フィラーとしては金属粉末、カーボン、グラフ
ァイト粉末が用いられる。金属粉末の中でもAgは導電性
が高く耐酸化性に優れているが高価であり、用いられな
い。又、Cu,Sn,Al,Zn等は耐酸化性に劣る。Niは耐酸化
性が高く最も広く用いられているが、粒度が数μｍ以下
の微細な粉末か又は数10μｍ以上の粗い粉末しか入手で
きない。
り、導電フィラーとしては金属粉末、カーボン、グラフ
ァイト粉末が用いられる。金属粉末の中でもAgは導電性
が高く耐酸化性に優れているが高価であり、用いられな
い。又、Cu,Sn,Al,Zn等は耐酸化性に劣る。Niは耐酸化
性が高く最も広く用いられているが、粒度が数μｍ以下
の微細な粉末か又は数10μｍ以上の粗い粉末しか入手で
きない。
カーボン、グラファイトは導電性が金属に比べ２〜３桁
劣るためこの表面へAg被覆することが知られている。
劣るためこの表面へAg被覆することが知られている。
本発明は金属粉末、カーボン及びグラファイト粉末に、
センシタイジングおよび活性化の前処理を行うことなく
Ni被覆を行い、簡略化した工程でNiと同等の導電性並び
に耐酸化性を保持させることを目的としている。
センシタイジングおよび活性化の前処理を行うことなく
Ni被覆を行い、簡略化した工程でNiと同等の導電性並び
に耐酸化性を保持させることを目的としている。
粉末にNi被覆する方法としては、 （１） 粉末をNi塩水溶液に懸濁させ、水素化ホウ素ナ
トリウム、次亜リン酸ナトリウム等の強力な還元剤でNi
を粉末表面に析出させる方法。
トリウム、次亜リン酸ナトリウム等の強力な還元剤でNi
を粉末表面に析出させる方法。
（２） 粉末に予めPd等を被着させた後、Ni塩水溶液中
に懸濁させ、還元剤を加えNi塩を析出させる方法。
に懸濁させ、還元剤を加えNi塩を析出させる方法。
等が知られている。
しかし（１）の方法は析出したNi中に、還元剤に含まれ
ているＢ又はＰが残留し、Niの導電性を低くする。また
急激に反応が起るため、反応を制御することが難しく実
際上は行われていない。（２）の方法は還元剤にヒドラ
ジンが使用でき、このため導電性を低下することが少な
いが前処理としてPdを多量に使用しなくてはならないた
めコストが高くなる。またPdを被着する工程が不可欠で
あり工程数が増える。
ているＢ又はＰが残留し、Niの導電性を低くする。また
急激に反応が起るため、反応を制御することが難しく実
際上は行われていない。（２）の方法は還元剤にヒドラ
ジンが使用でき、このため導電性を低下することが少な
いが前処理としてPdを多量に使用しなくてはならないた
めコストが高くなる。またPdを被着する工程が不可欠で
あり工程数が増える。
＜発明の構成＞ 本発明により、化学メッキによる無機粉体のNi被覆方法
において、無機粉体に、水素化ホウ素化合物を還元剤と
して粉体の0.05〜3wt％の量のNiを予め被覆した後、ヒ
ドラジン化合物を還元剤としてさらにNiを被覆すること
を特徴とする、無機粉体のNi被覆方法が提供される。
において、無機粉体に、水素化ホウ素化合物を還元剤と
して粉体の0.05〜3wt％の量のNiを予め被覆した後、ヒ
ドラジン化合物を還元剤としてさらにNiを被覆すること
を特徴とする、無機粉体のNi被覆方法が提供される。
本発明の方法は、 （１） 粉末を少量の水素化ホウ素化合物水溶液中に分
散しておき、ここにNi塩水溶液を少量ずつ添加すること
により、反応を制御した状態で粉体の0.05〜３重量％の
少量のNiを析出させる、 （２） 更にNi塩水溶液を加え、ヒドラジン化合物を加
えて、導電性の高いNiを析出させる、 工程からなる。
散しておき、ここにNi塩水溶液を少量ずつ添加すること
により、反応を制御した状態で粉体の0.05〜３重量％の
少量のNiを析出させる、 （２） 更にNi塩水溶液を加え、ヒドラジン化合物を加
えて、導電性の高いNiを析出させる、 工程からなる。
なお、（１）および（２）工程で必要なNi塩水溶液の全
量を、（１）工程で予め加えることもできる。
量を、（１）工程で予め加えることもできる。
（１）の工程では、強力な還元剤である水素化ホウ素化
合物によって、核となるNiを少量だけ析出させる。この
時に析出したNiは低導電性であるが、少量であるので許
容される。次に、このNiを核として、（２）の工程で、
より温和な還元剤であるヒドラジンを用いて所定量のNi
を析出させる。予め粉体表面にはNi核が形成されている
ため、温和なヒドラジンでNiの析出が可能となり、それ
によって、不純物の少ない導電性の高いNi皮膜を形成す
ることができる。Ni被覆の大半を（２）の工程で析出さ
せるので、被覆全体としては高導電性となる。この方法
は、いわゆるワンポット（1 pot）の反応であり、製造
上からも簡素な工程である。
合物によって、核となるNiを少量だけ析出させる。この
時に析出したNiは低導電性であるが、少量であるので許
容される。次に、このNiを核として、（２）の工程で、
より温和な還元剤であるヒドラジンを用いて所定量のNi
を析出させる。予め粉体表面にはNi核が形成されている
ため、温和なヒドラジンでNiの析出が可能となり、それ
によって、不純物の少ない導電性の高いNi皮膜を形成す
ることができる。Ni被覆の大半を（２）の工程で析出さ
せるので、被覆全体としては高導電性となる。この方法
は、いわゆるワンポット（1 pot）の反応であり、製造
上からも簡素な工程である。
（１）の工程によるNi析出量は、無機粉体に対して0.05
〜3wt％である。3wt％を超えると被覆全体としての導電
性を著しく低下させる。また、0.05wt％未満であると核
として十分に機能せず、（２）の工程でのNiの析出が困
難となる。
〜3wt％である。3wt％を超えると被覆全体としての導電
性を著しく低下させる。また、0.05wt％未満であると核
として十分に機能せず、（２）の工程でのNiの析出が困
難となる。
（２）の工程では、導電性の高いNiが析出する。その量
は用途によって異なるが、通常、無機粉体の10〜70wt％
である。
は用途によって異なるが、通常、無機粉体の10〜70wt％
である。
用いられる粉末としてはCu,Sn,Zn等を金属粉末またカー
ボン、グラファイト粉末が使用できる。
ボン、グラファイト粉末が使用できる。
本発明方法において使用されるNi塩は塩化物、硝酸塩、
硫酸塩、等である。
硫酸塩、等である。
本発明方法において使用される水素化ホウ素化合物とは
水素化ホウ素アルカリ金属、ジメチルアミンボラン、ジ
エチルアミンボラン等である。
水素化ホウ素アルカリ金属、ジメチルアミンボラン、ジ
エチルアミンボラン等である。
本発明方法において使用されるヒドラジン化合物はヒド
ラジンおよびその塩類、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジ
ン等である。
ラジンおよびその塩類、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジ
ン等である。
実施例１ 0.1g〜5gの水素化ホウ素ナトリウム（NaBH4）をアンモ
ニア水溶液に溶解した後、グラファイト粉末（平均粒径
10μｍ）10gを加え、更に硫酸ニッケル水溶液（濃度25g
/、容量0.2〜８）を加え、室温でNiを析出させた
（第１工程）。反応終了後、硫酸ヒドラジン水溶液（濃
度60g/、容量0.04〜0.8）を投入し、65℃で更にNi
を析出させた（第２工程）。結果は表にまとめた。
ニア水溶液に溶解した後、グラファイト粉末（平均粒径
10μｍ）10gを加え、更に硫酸ニッケル水溶液（濃度25g
/、容量0.2〜８）を加え、室温でNiを析出させた
（第１工程）。反応終了後、硫酸ヒドラジン水溶液（濃
度60g/、容量0.04〜0.8）を投入し、65℃で更にNi
を析出させた（第２工程）。結果は表にまとめた。
実施例２ 0.1g〜6gのジメチルアミンボラン（（CH3）2NH:BH3）を
アンモニア水溶液に溶解し、Cu粉（平均粒径20μｍ）10
gを加えた後、硫酸ニッケル水溶液（濃度25g/、容量
0.2〜５）を加え、室温でNiを析出させた（１工
程）。反応終了後、これに更に硫酸ヒドラジン水溶液
（濃度60g/、容量0.02〜0.4）を加え65℃で更にNi
を析出させた（２工程）。結果は表にまとめた。
アンモニア水溶液に溶解し、Cu粉（平均粒径20μｍ）10
gを加えた後、硫酸ニッケル水溶液（濃度25g/、容量
0.2〜５）を加え、室温でNiを析出させた（１工
程）。反応終了後、これに更に硫酸ヒドラジン水溶液
（濃度60g/、容量0.02〜0.4）を加え65℃で更にNi
を析出させた（２工程）。結果は表にまとめた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−110139（ＪＰ，Ａ) 特公 昭53−8659（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭55−23897（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (5)
- 【請求項１】化学メッキによる無機粉体のNi被覆方法に
おいて、無機粉体に、水素化ホウ素化合物を還元剤とし
て粉体の0.05〜3wt％の量のNiを予め被覆した後、ヒド
ラジン化合物を還元剤としてさらにNiを被覆することを
特徴とする、無機粉体のNi被覆方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の方法であっ
て、無機粉体がセンシタイジングおよび活性化の前処理
を受けていない粉体である方法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の方法であっ
て、無機粉体がグラファイト粉末である方法。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の方法であっ
て、無機粉体がCu粉末である方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項記載の方法であっ
て、水素化ホウ素化合物が水素化ホウ素ナトリウムまた
はアミンボラン化合物である方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045244A JPH0765181B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 無機粉体のＮｉ被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045244A JPH0765181B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 無機粉体のＮｉ被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205287A JPS62205287A (ja) | 1987-09-09 |
| JPH0765181B2 true JPH0765181B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=12713843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61045244A Expired - Lifetime JPH0765181B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 無機粉体のＮｉ被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765181B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101932963B1 (ko) * | 2018-02-20 | 2018-12-27 | 한국기계연구원 | 촉매-프리 무전해도금용 조성물 및 이를 이용한 무전해도금 방법 |
| JP6675626B1 (ja) * | 2019-07-12 | 2020-04-01 | 奥野製薬工業株式会社 | 無電解めっきの前処理のための組成物 |
| CN111074247A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-04-28 | 安徽江东科技粉业有限公司 | 一种简易的无机粉体表面化学镀方法 |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP61045244A patent/JPH0765181B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62205287A (ja) | 1987-09-09 |
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