JP2015524024A5

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Info

Publication number: JP2015524024A5
Application number: JP2015515485A
Authority: JP
Filing date: 2013-05-31
Publication date: 2016-06-30
Anticipated expiration: 2033-05-31

Claims

ニッケル及びニッケル合金の無電解堆積用の水性めっき浴組成物であって、
（ｉ）ニッケルイオンの源、
（ｉｉ）少なくとも１種の錯化剤、
（ｉｉｉ）少なくとも１種の還元剤、
（ｉｖ）以下の式（１）：

（式中、ＸはＯ及びＮＲ^４から選択され、ｎは１〜６の範囲であり、ｍは１〜８の範囲であり；Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は独立して水素及びＣ_１〜Ｃ_４アルキルから選択され；Ｙは−ＳＯ_３Ｒ^５、−ＣＯ_２Ｒ^５及び−ＰＯ_３Ｒ^５ _２から選択され、且つＲ^５は水素、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル及び好適な対イオンから選択される）
による安定剤
を含む、前記水性めっき浴組成物。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が水素、メチル及びエチルから選択される、請求項１に記載の水性無電解めっき浴。
Ｒ^５が水素、メチル、エチル、ナトリウム、カリウム、ニッケル及びアンモニウムから選択される、請求項１又は２に記載の水性無電解めっき浴。
ＹがＳＯ_３Ｒ^５である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
式（１）による安定剤の濃度が０．０２〜５．０ミリモル／ｌの範囲である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
少なくとも１種の合金金属イオンの源を更に含み、その際、少なくとも１種の合金金属イオンが、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、銅、銀、金、アルミニウム、鉄、コバルト、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、白金、亜鉛、カドミウム、ガリウム、インジウム、スズ、アンチモン、タリウム、鉛、及びビスマスからなる群から選択される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
めっき浴が３．５〜７のｐＨ値を有する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
ニッケルイオンの濃度が０．１〜６０ｇ／ｌの範囲である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
少なくとも１種の錯化剤が、アミン、カルボン酸、ヒドロキシルカルボン酸、アミノカルボン酸及び前述の塩からなる群から選択される、請求項１から８までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
少なくとも１種の錯化剤の濃度が０．０１〜３．０モル／ｌの範囲である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
少なくとも１種の還元剤の濃度が０．０１〜３．０モル／ｌの範囲である、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
少なくとも１種の還元剤が、次亜リン酸塩、アミンボラン、ホウ化水素、ヒドラジン及びその誘導体及びホルムアルデヒドからなる群より選ばれる、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
少なくとも１種の還元剤が次亜リン酸塩である、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
ニッケル及びニッケル合金の無電解堆積法であって、
（ｉ）基板を提供する工程、
（ｉｉ）請求項１から１３までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴に基板を浸漬する工程、
（ｉｉｉ）それによってニッケル又はニッケル合金を基板上に堆積する工程
を含む、前記方法。
無電解めっき浴が少なくとも１種の還元剤として次亜リン酸塩を含有する、請求項１４に記載の方法。
１０〜１５質量％の間のリン含有率を得るために、めっき速度が４〜１４μｍ／時の間で変化する、請求項１４又は１５に記載の方法。