JPH0764616B2 - セラミック材料 - Google Patents
セラミック材料Info
- Publication number
- JPH0764616B2 JPH0764616B2 JP3200237A JP20023791A JPH0764616B2 JP H0764616 B2 JPH0764616 B2 JP H0764616B2 JP 3200237 A JP3200237 A JP 3200237A JP 20023791 A JP20023791 A JP 20023791A JP H0764616 B2 JPH0764616 B2 JP H0764616B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sio
- ceramic
- thermal expansion
- powder
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は、新規なセラミック材料に
係り、特に半導体部品を搭載する配線回路基板に用いる
ために好適なセラミック材料に関する。 【０００２】 【発明の背景】近年、ＬＳＩ等の集積回路は、高速化，
高密度化にともなって、放熱や素子の高速化を計るため
にセラミック基板上に直接チップを実装する方式が用い
られるようになってきている。しかしながら、この実装
方式においては、ＬＳＩ等の集積回路のサイズが大きく
なるにつれて、ＬＳＩ等の集積回路材料とセラミック配
線回路基板材料との間で実装時の温度変化によって生ず
る応力が大きくなるという問題点があった。すなわち、
従来より一般にセラミック配線回路基板の絶縁材料とし
て使用されているアルミナの熱膨張係数は７５×１０-7
／℃（室温〜500℃）であり、この値はＬＳＩ等の集積
回路材料であるシリコンの熱膨張係数３５×１０-7／℃
（室温〜５００℃）に比べて２倍以上大きいため、実装
時の温度変化により生ずる応力が大きくなり、接続部の
信頼性低下という問題があった。また、アルミナ系材料
の焼成温度は１５００〜１６５０℃であり、配線回路を
セラミックスの構成と同時に形成するために適用できる
導体材料はタングステンまたはモリブデンなどである。
しかしながら、タングステンまたはモリブデンの熱膨張
係数がそれぞれ４５×１０-7，５４×１０-7／℃(室温
〜５００℃)であり、アルミナ系材料と同時焼成する
と、これらの熱膨張係数の差により、配線基板にクラッ
クが発生する問題があった。また、アルミナを主成分と
する焼結体を絶縁材料に使った基板の問題は、電気信号
の伝播速度が遅いということであり、この原因として
は、アルミナ自身の比誘電率が９.５％（１ＭＨｚ)と大
きいためである。 【０００３】従って、セラミック材料の熱膨張係数がシ
リコンのそれに近く、また比誘電率が小さい基板の一例
として特開昭55−139709号「ムライト基板の製造方法」
である。この公報によれば、コージェライトがムライト
主結晶間に生成されることにより、コージェライトの熱
膨張係数が１０〜２０×１０-7／℃(室温〜５００℃)で
ある事を利用してムライト基板の熱膨張係数をムライト
単体より下げる事によりシリコンに近い熱膨張係数３８
〜３９×１０-7／℃を得ている。 【０００４】しかし、このような利点があるにもかかわ
らずセラミックス材料と導体材料を交互に積層し、同時
焼成してなるセラミック多層配線回路基板とできないの
は、コージェライト相が存在する１５００℃付近の温度
で焼成しなければならないため、焼結しにくい導体材料
であるタングステンまたはモリブデンと同時焼成できな
いからである。また、タングステンまたはモリブデンの
熱膨張係数は各々４５×１０-7／℃，５４×１０-7／℃
であるので、その熱膨張差が大きく、同時焼成時にアル
ミナと同時にクラックが発生するからである。 【０００５】 【発明の目的】本発明の目的は、タングステンまたはモ
リブデンの熱膨張係数に近く、低比誘電率で且つ高強度
のセラミック配線回路基板に用いるのに好適なセラミッ
ク材料を提供することにある。 【０００６】 【発明の概要】本発明は、ムライト粉末を主成分とし、
二酸化珪素粉末，酸化アルミニウム粉末、及びアルカリ
土類金属酸化物粉末を含んだ混合粉末からなるセラミッ
ク材料である。 【０００７】前記各粉末の平均粒径は、ムライト粉末５
μｍ以下，二酸化珪素粉末２μｍ以下及び酸化アルミニ
ウム粉末１μｍ以下であることが好ましい。 【０００８】前記各粉末は、重量で、ムライト粉末７０
％以上，二酸化珪素粉末３０％以下，酸化アルミニウム
粉末１５％以下及びアルカリ土類金属酸化物粉末１％以
下であることが好ましい。 【０００９】本発明は、ムライト粉末，二酸化珪素粉末
及び酸化アルミニウム粉末を含み、焼結後に酸化アルミ
ニウムと二酸化珪素とからなる複合酸化物を形成する組
成割合の混合粉末であるセラミック材料である。 【００１０】前記各粉末は、重量で、ムライト粉末を７
０％以上，二酸化珪素粉末を３０％以下及び酸化アルミ
ニウム粉末を１５％以下含むことが好ましい。 【００１１】前記複合酸化物は、酸化アルミニウムと二
酸化珪素とがモル比で１対０.７〜１であることが好ま
しい。 【００１２】前記複合酸化物はアンダルサイト，カイア
ナイト及びシリマナイトの少なくとも１つであることが
好ましく、ムライトは化学量論的に酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）リッチな３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 が好まし
く、複合酸化物はＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 が好ましい。 【００１３】重量で、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ
2 ）７０％以上，二酸化珪素３０％以下及び複合酸化物
３０％以下であるのが好ましいが、特にＡｌ2Ｏ3・Ｓｉ
Ｏ2 は１〜１５重量％が好ましく、ＳｉＯ2 は１５〜３
０重量％が好ましい。 【００１４】また本発明は、アルカリ土類金属酸化物を
含み、場合によってはアルカリ金属酸化物を含んでいて
も良い。いずれにしても、アルカリ土類金属酸化物また
はアルカリ金属酸化物は、１％以下が好ましい。 【００１５】アルカリ金属酸化物には、リチウム，ナト
リウム，カリウム，ルビジウム，セシウム酸化物があ
り、アルカリ土類金属酸化物にはベリリウム，マグネシ
ウム，カルシウム，ストロンチウム，バリウム酸化物が
ある。 【００１６】前記酸化アルミニウム粉末は粒径１μｍ以
下であり、１５重量％以下の含有量が好ましい。酸化ア
ルミニウムはムライトの焼結助剤として用いられ、ムラ
イト，シリマナイトを生成する。 【００１７】ＳｉＯ2 の添加は比誘電率を低め、かつム
ライトの生成に際し粒成長を押え、強度を向上させる。
ＳｉＯ2 は１０〜３０％が好ましい。４０％では強度上
好ましくない。セラミック多層配線回路基板を作製する
場合には、導体配線材料を印刷したグリーンシートを多
数枚積層する方法により、高密度に配線されたセラミッ
ク多層配線回路基板が作製される。しかし、内部配線導
体を高密度に配線しようとすると、セラミック絶縁材料
と配線導体材料との熱膨張係数差によりクラックが発生
する。セラミック絶縁材料としてアルミナを用い、配線
導体材料としてタングステンを用いて高密度に配線した
場合には、アルミナの熱膨張係数７５×１０-7／℃（室
温〜５００℃）とタングステンの熱膨張係数４５×１０
-7／℃（室温〜５００℃）の差による熱応力のために、
基板内部にクラックが発生するという問題が生じた。そ
こで、内部配線導体材料に用いるタングステンまたはモ
リブデンの熱膨張係数４５×１０-7及び５４×１０-7／
℃に近いセラミック絶縁材料を開発する必要がある。ま
た、セラミック多層配線回路基板に直接はんだ等で搭載
する半導体部品の熱膨張係数にも近いセラミック絶縁材
料が要求される。アルミナを主成分としたセラミック絶
縁材料の熱膨張係数は７５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）であるため、半導体部品であるシリコン半導体素子
の熱膨張係数３５×１０-7／℃（室温〜５００℃）の２
倍以上熱膨張係数が異なる。そのため、実装時の温度変
化により生ずる応力が大きくなり、接続部の信頼性が低
下し、断線等が生じる問題があった。また、近年半導体
部品にガリウム−ヒ素半導体素子が用いられつつある。
このガリウム−ヒ素半導体素子の熱膨張係数は６５×１
０-7／℃である。そのため、シリコン半導体素子とガリ
ウム−ヒ素半導体素子を同一基板上に搭載する場合に
は、これらの半導体素子の熱膨張係数に近いセラミック
絶縁材料である必要がある。シリコン半導体素子の熱膨
張係数３５×１０-7／℃とガリウム−ヒ素半導体素子の
熱膨張係数６５×１０-7／℃のどちらにも近いセラミッ
ク絶縁材料すなわち、熱膨張係数が３５〜６５×１０-7
／℃であること、好ましくは、４０〜６０×１０-7／℃
であることが必要である。この値は、内部配線導体材料
を用いるタングステンまたはモリブデンの熱膨張係数４
５×１０-7／℃と５４×１０-7／℃に近い。このような
熱膨張係数をもつセラミック絶縁材料としては、４２〜
４５×１０-7／℃の熱膨張係数をもつ3Al2O3 ・２ＳｉＯ
2や３５〜７５×１０-7／℃の熱膨張係数をもつＡｌ2Ｏ
3・ＳｉＯ2等がある。これらの結晶相を主成分とした焼
結体は、熱膨張係数４０〜６０×１０-7／℃のセラミッ
ク絶縁材料となる。また、Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 として
は、アンダルサイト，カイアナイト及びシリマナイトな
る結晶相があるが、いずれも熱膨張係数がほぼ同じであ
り、いずれの結晶相であっても熱膨張係数はほとんど変
らない。一方、アルミナを主成分とする焼結体をセラミ
ック絶縁材料に用いたセラミック多層配線回路基板は、
アルミナの比誘電率が９.５（1MHz)と大きいために、電
気信号の伝播速度が遅いという問題がある。比誘電率を
低くするためには、セラミック絶縁材料を構成する結晶
相の比誘電率を低くする必要がある。配線導体材料とし
て用いられるタングステンまたはモリブデン導体材料と
同時に構成できる可能性があり比誘電率が小さいアルミ
ノシリケート材料として３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2Ｏ3・ＳｉＯ2 等がある。これらのセラミック絶縁材料
は、それ自身の比誘電率は６〜７（１ＭＨｚ）である。
これらの結晶相からなるセラミック絶縁材料は、比誘電
率が小さく、電気信号の伝播速度が速いセラミック多層
配線回路基板が得られる。 【００１８】また、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 をＡｌ
2Ｏ3，ＳｉＯ2 ，アルカリ土類金属酸化物またはアルカ
リ金属酸化物で焼結する系として添加するＳｉＯ2 量を
多くして、焼成後に３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 とＡｌ2Ｏ3
・ＳｉＯ2 の結晶相を形成することにした。しかし、ア
ルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物の量が多い
と、焼結性は良くなるが、これらの酸化物とＡｌ2Ｏ3ま
たはＳｉＯ2 との結晶相もしくは非晶質複合酸化物が生
成されセラミック絶縁材料の強度が低下した。また、比
誘電率も高いことから、アルカリ金属酸化物とアルカリ
土類金属酸化物の合計量は１ｗｔ％以下で、３Ａｌ2Ｏ3
・２ＳｉＯ2 とＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 の固溶限を越えない
ことが要求される。すなわち、アルカリ金属酸化物やア
ルカリ土類金属酸化物からなる結晶相を含まないセラミ
ック絶縁材料としなければならない。また、アルカリ金
属酸化物とアルカリ土類金属酸化物を１ｗｔ％より多く
含んだセラミック絶縁材料では、焼成が十分に行える温
度範囲で、焼成収縮率がばらつき、安定した焼結体を得
ることができなかった。これは、焼結体中の結晶相が安
定しないためであることがＸ線回折により確認された。 【００１９】また、アルカリ金属酸化物とアルカリ土類
金属酸化物は大気中では非常に不安定な物質であり、放
置していると水分等を吸収する。そのため、これらの酸
化物を添加する時には、炭酸化物または水酸化物として
添加する方法がとられる。炭酸化物または水酸化物は、
昇温過程で分解し、炭酸ガスまたは水分を放出する。こ
の際、酸化物は活性な状態となり、焼結性をよくする効
果もある。 【００２０】二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）は酸化物中最も比
誘電率が小さく、添加する量を多くすることによりセラ
ミック絶縁材料の比誘電率を小さくできる。すなわち、
３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2にＳｉＯ2を添加することによ
り、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 の比誘電率より低くするこ
とになる。また、ＳｉＯ2 を添加することにより同時に
添加したＡｌ2Ｏ3もしくは３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 と拡
散反応し、Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 結晶相を生成する。その
ため、セラミック絶縁材料中に３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2
と３Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 なる結晶相ができる。これらの
結晶相は非常に安定であり、１６００℃付近の温度では
変化しない。このことにより焼成収縮率がある温度以上
での焼成によって安定し、セラミック多層配線回路基板
材料としては有望である。また、ＳｉＯ2 を多く添加す
ると、焼成時に３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 の粒成長を抑制
する効果があることがわかった。このことにより比誘電
率の低下とともに強度の向上が得られた。ＳｉＯ2の添
加量としては、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 以外の原料成分
中７５ｗｔ％より多く添加することにより最も効果が大
きいことがわかった。 【００２１】セラミック多層配線回路基板の作製方法に
は、まずグリーンボディ（生の成形体）を作製し、これ
に配線導体を形成し多数枚一括積層し同時焼成を行う必
要がある。それには、グリーンシート法の他にスリップ
キャスティング法，プレス法による金型成形法，インジ
ェクションモールド法等がある。 【００２２】グリーンシート法は、原料粉に溶剤及び熱
可塑性の樹脂を添加し、撹拌したスラリを脱気した後ド
クタープレードを有したグリーンシート作製装置により
グリーンシートを作製する方法である。 【００２３】スリップキャスティング法は、原料粉に
水，分散剤及び熱可塑性等の樹脂を添加し撹拌したスラ
リを例えば石こう型内へ流し込んで作製する方法であ
る。 【００２４】プレスによる金型成形法は、原料粉に溶剤
及び熱可塑性等の樹脂を添加し、らいかい機等で混合撹
拌した原料粉をふるい、造粒した後、金属内に入れて荷
重を加えて作製する方法である。 【００２５】インジェクションモールド法は、原料粉に
熱可塑性樹脂またはワックス等を加えて射出成形する方
法である。 【００２６】 【発明の実施例】 （実施例１）本発明のセラミック材料を用いた一実施例
を図１に断面図として示す。図において、１はセラミッ
ク絶縁材料であり、図中の太線で示されているのが配線
導体材料８である。また、これらの導体層の相互間は図
中の上下方向の太線で示した所定のスルーホール導体で
接続されている。４は、金−インジウムろう５で接続さ
れたコバールビン、６は、はんだ７で接続された半導体
部品を示している。 【００２７】次に、本発明のセラミック材料を用いたセ
ラミック多層配線回路基板の製造方法の実施例を説明す
る。なお、以下の記載中、部とあるのは重量部を、％と
あるのは重量％を意味する。 【００２８】平均粒径２μｍの若干アルミナリッチのム
ライト粉末(3Al2O3・2SiO2 ）７２部，平均粒径１μｍの
石英粉末（ＳｉＯ2 ）２５.３部，平均粒径０.４μｍの
アルミナ粉末（Ａｌ2Ｏ3）１.９部及び平均粒径０.３μ
ｍの炭酸マグネシウム（Ｍｇ3(ＣＯ3)4(ＯＨ)3・５Ｈ2
Ｏ）をＭｇＯに換算して０.８部に、樹脂として平均重
合度１０００のポリビニルブチラール５.９ 部をボール
ミルに入れ、３時間乾式混合する。さらに、可塑剤とし
てブチルフタリルグリコール酸ブチル1.9ｍｌ、溶媒と
してトリクロルエチレン４６部、テトラクロルエチレン
１７部、ｎ−ブチルアルコール１８部を加え２０時間湿
式混合しスラリを作製する。次に真空脱気処理によりス
ラリから気泡を除去し、粘度調整を行う。次いで、スラ
リをドクターブレードを用いてシリコン処理したポリエ
ステルフイルム支持体上に０.２３ mmの厚さに塗布し、
炉を通して乾燥し、セラミックグリーンシートを作製す
る。このセラミックグリーンシートをシリコン処理した
ポリエステルフイルム支持体より取りはずし、２２０mm
間隔に切断する。このようにして作製したセラミックグ
リーンシートをグリーンシートパンチ部を用いて、２０
０mm切断し、ガイド用の穴を施す。その後、このガイド
用の穴を利用してセラミックグリーンシートを固定し、
パンチ法により直径０.１５mm の穴を所定位置にスルー
ホールをあけた。さらにタングステン粉末：ニトロセル
ロース：エチルセルローズ：ポリビニルプチラール：ト
リクロルエチレン＝１００：３：１：２：２３(重量比)
の導体ペーストをセラミックグリーンシートにあけたス
ルーホールに充填し、次に、スクリーン印刷法により所
定回路パターンにしたがって上述した導体ペーストを印
刷する。これらのセラミックグリーンシートをガイド用
の穴の位置を合わせて図１のように３０枚積層し、温度
１２０℃，２０〜３０Kg／cm2で加圧し積層した。次
に、積層されたセラミックグリーンシートを焼成炉内に
入れ、水素３〜７容量％を含み且つ微量の水蒸気を含む
窒素雰囲気中で、１２００℃まで５０℃／ｈの昇温速度
で昇温し、セラミックグリーンシートを作製する際に使
用した樹脂分を除去した。その後１００℃／ｈの昇温速
度で昇温し最高温度１６２０℃で１時間保持し、無加圧
焼成して図１のようなセラミック多層配線回路基板を完
成した。このムライト多層板は重量で、ムライト約６７
％，Ａｌ2Ｏ3・ＳiＯ2９％及びＳｉＯ2 ガラス成分が約
２４％であった。 【００２９】このようにして作製したセラミック多層配
線回路基板に、無電解ニッケルメッキ及び金メッキを施
した後、カーボン治具を用いた通常の方法でコバールピ
ン４を金−インジウムろう５にて接続した。また、半導
体部品６をフェースダウンにて直接はんだ７で接続して
搭載した。このようにして図１に示す機能モジュールを
作製した。 【００３０】セラミック多層配線回路基板に用いたセラ
ミック絶縁材料の熱膨張係数は５０×１０-7／℃（室温
〜５００℃）であり、内部配線導体材料に用いたタング
ステンの熱膨張係数４５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）と一致しており、セラミック絶縁材料と配線導体材
料の熱膨張係数の差による熱応力が発生せず、全くクラ
ックが生じなかった。また、スルーホールピッチが０.
３mm の高密度配線も可能であった。また、焼成法のセ
ラミック絶縁材料の中に、結晶相としては、ムライト
（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 ）とＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2であ
る。これらの安定した結晶相は、互いに熱膨張係数が同
様の値であるため、内部応力がほとんどかからない。ま
た、添加したＭｇ3(ＣＯ3)4(ＯＨ)2・５Ｈ3Ｏは、昇温中
にＭｇＯとなるが、焼成法には、ＭｇＯと他の成分との
複合酸化物は存在しないことが、Ｘ線回折法及びＸ線マ
イクロアナライザにより確認された。 【００３１】コバールビンの引張り強度は４Kg／ピン以
上あり、十分実使用に耐えうる強度であった。また、半
導体部品６のはんだ接続部７は−６５℃〜１５０℃での
2000サイクル以上の温度サイクル後にも断線が生じなか
った。このように過酷な使用条件下においても十分な接
続寿命を保証できる強度であった。この原因は、３Ａｌ
2Ｏ3・２ＳｉＯ2 とＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 からなる焼結体
の熱膨張係数が５０×１０-7／℃であって半導体部品と
して使用するシリコン半導体の熱膨張係数３５×１０-7
／℃（室温〜５００℃）に近く、また、ガリウム−ヒ素
半導体の熱膨張係数６５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）に近くシリコン半導体とガリウム−ヒ素半導体を混
成したセラミック多層配線回路基板において、加熱され
た場合の基板と半導体部品の伸び量の差が少なく、はん
だ接続部に熱応力があまり加わらないためである。従来
のアルミナを主成分とする基板の場合は、アルミナの熱
膨張係数が７５×１０-7／℃であって、現在半導体部品
として主成分のシリコン半導体素子の熱膨張係数と大き
く異なり、このため加熱された場合にはんだ接わらない
ためである。従来のアルミナを主成分とする基板の場合
は、アルミナの熱膨張係数が７５×１０-7／℃であっ
て、現在半導体部品として主成分のシリコン半導体素子
の熱膨張係数と大きく異なり、このため加熱された場合
にはんだ接続部に熱応力が加わって早期に断線が起こっ
ていた。 【００３２】一方、内部配線導体２による信号の伝播遅
延時間は８.１ｎｓ／ｍ であった。この値は、セラミッ
ク絶縁材料の比誘電率が６.２であったことに対応して
いる、アルミナを主成分となる絶縁体でできている従来
の多層配線回路基板では、セラミック絶縁材料の比誘電
率が約９.５ であり、信号の伝播遅延時間が１０.２ｎ
ｓ／ｍであるため、本実施例によれば信号の伝播遅延時
間が約２０％低下されたことになる。 【００３３】（実施例２）セラミック原料粉末の配合量
を第１〜３表（重量％）に示すようにした以外は、実施
例１と同様の方法でセラミック多層配線回路基板を作製
した。表１中のアルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金
属酸化物は、炭酸化物または水酸化物を酸化物に換算し
て示した。実施例１と同様の方法を用いて、図１に示す
機能モジュールを作製した。ムライト以外の添加原料を
フラックスとする。 【００３４】 【表１】 【００３５】 【表２】 【００３６】 【表３】 【００３７】表４は得られた基板のＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2
相の含有量（重量％）及び表５は同じく得られた基板の
ガラス成分の含有量（重量％）である。得られた基板の
組織は主成分としてムライトであり、ＭｇＯはムライト
中、或いはＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2中に固溶するが、その固溶
量は原料のＭｇＯに換算して１％以下である。それを越
えると別の結晶相が形成され、基質と異なる熱膨張係数
となるので好ましくない。ムライト量７０ｗｔ％（Ｎo.
１〜７）及び８０ｗｔ％（Ｎo.２２〜２８）について、
フラックス中のＳｉＯ2 量と曲げ強さの関係を図２に示
す。曲げ試験は、ＪＩＳに基づき４点曲げ法とした。図
より、ガラス成分を増加するに従い、曲げ強さが急激に
増加する方向にある。すなわち、ムライト量７０ｗｔ％
の場合には、曲げ強さ１８０ＭＰａ以上となるのは、フ
ラックス中のＳｉＯ2 量が８０ｗｔ％より多い組成であ
り、また、ムライト量８０ｗｔ％の場合は、フラックス
中のＳｉＯ2 量が７５ｗｔ％より多い組成である。 【００３８】図３は、添加したＳｉＯ2 量と曲げ強度と
の関係を示す線図である。図に示す如く、ＳｉＯ2 の添
加によってムライトの焼結性が向上し、急激に強度が向
上するが、２０％以上になると逆に急激に強度が低下す
るので、過剰に添加するのは好ましくない。特に、４０
％以上になると焼結性が低下し強度が低下する。 【００３９】ＳｉＯ2 の添加によってムライトの焼結性
を向上させ強度を高めるのはガラス成分の形成によるも
のと考えられる。 【００４０】 【表４】 【００４１】 【表５】 【００４２】図４は曲げ強さとＡｌ2Ｏ3添加量との関係
を示す線図である。図に示す如く、Ａｌ2Ｏ3の添加によ
って強度が急激に低下する。従って、Ａｌ2Ｏ3の添加量
は５％以下が好ましい。 【００４３】次に、ムライト量７０ｗｔ％及び８０ｗｔ
％について、フラックス中のSiO2量と比誘電率の関係を
図５に示す。比誘電率の測定は１ＭＨｚ一定とした。フ
ラックス中のＳｉＯ2 量を増加するに従い、比誘電率も
減少する傾向を示す。すなわち、ムライト量８０ｗｔ％
の場合には、比誘電率６.７ 以下となるのは、フラック
ス中のＳｉＯ2 量８５ｗｔ％より多い組成であり、ま
た、ムライト量７０wt％の場合は、フラックス中のＳｉ
Ｏ2 量約５０ｗｔ％でも比誘電率は６.７ より小さくな
っている。 【００４４】図６は比誘電率とＳｉＯ2 添加量との関係
を示す線図である。ＳｉＯ2 の添加によって比誘電率が
顕著に低下する。特に、１５％以上で急激に比誘電率が
低下するので、それ以上の添加が好ましい。 【００４５】図７は各試料の焼成温度と焼成収縮率との
関係を示す線図である。図に示す如く、実施例１の試料
は１５８０℃以上の焼成温度で一定の収縮率となるが、
MgO量がＮo.１ の４.１％及びＣａＯ量とＮａ2Ｏ量の合
計量が２.７％であるものは焼成温度が１４００〜１７
００℃の間で変化して一定にならない。このことは電気
炉中に大量に焼成する場合に、炉中の温度が場所によっ
て異なることから同じ組成のものでも異なる焼成収縮率
のものが得られ、製品にバラツキを生じるのでまずい。 【００４６】図８はＡｌ2Ｏ3添加量と基板に生成するＡ
ｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 量との関係を示す線図である。図に示
す如く、Ａｌ2Ｏ3の添加量によってＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2
が増加する。このＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 はムライトと同等
の性質を有する。 【００４７】これらの結果より、曲げ強さが大きく比誘
電率が小さい組成は、ムライト量７０ｗｔ％の場合に
は、フラックス中のＳｉＯ2 量が８０ｗｔ％より多い組
成であり、また、ムライト量８０ｗｔ％の場合は、フラ
ックス中のＳｉＯ2 量が８５ｗｔ％より多い組成であ
る。すなわち、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ）とし
て、１ｗｔ％以下の組成である。 【００４８】次に、これらの組成のセラミック絶縁材料
について、焼結体中の結晶相の同定を行うためにＸ線回
折を行った。アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ）量が１
ｗｔ％より多い場合には、焼成過程で、Ａｌ2Ｏ3・Ｍｇ
Ｏと２Ａｌ2Ｏ3・２ＭｇＯ・５ＳｉＯ2 ができるが、焼
成が十分行えことができる１６００℃付近では、３Ａｌ
2Ｏ3・２ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2の他にＡｌ2Ｏ3,
ＭｇＯ及びＳｉＯ2からなる結晶相が数多くできるため
同定することができない。そのため、各温度における焼
成収縮率が一定とならず、ばらつきが大きい問題点があ
る。 【００４９】一方、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ）
量が１ｗｔ％以下の場合には、焼成過程で、多量に添加
したＳｉＯ2 とＡｌ2Ｏ3・ＭｇＯ，２Ａｌ2Ｏ3・２Ｍｇ
Ｏ・５ＳｉＯ2 ができるが、焼成が十分行うことができ
る１６００℃付近では、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 及びＡ
ｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 のみとなり安定な結晶相となる。その
ため、１５５０℃よりも高い焼成温度、すなわち十分焼
成できる温度では結晶相の変化がなく焼成収縮量も安定
している。また、表２，表３のＮo.２９〜５６に示した
組成についても同様の結果であった。すなわち、アルカ
リ金属酸化物とアルカリ土類金属酸化物の合計量が１ｗ
ｔ％より多い場合には、曲げ強さが１８０ＭＰａより低
いか、比誘電率が６.７ より大きくなる。また、焼成後
の結晶相も安定せず、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 とＡｌ2
Ｏ3・ＳｉＯ2 以外にも不安定な結晶相ができた。 【００５０】一方、アルカリ金属酸化物とアルカリ土類
金属酸化物の合計量が１ｗｔ％以下であれば、曲げ強さ
が１８０ＭＰａ以上で、且つ比誘電率が６.７ 以下であ
った。また、焼成後の結晶相も安定しており、１５５０
℃以上の焼成温度では、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 とＡｌ
2Ｏ3・ＳｉＯ2 の２種類の結晶相のみであった。すなわ
ち、添加したアルカリ金属酸化物とアルカリ土類金属酸
化物は、3Al2O3・２ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2
結晶相中に拡散固溶している。 【００５１】表１〜表３に示した組成のセラミック絶縁
材料の熱膨張係数は４０〜６０×１０-7／℃（室温〜５
００℃）の範囲であり、内部配線導体材料に用いたタン
グステンの熱膨張係数４５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）とほぼ一致しており、セラミックス絶縁材料と配線
導体材料の熱膨張係数の差による熱応力が小さく、全く
クラックが認められなかった。 【００５２】アルカリ金属酸化物とアルカリ土類金属酸
化物の合計量が１ｗｔ％以下の組成（表１〜表３）にお
いては、コバールビンの引張り強度は４Kg／ピン以上あ
り、十分実使用に耐えうる強度であった。また、半導体
部品のはんだ接続部は−６５℃〜１５０℃での２０００
サイクル以上の温度サイクル後にも断線が生じなかっ
た。このような苛酷な使用条件下においても十分な接続
寿命を保証できる強度であった。これは、半導体部品と
して使用するシリコン半導体の熱膨張係数３５×１０-7
／℃（室温〜５００℃）に近く、また、ガリウム−ヒ素
半導体の熱膨張係数６５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）にも近く、これらを混成したセラミック多層配線回
路基板においても、加熱された場合の基板と半導体部品
の伸び量の量が少なく、はんだ接続部に応力があまり加
わらないためである。 【００５３】一方、内部配線導体による信号の伝播遅延
時間は８.４ｎｓ／ｍ 以下であった。この値は、セラミ
ック絶縁材料の比誘電率が６.７ 以下であることに対応
している。アルミナ系のセラミック絶縁材料が約９.５
％ であり、信号の伝播遅延時間が１０.２ｎｓ／ｍ で
あるため、本実施例によれば、信号の伝播遅延時間が約
１７％以上低減されたことになる。 【００５４】図９は本発明の実施例１で製作した基板を
用いた半導体装置実装の構成図である。１１：ＬＳＩチ
ップ，１２：本表明基板，１３：ＣＣＢ（はんだ３５０
〜４００℃），１４：炭化ケイ素封止体，１５：プリン
ト回路板，１６：バックボード（プリント回路板），１
７：はんだ（２５０〜３００℃），１８：冷却水，１
９：低温はんだ（１５０〜２００℃）。 【００５５】 【発明の効果】本発明によれば、ムライト粉末を主成分
とし、二酸化珪素粉末，酸化アルミニウム粉末、及びア
ルカリ土類金属酸化物粉末を含んだ混合粉末からなるセ
ラミック材料を用いることにより、内部導体配線層に用
いるタングステンまたはモリブデンとの熱膨張係数の適
合性が良い配線回路基板が得られることから高密度配線
が可能となり、また、比誘電率が低く、且つ高強度のセ
ラミック配線回路基板が得られる。これにより、セラミ
ック絶縁材料と配線導体材料の熱膨張係数の差によるク
ラックの発生がなく、また、熱による応力で発生する基
板のクラック及び基板と半導体部品の接続部の断線等を
防止し、高品質で且つ高信頼性のセラミック配線回路基
板が得られる。
係り、特に半導体部品を搭載する配線回路基板に用いる
ために好適なセラミック材料に関する。 【０００２】 【発明の背景】近年、ＬＳＩ等の集積回路は、高速化，
高密度化にともなって、放熱や素子の高速化を計るため
にセラミック基板上に直接チップを実装する方式が用い
られるようになってきている。しかしながら、この実装
方式においては、ＬＳＩ等の集積回路のサイズが大きく
なるにつれて、ＬＳＩ等の集積回路材料とセラミック配
線回路基板材料との間で実装時の温度変化によって生ず
る応力が大きくなるという問題点があった。すなわち、
従来より一般にセラミック配線回路基板の絶縁材料とし
て使用されているアルミナの熱膨張係数は７５×１０-7
／℃（室温〜500℃）であり、この値はＬＳＩ等の集積
回路材料であるシリコンの熱膨張係数３５×１０-7／℃
（室温〜５００℃）に比べて２倍以上大きいため、実装
時の温度変化により生ずる応力が大きくなり、接続部の
信頼性低下という問題があった。また、アルミナ系材料
の焼成温度は１５００〜１６５０℃であり、配線回路を
セラミックスの構成と同時に形成するために適用できる
導体材料はタングステンまたはモリブデンなどである。
しかしながら、タングステンまたはモリブデンの熱膨張
係数がそれぞれ４５×１０-7，５４×１０-7／℃(室温
〜５００℃)であり、アルミナ系材料と同時焼成する
と、これらの熱膨張係数の差により、配線基板にクラッ
クが発生する問題があった。また、アルミナを主成分と
する焼結体を絶縁材料に使った基板の問題は、電気信号
の伝播速度が遅いということであり、この原因として
は、アルミナ自身の比誘電率が９.５％（１ＭＨｚ)と大
きいためである。 【０００３】従って、セラミック材料の熱膨張係数がシ
リコンのそれに近く、また比誘電率が小さい基板の一例
として特開昭55−139709号「ムライト基板の製造方法」
である。この公報によれば、コージェライトがムライト
主結晶間に生成されることにより、コージェライトの熱
膨張係数が１０〜２０×１０-7／℃(室温〜５００℃)で
ある事を利用してムライト基板の熱膨張係数をムライト
単体より下げる事によりシリコンに近い熱膨張係数３８
〜３９×１０-7／℃を得ている。 【０００４】しかし、このような利点があるにもかかわ
らずセラミックス材料と導体材料を交互に積層し、同時
焼成してなるセラミック多層配線回路基板とできないの
は、コージェライト相が存在する１５００℃付近の温度
で焼成しなければならないため、焼結しにくい導体材料
であるタングステンまたはモリブデンと同時焼成できな
いからである。また、タングステンまたはモリブデンの
熱膨張係数は各々４５×１０-7／℃，５４×１０-7／℃
であるので、その熱膨張差が大きく、同時焼成時にアル
ミナと同時にクラックが発生するからである。 【０００５】 【発明の目的】本発明の目的は、タングステンまたはモ
リブデンの熱膨張係数に近く、低比誘電率で且つ高強度
のセラミック配線回路基板に用いるのに好適なセラミッ
ク材料を提供することにある。 【０００６】 【発明の概要】本発明は、ムライト粉末を主成分とし、
二酸化珪素粉末，酸化アルミニウム粉末、及びアルカリ
土類金属酸化物粉末を含んだ混合粉末からなるセラミッ
ク材料である。 【０００７】前記各粉末の平均粒径は、ムライト粉末５
μｍ以下，二酸化珪素粉末２μｍ以下及び酸化アルミニ
ウム粉末１μｍ以下であることが好ましい。 【０００８】前記各粉末は、重量で、ムライト粉末７０
％以上，二酸化珪素粉末３０％以下，酸化アルミニウム
粉末１５％以下及びアルカリ土類金属酸化物粉末１％以
下であることが好ましい。 【０００９】本発明は、ムライト粉末，二酸化珪素粉末
及び酸化アルミニウム粉末を含み、焼結後に酸化アルミ
ニウムと二酸化珪素とからなる複合酸化物を形成する組
成割合の混合粉末であるセラミック材料である。 【００１０】前記各粉末は、重量で、ムライト粉末を７
０％以上，二酸化珪素粉末を３０％以下及び酸化アルミ
ニウム粉末を１５％以下含むことが好ましい。 【００１１】前記複合酸化物は、酸化アルミニウムと二
酸化珪素とがモル比で１対０.７〜１であることが好ま
しい。 【００１２】前記複合酸化物はアンダルサイト，カイア
ナイト及びシリマナイトの少なくとも１つであることが
好ましく、ムライトは化学量論的に酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）リッチな３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 が好まし
く、複合酸化物はＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 が好ましい。 【００１３】重量で、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ
2 ）７０％以上，二酸化珪素３０％以下及び複合酸化物
３０％以下であるのが好ましいが、特にＡｌ2Ｏ3・Ｓｉ
Ｏ2 は１〜１５重量％が好ましく、ＳｉＯ2 は１５〜３
０重量％が好ましい。 【００１４】また本発明は、アルカリ土類金属酸化物を
含み、場合によってはアルカリ金属酸化物を含んでいて
も良い。いずれにしても、アルカリ土類金属酸化物また
はアルカリ金属酸化物は、１％以下が好ましい。 【００１５】アルカリ金属酸化物には、リチウム，ナト
リウム，カリウム，ルビジウム，セシウム酸化物があ
り、アルカリ土類金属酸化物にはベリリウム，マグネシ
ウム，カルシウム，ストロンチウム，バリウム酸化物が
ある。 【００１６】前記酸化アルミニウム粉末は粒径１μｍ以
下であり、１５重量％以下の含有量が好ましい。酸化ア
ルミニウムはムライトの焼結助剤として用いられ、ムラ
イト，シリマナイトを生成する。 【００１７】ＳｉＯ2 の添加は比誘電率を低め、かつム
ライトの生成に際し粒成長を押え、強度を向上させる。
ＳｉＯ2 は１０〜３０％が好ましい。４０％では強度上
好ましくない。セラミック多層配線回路基板を作製する
場合には、導体配線材料を印刷したグリーンシートを多
数枚積層する方法により、高密度に配線されたセラミッ
ク多層配線回路基板が作製される。しかし、内部配線導
体を高密度に配線しようとすると、セラミック絶縁材料
と配線導体材料との熱膨張係数差によりクラックが発生
する。セラミック絶縁材料としてアルミナを用い、配線
導体材料としてタングステンを用いて高密度に配線した
場合には、アルミナの熱膨張係数７５×１０-7／℃（室
温〜５００℃）とタングステンの熱膨張係数４５×１０
-7／℃（室温〜５００℃）の差による熱応力のために、
基板内部にクラックが発生するという問題が生じた。そ
こで、内部配線導体材料に用いるタングステンまたはモ
リブデンの熱膨張係数４５×１０-7及び５４×１０-7／
℃に近いセラミック絶縁材料を開発する必要がある。ま
た、セラミック多層配線回路基板に直接はんだ等で搭載
する半導体部品の熱膨張係数にも近いセラミック絶縁材
料が要求される。アルミナを主成分としたセラミック絶
縁材料の熱膨張係数は７５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）であるため、半導体部品であるシリコン半導体素子
の熱膨張係数３５×１０-7／℃（室温〜５００℃）の２
倍以上熱膨張係数が異なる。そのため、実装時の温度変
化により生ずる応力が大きくなり、接続部の信頼性が低
下し、断線等が生じる問題があった。また、近年半導体
部品にガリウム−ヒ素半導体素子が用いられつつある。
このガリウム−ヒ素半導体素子の熱膨張係数は６５×１
０-7／℃である。そのため、シリコン半導体素子とガリ
ウム−ヒ素半導体素子を同一基板上に搭載する場合に
は、これらの半導体素子の熱膨張係数に近いセラミック
絶縁材料である必要がある。シリコン半導体素子の熱膨
張係数３５×１０-7／℃とガリウム−ヒ素半導体素子の
熱膨張係数６５×１０-7／℃のどちらにも近いセラミッ
ク絶縁材料すなわち、熱膨張係数が３５〜６５×１０-7
／℃であること、好ましくは、４０〜６０×１０-7／℃
であることが必要である。この値は、内部配線導体材料
を用いるタングステンまたはモリブデンの熱膨張係数４
５×１０-7／℃と５４×１０-7／℃に近い。このような
熱膨張係数をもつセラミック絶縁材料としては、４２〜
４５×１０-7／℃の熱膨張係数をもつ3Al2O3 ・２ＳｉＯ
2や３５〜７５×１０-7／℃の熱膨張係数をもつＡｌ2Ｏ
3・ＳｉＯ2等がある。これらの結晶相を主成分とした焼
結体は、熱膨張係数４０〜６０×１０-7／℃のセラミッ
ク絶縁材料となる。また、Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 として
は、アンダルサイト，カイアナイト及びシリマナイトな
る結晶相があるが、いずれも熱膨張係数がほぼ同じであ
り、いずれの結晶相であっても熱膨張係数はほとんど変
らない。一方、アルミナを主成分とする焼結体をセラミ
ック絶縁材料に用いたセラミック多層配線回路基板は、
アルミナの比誘電率が９.５（1MHz)と大きいために、電
気信号の伝播速度が遅いという問題がある。比誘電率を
低くするためには、セラミック絶縁材料を構成する結晶
相の比誘電率を低くする必要がある。配線導体材料とし
て用いられるタングステンまたはモリブデン導体材料と
同時に構成できる可能性があり比誘電率が小さいアルミ
ノシリケート材料として３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2Ｏ3・ＳｉＯ2 等がある。これらのセラミック絶縁材料
は、それ自身の比誘電率は６〜７（１ＭＨｚ）である。
これらの結晶相からなるセラミック絶縁材料は、比誘電
率が小さく、電気信号の伝播速度が速いセラミック多層
配線回路基板が得られる。 【００１８】また、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 をＡｌ
2Ｏ3，ＳｉＯ2 ，アルカリ土類金属酸化物またはアルカ
リ金属酸化物で焼結する系として添加するＳｉＯ2 量を
多くして、焼成後に３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 とＡｌ2Ｏ3
・ＳｉＯ2 の結晶相を形成することにした。しかし、ア
ルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物の量が多い
と、焼結性は良くなるが、これらの酸化物とＡｌ2Ｏ3ま
たはＳｉＯ2 との結晶相もしくは非晶質複合酸化物が生
成されセラミック絶縁材料の強度が低下した。また、比
誘電率も高いことから、アルカリ金属酸化物とアルカリ
土類金属酸化物の合計量は１ｗｔ％以下で、３Ａｌ2Ｏ3
・２ＳｉＯ2 とＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 の固溶限を越えない
ことが要求される。すなわち、アルカリ金属酸化物やア
ルカリ土類金属酸化物からなる結晶相を含まないセラミ
ック絶縁材料としなければならない。また、アルカリ金
属酸化物とアルカリ土類金属酸化物を１ｗｔ％より多く
含んだセラミック絶縁材料では、焼成が十分に行える温
度範囲で、焼成収縮率がばらつき、安定した焼結体を得
ることができなかった。これは、焼結体中の結晶相が安
定しないためであることがＸ線回折により確認された。 【００１９】また、アルカリ金属酸化物とアルカリ土類
金属酸化物は大気中では非常に不安定な物質であり、放
置していると水分等を吸収する。そのため、これらの酸
化物を添加する時には、炭酸化物または水酸化物として
添加する方法がとられる。炭酸化物または水酸化物は、
昇温過程で分解し、炭酸ガスまたは水分を放出する。こ
の際、酸化物は活性な状態となり、焼結性をよくする効
果もある。 【００２０】二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）は酸化物中最も比
誘電率が小さく、添加する量を多くすることによりセラ
ミック絶縁材料の比誘電率を小さくできる。すなわち、
３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2にＳｉＯ2を添加することによ
り、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 の比誘電率より低くするこ
とになる。また、ＳｉＯ2 を添加することにより同時に
添加したＡｌ2Ｏ3もしくは３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 と拡
散反応し、Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 結晶相を生成する。その
ため、セラミック絶縁材料中に３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2
と３Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 なる結晶相ができる。これらの
結晶相は非常に安定であり、１６００℃付近の温度では
変化しない。このことにより焼成収縮率がある温度以上
での焼成によって安定し、セラミック多層配線回路基板
材料としては有望である。また、ＳｉＯ2 を多く添加す
ると、焼成時に３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 の粒成長を抑制
する効果があることがわかった。このことにより比誘電
率の低下とともに強度の向上が得られた。ＳｉＯ2の添
加量としては、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 以外の原料成分
中７５ｗｔ％より多く添加することにより最も効果が大
きいことがわかった。 【００２１】セラミック多層配線回路基板の作製方法に
は、まずグリーンボディ（生の成形体）を作製し、これ
に配線導体を形成し多数枚一括積層し同時焼成を行う必
要がある。それには、グリーンシート法の他にスリップ
キャスティング法，プレス法による金型成形法，インジ
ェクションモールド法等がある。 【００２２】グリーンシート法は、原料粉に溶剤及び熱
可塑性の樹脂を添加し、撹拌したスラリを脱気した後ド
クタープレードを有したグリーンシート作製装置により
グリーンシートを作製する方法である。 【００２３】スリップキャスティング法は、原料粉に
水，分散剤及び熱可塑性等の樹脂を添加し撹拌したスラ
リを例えば石こう型内へ流し込んで作製する方法であ
る。 【００２４】プレスによる金型成形法は、原料粉に溶剤
及び熱可塑性等の樹脂を添加し、らいかい機等で混合撹
拌した原料粉をふるい、造粒した後、金属内に入れて荷
重を加えて作製する方法である。 【００２５】インジェクションモールド法は、原料粉に
熱可塑性樹脂またはワックス等を加えて射出成形する方
法である。 【００２６】 【発明の実施例】 （実施例１）本発明のセラミック材料を用いた一実施例
を図１に断面図として示す。図において、１はセラミッ
ク絶縁材料であり、図中の太線で示されているのが配線
導体材料８である。また、これらの導体層の相互間は図
中の上下方向の太線で示した所定のスルーホール導体で
接続されている。４は、金−インジウムろう５で接続さ
れたコバールビン、６は、はんだ７で接続された半導体
部品を示している。 【００２７】次に、本発明のセラミック材料を用いたセ
ラミック多層配線回路基板の製造方法の実施例を説明す
る。なお、以下の記載中、部とあるのは重量部を、％と
あるのは重量％を意味する。 【００２８】平均粒径２μｍの若干アルミナリッチのム
ライト粉末(3Al2O3・2SiO2 ）７２部，平均粒径１μｍの
石英粉末（ＳｉＯ2 ）２５.３部，平均粒径０.４μｍの
アルミナ粉末（Ａｌ2Ｏ3）１.９部及び平均粒径０.３μ
ｍの炭酸マグネシウム（Ｍｇ3(ＣＯ3)4(ＯＨ)3・５Ｈ2
Ｏ）をＭｇＯに換算して０.８部に、樹脂として平均重
合度１０００のポリビニルブチラール５.９ 部をボール
ミルに入れ、３時間乾式混合する。さらに、可塑剤とし
てブチルフタリルグリコール酸ブチル1.9ｍｌ、溶媒と
してトリクロルエチレン４６部、テトラクロルエチレン
１７部、ｎ−ブチルアルコール１８部を加え２０時間湿
式混合しスラリを作製する。次に真空脱気処理によりス
ラリから気泡を除去し、粘度調整を行う。次いで、スラ
リをドクターブレードを用いてシリコン処理したポリエ
ステルフイルム支持体上に０.２３ mmの厚さに塗布し、
炉を通して乾燥し、セラミックグリーンシートを作製す
る。このセラミックグリーンシートをシリコン処理した
ポリエステルフイルム支持体より取りはずし、２２０mm
間隔に切断する。このようにして作製したセラミックグ
リーンシートをグリーンシートパンチ部を用いて、２０
０mm切断し、ガイド用の穴を施す。その後、このガイド
用の穴を利用してセラミックグリーンシートを固定し、
パンチ法により直径０.１５mm の穴を所定位置にスルー
ホールをあけた。さらにタングステン粉末：ニトロセル
ロース：エチルセルローズ：ポリビニルプチラール：ト
リクロルエチレン＝１００：３：１：２：２３(重量比)
の導体ペーストをセラミックグリーンシートにあけたス
ルーホールに充填し、次に、スクリーン印刷法により所
定回路パターンにしたがって上述した導体ペーストを印
刷する。これらのセラミックグリーンシートをガイド用
の穴の位置を合わせて図１のように３０枚積層し、温度
１２０℃，２０〜３０Kg／cm2で加圧し積層した。次
に、積層されたセラミックグリーンシートを焼成炉内に
入れ、水素３〜７容量％を含み且つ微量の水蒸気を含む
窒素雰囲気中で、１２００℃まで５０℃／ｈの昇温速度
で昇温し、セラミックグリーンシートを作製する際に使
用した樹脂分を除去した。その後１００℃／ｈの昇温速
度で昇温し最高温度１６２０℃で１時間保持し、無加圧
焼成して図１のようなセラミック多層配線回路基板を完
成した。このムライト多層板は重量で、ムライト約６７
％，Ａｌ2Ｏ3・ＳiＯ2９％及びＳｉＯ2 ガラス成分が約
２４％であった。 【００２９】このようにして作製したセラミック多層配
線回路基板に、無電解ニッケルメッキ及び金メッキを施
した後、カーボン治具を用いた通常の方法でコバールピ
ン４を金−インジウムろう５にて接続した。また、半導
体部品６をフェースダウンにて直接はんだ７で接続して
搭載した。このようにして図１に示す機能モジュールを
作製した。 【００３０】セラミック多層配線回路基板に用いたセラ
ミック絶縁材料の熱膨張係数は５０×１０-7／℃（室温
〜５００℃）であり、内部配線導体材料に用いたタング
ステンの熱膨張係数４５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）と一致しており、セラミック絶縁材料と配線導体材
料の熱膨張係数の差による熱応力が発生せず、全くクラ
ックが生じなかった。また、スルーホールピッチが０.
３mm の高密度配線も可能であった。また、焼成法のセ
ラミック絶縁材料の中に、結晶相としては、ムライト
（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 ）とＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2であ
る。これらの安定した結晶相は、互いに熱膨張係数が同
様の値であるため、内部応力がほとんどかからない。ま
た、添加したＭｇ3(ＣＯ3)4(ＯＨ)2・５Ｈ3Ｏは、昇温中
にＭｇＯとなるが、焼成法には、ＭｇＯと他の成分との
複合酸化物は存在しないことが、Ｘ線回折法及びＸ線マ
イクロアナライザにより確認された。 【００３１】コバールビンの引張り強度は４Kg／ピン以
上あり、十分実使用に耐えうる強度であった。また、半
導体部品６のはんだ接続部７は−６５℃〜１５０℃での
2000サイクル以上の温度サイクル後にも断線が生じなか
った。このように過酷な使用条件下においても十分な接
続寿命を保証できる強度であった。この原因は、３Ａｌ
2Ｏ3・２ＳｉＯ2 とＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 からなる焼結体
の熱膨張係数が５０×１０-7／℃であって半導体部品と
して使用するシリコン半導体の熱膨張係数３５×１０-7
／℃（室温〜５００℃）に近く、また、ガリウム−ヒ素
半導体の熱膨張係数６５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）に近くシリコン半導体とガリウム−ヒ素半導体を混
成したセラミック多層配線回路基板において、加熱され
た場合の基板と半導体部品の伸び量の差が少なく、はん
だ接続部に熱応力があまり加わらないためである。従来
のアルミナを主成分とする基板の場合は、アルミナの熱
膨張係数が７５×１０-7／℃であって、現在半導体部品
として主成分のシリコン半導体素子の熱膨張係数と大き
く異なり、このため加熱された場合にはんだ接わらない
ためである。従来のアルミナを主成分とする基板の場合
は、アルミナの熱膨張係数が７５×１０-7／℃であっ
て、現在半導体部品として主成分のシリコン半導体素子
の熱膨張係数と大きく異なり、このため加熱された場合
にはんだ接続部に熱応力が加わって早期に断線が起こっ
ていた。 【００３２】一方、内部配線導体２による信号の伝播遅
延時間は８.１ｎｓ／ｍ であった。この値は、セラミッ
ク絶縁材料の比誘電率が６.２であったことに対応して
いる、アルミナを主成分となる絶縁体でできている従来
の多層配線回路基板では、セラミック絶縁材料の比誘電
率が約９.５ であり、信号の伝播遅延時間が１０.２ｎ
ｓ／ｍであるため、本実施例によれば信号の伝播遅延時
間が約２０％低下されたことになる。 【００３３】（実施例２）セラミック原料粉末の配合量
を第１〜３表（重量％）に示すようにした以外は、実施
例１と同様の方法でセラミック多層配線回路基板を作製
した。表１中のアルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金
属酸化物は、炭酸化物または水酸化物を酸化物に換算し
て示した。実施例１と同様の方法を用いて、図１に示す
機能モジュールを作製した。ムライト以外の添加原料を
フラックスとする。 【００３４】 【表１】 【００３５】 【表２】 【００３６】 【表３】 【００３７】表４は得られた基板のＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2
相の含有量（重量％）及び表５は同じく得られた基板の
ガラス成分の含有量（重量％）である。得られた基板の
組織は主成分としてムライトであり、ＭｇＯはムライト
中、或いはＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2中に固溶するが、その固溶
量は原料のＭｇＯに換算して１％以下である。それを越
えると別の結晶相が形成され、基質と異なる熱膨張係数
となるので好ましくない。ムライト量７０ｗｔ％（Ｎo.
１〜７）及び８０ｗｔ％（Ｎo.２２〜２８）について、
フラックス中のＳｉＯ2 量と曲げ強さの関係を図２に示
す。曲げ試験は、ＪＩＳに基づき４点曲げ法とした。図
より、ガラス成分を増加するに従い、曲げ強さが急激に
増加する方向にある。すなわち、ムライト量７０ｗｔ％
の場合には、曲げ強さ１８０ＭＰａ以上となるのは、フ
ラックス中のＳｉＯ2 量が８０ｗｔ％より多い組成であ
り、また、ムライト量８０ｗｔ％の場合は、フラックス
中のＳｉＯ2 量が７５ｗｔ％より多い組成である。 【００３８】図３は、添加したＳｉＯ2 量と曲げ強度と
の関係を示す線図である。図に示す如く、ＳｉＯ2 の添
加によってムライトの焼結性が向上し、急激に強度が向
上するが、２０％以上になると逆に急激に強度が低下す
るので、過剰に添加するのは好ましくない。特に、４０
％以上になると焼結性が低下し強度が低下する。 【００３９】ＳｉＯ2 の添加によってムライトの焼結性
を向上させ強度を高めるのはガラス成分の形成によるも
のと考えられる。 【００４０】 【表４】 【００４１】 【表５】 【００４２】図４は曲げ強さとＡｌ2Ｏ3添加量との関係
を示す線図である。図に示す如く、Ａｌ2Ｏ3の添加によ
って強度が急激に低下する。従って、Ａｌ2Ｏ3の添加量
は５％以下が好ましい。 【００４３】次に、ムライト量７０ｗｔ％及び８０ｗｔ
％について、フラックス中のSiO2量と比誘電率の関係を
図５に示す。比誘電率の測定は１ＭＨｚ一定とした。フ
ラックス中のＳｉＯ2 量を増加するに従い、比誘電率も
減少する傾向を示す。すなわち、ムライト量８０ｗｔ％
の場合には、比誘電率６.７ 以下となるのは、フラック
ス中のＳｉＯ2 量８５ｗｔ％より多い組成であり、ま
た、ムライト量７０wt％の場合は、フラックス中のＳｉ
Ｏ2 量約５０ｗｔ％でも比誘電率は６.７ より小さくな
っている。 【００４４】図６は比誘電率とＳｉＯ2 添加量との関係
を示す線図である。ＳｉＯ2 の添加によって比誘電率が
顕著に低下する。特に、１５％以上で急激に比誘電率が
低下するので、それ以上の添加が好ましい。 【００４５】図７は各試料の焼成温度と焼成収縮率との
関係を示す線図である。図に示す如く、実施例１の試料
は１５８０℃以上の焼成温度で一定の収縮率となるが、
MgO量がＮo.１ の４.１％及びＣａＯ量とＮａ2Ｏ量の合
計量が２.７％であるものは焼成温度が１４００〜１７
００℃の間で変化して一定にならない。このことは電気
炉中に大量に焼成する場合に、炉中の温度が場所によっ
て異なることから同じ組成のものでも異なる焼成収縮率
のものが得られ、製品にバラツキを生じるのでまずい。 【００４６】図８はＡｌ2Ｏ3添加量と基板に生成するＡ
ｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 量との関係を示す線図である。図に示
す如く、Ａｌ2Ｏ3の添加量によってＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2
が増加する。このＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 はムライトと同等
の性質を有する。 【００４７】これらの結果より、曲げ強さが大きく比誘
電率が小さい組成は、ムライト量７０ｗｔ％の場合に
は、フラックス中のＳｉＯ2 量が８０ｗｔ％より多い組
成であり、また、ムライト量８０ｗｔ％の場合は、フラ
ックス中のＳｉＯ2 量が８５ｗｔ％より多い組成であ
る。すなわち、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ）とし
て、１ｗｔ％以下の組成である。 【００４８】次に、これらの組成のセラミック絶縁材料
について、焼結体中の結晶相の同定を行うためにＸ線回
折を行った。アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ）量が１
ｗｔ％より多い場合には、焼成過程で、Ａｌ2Ｏ3・Ｍｇ
Ｏと２Ａｌ2Ｏ3・２ＭｇＯ・５ＳｉＯ2 ができるが、焼
成が十分行えことができる１６００℃付近では、３Ａｌ
2Ｏ3・２ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2の他にＡｌ2Ｏ3,
ＭｇＯ及びＳｉＯ2からなる結晶相が数多くできるため
同定することができない。そのため、各温度における焼
成収縮率が一定とならず、ばらつきが大きい問題点があ
る。 【００４９】一方、アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ）
量が１ｗｔ％以下の場合には、焼成過程で、多量に添加
したＳｉＯ2 とＡｌ2Ｏ3・ＭｇＯ，２Ａｌ2Ｏ3・２Ｍｇ
Ｏ・５ＳｉＯ2 ができるが、焼成が十分行うことができ
る１６００℃付近では、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 及びＡ
ｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 のみとなり安定な結晶相となる。その
ため、１５５０℃よりも高い焼成温度、すなわち十分焼
成できる温度では結晶相の変化がなく焼成収縮量も安定
している。また、表２，表３のＮo.２９〜５６に示した
組成についても同様の結果であった。すなわち、アルカ
リ金属酸化物とアルカリ土類金属酸化物の合計量が１ｗ
ｔ％より多い場合には、曲げ強さが１８０ＭＰａより低
いか、比誘電率が６.７ より大きくなる。また、焼成後
の結晶相も安定せず、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 とＡｌ2
Ｏ3・ＳｉＯ2 以外にも不安定な結晶相ができた。 【００５０】一方、アルカリ金属酸化物とアルカリ土類
金属酸化物の合計量が１ｗｔ％以下であれば、曲げ強さ
が１８０ＭＰａ以上で、且つ比誘電率が６.７ 以下であ
った。また、焼成後の結晶相も安定しており、１５５０
℃以上の焼成温度では、３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2 とＡｌ
2Ｏ3・ＳｉＯ2 の２種類の結晶相のみであった。すなわ
ち、添加したアルカリ金属酸化物とアルカリ土類金属酸
化物は、3Al2O3・２ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2
結晶相中に拡散固溶している。 【００５１】表１〜表３に示した組成のセラミック絶縁
材料の熱膨張係数は４０〜６０×１０-7／℃（室温〜５
００℃）の範囲であり、内部配線導体材料に用いたタン
グステンの熱膨張係数４５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）とほぼ一致しており、セラミックス絶縁材料と配線
導体材料の熱膨張係数の差による熱応力が小さく、全く
クラックが認められなかった。 【００５２】アルカリ金属酸化物とアルカリ土類金属酸
化物の合計量が１ｗｔ％以下の組成（表１〜表３）にお
いては、コバールビンの引張り強度は４Kg／ピン以上あ
り、十分実使用に耐えうる強度であった。また、半導体
部品のはんだ接続部は−６５℃〜１５０℃での２０００
サイクル以上の温度サイクル後にも断線が生じなかっ
た。このような苛酷な使用条件下においても十分な接続
寿命を保証できる強度であった。これは、半導体部品と
して使用するシリコン半導体の熱膨張係数３５×１０-7
／℃（室温〜５００℃）に近く、また、ガリウム−ヒ素
半導体の熱膨張係数６５×１０-7／℃（室温〜５００
℃）にも近く、これらを混成したセラミック多層配線回
路基板においても、加熱された場合の基板と半導体部品
の伸び量の量が少なく、はんだ接続部に応力があまり加
わらないためである。 【００５３】一方、内部配線導体による信号の伝播遅延
時間は８.４ｎｓ／ｍ 以下であった。この値は、セラミ
ック絶縁材料の比誘電率が６.７ 以下であることに対応
している。アルミナ系のセラミック絶縁材料が約９.５
％ であり、信号の伝播遅延時間が１０.２ｎｓ／ｍ で
あるため、本実施例によれば、信号の伝播遅延時間が約
１７％以上低減されたことになる。 【００５４】図９は本発明の実施例１で製作した基板を
用いた半導体装置実装の構成図である。１１：ＬＳＩチ
ップ，１２：本表明基板，１３：ＣＣＢ（はんだ３５０
〜４００℃），１４：炭化ケイ素封止体，１５：プリン
ト回路板，１６：バックボード（プリント回路板），１
７：はんだ（２５０〜３００℃），１８：冷却水，１
９：低温はんだ（１５０〜２００℃）。 【００５５】 【発明の効果】本発明によれば、ムライト粉末を主成分
とし、二酸化珪素粉末，酸化アルミニウム粉末、及びア
ルカリ土類金属酸化物粉末を含んだ混合粉末からなるセ
ラミック材料を用いることにより、内部導体配線層に用
いるタングステンまたはモリブデンとの熱膨張係数の適
合性が良い配線回路基板が得られることから高密度配線
が可能となり、また、比誘電率が低く、且つ高強度のセ
ラミック配線回路基板が得られる。これにより、セラミ
ック絶縁材料と配線導体材料の熱膨張係数の差によるク
ラックの発生がなく、また、熱による応力で発生する基
板のクラック及び基板と半導体部品の接続部の断線等を
防止し、高品質で且つ高信頼性のセラミック配線回路基
板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミック材料を用いた配線回路基板
及びそれを用いた絶縁モジュールの断面図。 【図２】フラックス中のＳｉＯ2 量と曲げ強さの関係を
示す線図。 【図３】各々曲げ強さとＳｉＯ2 及びＡｌ2Ｏ3量との関
係を示す線図。 【図４】各々曲げ強さとＳｉＯ2 及びＡｌ2Ｏ3量との関
係を示す線図。 【図５】フラックス中のＳｉＯ2 量と比誘電率の関係を
示す線図。 【図６】比誘電率とＳｉＯ2 量との関係を示す線図。 【図７】焼成温度と焼成収縮率との関係を示す線図。 【図８】Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 量とＡｌ2Ｏ3量との関係を
示す線図。 【図９】本発明の材料から成る基板を用いた半導体装置
の実装構造の１例を示す構成図。 【符号の説明】 １…本発明のセラミック絶縁材料、２…配線導体材料、
３…本発明のセラミック材料を用いた配線回路基板、４
…コバールビン、５…金−インジウムろう、６…半導体
部品、７…はんだ。
及びそれを用いた絶縁モジュールの断面図。 【図２】フラックス中のＳｉＯ2 量と曲げ強さの関係を
示す線図。 【図３】各々曲げ強さとＳｉＯ2 及びＡｌ2Ｏ3量との関
係を示す線図。 【図４】各々曲げ強さとＳｉＯ2 及びＡｌ2Ｏ3量との関
係を示す線図。 【図５】フラックス中のＳｉＯ2 量と比誘電率の関係を
示す線図。 【図６】比誘電率とＳｉＯ2 量との関係を示す線図。 【図７】焼成温度と焼成収縮率との関係を示す線図。 【図８】Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2 量とＡｌ2Ｏ3量との関係を
示す線図。 【図９】本発明の材料から成る基板を用いた半導体装置
の実装構造の１例を示す構成図。 【符号の説明】 １…本発明のセラミック絶縁材料、２…配線導体材料、
３…本発明のセラミック材料を用いた配線回路基板、４
…コバールビン、５…金−インジウムろう、６…半導体
部品、７…はんだ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 篠原 浩一
茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社
日立製作所 日立研究所内
(72)発明者 戸田 尭三
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社 日立製作所 生産技術研究所内
(56)参考文献 特開 昭57−115895（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．平均粒径が５μｍ以下のムライト粉末７０重量％以
上の主成分と、 平均粒径が２μｍ以下の二酸化珪素粉末３０重量％以
下、平均粒径が１μｍ以下の酸化アルミニウム粉末１５
重量％以下、及びアルカリ土類金属酸化物粉末１重量％
以下を含んだ混合粉末とからなることを特徴とするセラ
ミック材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200237A JPH0764616B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | セラミック材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200237A JPH0764616B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | セラミック材料 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60109112A Division JPS61266350A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 配線回路用セラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357162A JPH04357162A (ja) | 1992-12-10 |
| JPH0764616B2 true JPH0764616B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=16421089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200237A Expired - Lifetime JPH0764616B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | セラミック材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0764616B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6835645B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-02-24 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびこれを用いた配線基板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115895A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Hitachi Ltd | Mullite sintered material and method of producing same |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200237A patent/JPH0764616B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04357162A (ja) | 1992-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0211619B1 (en) | A multilayer ceramic circuit board | |
| US4861646A (en) | Co-fired metal-ceramic package | |
| US4540621A (en) | Dielectric substrates comprising cordierite and method of forming the same | |
| EP0202858B1 (en) | A multilayered ceramic wiring circuit board and the method of producing the same | |
| JPH02160659A (ja) | 低誘電定数組成物 | |
| KR100284068B1 (ko) | 지지 기판상의 다층 세라믹 회로판용 전도성 비아 충전 잉크 | |
| JP3121990B2 (ja) | ガラス−セラミック基板 | |
| JP2001342063A (ja) | 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその製造方法 | |
| JP2001185824A (ja) | セラミック配線基板及びその製造方法 | |
| JP2003342060A (ja) | ガラスセラミック焼結体および配線基板 | |
| JP2003095746A (ja) | ガラスセラミック組成物、焼結体およびそれを用いた配線基板 | |
| JPH0764616B2 (ja) | セラミック材料 | |
| JP2523266B2 (ja) | 配線回路用セラミック基板の製造方法 | |
| JP3618422B2 (ja) | 高強度回路基板およびその製造方法 | |
| JP2002053369A (ja) | セラミック焼結体およびそれを用いた配線基板 | |
| JPS63295473A (ja) | 回路基板用誘電体材料 | |
| JP2648470B2 (ja) | 配線回路用セラミック基板 | |
| KR900006115B1 (ko) | 멀라이트계 세라믹 재료 | |
| JP3420426B2 (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
| JP2003277852A (ja) | 銅メタライズ組成物およびセラミック配線基板 | |
| JPS6357393B2 (ja) | ||
| JPH032816B2 (ja) | ||
| JPH0828558B2 (ja) | セラミツク基板及びその製造方法 | |
| JPH03116608A (ja) | 導体ペーストおよび導体 | |
| JPS6247198A (ja) | 多層配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |