JPH0762021B2 - 第４ホスホニウム化合物の製造方法 - Google Patents
第４ホスホニウム化合物の製造方法Info
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- JPH0762021B2 JPH0762021B2 JP61263052A JP26305286A JPH0762021B2 JP H0762021 B2 JPH0762021 B2 JP H0762021B2 JP 61263052 A JP61263052 A JP 61263052A JP 26305286 A JP26305286 A JP 26305286A JP H0762021 B2 JPH0762021 B2 JP H0762021B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は防腐剤、除草剤、植物成長制御剤、殺菌剤、帯
電防止剤、樹脂改質剤等として使用される第４ホスホニ
ウム化合物の製造方法に関するものである。さらに詳し
くは、第４ホスホニウム基を含有することを特徴とする
カチオン系化合物の製造方法に関するものである。即
ち、本発明は、 一般式、 ［但し、式中R1、R2、R3は炭素数１〜22のアルキル基、
炭素数１〜22のアルキル基を有するアルキルアリール
基、炭素数２〜22のアルケニル基、アリール基、アラル
キル基、ヒドロキシプロピル基、シアノエチル基、シク
ロヘキシル基、−CH2CH2CH2OR5（式中R5は−（BO）nH、
但し式中Ｂは炭素数１〜４のアルキレン基、スチリル
基、ｎは１〜50の整数または非整数）、R4は炭素数１〜
22のアルキル基、ベンジル基、シアノエチル基、フェネ
チル基、R6O（MO）mM−（式中R6は炭素数１〜22のアル
キル基、アルケニル基、炭素数１〜22のアルキル基を有
するアルキルアリール基、アリール基、Ｍは炭素数１〜
４のアルキレン基、フェネチル基、ｍは１〜100の整数
または非整数）Ａ はR7SO3 （式中R7はHOCH2CH2−、 CH2＝CH−CH2−、CH2＝CH−、HOCH2CH2CH2−、 R8−（式中R8は炭素数１〜22のアルキル基、炭素数１〜
22のアルキル基を有するアルキルベンゼン、 炭素数１〜22のアルコキシ基、 （式中R9は炭素数１〜13のアルキル基）である］で示さ
れる第４ホスホニウム化合物を製造するに際して、 一般式、 ［但し、式中R1、R2、R3、R4は一般式（１）と同じ、Ｙ
はC1、Br、Ｉ、Ｆから選択される］で示される第４ホス
ホニウム化合物と、 一般式、 R7SO3M・・・・（３） ［但し、式中R7はHOCH2CH2−、CH2＝CH−CH2−、CH2＝C
H−、HOCH2CH2CH2−、 R8−（R8は炭素数１〜22のアルキル基、炭素数１〜22の
アルキル基を有するアルキルベンゼン、炭素数１〜22の
アルコキシ基）、 、もしくは （R9は炭素数１〜13のアルキル基）、Ｍはアルカリ金属
原子もしくはアルカリ土類金属原子である］ で示される化合物を、炭素数１〜６の直鎖または分岐ア
ルコール、メチルエチルケトン、ジメチルスルホオキサ
イド、ジメチルホルムアミド、ジオキサン、酢酸エチ
ル、およびシクロヘキサノールから選らばれた少なくと
も１種以上の溶媒中で、一般式（１）で示される第４ホ
スホニウム化合物の少量の存在下、もしくは不存在下で
反応を行なうことを特徴とする一般式（１）で示される
第４ホスホニウム化合物の製造方法を提供するものであ
る。
電防止剤、樹脂改質剤等として使用される第４ホスホニ
ウム化合物の製造方法に関するものである。さらに詳し
くは、第４ホスホニウム基を含有することを特徴とする
カチオン系化合物の製造方法に関するものである。即
ち、本発明は、 一般式、 ［但し、式中R1、R2、R3は炭素数１〜22のアルキル基、
炭素数１〜22のアルキル基を有するアルキルアリール
基、炭素数２〜22のアルケニル基、アリール基、アラル
キル基、ヒドロキシプロピル基、シアノエチル基、シク
ロヘキシル基、−CH2CH2CH2OR5（式中R5は−（BO）nH、
但し式中Ｂは炭素数１〜４のアルキレン基、スチリル
基、ｎは１〜50の整数または非整数）、R4は炭素数１〜
22のアルキル基、ベンジル基、シアノエチル基、フェネ
チル基、R6O（MO）mM−（式中R6は炭素数１〜22のアル
キル基、アルケニル基、炭素数１〜22のアルキル基を有
するアルキルアリール基、アリール基、Ｍは炭素数１〜
４のアルキレン基、フェネチル基、ｍは１〜100の整数
または非整数）Ａ はR7SO3 （式中R7はHOCH2CH2−、 CH2＝CH−CH2−、CH2＝CH−、HOCH2CH2CH2−、 R8−（式中R8は炭素数１〜22のアルキル基、炭素数１〜
22のアルキル基を有するアルキルベンゼン、 炭素数１〜22のアルコキシ基、 （式中R9は炭素数１〜13のアルキル基）である］で示さ
れる第４ホスホニウム化合物を製造するに際して、 一般式、 ［但し、式中R1、R2、R3、R4は一般式（１）と同じ、Ｙ
はC1、Br、Ｉ、Ｆから選択される］で示される第４ホス
ホニウム化合物と、 一般式、 R7SO3M・・・・（３） ［但し、式中R7はHOCH2CH2−、CH2＝CH−CH2−、CH2＝C
H−、HOCH2CH2CH2−、 R8−（R8は炭素数１〜22のアルキル基、炭素数１〜22の
アルキル基を有するアルキルベンゼン、炭素数１〜22の
アルコキシ基）、 、もしくは （R9は炭素数１〜13のアルキル基）、Ｍはアルカリ金属
原子もしくはアルカリ土類金属原子である］ で示される化合物を、炭素数１〜６の直鎖または分岐ア
ルコール、メチルエチルケトン、ジメチルスルホオキサ
イド、ジメチルホルムアミド、ジオキサン、酢酸エチ
ル、およびシクロヘキサノールから選らばれた少なくと
も１種以上の溶媒中で、一般式（１）で示される第４ホ
スホニウム化合物の少量の存在下、もしくは不存在下で
反応を行なうことを特徴とする一般式（１）で示される
第４ホスホニウム化合物の製造方法を提供するものであ
る。
本発明における反応条件としては、一般的に反応溶媒の
種類によっても異なるが、30℃〜100℃の温度で３〜24
時間攪拌反応した後、生成するアルカリ金属ハライドも
しくはアルカリ土類ハライドを除去した後、濾液を濃縮
することにより一般式（１）で示される化合物を得るこ
とができる。
種類によっても異なるが、30℃〜100℃の温度で３〜24
時間攪拌反応した後、生成するアルカリ金属ハライドも
しくはアルカリ土類ハライドを除去した後、濾液を濃縮
することにより一般式（１）で示される化合物を得るこ
とができる。
なお、本発明の反応の際、反応生成物の10重量％以下の
量の一般式（１）の化合物を添加して反応を行なうこと
も可能である。
量の一般式（１）の化合物を添加して反応を行なうこと
も可能である。
本発明において、使用する一般式（２）で示される化合
物は、例えば、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマ
イド、テトラエチルホスホニウムクロライド、トリ−ｎ
−ブチルアリルホスホニウムブロマイド、トリ−ｎ−ブ
チルベンジルホスホニウムクロライド、トリ−ｎ−ブチ
ルヘキサデシルホスホニウムブロマイド、テトラフェニ
ルホスホニウムブロマイド、トリ−ｎ−オクチルエチル
ホスホニウムアイオダイド、トリ−フェニルブチルホス
ホニウムブロマイド、トリス−２−シアノエチルアリル
ホスホニウムクロライド、トリス−２−ヒドロキシプロ
ピルラウリルホスホニウムブロマイド、ジシクロヘキシ
ル−２−ヒドロキシプロピルアリルホスホニウムクロラ
イド、トリフェネチルベンジルホスホニウムクロライ
ド、ラウリルブチルジ（ヒドロキシトリエトキシ）プロ
ピルホスホニウムクロライド、ステアリルプロピルヒド
ロキシプロピルヒドロキシエチルホスホニウムアイオダ
イド、オクチルフェニルプロピルヒドロキシプロピルヒ
ドロキシエチルホスホニウムブロマイド、プロピルジヒ
ドロキシプロピルオレイルホスホニウムブロマイド等を
挙げることができる。また、一般式（３）で示される化
合物としては、例えば、ヒドロキシエタンスルホン酸ナ
トリウム、フェノールスルホン酸ナトリウム、パラトル
エンスルホン酸カリウム、アリルスルホン酸カリウム、
ビニルスルホン酸カリウム、オクチルフェノールスルホ
ン酸カリウム、フェノールスルホン酸マグネシウム、レ
ゾルシンスルホン酸カルシウム、スチレンスルホン酸ナ
トリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、ラウ
リル硫酸エステルカリウム塩、クレゾールスルホン酸カ
リウム等を挙げることができる。本発明に使用する一般
式（２）の化合物と一般式（３）の化合物の量的な関係
は、一般式（２）の化合物１モルに対して、一般式
（３）の化合物１〜1.5モルが好ましい。また、一般式
（２）の化合物と一般式（３）の化合物の合計量に対し
て10重量％以下の水分量を含有しても、何等さしつかえ
ない。本発明に使用する溶媒は、一般式（２）の化合
物、あるいは一般式（３）の化合物の両方、もしくは何
れか一方を溶解するものであれば、使用することができ
る。
物は、例えば、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマ
イド、テトラエチルホスホニウムクロライド、トリ−ｎ
−ブチルアリルホスホニウムブロマイド、トリ−ｎ−ブ
チルベンジルホスホニウムクロライド、トリ−ｎ−ブチ
ルヘキサデシルホスホニウムブロマイド、テトラフェニ
ルホスホニウムブロマイド、トリ−ｎ−オクチルエチル
ホスホニウムアイオダイド、トリ−フェニルブチルホス
ホニウムブロマイド、トリス−２−シアノエチルアリル
ホスホニウムクロライド、トリス−２−ヒドロキシプロ
ピルラウリルホスホニウムブロマイド、ジシクロヘキシ
ル−２−ヒドロキシプロピルアリルホスホニウムクロラ
イド、トリフェネチルベンジルホスホニウムクロライ
ド、ラウリルブチルジ（ヒドロキシトリエトキシ）プロ
ピルホスホニウムクロライド、ステアリルプロピルヒド
ロキシプロピルヒドロキシエチルホスホニウムアイオダ
イド、オクチルフェニルプロピルヒドロキシプロピルヒ
ドロキシエチルホスホニウムブロマイド、プロピルジヒ
ドロキシプロピルオレイルホスホニウムブロマイド等を
挙げることができる。また、一般式（３）で示される化
合物としては、例えば、ヒドロキシエタンスルホン酸ナ
トリウム、フェノールスルホン酸ナトリウム、パラトル
エンスルホン酸カリウム、アリルスルホン酸カリウム、
ビニルスルホン酸カリウム、オクチルフェノールスルホ
ン酸カリウム、フェノールスルホン酸マグネシウム、レ
ゾルシンスルホン酸カルシウム、スチレンスルホン酸ナ
トリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、ラウ
リル硫酸エステルカリウム塩、クレゾールスルホン酸カ
リウム等を挙げることができる。本発明に使用する一般
式（２）の化合物と一般式（３）の化合物の量的な関係
は、一般式（２）の化合物１モルに対して、一般式
（３）の化合物１〜1.5モルが好ましい。また、一般式
（２）の化合物と一般式（３）の化合物の合計量に対し
て10重量％以下の水分量を含有しても、何等さしつかえ
ない。本発明に使用する溶媒は、一般式（２）の化合
物、あるいは一般式（３）の化合物の両方、もしくは何
れか一方を溶解するものであれば、使用することができ
る。
溶媒としては、炭素数１〜６の直鎖、もしくは分岐アル
コール、酢酸エチル、ジオキサン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノール、ジメチルスルホオキシド、ジ
メチルホルムアルデヒド等が使用できるが、溶媒の使用
量は一般式（２）の化合物と一般式（３）の化合物の合
計量と等量ないし10倍量が適当である。
コール、酢酸エチル、ジオキサン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノール、ジメチルスルホオキシド、ジ
メチルホルムアルデヒド等が使用できるが、溶媒の使用
量は一般式（２）の化合物と一般式（３）の化合物の合
計量と等量ないし10倍量が適当である。
前述の通り、反応時間は３〜24時間で充分、反応が達成
され、反応終了後、反応系から溶媒に溶解している反応
生成物を濾別し、生成したアルカリ金属もしくはアルカ
リ土類金属ハライドより分離し、溶媒を除去することに
より、目的とする化合物を得ることができる。
され、反応終了後、反応系から溶媒に溶解している反応
生成物を濾別し、生成したアルカリ金属もしくはアルカ
リ土類金属ハライドより分離し、溶媒を除去することに
より、目的とする化合物を得ることができる。
さらに精製を必要とする場合は、反応生成物を炭素数１
〜６の直鎖または分岐アルコールに溶解した後、濾別
し、濃縮するか、アセトンに溶解した後、濾別し、濃縮
するか、冷却して結晶として析出させる方法により、目
的とする化合物を得ることができる。
〜６の直鎖または分岐アルコールに溶解した後、濾別
し、濃縮するか、アセトンに溶解した後、濾別し、濃縮
するか、冷却して結晶として析出させる方法により、目
的とする化合物を得ることができる。
また、本発明の方法において、反応系内に相当する一般
式（１）の化合物を一般式（２）および一般式（３）の
化合物の合計量の10wt.％以下を添加するか、または一
般式（２）の化合物において、クロライド、ブロマイド
を使用する場合、一般式（２）の化合物の10wt.％以下
の沃化アルカリを添加してもよい。又反応時着色防止の
ため少量の窒素ガスを通入してもよい。
式（１）の化合物を一般式（２）および一般式（３）の
化合物の合計量の10wt.％以下を添加するか、または一
般式（２）の化合物において、クロライド、ブロマイド
を使用する場合、一般式（２）の化合物の10wt.％以下
の沃化アルカリを添加してもよい。又反応時着色防止の
ため少量の窒素ガスを通入してもよい。
次に本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１ テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド33.9g、パ
ラトルエンスルホン酸カリウム22g、イソブタノール200
gを攪拌機、冷却コンデンサー付四ツ口フラスコに入れ
少量の窒素ガスを通入しつつ、40〜50℃、６時間反応さ
せた。そして生成した沈澱物を濾別後、沈澱物を30mlの
イソブタノールで洗浄後、濾液を減圧濃縮する。その濃
縮物をアセトン200mlに溶解して不溶解物を濾別し、ア
セトンを濃縮留去した。
ラトルエンスルホン酸カリウム22g、イソブタノール200
gを攪拌機、冷却コンデンサー付四ツ口フラスコに入れ
少量の窒素ガスを通入しつつ、40〜50℃、６時間反応さ
せた。そして生成した沈澱物を濾別後、沈澱物を30mlの
イソブタノールで洗浄後、濾液を減圧濃縮する。その濃
縮物をアセトン200mlに溶解して不溶解物を濾別し、ア
セトンを濃縮留去した。
濃縮物の収量40g［計算値42.9g］ テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムパラトルエンスルホン
酸としての分析値 Br:0.05％ SO3（結合）:7.40％ ［計算値 7.45］ C:64:13％ ［計算値64.29］ H:10.05％ ［計算値10.11］ O:10.98％ ［計算値11.18］ P: 7.10％ ［計算値 7.22］ 実施例２ トリ−ｎ−オクチルエチルホスホニウムブロマイド47.9
g、フェノールスルホン酸カリウム20.8g、イソプロパノ
ール200g、沃化カリ3.5gを攪拌機、冷却コンデンサー
付、四ツ口フラスコに入れ少量の窒素ガスを通し、50
℃、４時間反応する。生成する沈澱物を濾別後、沈澱物
を30mlのイソプロパノールで洗浄後、濾液を減圧濃縮
し、イソプロパノールを留去する。濃縮物を再度イソプ
ロパノールに溶解し、不溶解物を濾別し、イソプロパノ
ール溶液からイソプロパノールを減圧留去する。
酸としての分析値 Br:0.05％ SO3（結合）:7.40％ ［計算値 7.45］ C:64:13％ ［計算値64.29］ H:10.05％ ［計算値10.11］ O:10.98％ ［計算値11.18］ P: 7.10％ ［計算値 7.22］ 実施例２ トリ−ｎ−オクチルエチルホスホニウムブロマイド47.9
g、フェノールスルホン酸カリウム20.8g、イソプロパノ
ール200g、沃化カリ3.5gを攪拌機、冷却コンデンサー
付、四ツ口フラスコに入れ少量の窒素ガスを通し、50
℃、４時間反応する。生成する沈澱物を濾別後、沈澱物
を30mlのイソプロパノールで洗浄後、濾液を減圧濃縮
し、イソプロパノールを留去する。濃縮物を再度イソプ
ロパノールに溶解し、不溶解物を濾別し、イソプロパノ
ール溶液からイソプロパノールを減圧留去する。
濃縮物の収量52g［計算値55.7g］トリオクチルエチルホ
スホニウムフェノールスルホン酸としての分析値 Br:0.01％ SO3 :14.0％ ［計算値14.3］ C:68.1％ ［計算値68.9］ H:10.5％ ［計算値10.9］ O: 8.0％ ［計算値 8.6］ P: 5.3％ ［計算値 5.6］ 実施例３ トリフェニルブチルホスホニウムクロライド35.4、イセ
チオン酸ナトリウム14.8g、イソプロパノール100g、沃
化ナトリウム3gを攪拌機、冷却コンデンサー付四ツ口フ
ラスコに入れ60℃にて８時間反応した。１夜間放置後、
沈澱物を濾別し、イソプロパノール200gにより沈澱物を
洗浄して、イソプロパノール溶液を濃縮する。濃縮物を
イソプロパノール100gにて、加熱溶解し、冷却後、不溶
解物を濾別して、濾液を濃縮した。
スホニウムフェノールスルホン酸としての分析値 Br:0.01％ SO3 :14.0％ ［計算値14.3］ C:68.1％ ［計算値68.9］ H:10.5％ ［計算値10.9］ O: 8.0％ ［計算値 8.6］ P: 5.3％ ［計算値 5.6］ 実施例３ トリフェニルブチルホスホニウムクロライド35.4、イセ
チオン酸ナトリウム14.8g、イソプロパノール100g、沃
化ナトリウム3gを攪拌機、冷却コンデンサー付四ツ口フ
ラスコに入れ60℃にて８時間反応した。１夜間放置後、
沈澱物を濾別し、イソプロパノール200gにより沈澱物を
洗浄して、イソプロパノール溶液を濃縮する。濃縮物を
イソプロパノール100gにて、加熱溶解し、冷却後、不溶
解物を濾別して、濾液を濃縮した。
濃縮物の収量41g ［計算値44.4g］ トリフェニルブチルホスホニウムイセチオン酸としての
分析値 C1:0.1％ SO3（結合）:17.5％ ［計算値18.0］ C:64.3％ ［計算値64.8］ H: 6.1％ ［計算値 6.3］ O:10.5％ ［計算値10.8］ P: 7.0％ ［計算値 6.9］ 実施例４ ５％含水クレーゾールスルホン酸カリウム22.1g、トリ
スヒドロキシプロピルオレイルホスホニウムクロライド
48.0g、イソブタノール200gを攪拌機、冷却コンデンサ
ー付四ツ口フラスコに入れ少量の窒素ガスを通入しつ
つ、40〜50℃、６時間反応させた。そして、生成した沈
殿物を濾別後、沈殿物を30mlのイソブタノールで洗浄
後、濾液を減圧濃縮する。その濃縮物をアセトン200ml
に溶解して不溶解物を濾別し、アセトンを濃縮留去し
た。
分析値 C1:0.1％ SO3（結合）:17.5％ ［計算値18.0］ C:64.3％ ［計算値64.8］ H: 6.1％ ［計算値 6.3］ O:10.5％ ［計算値10.8］ P: 7.0％ ［計算値 6.9］ 実施例４ ５％含水クレーゾールスルホン酸カリウム22.1g、トリ
スヒドロキシプロピルオレイルホスホニウムクロライド
48.0g、イソブタノール200gを攪拌機、冷却コンデンサ
ー付四ツ口フラスコに入れ少量の窒素ガスを通入しつ
つ、40〜50℃、６時間反応させた。そして、生成した沈
殿物を濾別後、沈殿物を30mlのイソブタノールで洗浄
後、濾液を減圧濃縮する。その濃縮物をアセトン200ml
に溶解して不溶解物を濾別し、アセトンを濃縮留去し
た。
濃縮物の収量60.5g ［計算値61.7g］ 分析値 C1:0.2％ SO3（結合）:12.2％ ［計算値13.0］ C:62.9％ ［計算値64.2］ H:9.7％ ［計算値 9.9］ O:14.8％ ［計算値15.6］ P: 5.2％ ［計算値 5.0］ 実施例５ トリ−ｎ−ブチルヘキサデシルホスホニウムブロマイド
50.8g、イセチオン酸ナトリウム14.8g、メチルエチルケ
トン200g、トリ−ｎ−ブチルヘキサデシルホスホニウム
イセチオン酸5.5gを攪拌機、冷却コンデンサー付四ツ口
フラスコに入れ80℃にて４時間反応させた。１夜間放置
後、沈澱物を濾別し、メチルエチルケトン20gにより沈
澱物を洗浄し、メチルエチルケトン溶液を減圧濃縮し
た。
50.8g、イセチオン酸ナトリウム14.8g、メチルエチルケ
トン200g、トリ−ｎ−ブチルヘキサデシルホスホニウム
イセチオン酸5.5gを攪拌機、冷却コンデンサー付四ツ口
フラスコに入れ80℃にて４時間反応させた。１夜間放置
後、沈澱物を濾別し、メチルエチルケトン20gにより沈
澱物を洗浄し、メチルエチルケトン溶液を減圧濃縮し
た。
濃縮物の収量52.0g ［計算値55.3g］ トリ−ｎ−ブチルヘキサデシルホスホニウムイセチオン
酸としての分析値 Br:0.1％ SO3（結合）:14.1％ ［計算値14.5］ C:64.7％ ［計算値65.1］ H:11.5％ ［計算値11.8］ O:11.3％ ［計算値11.6］ P:5.5％ ［計算値 5.6］
酸としての分析値 Br:0.1％ SO3（結合）:14.1％ ［計算値14.5］ C:64.7％ ［計算値65.1］ H:11.5％ ［計算値11.8］ O:11.3％ ［計算値11.6］ P:5.5％ ［計算値 5.6］
Claims (1)
- 【請求項１】一般式、 ［但し、式中R1、R2、R3は炭素数１〜22のアルキル基、
炭素数１〜22のアルキル基を有するアルキルアリール
基、炭素数２〜22のアルケニル基、アリール基、アラル
キル基、ヒドロキシプロピル基、シアノエチル基、シク
ロヘキシル基、−CH2CH2CH2OR5（式中R5は−（BO）nH、
但し式中Ｂは炭素数１〜４のアルキレン基、スチリル
基、ｎは１〜50の整数または非整数）、R4は炭素数１〜
22のアルキル基、ベンジル基、シアノエチル基、フェネ
チル基、R6O（MO）mM−（式中R6は炭素数１〜22のアル
キル基、アルケニル基、炭素数１〜22のアルキル基を有
するアルキルアリール基、アリール基、Ｍは炭素数１〜
４のアルキレン基、フェネチル基、ｍは１〜100の整数
または非整数）Ａ はR7SO3 （式中R7はHOCH2CH2−、 CH2＝CH−CH2−、CH2＝CH−、HOCH2CH2CH2−、 R8−（式中R8は炭素数１〜22のアルキル基、炭素数１〜
22のアルキル基を有するアルキルベンゼン、 炭素数１〜22のアルコキシ基、 （式中R9は炭素数１〜13のアルキル基）である］で示さ
れる第４ホスホニウム化合物を製造するに際して、 一般式、 ［但し、式中R1、R2、R3、R4は一般式（１）と同じ、Ｙ
はC1、Br、Ｉ、Ｆから選択される］で示される第４ホス
ホニウム化合物と、 一般式、 R7SO3M・・・・（３） ［但し、式中R7はHOCH2CH2−、CH2＝CH−CH2−、CH2＝C
H−、HOCH2CH2CH2−、 R8−（R8は炭素数１〜22のアルキル基、炭素数１〜22の
アルキル基を有するアルキルベンゼン、炭素数１〜22の
アルコキシ基）、 、もしくは （R9は炭素数１〜13のアルキル基）、Ｍは アルカリ金属原子もしくはアルカリ土類金属原子であ
る］ で示される化合物を、炭素数１〜６の直鎖または分岐ア
ルコール、メチルエチルケトン、ジメチルスルホオキサ
イド、ジメチルホルムアミド、ジオキサン、酢酸エチ
ル、およびシクロヘキサノールから選らばれた少なくと
も１種以上の溶媒中で、一般式（１）で示される第４ホ
スホニウム化合物の少量の存在下、もしくは不存在下で
反応を行なうことを特徴とする一般式（１）で示される
第４ホスホニウム化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61263052A JPH0762021B2 (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 第４ホスホニウム化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61263052A JPH0762021B2 (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 第４ホスホニウム化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119490A JPS63119490A (ja) | 1988-05-24 |
| JPH0762021B2 true JPH0762021B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17384187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61263052A Expired - Lifetime JPH0762021B2 (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 第４ホスホニウム化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762021B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CA2308896A1 (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-18 | Allan James Robertson | Phosphonium salts |
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| CA2424215C (en) | 2003-03-31 | 2008-11-18 | Cytec Canada Inc. | Phosphonium salts and methods of their preparation |
Citations (1)
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1986
- 1986-11-05 JP JP61263052A patent/JPH0762021B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3535219A (en) | 1967-11-28 | 1970-10-20 | Procter & Gamble | Process for the preparation of phosphonioalkane sulfonates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63119490A (ja) | 1988-05-24 |
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