JPH0758823B2 - 幾何学的ドーピング法および同法により製造の電子デバイス - Google Patents
幾何学的ドーピング法および同法により製造の電子デバイスInfo
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- JPH0758823B2 JPH0758823B2 JP2511297A JP51129790A JPH0758823B2 JP H0758823 B2 JPH0758823 B2 JP H0758823B2 JP 2511297 A JP2511297 A JP 2511297A JP 51129790 A JP51129790 A JP 51129790A JP H0758823 B2 JPH0758823 B2 JP H0758823B2
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は半導体デバイスのパターニングに関する。より
詳細には、成長後の半導体層中に電流狭窄、即ち電流絶
縁のため横方向に限界を付ける方法およびこの方法で作
られた電子デバイスに関する。
詳細には、成長後の半導体層中に電流狭窄、即ち電流絶
縁のため横方向に限界を付ける方法およびこの方法で作
られた電子デバイスに関する。
発明の背景 非常に単純な電子部品またはオプトエレクトロニクス部
品は別として殆どの電子部品は、１または２以上の半導
体層または絶縁層に何らかの横方向の限界付けを必要と
している。同様に電子集積回路またはオプトエレクトロ
ニクス集積回路も、多数の分離独立した電子素子または
光学素子を一つのチップ上に有しており、その分離独立
性を維持するようにチップ上で横方向に限界付けをして
おく必要がある。半導体ウエハ中に横方向における形状
［features］を得る通常のパターニング法はフォトリソ
グラフィ（写真食刻）である。フォトリソグラフィには
いくつもの方法があるが、僅かな例外を除いて、横方向
に形状をつけるには、フォトリソグラフィされたホトレ
ジストで行わなければならない。次のエッチング工程
で、そのホトレジストの形状を別の層に再現するのであ
る。
品は別として殆どの電子部品は、１または２以上の半導
体層または絶縁層に何らかの横方向の限界付けを必要と
している。同様に電子集積回路またはオプトエレクトロ
ニクス集積回路も、多数の分離独立した電子素子または
光学素子を一つのチップ上に有しており、その分離独立
性を維持するようにチップ上で横方向に限界付けをして
おく必要がある。半導体ウエハ中に横方向における形状
［features］を得る通常のパターニング法はフォトリソ
グラフィ（写真食刻）である。フォトリソグラフィには
いくつもの方法があるが、僅かな例外を除いて、横方向
に形状をつけるには、フォトリソグラフィされたホトレ
ジストで行わなければならない。次のエッチング工程
で、そのホトレジストの形状を別の層に再現するのであ
る。
電子集積回路、特にオプトエレクトロニクス集積回路は
多数の層を必要とする。回路の複雑さを測る１基準は、
フォトリソグラフィ作業の一連の手順中にその回路を製
造するのに要求されるフォトマスク数すなわちマスクの
レベル［mask level］数で表される。各マスクレベルは
通常、ホトレジストのスピニング、写真露光、マスク形
成のためのホトレジスト現像、マスクを通した基板のエ
ッチング、およびマスク除去、といった工程を必要とす
る。各マスクレベルはこのように、製造コスト、また製
造工場における設備を増やす原因となっている。
多数の層を必要とする。回路の複雑さを測る１基準は、
フォトリソグラフィ作業の一連の手順中にその回路を製
造するのに要求されるフォトマスク数すなわちマスクの
レベル［mask level］数で表される。各マスクレベルは
通常、ホトレジストのスピニング、写真露光、マスク形
成のためのホトレジスト現像、マスクを通した基板のエ
ッチング、およびマスク除去、といった工程を必要とす
る。各マスクレベルはこのように、製造コスト、また製
造工場における設備を増やす原因となっている。
さらにオプトエレクトロニクスデバイス、例えばレーザ
のフォトリソグラフィによる限界付けには別の問題もあ
る。一般にレーザのような単一モード光素子にとって、
活性なレーザ媒体は光波長に近い横方向の寸法をもつよ
うにフォトリソグラフィにより微細加工されている。と
きとして空気または真空がクラッドとして使われるが、
多くはその後、クラッド材料を限界付けられた媒体に隣
接するように成長させるのである。しかしそれにも拘わ
らず、エッチング後に周囲に暴されるその活性媒体を境
界付ける境界面ができてしまう。こうした境界面はレー
ザ機能を低下させる多数の電子的表面準位［electronic
surface states］をもちがちである。
のフォトリソグラフィによる限界付けには別の問題もあ
る。一般にレーザのような単一モード光素子にとって、
活性なレーザ媒体は光波長に近い横方向の寸法をもつよ
うにフォトリソグラフィにより微細加工されている。と
きとして空気または真空がクラッドとして使われるが、
多くはその後、クラッド材料を限界付けられた媒体に隣
接するように成長させるのである。しかしそれにも拘わ
らず、エッチング後に周囲に暴されるその活性媒体を境
界付ける境界面ができてしまう。こうした境界面はレー
ザ機能を低下させる多数の電子的表面準位［electronic
surface states］をもちがちである。
横方向のパターンを実現するための一つの新規なアプロ
ーチは、Kaponらにより「エピタキシャル成長によって
非プレーナ形基板上に半導体の超格子ヘテロ構造を横方
向にパターン付けする方法」と題するProceedings of S
PIE（第994巻、1988年、80〜91頁）中に掲載された技術
論文中に開示されている。この技術は、異なる結晶面は
異なる成長速度をもっている点に着目したものである。
そこでは結晶基板中に１本の溝をパターニングした後、
その溝中およびそれを囲むプレーナ領域上の双方に多重
層を成長させている。異なる成長速度のため、層の厚さ
は溝付近で変化する。非常に薄い層を形成する場合、量
子井戸効果によってバンドギャップが層厚依存性になる
ことを利用する。したがって横方向にバンドギャップ的
に変形する諸態様が溝の断面上に現われることになり、
これを横方向に光を閉じ込めるのに利用することができ
る。しかしこの効果は量子井戸関連の極めて微細な技術
を必要とする。さらに横方向の電流狭窄は極めて貧弱な
ので、必要な狭窄を作り出すためプロトンボンバードメ
ント［proton bombardment］のような余分な工程も必要
になる。こうした技術ではアラインメントが極めて重要
になってくる。
ーチは、Kaponらにより「エピタキシャル成長によって
非プレーナ形基板上に半導体の超格子ヘテロ構造を横方
向にパターン付けする方法」と題するProceedings of S
PIE（第994巻、1988年、80〜91頁）中に掲載された技術
論文中に開示されている。この技術は、異なる結晶面は
異なる成長速度をもっている点に着目したものである。
そこでは結晶基板中に１本の溝をパターニングした後、
その溝中およびそれを囲むプレーナ領域上の双方に多重
層を成長させている。異なる成長速度のため、層の厚さ
は溝付近で変化する。非常に薄い層を形成する場合、量
子井戸効果によってバンドギャップが層厚依存性になる
ことを利用する。したがって横方向にバンドギャップ的
に変形する諸態様が溝の断面上に現われることになり、
これを横方向に光を閉じ込めるのに利用することができ
る。しかしこの効果は量子井戸関連の極めて微細な技術
を必要とする。さらに横方向の電流狭窄は極めて貧弱な
ので、必要な狭窄を作り出すためプロトンボンバードメ
ント［proton bombardment］のような余分な工程も必要
になる。こうした技術ではアラインメントが極めて重要
になってくる。
Jaeckelらは最近、溝中にレーザを成長させる方法につ
きApplied Physics Lettersの第55巻、1989年、1059〜1
061頁に「分子線エピタキシにより成長させたハイパワ
ー基本モードAlGaAs量子井戸チャネル基板レーザ」と題
する技術論文を発表している。平底の溝をGaAsの（10
0）基板中に形成した後、傾斜屈折率形分離閉じ込めヘ
テロ構造レーザをGaAs量子井戸を活性層としてAlGaAsを
主に成長させている。下層のAlGaAsクラッド層は均一に
ドープされたｐ形である。しかし上層のAlGaAsクラッド
層は、溝の外側および底部に露出する｛100｝面上にｎ
形ドーピングを行い、また溝の側部に露出する｛311｝
Ａ面上にｐ形ドーピングを行うように両性［amphoteri
c］なSiでドープされている。これによって上のクラッ
ド層中に横方向に電流狭窄を達成することができる。こ
の技術はしかしあまり使われていない。というのはドー
パントと基板の結晶方位の特別な組合せが要求されるか
らである。さらに上のクラッド層中でのｐ形ドーピング
は溝の側部までしか広がらない。その後この層は再びｎ
形になってしまう。したがって上層の電流電極は溝幅内
に制限されることになっている。
きApplied Physics Lettersの第55巻、1989年、1059〜1
061頁に「分子線エピタキシにより成長させたハイパワ
ー基本モードAlGaAs量子井戸チャネル基板レーザ」と題
する技術論文を発表している。平底の溝をGaAsの（10
0）基板中に形成した後、傾斜屈折率形分離閉じ込めヘ
テロ構造レーザをGaAs量子井戸を活性層としてAlGaAsを
主に成長させている。下層のAlGaAsクラッド層は均一に
ドープされたｐ形である。しかし上層のAlGaAsクラッド
層は、溝の外側および底部に露出する｛100｝面上にｎ
形ドーピングを行い、また溝の側部に露出する｛311｝
Ａ面上にｐ形ドーピングを行うように両性［amphoteri
c］なSiでドープされている。これによって上のクラッ
ド層中に横方向に電流狭窄を達成することができる。こ
の技術はしかしあまり使われていない。というのはドー
パントと基板の結晶方位の特別な組合せが要求されるか
らである。さらに上のクラッド層中でのｐ形ドーピング
は溝の側部までしか広がらない。その後この層は再びｎ
形になってしまう。したがって上層の電流電極は溝幅内
に制限されることになっている。
発明の概要 そこで本発明の１目的は、製造過程で使用されるマスク
レベル［mask levels］数を少なくした電子デバイスを
提供することである。
レベル［mask levels］数を少なくした電子デバイスを
提供することである。
他の目的は、フォトリソグラフィを経ないで横方向の境
界面を形成することができる電子デバイスを提供するこ
とにある。
界面を形成することができる電子デバイスを提供するこ
とにある。
さらに他の目的は、同様にしてオプトエレクトロニクス
デバイスを提供することである。
デバイスを提供することである。
その方法とは要約すれば次のようなものである。すなわ
ち横方向にパターニングされる構造体の成長法であっ
て、化合物半導体の基板が、後になって形成されるエピ
タキシャル層のドーピング濃度がその溝付き基板の局部
的な結晶方位に依存するような結晶方位を持つ溝を形成
するものである。その後でエピタキシャル構造を成長さ
せる。１実施例においてその構造は、第１半導体形の高
濃度層と、第２半導体形の低濃度層が交互に重なり合う
超格子を少なくとも１つもつ。結晶方位および基板次第
で、超格子ドーピングを溝付き基板の１領域上に維持す
るが、別の領域上では均一な第１または第２半導体形を
形成するように拡散するもので、この半導体形は、結晶
方位、層の厚さ、ならびにドーパント濃度に左右され
る。維持される超格子の接合は均一な導電性領域を通っ
てくる電流を阻止することができる。別の実施例は、エ
ピタキシャル成長をｎ形ドーパントについてもｐ形ドー
パントについてもその両者に行なうものである。しかし
局部的な結晶方位によっては、単一の成長が１領域にｎ
形半導体領域を作り出し、別領域にはｐ形半導体領域を
作ることがある。
ち横方向にパターニングされる構造体の成長法であっ
て、化合物半導体の基板が、後になって形成されるエピ
タキシャル層のドーピング濃度がその溝付き基板の局部
的な結晶方位に依存するような結晶方位を持つ溝を形成
するものである。その後でエピタキシャル構造を成長さ
せる。１実施例においてその構造は、第１半導体形の高
濃度層と、第２半導体形の低濃度層が交互に重なり合う
超格子を少なくとも１つもつ。結晶方位および基板次第
で、超格子ドーピングを溝付き基板の１領域上に維持す
るが、別の領域上では均一な第１または第２半導体形を
形成するように拡散するもので、この半導体形は、結晶
方位、層の厚さ、ならびにドーパント濃度に左右され
る。維持される超格子の接合は均一な導電性領域を通っ
てくる電流を阻止することができる。別の実施例は、エ
ピタキシャル成長をｎ形ドーパントについてもｐ形ドー
パントについてもその両者に行なうものである。しかし
局部的な結晶方位によっては、単一の成長が１領域にｎ
形半導体領域を作り出し、別領域にはｐ形半導体領域を
作ることがある。
図面の簡単な説明 図１は本発明に係る超格子電流絶縁領域を利用する二重
ヘテロ構造レーザの断面図である。
ヘテロ構造レーザの断面図である。
図２は図１のレーザの電子顕微鏡写真で図１と同一断面
上に撮影したものである。
上に撮影したものである。
図３は本発明に従い構築した横方向へのpn構造の断面図
である。
である。
図４は別の実施例であって、レーザがプレーナ領域に形
成される別のヘテロ構造のレーザの断面図である。
成される別のヘテロ構造のレーザの断面図である。
図５は図４のヘテロ構造レーザの改良形の断面図であ
る。
る。
発明の詳細な説明 本発明の第１実施例は二重ヘテロ構造レーザに係るが、
図１に断面図で示してある。下方クラッド層10と活性層
12が連続的に形成されている。その後超格子構造14が成
長させられており、この超格子構造14は、上方クラッデ
ィング域16と、それを取り囲む電流狭窄域18と、に分け
られる。フォトリソグラフィで溝20を基板22中に設ける
工程を除けば、横方向の限界付けは少しも必要でない。
それにも拘わらず電流は、溝20内での幾何学的ドーピン
グのため、溝20上を被覆する上方クラッディング域16中
に狭窄される。この実施例は実験的に次のように変形す
ることもできる。
図１に断面図で示してある。下方クラッド層10と活性層
12が連続的に形成されている。その後超格子構造14が成
長させられており、この超格子構造14は、上方クラッデ
ィング域16と、それを取り囲む電流狭窄域18と、に分け
られる。フォトリソグラフィで溝20を基板22中に設ける
工程を除けば、横方向の限界付けは少しも必要でない。
それにも拘わらず電流は、溝20内での幾何学的ドーピン
グのため、溝20上を被覆する上方クラッディング域16中
に狭窄される。この実施例は実験的に次のように変形す
ることもできる。
すなわち、基板22は±0.5゜内で［100］方向に結晶方位
された１主表面をもつInPであった。この基板22はn+と
なってレーザのため電流電極として動作するためＳ（硫
黄）でドーピングされている。溝20は1.5μｍのアパー
チャを持つSiO2マスクを用いて［01］方向にフォトリ
ソグラフィで形成し、それからＶ字形の溝20を作るため
H3PO4:HCl（重量比3:1）中で１分間エッチングした。エ
ッチング時間を短くすると平底の溝を作るようであっ
た。［01］方向に結晶方位された溝は｛211｝Ａ面に
近い側壁をもつことが観察された。エッチング後、SiO2
マスクをバッファ弗酸で取り除いた。溝を付けられた基
板22は、エピタキシャル成長前に、脱脂され、H2SO4:H2
O2:H2O（重量比5:1:1）中で室温にてエッチングされ
た。この最後のエッチングは測定できるほどの量の物質
を何も取り除かなかったのであり、したがって溝20の形
に何ら影響していない。
された１主表面をもつInPであった。この基板22はn+と
なってレーザのため電流電極として動作するためＳ（硫
黄）でドーピングされている。溝20は1.5μｍのアパー
チャを持つSiO2マスクを用いて［01］方向にフォトリ
ソグラフィで形成し、それからＶ字形の溝20を作るため
H3PO4:HCl（重量比3:1）中で１分間エッチングした。エ
ッチング時間を短くすると平底の溝を作るようであっ
た。［01］方向に結晶方位された溝は｛211｝Ａ面に
近い側壁をもつことが観察された。エッチング後、SiO2
マスクをバッファ弗酸で取り除いた。溝を付けられた基
板22は、エピタキシャル成長前に、脱脂され、H2SO4:H2
O2:H2O（重量比5:1:1）中で室温にてエッチングされ
た。この最後のエッチングは測定できるほどの量の物質
を何も取り除かなかったのであり、したがって溝20の形
に何ら影響していない。
洗浄された基板22は次に、76Torrで運転される水平なOM
CVD（有機金属気相成長）室に入れられた。基板は、水
素とホスフィン（２×10-2モルフラクション）とからな
る雰囲気中で〜２分間、OMCVD成長温度の625℃に加熱さ
れた。InPの下方クラッド層10は１μｍの厚さに成長さ
せられ、ｎ形不純物が１×1018cm-3までドープされた。
InPをトリメチルインジウムとホスフィンから成長さ
せ、硫化水素を使ってＳ（硫黄）によるｎ形ドーピング
を行った。その後の工程でジエチル亜鉛［diethylzin
c］を使ってZnによるｐ形ドーピングを行った。全ドー
ピング濃度ならびに層厚は、InPのプレーナ（100）表面
への別々の成長およびこれらプレーナ層の測定に基づき
目盛定め［calibrate］した。
CVD（有機金属気相成長）室に入れられた。基板は、水
素とホスフィン（２×10-2モルフラクション）とからな
る雰囲気中で〜２分間、OMCVD成長温度の625℃に加熱さ
れた。InPの下方クラッド層10は１μｍの厚さに成長さ
せられ、ｎ形不純物が１×1018cm-3までドープされた。
InPをトリメチルインジウムとホスフィンから成長さ
せ、硫化水素を使ってＳ（硫黄）によるｎ形ドーピング
を行った。その後の工程でジエチル亜鉛［diethylzin
c］を使ってZnによるｐ形ドーピングを行った。全ドー
ピング濃度ならびに層厚は、InPのプレーナ（100）表面
への別々の成長およびこれらプレーナ層の測定に基づき
目盛定め［calibrate］した。
活性層12は、活性レーザ領域として機能させるためOMCV
Dで下方クラッド層10上にエピタキシャル成長させた。
活性層12は0.2μｍ厚でドーピング工程を格別行わなか
った。活性層はInPに（100）表面上で格子を合致させる
InGaAsPの４元素化合物をもっており、また室温で1.3μ
ｍのホトルミネセンスピーク波長をもっていた。
Dで下方クラッド層10上にエピタキシャル成長させた。
活性層12は0.2μｍ厚でドーピング工程を格別行わなか
った。活性層はInPに（100）表面上で格子を合致させる
InGaAsPの４元素化合物をもっており、また室温で1.3μ
ｍのホトルミネセンスピーク波長をもっていた。
その後、超格子域14がｎ形とｐ形のInPの交互に入れ替
わる層の形にOMCVDで成長させられた。超格子は成長す
ると、ｎ＝７×1018cm13でドープされたｎ形InP層24
と、ｐ＝７×1017cm-3でドープされたｐ形InP層26の20
個の周期［periods］で構成された。ｎ形およびｐ形のI
nP超格子24、26は共に55nmの厚さであった。最後にInGa
AsPのp+コンタクト層28を0.2μｍの厚さ、ｐ＝１×1018
cm-3の濃度に成長させた。このコンタクト層28は、レー
ザの第２上方電極用の低いコンタクト抵抗を確保するた
め浅いZn拡散をした。ｐコンタクトは、溝20上に対応し
て形成されたSiO2マスク中の５μｍ幅の開口部を通して
形成される。
わる層の形にOMCVDで成長させられた。超格子は成長す
ると、ｎ＝７×1018cm13でドープされたｎ形InP層24
と、ｐ＝７×1017cm-3でドープされたｐ形InP層26の20
個の周期［periods］で構成された。ｎ形およびｐ形のI
nP超格子24、26は共に55nmの厚さであった。最後にInGa
AsPのp+コンタクト層28を0.2μｍの厚さ、ｐ＝１×1018
cm-3の濃度に成長させた。このコンタクト層28は、レー
ザの第２上方電極用の低いコンタクト抵抗を確保するた
め浅いZn拡散をした。ｐコンタクトは、溝20上に対応し
て形成されたSiO2マスク中の５μｍ幅の開口部を通して
形成される。
ｎ形およびｐ形の超格子層24、26は溝20を連続的に横切
るように配置されているが、溝20の上方クラッディング
域16は均一にｐ形であった。図２は、図１のものに極め
て類似する構造の断面のSEM［scanning elctron microg
raph］、つまり走査形電子顕微鏡写真であるが、ｎ形層
をｐ形層から輪郭付けるため、KOH12g、KFe（CN）69gお
よび75ccの水でエッチングされている。均一なｐ形域が
溝20を被覆する溝領域にある超格子から形成されている
が、その超格子は溝20から離れた基板のプレーナ領域中
では無傷のまま残っていることが明確に分かる。
るように配置されているが、溝20の上方クラッディング
域16は均一にｐ形であった。図２は、図１のものに極め
て類似する構造の断面のSEM［scanning elctron microg
raph］、つまり走査形電子顕微鏡写真であるが、ｎ形層
をｐ形層から輪郭付けるため、KOH12g、KFe（CN）69gお
よび75ccの水でエッチングされている。均一なｐ形域が
溝20を被覆する溝領域にある超格子から形成されている
が、その超格子は溝20から離れた基板のプレーナ領域中
では無傷のまま残っていることが明確に分かる。
いくつかのメカニズムがこれに関係しているようであ
る。別途行った実験では、Ｓ（硫黄）をドープした層と
Znをドープした層を、（100）InP基板と（111）Ａ面InP
基板の両方に成長させた。（100）基板上のｎ＝1.8×10
18cm-3と、ｐ＝７×1017cm-3のドーピング濃度［doping
levels］にとって、（111）Ａ基板にとっての同一成長
条件にある対応するドーピング濃度は、ｎ＝1.8×1017c
m-3、ｐ＝４×1018cm-3であった。ということは、Znと
の組み合わせが（100）基板よりも（111）Ａ基板にとり
より高いのに対し、対応するＳ（硫黄）の組み合わせ比
率は逆であることを意味する。これらの層は近隣層から
ドーパントを有意味に拡散させるに十分に薄い。具体的
には、溝20のが側壁上にあるｐ形層26中の添加されたｐ
形ドーパントZnは、ｎ形層24の抑制されたｎ形ドーピン
グを縦に拡散し、過補償しているものと考えられる。
る。別途行った実験では、Ｓ（硫黄）をドープした層と
Znをドープした層を、（100）InP基板と（111）Ａ面InP
基板の両方に成長させた。（100）基板上のｎ＝1.8×10
18cm-3と、ｐ＝７×1017cm-3のドーピング濃度［doping
levels］にとって、（111）Ａ基板にとっての同一成長
条件にある対応するドーピング濃度は、ｎ＝1.8×1017c
m-3、ｐ＝４×1018cm-3であった。ということは、Znと
の組み合わせが（100）基板よりも（111）Ａ基板にとり
より高いのに対し、対応するＳ（硫黄）の組み合わせ比
率は逆であることを意味する。これらの層は近隣層から
ドーパントを有意味に拡散させるに十分に薄い。具体的
には、溝20のが側壁上にあるｐ形層26中の添加されたｐ
形ドーパントZnは、ｎ形層24の抑制されたｎ形ドーピン
グを縦に拡散し、過補償しているものと考えられる。
類似するが異なったドーピング評価法をGaAsの異なる面
上のＳとZnにつき行った。GaAsの結果はInP結果にきわ
めて類似のものである。したがって類似のデバイスをIn
P、GaAsその他の閃亜鉛鉱構造のIII−ＶおよびII−VI族
化合物、すなわち半導体化合物中で得ることができる。
上のＳとZnにつき行った。GaAsの結果はInP結果にきわ
めて類似のものである。したがって類似のデバイスをIn
P、GaAsその他の閃亜鉛鉱構造のIII−ＶおよびII−VI族
化合物、すなわち半導体化合物中で得ることができる。
SEM、すなわち走査形電子顕微鏡写真による構造では、
下方クラッド層10のOMCVD成長中に、溝20内の基の｛21
1｝Ａの両側壁が、｛311｝Ａと｛111｝Ａに近い各面に
よって置き換えられている。さらに４元素の層、つまり
活性層12が当時存在していた溝の底で三日月形に成長し
ていることも示している。
下方クラッド層10のOMCVD成長中に、溝20内の基の｛21
1｝Ａの両側壁が、｛311｝Ａと｛111｝Ａに近い各面に
よって置き換えられている。さらに４元素の層、つまり
活性層12が当時存在していた溝の底で三日月形に成長し
ていることも示している。
どのようなメカニズムによったにせよ、溝20上の上方ク
ラッディング域16は均一にｐ形であるのに対し、プレー
ナ域18では超格子が多数のpn接合構造を維持している。
このようなpn接合は電流の流れに抵抗をもち、溝20上の
上方クラッディング域16へ電流を集中させる。こうして
コンタクト層28またはそのZn拡散のいずれかの横方向の
限定は、寸法的要求に多大な余裕をもたせることができ
る。さらに上方クラッディング域16と電流狭窄構造のプ
レーナ域18との間の境界面は、表面準位［surface stat
es］数を減らすことになるエピタキシャル境界面となっ
ている。
ラッディング域16は均一にｐ形であるのに対し、プレー
ナ域18では超格子が多数のpn接合構造を維持している。
このようなpn接合は電流の流れに抵抗をもち、溝20上の
上方クラッディング域16へ電流を集中させる。こうして
コンタクト層28またはそのZn拡散のいずれかの横方向の
限定は、寸法的要求に多大な余裕をもたせることができ
る。さらに上方クラッディング域16と電流狭窄構造のプ
レーナ域18との間の境界面は、表面準位［surface stat
es］数を減らすことになるエピタキシャル境界面となっ
ている。
図１の構造に形成されたサンプルは、長さ254μｍの共
振器［a cavity］へと劈開された。20℃で、パルスしき
い値電流は約100mAのレーザであった。連続波「CW］発
振のためには、このしきい値電流は120mAへの増加され
るが、効率［efficiency］は、従来技術の埋込式ヘテロ
構造レーザのそれに匹敵する、0.170mW/mAであった。
振器［a cavity］へと劈開された。20℃で、パルスしき
い値電流は約100mAのレーザであった。連続波「CW］発
振のためには、このしきい値電流は120mAへの増加され
るが、効率［efficiency］は、従来技術の埋込式ヘテロ
構造レーザのそれに匹敵する、0.170mW/mAであった。
上述の超格子成長法においては、溝20の上方クラッディ
ング域16内でｎ形InP層24がｐ形へ完全に変換すること
を可能にするｎ形InP層24の最大厚がある。つまり成長
条件の所与の組み合わせにおいては、最大厚さはｎ形と
ｐ形の相対的なドーピングレベルに依存しているのであ
る。上方クラッディング域16内において（１）ｎ＝１×
1018cm-3の100nm厚層と、ｐ＝７×1017cm-3の100nm厚層
とが、また（２）ｐ＝３×1017cm-3の140nm厚層と、ｎ
＝５×1017cm-3の85nm厚層とが、交互に入れ替わるInP
超格子14においては効率的な電流遮断［blocking］が確
認された。
ング域16内でｎ形InP層24がｐ形へ完全に変換すること
を可能にするｎ形InP層24の最大厚がある。つまり成長
条件の所与の組み合わせにおいては、最大厚さはｎ形と
ｐ形の相対的なドーピングレベルに依存しているのであ
る。上方クラッディング域16内において（１）ｎ＝１×
1018cm-3の100nm厚層と、ｐ＝７×1017cm-3の100nm厚層
とが、また（２）ｐ＝３×1017cm-3の140nm厚層と、ｎ
＝５×1017cm-3の85nm厚層とが、交互に入れ替わるInP
超格子14においては効率的な電流遮断［blocking］が確
認された。
図１のレーザにつき使われたものと同様の工程を横方向
のpn接合成長に使うことができる。図３に示すように溝
20は、半絶縁性InP基板22の（001）面中において［01
］方向に形成される。その後、単一のInPの層が基板2
2上にOMCVD法によりエピタキシャル成長させられる。こ
の成長は、例えば（001）面上に成長したInP層がｐ形よ
りもｎ形であるような相対的な量で存在するｐ形ドーパ
ントとｎ形ドーパント（ZnとＳ）の両者がドーピングさ
れている。その結果ｐ形InP層42が溝20中に形成され、
２つのｎ形Inp層44、46が溝20の対向側面上｛001｝面上
に形成される。３つのInP層42、44、46が２つの横方向p
n接合を形成するか、または、各々とコンタクト層がそ
の後に層42、44、46の各部上にデポジションされるとき
は、横方向のnpnトランジスタを形成する。多層溝は容
易にこのような接合列またはトランジスタ列を提供する
ことができ、例えばデテクタアレイなどに応用すること
ができる。さらにもし溝20が［011］方向に結晶方位さ
れていたとすれば、ｎ形領域とｐ形領域との配置を図３
のものと逆にすることもできる。
のpn接合成長に使うことができる。図３に示すように溝
20は、半絶縁性InP基板22の（001）面中において［01
］方向に形成される。その後、単一のInPの層が基板2
2上にOMCVD法によりエピタキシャル成長させられる。こ
の成長は、例えば（001）面上に成長したInP層がｐ形よ
りもｎ形であるような相対的な量で存在するｐ形ドーパ
ントとｎ形ドーパント（ZnとＳ）の両者がドーピングさ
れている。その結果ｐ形InP層42が溝20中に形成され、
２つのｎ形Inp層44、46が溝20の対向側面上｛001｝面上
に形成される。３つのInP層42、44、46が２つの横方向p
n接合を形成するか、または、各々とコンタクト層がそ
の後に層42、44、46の各部上にデポジションされるとき
は、横方向のnpnトランジスタを形成する。多層溝は容
易にこのような接合列またはトランジスタ列を提供する
ことができ、例えばデテクタアレイなどに応用すること
ができる。さらにもし溝20が［011］方向に結晶方位さ
れていたとすれば、ｎ形領域とｐ形領域との配置を図３
のものと逆にすることもできる。
図１のレーザの実施例は、p/n超格子が如何に［01］
結晶方位の溝中に均一なｐ形領域へと変換されるかにつ
き示している。図３を参照して記載された［011］溝と
の共同ドーピング［codoping］工程は、その溝中に均一
なｎ形領域を作り出すことができる。これら２つの効果
を共同させて、そのｐ形層およびｎ形層に別々の電気接
続をもつp/n超格子を形成することができる。一つのp/n
超格子が、［01］と［011］方向に２つの垂直溝を形
成していたその（100）面上に成長する。この超格子の
全部の層はｎ形ドーパントおよびｐ形ドーパントの両者
が共にドープされている。厚さとドーピングレベルを適
切に選ぶことによって、超格子中の全ｐ形層は［01］
溝上の均一なｐ形導電体に電気接続されることになると
ともに、超格子中のｎ形層は「011］溝上の均一なｎ形
導電体に電気接続されることになる。（001）面上に測
定される代表的なドーピングレベルは、超格子のｎ形層
につきｎ＝１×1018cm-3、ｐ＝７×1017cm-3であり、超
格子のｐ形層につきｎ＝１×1017cm-3、ｐ＝３×1018cm
-3である。このような構造は超格子モジュレータとの電
気接続にとって有益である。
結晶方位の溝中に均一なｐ形領域へと変換されるかにつ
き示している。図３を参照して記載された［011］溝と
の共同ドーピング［codoping］工程は、その溝中に均一
なｎ形領域を作り出すことができる。これら２つの効果
を共同させて、そのｐ形層およびｎ形層に別々の電気接
続をもつp/n超格子を形成することができる。一つのp/n
超格子が、［01］と［011］方向に２つの垂直溝を形
成していたその（100）面上に成長する。この超格子の
全部の層はｎ形ドーパントおよびｐ形ドーパントの両者
が共にドープされている。厚さとドーピングレベルを適
切に選ぶことによって、超格子中の全ｐ形層は［01］
溝上の均一なｐ形導電体に電気接続されることになると
ともに、超格子中のｎ形層は「011］溝上の均一なｎ形
導電体に電気接続されることになる。（001）面上に測
定される代表的なドーピングレベルは、超格子のｎ形層
につきｎ＝１×1018cm-3、ｐ＝７×1017cm-3であり、超
格子のｐ形層につきｎ＝１×1017cm-3、ｐ＝３×1018cm
-3である。このような構造は超格子モジュレータとの電
気接続にとって有益である。
図３の構造は、図４に断面図で示したように、プレーナ
域を通る縦の電流経路であって、その中に電流絶縁が２
つの隣接溝域で提供されるものをもつ半導体レーザを形
成するのに使用することができる。この構造はこのよう
に図１と逆にされる。p+形InPの基板50は、［01］方
向に２つの溝52、54が形成された（100）主要面をもっ
ている。p+基板50は低い電流の電極として機能する。ｐ
形Inpの下方クラッド層56は溝52、54の両者ならびにプ
レーナ域上にエピタキシャル成長させられる。その後、
活性層58がそれ以上の横方向の限界をつけられることな
くエピタキシャル成長させられる。活性層58はInGaAsP
のような４元素のIII−Ｖ族化合物であるか、これと同
じ化合物系に基づく多重量子井戸である。
域を通る縦の電流経路であって、その中に電流絶縁が２
つの隣接溝域で提供されるものをもつ半導体レーザを形
成するのに使用することができる。この構造はこのよう
に図１と逆にされる。p+形InPの基板50は、［01］方
向に２つの溝52、54が形成された（100）主要面をもっ
ている。p+基板50は低い電流の電極として機能する。ｐ
形Inpの下方クラッド層56は溝52、54の両者ならびにプ
レーナ域上にエピタキシャル成長させられる。その後、
活性層58がそれ以上の横方向の限界をつけられることな
くエピタキシャル成長させられる。活性層58はInGaAsP
のような４元素のIII−Ｖ族化合物であるか、これと同
じ化合物系に基づく多重量子井戸である。
その後、InPの上方クラッド層60がＳとZnの両方にエピ
タキシャル成長され、同時にｎ形、ｐ形の各ドーパント
として供給される。ＳとZnは上方クラッド層60の成長中
に相対的な量で供給されるもので、（100）面上の成長
がｎ形となり、溝52、54の側壁上の成長がｐ形となるよ
うな相対量とされる。ＳとZnのドーパント配合比の結晶
方位依存性ゆえに、溝52、54間の中央プレーナメサ領域
62ならびに２つの外側プレーナ領域64、66は、ｎ形とな
るが、２つの溝領域68、70はｐ形に成長する。このよう
な相対的なドーピングレベルは、Ｓからｎ＝１×1018cm
-3を、Znからｐ＝７×1017cm-3をInP（100）面に別々に
達成するようなドーパント成長パラメータを使ってOMCV
D法で達成される。
タキシャル成長され、同時にｎ形、ｐ形の各ドーパント
として供給される。ＳとZnは上方クラッド層60の成長中
に相対的な量で供給されるもので、（100）面上の成長
がｎ形となり、溝52、54の側壁上の成長がｐ形となるよ
うな相対量とされる。ＳとZnのドーパント配合比の結晶
方位依存性ゆえに、溝52、54間の中央プレーナメサ領域
62ならびに２つの外側プレーナ領域64、66は、ｎ形とな
るが、２つの溝領域68、70はｐ形に成長する。このよう
な相対的なドーピングレベルは、Ｓからｎ＝１×1018cm
-3を、Znからｐ＝７×1017cm-3をInP（100）面に別々に
達成するようなドーパント成長パラメータを使ってOMCV
D法で達成される。
最後にｎコンタクト層72が成長され、上方電流の電極と
して機能するようにメサ領域62上に限定付けられる。Ga
As/AlGaAsレーザのｐ形溝領域68、70によって与えられ
る電流狭窄ゆえに、ｎコンタクト層72とメサ領域62との
横方向の位置調整［registry］は重要でない。しかしIn
P系のレーザでは、このような電流狭窄はあまり強くな
いので上記のような位置調整が重要となる。
して機能するようにメサ領域62上に限定付けられる。Ga
As/AlGaAsレーザのｐ形溝領域68、70によって与えられ
る電流狭窄ゆえに、ｎコンタクト層72とメサ領域62との
横方向の位置調整［registry］は重要でない。しかしIn
P系のレーザでは、このような電流狭窄はあまり強くな
いので上記のような位置調整が重要となる。
電流は、ｎコンタクト層72経由でレーザ中に入れられ、
ｎコンタクト層72下のｎ形メサ領域62へと周囲のｐ形溝
領域68、70によりガイドされる。レーザ光は、活性層58
およびその近傍で作られ、上方クラッド層60と下方クラ
ッド層56により図示部分の外側へとガイドされる。図４
の構造の図１のものに対する利点は、レーザが溝底では
なく基板のプレーナ部上で形成されることである。つま
り溝内でするよりもプレーナ部上でする方が、量子井戸
成長を行わせグレーティングをエッチングすることはず
っと容易である。このようなエッチングされたグレーテ
ィングが、DFB［distributed feedback］レーザ、つま
り分布帰還形レーザ、およびDBR［distributed Bragg R
eflector］レーザにとって必要なのである。
ｎコンタクト層72下のｎ形メサ領域62へと周囲のｐ形溝
領域68、70によりガイドされる。レーザ光は、活性層58
およびその近傍で作られ、上方クラッド層60と下方クラ
ッド層56により図示部分の外側へとガイドされる。図４
の構造の図１のものに対する利点は、レーザが溝底では
なく基板のプレーナ部上で形成されることである。つま
り溝内でするよりもプレーナ部上でする方が、量子井戸
成長を行わせグレーティングをエッチングすることはず
っと容易である。このようなエッチングされたグレーテ
ィングが、DFB［distributed feedback］レーザ、つま
り分布帰還形レーザ、およびDBR［distributed Bragg R
eflector］レーザにとって必要なのである。
電流狭窄はｎ形層ｐ形溝領域68、70の真ん中に挿入する
ことで一層向上させることができる。図５に断面図で示
したように、基板50、下方クラッド層56および活性層58
の構造は図４のものと同様である。しかし単一の上方ク
ラッド層60の代わりに同様のＳおよびZnのドーピングの
薄目の第１、第２上方クラッド層80、82が、図４の単一
の上方クラッド層60として形成されている。第１、第２
上方クラッド層80、82間にはまた、ｎ形の第３上方クラ
ッド層84が形成されている。このｎ形層84はＳだけのド
ーピングで成長させられるもので、Znが溝52、54域に拡
散することを阻止し、かつＳを過補償するに十分な厚さ
とドーパント濃度をもっている。
ことで一層向上させることができる。図５に断面図で示
したように、基板50、下方クラッド層56および活性層58
の構造は図４のものと同様である。しかし単一の上方ク
ラッド層60の代わりに同様のＳおよびZnのドーピングの
薄目の第１、第２上方クラッド層80、82が、図４の単一
の上方クラッド層60として形成されている。第１、第２
上方クラッド層80、82間にはまた、ｎ形の第３上方クラ
ッド層84が形成されている。このｎ形層84はＳだけのド
ーピングで成長させられるもので、Znが溝52、54域に拡
散することを阻止し、かつＳを過補償するに十分な厚さ
とドーパント濃度をもっている。
いくつかの実施例について記載してきたが、本発明はこ
れら実施例に制限されるものではない。本発明は、フォ
トリソグラフィパターニングにより中断されることがな
い単一の一貫した成長工程で、ヘテロ接合レーザその他
の複雑なオプトエレクトロニックデバイスを構築する技
術を提供するものである。したがってこれらデバイスの
製造費は相当に圧縮することができる。さらに横方向の
限定付をエッチングとかイオンボンバードメントなしに
実現することができるから、デバイス機能を低下させる
表面準位を減らすこともできる。
れら実施例に制限されるものではない。本発明は、フォ
トリソグラフィパターニングにより中断されることがな
い単一の一貫した成長工程で、ヘテロ接合レーザその他
の複雑なオプトエレクトロニックデバイスを構築する技
術を提供するものである。したがってこれらデバイスの
製造費は相当に圧縮することができる。さらに横方向の
限定付をエッチングとかイオンボンバードメントなしに
実現することができるから、デバイス機能を低下させる
表面準位を減らすこともできる。
Claims (9)
- 【請求項１】第１結晶方位の主要面に形成した第１方向
に伸びる溝であって上記第１結晶方位と異なる第２結晶
方位の傾斜側壁をもつものを有する化合物半導体基板
と、 上記主要面のプレーナ領域と溝領域上にエピタキシャル
成長した化合物半導体層であって少なくとも上記側壁の
一部を含み、上記プレーナ領域と上記溝領域のいずれか
一つの上に設けられた実質的に均一なｐ形導電性の第１
域と、上記プレーナ領域と上記溝領域の他方の一つの上
に設けられた実質的に均一なｎ形導電性の第２域とから
なり、これら第１域および第２域が連続的であり、また
上記半導体層がこれら第１域と第２域との間のエピタキ
シャル層である半導体層であり、かつ、反対の導電性形
を該化合物半導体層中につくりだす相互に拡散する２つ
の異なるドーパント種からなり、少なくともその種の１
つは上記化合物半導体の第１結晶方位と第２結晶方位間
に実質的に異なる取り込み比率をもつ半導体層と、 を少なくとも有する半導体構造。 - 【請求項２】半導体層が、他の一つのプレーナ領域と溝
領域との上に設けられた交互に入れ替わる複数のｎ形導
電性の半導体層とｐ形導電性の半導体層の超格子からな
る構造の一部をなしていることを特徴とする請求項１の
半導体構造。 - 【請求項３】半導体層を形成している化合物半導体がII
I−Ｖ族半導体であって、主要面が（001）面、第１方向
が［01］および［011］のうちのいずれか一つである
ことを特徴とする請求項１の半導体構造。 - 【請求項４】第１結晶方位の主要面に形成した第１方向
に伸びる２本の平行溝であって第１結晶方位をもつ基板
のプレーナ部によって分けられているものをもつ化合物
半導体基板と、 上記平行溝とプレーナ領域とを有しそれらの間に連続す
る第１域上の基板にエピタキシャル成長した第１導電性
形の化合物半導体からなる下方クラッド層と、 この下方クラッド層上の上記第１域中にエピタキシャル
成長した化合物半導体からなる活性層と、 この活性層上の上記第１域上にエピタキシャル成長した
化合物半導体および相互に拡散する２つの異なるドーパ
ント種からなる上方クラッド層であって、上記プレーナ
領域上にある第２導電形部分と上記平行溝上にある第１
導電形部分とから成り、かつ、上記２つのドーパント種
は上記化合物半導体において反対の導電性形をつくりだ
すもので、これら２つのドーパント種の少なくとも１つ
は上記化合物半導体の異なる結晶学的方位の間の実質的
に異なる組み込み比率をもつもの、 を有する二重ヘテロ接合レーザ。 - 【請求項５】第１方向に伸びる溝を主要面中に形成した
半絶縁性の化合物半導体基板と、 この溝がある第１域中、および該溝の対向する横方向の
側部に上記基板のプレーナ部がある第２域および第３域
中に、上記基板上にエピタキシャル成長した、相互に拡
散する２つの異なるドーパント種と１つの化合物半導体
とを有する半導体層であって、該半導体層は上記第１域
上に被着する第１の部分中の第１導電形であり、また上
記第２域および第３域上に被着する第２の部分および第
３の部分中の第２導電形であるもので、かつ、上記２つ
のドーパント種は上記化合物半導体中に反対の導電性形
をつくりだし、これら２つのドーパント種の少なくとも
１つは上記化合物半導体の異なる方位間に実質的に異な
る組み込み比率をもっている半導体層と、 上記第２の部分から上記第１の部分を経由して上記第３
部分へ通過する電流経路を上記半導体層中に作る手段
と、 を有する横方向のpn接合構造。 - 【請求項６】所定の結晶方位の化合物半導体基板中に第
１方向に伸びる少なくとも１つの溝を形成し、 該基板上に化合物半導体からなる少なくとも１つの層で
あって少なくとも上記１つの溝と上記基板のプレーナ部
上に被着し、かつ、相互に拡散するｐ形ドーパントとｎ
形ドーパントとによって最初に形成されたもので、上記
ｐ形ドーパントと上記ｎ形ドーパントの少なくとも１つ
が上記溝の一部と上記プレーナ部において実質的に異な
る取り込み比率をもつものを形成する、 工程を特徴とするパターン付した半導体構造の成長法。 - 【請求項７】少なくとも１つの層が、ｐ形ドーパントと
ｎ形ドーパントの両方をドーピングされた単一層からな
ることを特徴とする請求項６の成長法。 - 【請求項８】少なくとも１つの層が、ｐ形ドーパントを
ドープされた複数の第１層とｎ形ドーパントをドープさ
れた複数の第２層との超格子からなることを特徴とする
請求項６の成長法。 - 【請求項９】基板が閃亜鉛鉱構造半導体からなり、か
つ、所定の結晶方位が（001）結晶方位であって少なく
とも１つの溝の第１方向が［011］と［01］のうちの
いずれかから選択されたものである請求項６の成長法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US454,764 | 1989-12-21 | ||
| US07/454,764 US5065200A (en) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | Geometry dependent doping and electronic devices produced thereby |
| PCT/US1990/003993 WO1991010263A1 (en) | 1989-12-21 | 1990-07-12 | Geometry dependent doping and electronic devices produced |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05502331A JPH05502331A (ja) | 1993-04-22 |
| JPH0758823B2 true JPH0758823B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=23805990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2511297A Expired - Lifetime JPH0758823B2 (ja) | 1989-12-21 | 1990-07-12 | 幾何学的ドーピング法および同法により製造の電子デバイス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5065200A (ja) |
| JP (1) | JPH0758823B2 (ja) |
| WO (1) | WO1991010263A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2570502B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1997-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2721274B2 (ja) * | 1991-01-22 | 1998-03-04 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| EP0535293A1 (en) * | 1991-01-29 | 1993-04-07 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | A method of fabricating a compositional semiconductor device |
| EP0533197A3 (en) * | 1991-09-20 | 1993-11-03 | Fujitsu Ltd | Stripe laser diode having an improved efficiency for current confinement |
| US5311533A (en) * | 1992-10-23 | 1994-05-10 | Polaroid Corporation | Index-guided laser array with select current paths defined by migration-enhanced dopant incorporation and dopant diffusion |
| JPH0786678A (ja) * | 1993-05-31 | 1995-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5546418A (en) * | 1993-07-28 | 1996-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser having a flat groove for selected crystal planes |
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| US5684818A (en) * | 1993-12-28 | 1997-11-04 | Fujitsu Limited | Stepped substrate semiconductor laser for emitting light at slant portion |
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| US20050253222A1 (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-17 | Caneau Catherine G | Semiconductor devices on misoriented substrates |
| US7691353B2 (en) * | 2004-06-17 | 2010-04-06 | Burgener Ii Robert H | Low dielectric constant group II-VI insulator |
| JP5367263B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2013-12-11 | オプトエナジー株式会社 | 半導体レーザ素子 |
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| DE3685755T2 (de) * | 1986-09-23 | 1993-02-04 | Ibm | Streifenlaser mit transversalem uebergang. |
| US4932033A (en) * | 1986-09-26 | 1990-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same |
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-
1989
- 1989-12-21 US US07/454,764 patent/US5065200A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-12 WO PCT/US1990/003993 patent/WO1991010263A1/en unknown
- 1990-07-12 JP JP2511297A patent/JPH0758823B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5065200A (en) | 1991-11-12 |
| JPH05502331A (ja) | 1993-04-22 |
| WO1991010263A1 (en) | 1991-07-11 |
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