JPH0758764B2 - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0758764B2 JPH0758764B2 JP62273076A JP27307687A JPH0758764B2 JP H0758764 B2 JPH0758764 B2 JP H0758764B2 JP 62273076 A JP62273076 A JP 62273076A JP 27307687 A JP27307687 A JP 27307687A JP H0758764 B2 JPH0758764 B2 JP H0758764B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- image sensor
- wiring
- individual
- pixel electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はイメージセンサに係り、特に原稿等に近接させ
て画像情報等を読み取ることのできる密着型イメージセ
ンサに関する。
て画像情報等を読み取ることのできる密着型イメージセ
ンサに関する。
（従来の技術） 従来、感光部に半導体薄膜を用いたイメージセンサは、
例えば特開昭60−100866号広報に記載されているものが
知られている。
例えば特開昭60−100866号広報に記載されているものが
知られている。
このイメージセンサは第２図に示すように、絶縁基板１
上にパッド５と、配線部７と画素電極９を有する個別電
極３をライン状に列設し、パッド５を除いて、個別電極
３を半導体薄膜11が被覆し、その上からさらに導体電極
15から画素電極９までを透明導電膜13が被覆する構成と
なっている。
上にパッド５と、配線部７と画素電極９を有する個別電
極３をライン状に列設し、パッド５を除いて、個別電極
３を半導体薄膜11が被覆し、その上からさらに導体電極
15から画素電極９までを透明導電膜13が被覆する構成と
なっている。
（発明が解決しようとする問題点） 上記イメージセンサにおいて、透明導電膜が個別電極の
画素電極以外の部分を被覆すると、その部分も画素電極
となり、必要以外の情報を読み取ってしまう。そのため
余分な透明導電膜をエッチングにより除去する必要があ
るが、非常に微細な個別電極配線部を腐食するおそれが
ある。そこで配線部の保護によるプロセス安定性、又、
一般使用時における対環境性の向上のため半導体薄膜で
配線部を被覆しているが、配線部間にも半導体薄膜が存
在しているため、隣接配線部門において容量カップリン
グ及び、微少電流リークが存在する。そのため、個別電
極間の信号電流の分離が不完全であり、イメージセンサ
の解像度の低下を引き起すといった問題があった。
画素電極以外の部分を被覆すると、その部分も画素電極
となり、必要以外の情報を読み取ってしまう。そのため
余分な透明導電膜をエッチングにより除去する必要があ
るが、非常に微細な個別電極配線部を腐食するおそれが
ある。そこで配線部の保護によるプロセス安定性、又、
一般使用時における対環境性の向上のため半導体薄膜で
配線部を被覆しているが、配線部間にも半導体薄膜が存
在しているため、隣接配線部門において容量カップリン
グ及び、微少電流リークが存在する。そのため、個別電
極間の信号電流の分離が不完全であり、イメージセンサ
の解像度の低下を引き起すといった問題があった。
本発明は従来のイメージセンサのように構成が簡単でプ
ロセス安定性及び対環境性にも優れ尚かつ隣接個別電極
間の容量カップリング、微少電流リークを最小限におさ
えることによって、解像度を向上させたイメージセンサ
を提供することを目的とする。
ロセス安定性及び対環境性にも優れ尚かつ隣接個別電極
間の容量カップリング、微少電流リークを最小限におさ
えることによって、解像度を向上させたイメージセンサ
を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 絶縁基板上に配置された個別電極と共通電極との間に半
導体薄膜を介在させるとともに、半導体膜が共通電極の
配線部側の端部から個別電極の配線部を実質的に全部被
覆するように延在させ、配線部間の半導体膜が除去され
て構成されている構成にする。
導体薄膜を介在させるとともに、半導体膜が共通電極の
配線部側の端部から個別電極の配線部を実質的に全部被
覆するように延在させ、配線部間の半導体膜が除去され
て構成されている構成にする。
（作用） このように構成されたものにおいては、個別電極の配線
部を半導体薄膜が被覆保護しているため、従来のイメー
ジセンサと同等のプロセス安定性及び対環境性を有して
おり、尚かつ隣接個別電極の配線部間においては半導体
薄膜が分離しているため隣接個別電極間における容量カ
ップリング及び微少電流リークを最小限におさえること
が可能となり、解像度が向上する。
部を半導体薄膜が被覆保護しているため、従来のイメー
ジセンサと同等のプロセス安定性及び対環境性を有して
おり、尚かつ隣接個別電極の配線部間においては半導体
薄膜が分離しているため隣接個別電極間における容量カ
ップリング及び微少電流リークを最小限におさえること
が可能となり、解像度が向上する。
（実施例） 以下本発明を実施例を示す図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係るイメージセンサの
構成を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ′
断面図である。第１図において、絶縁基板１上にCr又は
Al等により形成された個別電極３が絶縁基板１の長手方
向に沿って複数個配設されており、個別電極３は画素電
極９と画素信号を導く配線部７と駆動用集積回路素子と
接続するためのパッド５によって構成されている。また
絶縁基板１上には、画素電極９に対応して導体電極25が
設置されている。個別電極３上にはａ−si:H,またはａ
−si:H/a−＝SiC:Hなどからなり、ストライプ状に形成
された半導体薄膜21が着膜され、パッド５を除く部分を
被覆するとともに隣接する個別電極３の配線部７間にお
いて、スリット状に分離されており、配線部７に沿う形
で個別電極を被覆している。さらにこの半導体薄膜21お
よび導体電極25上にはITO等の透明導電膜23が着膜形成
されている。透明導電膜23は電気抵抗が高いため、電気
抵抗の低い導体電極25を介して外部回路に接続される。
なおこの実施例では透明導電膜23と導体電極25とをあわ
せて共通電極27と称する。
構成を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ′
断面図である。第１図において、絶縁基板１上にCr又は
Al等により形成された個別電極３が絶縁基板１の長手方
向に沿って複数個配設されており、個別電極３は画素電
極９と画素信号を導く配線部７と駆動用集積回路素子と
接続するためのパッド５によって構成されている。また
絶縁基板１上には、画素電極９に対応して導体電極25が
設置されている。個別電極３上にはａ−si:H,またはａ
−si:H/a−＝SiC:Hなどからなり、ストライプ状に形成
された半導体薄膜21が着膜され、パッド５を除く部分を
被覆するとともに隣接する個別電極３の配線部７間にお
いて、スリット状に分離されており、配線部７に沿う形
で個別電極を被覆している。さらにこの半導体薄膜21お
よび導体電極25上にはITO等の透明導電膜23が着膜形成
されている。透明導電膜23は電気抵抗が高いため、電気
抵抗の低い導体電極25を介して外部回路に接続される。
なおこの実施例では透明導電膜23と導体電極25とをあわ
せて共通電極27と称する。
次に製造プロセスの一例を簡単に説明する。まず絶縁基
板１を洗浄した後、蒸着によりCr又はAl膜を絶縁基板１
上の全面に付着させ、PEPによってその膜をパターニン
グして個別電極３と導体電極25を形成する。次にプラズ
マCVD法で半導体薄膜21を着膜させ、PEPで個別電極の配
線部７間でスリット状に分離し、更に導体電極25と接触
しないように所定の形状にパターニングする。
板１を洗浄した後、蒸着によりCr又はAl膜を絶縁基板１
上の全面に付着させ、PEPによってその膜をパターニン
グして個別電極３と導体電極25を形成する。次にプラズ
マCVD法で半導体薄膜21を着膜させ、PEPで個別電極の配
線部７間でスリット状に分離し、更に導体電極25と接触
しないように所定の形状にパターニングする。
付いで透明導電膜23を着膜させて、余分な情報を読みと
らないように画素電極９の配線部７の端部に沿って余分
な部分をエッチングによって取り除く。
らないように画素電極９の配線部７の端部に沿って余分
な部分をエッチングによって取り除く。
このようにして構成された本発明に係るイメージセンサ
においては、従来と同様に個別電極３が半導体薄膜21に
より被覆されているため透明導電膜23をエッチングする
際配線部７を保護し、又耐腐食などの対環境性も確保で
きる。
においては、従来と同様に個別電極３が半導体薄膜21に
より被覆されているため透明導電膜23をエッチングする
際配線部７を保護し、又耐腐食などの対環境性も確保で
きる。
上記の他にも実施例をあげると個別電極３の配線部７の
みならず画素電極９まで隣接個別電極と分離する形でそ
れぞれの個別電極３を被覆してもよい。この場合対環境
性においては前記実施例と同様の効果が得られるととも
に、一層の電極間リークを減少させることができる。
みならず画素電極９まで隣接個別電極と分離する形でそ
れぞれの個別電極３を被覆してもよい。この場合対環境
性においては前記実施例と同様の効果が得られるととも
に、一層の電極間リークを減少させることができる。
なお、上述した実施例において配線部とパッドを別形状
にしているが、配線部の端部をそのまま形状でパッドと
して使用してもよい。
にしているが、配線部の端部をそのまま形状でパッドと
して使用してもよい。
以上詳述したように本発明のイメージセンサによると、
プロセス安定性及び対環境性を確保しつつ、隣接個別電
極間の容量カップリング，微小電流リークを最小限にお
さえることにより、高解像度を得ることができる。
プロセス安定性及び対環境性を確保しつつ、隣接個別電
極間の容量カップリング，微小電流リークを最小限にお
さえることにより、高解像度を得ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係るイメージセンサを
示し、（ａ）は平面図（ｂ）はＡ−Ａ′断面図であり、
第２図は従来のイメージセンサを示す平面図である。 １……絶縁基板、11,21……半導体薄膜 ３……個別電極、13,23……透明導電膜 ５……パッド、15,25……導体電極 ７……配線部、27……共通電極 ９……画素電極
示し、（ａ）は平面図（ｂ）はＡ−Ａ′断面図であり、
第２図は従来のイメージセンサを示す平面図である。 １……絶縁基板、11,21……半導体薄膜 ３……個別電極、13,23……透明導電膜 ５……パッド、15,25……導体電極 ７……配線部、27……共通電極 ９……画素電極
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板と、 前記絶縁基板上に、画素電極部，前記画素電極部に対応
するパッドおよび前記パッドと前記画素電極部とを接続
する配線部とを有して配列される複数の個別電極と、 前記個別電極の前記画素電極部上に配置される半導体膜
と、 前記個別電極の前記画素電極部上に前記半導体膜を介し
て配置される共通電極とを備え、 前記半導体膜は前記共通電極の前記配線部側の端部から
前記個別電極の前記配線部を実質的に全部被覆するよう
に延在され、且つ前記配線部間の前記半導体膜は除去さ
れて構成されていることを特徴としたイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62273076A JPH0758764B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62273076A JPH0758764B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117059A JPH01117059A (ja) | 1989-05-09 |
| JPH0758764B2 true JPH0758764B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17522809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62273076A Expired - Lifetime JPH0758764B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758764B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171161A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Hitachi Ltd | 一次元イメ−ジセンサ |
| JPH067588B2 (ja) * | 1985-05-07 | 1994-01-26 | 日本電気株式会社 | 密着形イメ−ジセンサ |
| JPH0673372B2 (ja) * | 1985-06-24 | 1994-09-14 | 三菱電機株式会社 | 光読み取り装置及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62273076A patent/JPH0758764B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01117059A (ja) | 1989-05-09 |
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