JPH075488A - 光導電型液晶ライトバルブ - Google Patents
光導電型液晶ライトバルブInfo
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- JPH075488A JPH075488A JP5144726A JP14472693A JPH075488A JP H075488 A JPH075488 A JP H075488A JP 5144726 A JP5144726 A JP 5144726A JP 14472693 A JP14472693 A JP 14472693A JP H075488 A JPH075488 A JP H075488A
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- light
- film
- liquid crystal
- shielding film
- lclv
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い解像度を実現する、高インピーダンス高
遮光性の遮光膜を有する導電型液晶ライトバルブを提供
する。 【構成】 対向する一対の書き込み側及び読み出し側透
明基板と、透明基板の各々の内側面に積層された対向す
る一対の書き込み側及び読み出し側透明電極と、透明電
極間において書き込み側透明電極から光導電膜、遮光
膜、反射膜及び液晶層が順に配置された導電型液晶ライ
トバルブであって、遮光膜は、酸化マンガンと二酸化ケ
イ素とが互いに分散した混合物からなる。
遮光性の遮光膜を有する導電型液晶ライトバルブを提供
する。 【構成】 対向する一対の書き込み側及び読み出し側透
明基板と、透明基板の各々の内側面に積層された対向す
る一対の書き込み側及び読み出し側透明電極と、透明電
極間において書き込み側透明電極から光導電膜、遮光
膜、反射膜及び液晶層が順に配置された導電型液晶ライ
トバルブであって、遮光膜は、酸化マンガンと二酸化ケ
イ素とが互いに分散した混合物からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光線束に投影画像を付
与しつつこれを反射する光導電型液晶ライトバルブ（Ｌ
ＣＬＶという）を有し、該反射光を投影レンズ系により
投射する投射型表示装置に関する。
与しつつこれを反射する光導電型液晶ライトバルブ（Ｌ
ＣＬＶという）を有し、該反射光を投影レンズ系により
投射する投射型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、このＬＣＬＶ１の構成を示す。
液晶層１１は、その周りのスペーサ１２及び配向膜１
３、１４によって画定されている。像が描かれる光導電
膜１５は、誘電体からなる反射膜１６（誘電体ミラー）
及び遮光膜１７を介して配向膜１４側に積層されてい
る。配向膜１３の読み出し側面には透明電極１８が配さ
れ、光導電膜１５の書き込み側面には電極１９が配され
ている。これら液晶層１１、光導電膜１５等は一対のガ
ラス基板２０、２１によって挾持されている。
液晶層１１は、その周りのスペーサ１２及び配向膜１
３、１４によって画定されている。像が描かれる光導電
膜１５は、誘電体からなる反射膜１６（誘電体ミラー）
及び遮光膜１７を介して配向膜１４側に積層されてい
る。配向膜１３の読み出し側面には透明電極１８が配さ
れ、光導電膜１５の書き込み側面には電極１９が配され
ている。これら液晶層１１、光導電膜１５等は一対のガ
ラス基板２０、２１によって挾持されている。
【０００３】透明電極１８、１９間に交流電圧が印加さ
れるＬＣＬＶ１において、ＣＲＴにより図の右側（書き
込み側）から入射した画像書き込み光によって光導電膜
１５上に像を描いたとき、光導電膜１５の内部抵抗が像
の明暗（受光量の変化）に従って局部的に低く又は高く
なる変化をするために、光導電膜の変化部分に対応する
隣接する液晶層１１の内部は透明電極１８、１９間の交
流電圧が印加され、像の明暗に従って、液晶分子が空間
変調され複屈折率が生じる。
れるＬＣＬＶ１において、ＣＲＴにより図の右側（書き
込み側）から入射した画像書き込み光によって光導電膜
１５上に像を描いたとき、光導電膜１５の内部抵抗が像
の明暗（受光量の変化）に従って局部的に低く又は高く
なる変化をするために、光導電膜の変化部分に対応する
隣接する液晶層１１の内部は透明電極１８、１９間の交
流電圧が印加され、像の明暗に従って、液晶分子が空間
変調され複屈折率が生じる。
【０００４】図２に示すように、かかる投射型液晶表示
装置のＬＣＬＶ１の光導電膜側基板は、ＣＲＴ２のフロ
ントフェイスに結合されている。ＣＲＴは、そのフロン
トフェイスに表示された像をファイバーオプティカルプ
レートを介してＬＣＬＶ１の光導電膜に書き込む。光導
電膜の電位に応じて液晶層の投影画像の濃淡が形成され
る。一方、メタルハライドランプ等の光源３からリフレ
クタによって略平行光線となって発せられた光束は、偏
光板等の光学素子を経て、偏光ビームスプリッタ６に入
射する。この入射光のうちＰ偏光成分は、偏光ビームス
プリッタ６を通過する。Ｓ偏光成分は、偏光ビームスプ
リッタ６で進行方向が曲げられてＬＣＬＶ１に入射す
る。
装置のＬＣＬＶ１の光導電膜側基板は、ＣＲＴ２のフロ
ントフェイスに結合されている。ＣＲＴは、そのフロン
トフェイスに表示された像をファイバーオプティカルプ
レートを介してＬＣＬＶ１の光導電膜に書き込む。光導
電膜の電位に応じて液晶層の投影画像の濃淡が形成され
る。一方、メタルハライドランプ等の光源３からリフレ
クタによって略平行光線となって発せられた光束は、偏
光板等の光学素子を経て、偏光ビームスプリッタ６に入
射する。この入射光のうちＰ偏光成分は、偏光ビームス
プリッタ６を通過する。Ｓ偏光成分は、偏光ビームスプ
リッタ６で進行方向が曲げられてＬＣＬＶ１に入射す
る。
【０００５】ここで、ＬＣＬＶ１の液晶層にＣＲＴの画
像に対応した複屈折率が生じていると、ＬＣＬＶにおい
て反射された反射光中では液晶層の複屈折率に応じてＳ
偏光成分がＰ偏光成分に変換される。そして、このＰ偏
光成分が偏光ビームスプリッタ６をそのまま通過するこ
とにより、このＰ偏光成分すなわち投影光が投影レンズ
８を介してスクリーン９上に投影される。
像に対応した複屈折率が生じていると、ＬＣＬＶにおい
て反射された反射光中では液晶層の複屈折率に応じてＳ
偏光成分がＰ偏光成分に変換される。そして、このＰ偏
光成分が偏光ビームスプリッタ６をそのまま通過するこ
とにより、このＰ偏光成分すなわち投影光が投影レンズ
８を介してスクリーン９上に投影される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】黒色薄膜である遮光膜
には、光源からの強い投射光を光導電膜に入れないだけ
の遮光性と、電圧分布が広がらず分解能を落とさないだ
けの高いインピーダンス絶対値とが要求されるが、これ
ら両特性を満たす単層の遮光膜を得ることは難しい。
には、光源からの強い投射光を光導電膜に入れないだけ
の遮光性と、電圧分布が広がらず分解能を落とさないだ
けの高いインピーダンス絶対値とが要求されるが、これ
ら両特性を満たす単層の遮光膜を得ることは難しい。
【０００７】本発明の目的は、高インピーダンスを有し
遮光性の高い遮光膜を有するＬＣＬＶを提供することに
ある。
遮光性の高い遮光膜を有するＬＣＬＶを提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＣＬＶは、対
向する一対の書き込み側及び読み出し側透明基板と、前
記透明基板の各々の内側面に積層された対向する一対の
書き込み側及び読み出し側透明電極と、前記透明電極間
において前記書き込み側透明電極から光導電膜、遮光
膜、反射膜及び液晶層が順に配置された導電型液晶ライ
トバルブであって、前記遮光膜は、酸化マンガンと二酸
化ケイ素とが互いに分散した混合物からなることを特徴
とする。
向する一対の書き込み側及び読み出し側透明基板と、前
記透明基板の各々の内側面に積層された対向する一対の
書き込み側及び読み出し側透明電極と、前記透明電極間
において前記書き込み側透明電極から光導電膜、遮光
膜、反射膜及び液晶層が順に配置された導電型液晶ライ
トバルブであって、前記遮光膜は、酸化マンガンと二酸
化ケイ素とが互いに分散した混合物からなることを特徴
とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、遮光性に優れた高インピーダ
ンスの遮光膜を備えるので、高い分解能のＬＣＬＶが得
られる。
ンスの遮光膜を備えるので、高い分解能のＬＣＬＶが得
られる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明による実施例を図面を参照しつ
つ説明する。図３に本実施例を示す。ＬＣＬＶ１は、遮
光膜を酸化マンガン及び二酸化ケイ素からなる黒色絶縁
膜１７ａとし、その書き込み側ガラス基板をファイバー
オプティカルプレートからなる基板２１ａとした以外
は、図１に示すＬＣＬＶと同一の構造を有する。また、
ＣＲＴ２は、そのフロントフェイスをファイバーオプテ
ィカルプレートからなる基板２ａとした以外は図２に示
すＣＲＴと同一の構造を有する。ＬＣＬＶ及びＣＲＴの
ファイバーオプティカルプレート間は、シリコンゲル、
グリセリン等からなる接合層３０にて接合されている。
つ説明する。図３に本実施例を示す。ＬＣＬＶ１は、遮
光膜を酸化マンガン及び二酸化ケイ素からなる黒色絶縁
膜１７ａとし、その書き込み側ガラス基板をファイバー
オプティカルプレートからなる基板２１ａとした以外
は、図１に示すＬＣＬＶと同一の構造を有する。また、
ＣＲＴ２は、そのフロントフェイスをファイバーオプテ
ィカルプレートからなる基板２ａとした以外は図２に示
すＣＲＴと同一の構造を有する。ＬＣＬＶ及びＣＲＴの
ファイバーオプティカルプレート間は、シリコンゲル、
グリセリン等からなる接合層３０にて接合されている。
【００１１】遮光膜１７ａは、酸化マンガンと二酸化ケ
イ素の混合物からなり、おのおのが分散した状態の黒色
薄膜である。この遮光膜は、以下の（１）〜（４）の特
性及び条件、（１） 書き込み側基板２１上に先に成膜
されているアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から
なる光導電膜１５の特性を変化させないために、できる
だけ基板温度を低くした条件（常温程度）で成膜できる
こと、（２） 遮光膜上に成膜されるのが反射膜である
ため、鏡面性がよいこと、（３） 例えば、膜厚２μｍ
で波長500nmの光の強度を1/5000以下にできる光吸収係
数αをもつこと（すなわち、500nmでα＝４．５×１０4
cm-1程度）、及び（４） 高い分解能を得るためにイン
ピーダンス絶対値|Ｚ|の値が高いこと、を満たす膜であ
る。
イ素の混合物からなり、おのおのが分散した状態の黒色
薄膜である。この遮光膜は、以下の（１）〜（４）の特
性及び条件、（１） 書き込み側基板２１上に先に成膜
されているアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から
なる光導電膜１５の特性を変化させないために、できる
だけ基板温度を低くした条件（常温程度）で成膜できる
こと、（２） 遮光膜上に成膜されるのが反射膜である
ため、鏡面性がよいこと、（３） 例えば、膜厚２μｍ
で波長500nmの光の強度を1/5000以下にできる光吸収係
数αをもつこと（すなわち、500nmでα＝４．５×１０4
cm-1程度）、及び（４） 高い分解能を得るためにイン
ピーダンス絶対値|Ｚ|の値が高いこと、を満たす膜であ
る。
【００１２】ここで、画面１〜２インチサイズの液晶層
を有するＬＣＬＶを用いて、100インチの投射スクリー
ン上にハイビジョン画像を実現させるためには、解像限
界５０ラインペア/mm以上が必要である。この解像度を
得るため、遮光膜１７ａは、各膜のインピーダンス絶対
値|Ｚ|が液晶層１１で|Ｚ|＝５×１０7Ωcm、誘電体ミ
ラー１６で|Ｚ|＝１．６×１０7Ωcm（ｆ＝１０KHz)を
それぞれ有するので、そのインピーダンス絶対値が|Ｚ|
＝１×１０7Ωcm以上必要である。
を有するＬＣＬＶを用いて、100インチの投射スクリー
ン上にハイビジョン画像を実現させるためには、解像限
界５０ラインペア/mm以上が必要である。この解像度を
得るため、遮光膜１７ａは、各膜のインピーダンス絶対
値|Ｚ|が液晶層１１で|Ｚ|＝５×１０7Ωcm、誘電体ミ
ラー１６で|Ｚ|＝１．６×１０7Ωcm（ｆ＝１０KHz)を
それぞれ有するので、そのインピーダンス絶対値が|Ｚ|
＝１×１０7Ωcm以上必要である。
【００１３】上記（１）の条件、特性を満たすための遮
光膜として、ＭｎＯx（ｘは１，7/2，4/3，3/2，２をと
り得る）とＳｉＯ2とを分散させた膜を用いる。すなわ
ち、ＭｎＯxで光吸収係数を向上させ、ＳｉＯ2でインピ
ーダンス絶対値を向上させるために両材料を採用したの
である。ＭｎＯxとＳｉＯ2の特性を以下の表１に示す。
光膜として、ＭｎＯx（ｘは１，7/2，4/3，3/2，２をと
り得る）とＳｉＯ2とを分散させた膜を用いる。すなわ
ち、ＭｎＯxで光吸収係数を向上させ、ＳｉＯ2でインピ
ーダンス絶対値を向上させるために両材料を採用したの
である。ＭｎＯxとＳｉＯ2の特性を以下の表１に示す。
【００１４】
【表１】 遮光膜１７ａの製法としては、ＲＦスパッタリング法、
直流スパッタリング法、ＥＢ蒸着法が用いられ得、分散
膜はＭｎＯx及びＳｉＯ2の材料を時間分割によって交互
に成膜することによって達成できる。両膜の膜厚デュー
ティー比は適宜設定される。これらの方法は、基板温度
を上げずに成膜でき、膜の鏡面性もよい。ここでは実施
例としてＲＦマグネトロンスパッタリング法での成膜を
行った。
直流スパッタリング法、ＥＢ蒸着法が用いられ得、分散
膜はＭｎＯx及びＳｉＯ2の材料を時間分割によって交互
に成膜することによって達成できる。両膜の膜厚デュー
ティー比は適宜設定される。これらの方法は、基板温度
を上げずに成膜でき、膜の鏡面性もよい。ここでは実施
例としてＲＦマグネトロンスパッタリング法での成膜を
行った。
【００１５】図４に示すように、上部に回転する基板ホ
ルダ１１０を備えた真空チャンバー１１１内の底におい
て、ＭｎＯx及びＳｉＯ2のそれぞれのターゲット１１２
及び１１３を、基板ホルダの回転軌跡の直径の両端位置
下方にそれぞれ配置し、基板ホルダ１１０をそれらの上
で回転させ、基板１１４のａ−Ｓｉ：Ｈ光導電膜上にＭ
ｎＯxとＳｉＯ2とを交互に成膜する。１サイクル当りの
ＭｎＯx及びＳｉＯ2の成膜量は、ターゲットに印加する
ＲＦパワー、基板ホルダの回転速度により決まる。ま
た、このとき基板は常温に保つために水冷している。
ルダ１１０を備えた真空チャンバー１１１内の底におい
て、ＭｎＯx及びＳｉＯ2のそれぞれのターゲット１１２
及び１１３を、基板ホルダの回転軌跡の直径の両端位置
下方にそれぞれ配置し、基板ホルダ１１０をそれらの上
で回転させ、基板１１４のａ−Ｓｉ：Ｈ光導電膜上にＭ
ｎＯxとＳｉＯ2とを交互に成膜する。１サイクル当りの
ＭｎＯx及びＳｉＯ2の成膜量は、ターゲットに印加する
ＲＦパワー、基板ホルダの回転速度により決まる。ま
た、このとき基板は常温に保つために水冷している。
【００１６】これら２つの材料を交互に成膜していく
が、１サイクル当りの成膜量が１０Å以上であると多層
膜になり特性に異方性をもつが、１０Å以下にすると分
散膜になり、特性に異方性が現われない。このようにし
て、ＭｎＯx−ＳｉＯ2分散膜１７ａ（遮光膜）が得ら
れ、この上に従来と同様に誘電体ミラー１６並びにＬＣ
Ｄに必要な配向膜を順に形成して、図３に示すＬＣＬＶ
が形成される。
が、１サイクル当りの成膜量が１０Å以上であると多層
膜になり特性に異方性をもつが、１０Å以下にすると分
散膜になり、特性に異方性が現われない。このようにし
て、ＭｎＯx−ＳｉＯ2分散膜１７ａ（遮光膜）が得ら
れ、この上に従来と同様に誘電体ミラー１６並びにＬＣ
Ｄに必要な配向膜を順に形成して、図３に示すＬＣＬＶ
が形成される。
【００１７】得られたＭｎＯx−ＳｉＯ2分散膜の特性を
測定し、最適値を求めた。まず、ＭｎＯx：ＳｉＯ2の変
化特性を調べた。雰囲気ガス圧力Ｐ＝０．５ｐａ、基板
水冷、及び（Ｏ2）／（Ａｒ＋Ｏ2）＝０．５％の条件
で、ＭｎＯxとＳｉＯ2との成膜比を変化させることによ
る特性の変化を図５に示す。（ＭｎＯx）／（ＭｎＯx＋
ＳｉＯ2）が増加すると、光吸収係数αが増加し、イン
ピーダンス絶対値|Ｚ|が減少することがわかる。図５の
グラフより、（ＭｎＯx）／（ＭｎＯx＋ＳｉＯ2）＝５
０〜５５％では必要な光吸収係数α、インピーダンス絶
対値|Ｚ|の値を満たすことがわかる。すなわち、遮光膜
において酸化マンガンと二酸化ケイ素との重量比が４．
５：５．５〜５．５：４．５で分散混合されていること
が好ましい。
測定し、最適値を求めた。まず、ＭｎＯx：ＳｉＯ2の変
化特性を調べた。雰囲気ガス圧力Ｐ＝０．５ｐａ、基板
水冷、及び（Ｏ2）／（Ａｒ＋Ｏ2）＝０．５％の条件
で、ＭｎＯxとＳｉＯ2との成膜比を変化させることによ
る特性の変化を図５に示す。（ＭｎＯx）／（ＭｎＯx＋
ＳｉＯ2）が増加すると、光吸収係数αが増加し、イン
ピーダンス絶対値|Ｚ|が減少することがわかる。図５の
グラフより、（ＭｎＯx）／（ＭｎＯx＋ＳｉＯ2）＝５
０〜５５％では必要な光吸収係数α、インピーダンス絶
対値|Ｚ|の値を満たすことがわかる。すなわち、遮光膜
において酸化マンガンと二酸化ケイ素との重量比が４．
５：５．５〜５．５：４．５で分散混合されていること
が好ましい。
【００１８】次に、成膜中のＡｒ及びＯ2ガスの影響を
調べたるために、（Ｏ2）／（Ａｒ＋Ｏ2）の変化特性を
測定した。Ｐ＝０．５ｐａ、基板水冷、及び（Ｍｎ
Ｏx）／（ＭｎＯx＋ＳｉＯ2）＝５０％の条件で、雰囲
気ガス中の酸素比を変化させることによる特性の変化を
図６に示す。酸素比を上げるとＭｎＯxの構成において
（ＭｎＯ2）／（Ｍｎ2Ｏ3）が増加となり（Ｏ2が０％な
らＭｎ2Ｏ3は100％である）、光吸収係数αが増加し、
インピーダンス絶対値|Ｚ|が減少することがグラフから
もわかる。このグラフより、（Ｏ2）／（Ａｒ＋Ｏ2）＝
０．５〜０．７％では、必要な光吸収係数α、インピー
ダンス絶対値|Ｚ|の値を満たすことがわかる。
調べたるために、（Ｏ2）／（Ａｒ＋Ｏ2）の変化特性を
測定した。Ｐ＝０．５ｐａ、基板水冷、及び（Ｍｎ
Ｏx）／（ＭｎＯx＋ＳｉＯ2）＝５０％の条件で、雰囲
気ガス中の酸素比を変化させることによる特性の変化を
図６に示す。酸素比を上げるとＭｎＯxの構成において
（ＭｎＯ2）／（Ｍｎ2Ｏ3）が増加となり（Ｏ2が０％な
らＭｎ2Ｏ3は100％である）、光吸収係数αが増加し、
インピーダンス絶対値|Ｚ|が減少することがグラフから
もわかる。このグラフより、（Ｏ2）／（Ａｒ＋Ｏ2）＝
０．５〜０．７％では、必要な光吸収係数α、インピー
ダンス絶対値|Ｚ|の値を満たすことがわかる。
【００１９】以上のことより、（ＭｎＯx）／（ＭｎＯx
＋ＳｉＯ2）＝５０％，（Ｏ2）／（Ａｒ＋Ｏ2）＝０．
５％の条件で成膜した遮光膜を用いたＬＣＬＶを作成し
た。波長500nmの光を用いたときで光吸収係数α＝４．
５×１０4cm-1、１０KHz印加時でインピーダンス絶対値
|Ｚ|＝１．４×１０7Ωcmが得られ、その結果、解像限
界は５０ラインペア/mm以上となり、波長500nmの光の強
度を１／8000に減衰させることができた。
＋ＳｉＯ2）＝５０％，（Ｏ2）／（Ａｒ＋Ｏ2）＝０．
５％の条件で成膜した遮光膜を用いたＬＣＬＶを作成し
た。波長500nmの光を用いたときで光吸収係数α＝４．
５×１０4cm-1、１０KHz印加時でインピーダンス絶対値
|Ｚ|＝１．４×１０7Ωcmが得られ、その結果、解像限
界は５０ラインペア/mm以上となり、波長500nmの光の強
度を１／8000に減衰させることができた。
【００２０】ここで、実施例のＭｎＯx−ＳｉＯ2からな
る分散膜の光波長に対する光吸収係数の変化及び駆動印
加周波数に対するインピーダンス絶対値の変化の比較結
果をそれぞれ図７及び８に示す。
る分散膜の光波長に対する光吸収係数の変化及び駆動印
加周波数に対するインピーダンス絶対値の変化の比較結
果をそれぞれ図７及び８に示す。
【００２１】
【発明の効果】以上の如く、本発明によればＬＣＬＶの
遮光膜に、光吸収係数が波長500nmの光で４〜５×１０4
cm-1、波長600nmの光で２．５〜３×１０4cm-1と十分な
黒色性をもつと同時に、インピーダンス絶対値が１０KH
z印加時で１×１０7Ωcm以上と充分な絶縁性を有する、
Ｍｎ2Ｏ3とＳｉＯ2を混合分散させて成膜した黒色絶縁
層を用いたので、高い解像度を有したＬＣＬＶが得られ
る。また、かかる黒色絶縁層は１０ＫＨｚで損失角が８
０degときわめて誘電体に近い値を示すことから温度特
性をもたないので、耐久性に優れた遮光膜を有するＬＣ
ＬＶが得られる。さらに、ＬＣＬＶの製造において、Ｍ
ｎ2Ｏ3及びＳｉＯ2とも廉価で入手しやすいので経済性
に優れる。
遮光膜に、光吸収係数が波長500nmの光で４〜５×１０4
cm-1、波長600nmの光で２．５〜３×１０4cm-1と十分な
黒色性をもつと同時に、インピーダンス絶対値が１０KH
z印加時で１×１０7Ωcm以上と充分な絶縁性を有する、
Ｍｎ2Ｏ3とＳｉＯ2を混合分散させて成膜した黒色絶縁
層を用いたので、高い解像度を有したＬＣＬＶが得られ
る。また、かかる黒色絶縁層は１０ＫＨｚで損失角が８
０degときわめて誘電体に近い値を示すことから温度特
性をもたないので、耐久性に優れた遮光膜を有するＬＣ
ＬＶが得られる。さらに、ＬＣＬＶの製造において、Ｍ
ｎ2Ｏ3及びＳｉＯ2とも廉価で入手しやすいので経済性
に優れる。
【図１】ＬＣＬＶの概略を示す構造図である。
【図２】ＬＣＬＶを用いた投射型表示装置の概略を示す
構造図である。
構造図である。
【図３】実施例のＬＣＬＶの概略を示す構造図である。
【図４】本発明にかかる遮光膜を成膜する方法を示す概
略図である。
略図である。
【図５】分散膜成膜中のＭｎＯx−ＳｉＯ2におけるＭｎ
Ｏx濃度と光吸収係数との関係を示すグラフである。
Ｏx濃度と光吸収係数との関係を示すグラフである。
【図６】分散膜の成膜中の処理ガス中のＯ2濃度と光吸
収係数及びインピーダンス絶対値との関係を示すグラフ
である。
収係数及びインピーダンス絶対値との関係を示すグラフ
である。
【図７】本実施例の光波長に対する光吸収係数の特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図８】本実施例の周波数に対するインピーダンス絶対
値の特性を示すグラフである。
値の特性を示すグラフである。
１１ 液晶層 １２ スペーサ １３、１４ 配向膜 １５ 光導電膜 １６ 反射膜（誘電体ミラー） １７ａ 分散膜（遮光膜） １８，１９ 透明電極 ２０、２１ ガラス基板 １１２，１１３ ターゲット １１４ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 対向する一対の書き込み側及び読み出し
側透明基板と、前記透明基板の各々の内側面に積層され
た対向する一対の書き込み側及び読み出し側透明電極
と、前記透明電極間において前記書き込み側透明電極か
ら光導電膜、遮光膜、反射膜及び液晶層が順に配置され
た導電型液晶ライトバルブであって、前記遮光膜は、酸
化マンガンと二酸化ケイ素とが互いに分散した混合物か
らなることを特徴とする光導電型液晶ライトバルブ。 - 【請求項２】 前記混合物は、前記酸化マンガンと二酸
化ケイ素との重量比が４．５：５．５〜５．５：４．５
で分散混合されていることを特徴とする請求項１記載の
光導電型液晶ライトバルブ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5144726A JPH075488A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 光導電型液晶ライトバルブ |
| US08/258,104 US5521730A (en) | 1993-06-16 | 1994-06-10 | Photoconductive-type liquid crystal light valve with a shielding layer made of manganese oxide and silicon dioxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5144726A JPH075488A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075488A true JPH075488A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15368899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5144726A Pending JPH075488A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5521730A (ja) |
| JP (1) | JPH075488A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101106558B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 블랙매트릭스와 이를 포함하는 액정표시장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622407A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | 株式会社東芝 | 回路基板 |
| US4799773A (en) * | 1987-08-27 | 1989-01-24 | Hughes Aircraft Company | Liquid crystal light valve and associated bonding structure |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP5144726A patent/JPH075488A/ja active Pending
-
1994
- 1994-06-10 US US08/258,104 patent/US5521730A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5521730A (en) | 1996-05-28 |
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