JPH0752720B2 - 半導体ウェーハ保持装置の保持溝形成方法 - Google Patents
半導体ウェーハ保持装置の保持溝形成方法Info
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- JPH0752720B2 JPH0752720B2 JP63131617A JP13161788A JPH0752720B2 JP H0752720 B2 JPH0752720 B2 JP H0752720B2 JP 63131617 A JP63131617 A JP 63131617A JP 13161788 A JP13161788 A JP 13161788A JP H0752720 B2 JPH0752720 B2 JP H0752720B2
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、加熱処理工程において例えば石英管の中に多
数枚の半導体ウエーハを整列保持する半導体ウエーハ保
持装置に係り、特に軸方向に沿って多数のウエーハ挿入
溝を刻設した少なくとも二つの支持棒からなる半導体ウ
エーハ保持装置の保持溝形成方法に関する。
数枚の半導体ウエーハを整列保持する半導体ウエーハ保
持装置に係り、特に軸方向に沿って多数のウエーハ挿入
溝を刻設した少なくとも二つの支持棒からなる半導体ウ
エーハ保持装置の保持溝形成方法に関する。
「従来の技術」 従来より例えば一側表面を研磨して形成される略円形薄
板状の半導体ウエーハ表面に反応ガスを流しながら、比
較的低温例えば500℃より比較的高温例えば1200℃の高
温雰囲気下で加熱処理を行う、酸化、デポジション、拡
散、その他の半導体製造工程は公知であり、この種の製
造工程では量的処理と取扱いの容易化を図る為に前記ウ
エーハを多数枚整列保持するウエーハ保持装置（以下ウ
エーハボートという）を用い、該ボードを熱処理炉内に
出入させて加熱処理が行われている。
板状の半導体ウエーハ表面に反応ガスを流しながら、比
較的低温例えば500℃より比較的高温例えば1200℃の高
温雰囲気下で加熱処理を行う、酸化、デポジション、拡
散、その他の半導体製造工程は公知であり、この種の製
造工程では量的処理と取扱いの容易化を図る為に前記ウ
エーハを多数枚整列保持するウエーハ保持装置（以下ウ
エーハボートという）を用い、該ボードを熱処理炉内に
出入させて加熱処理が行われている。
かかるポートは一般に耐熱性があり、且つ高温時におい
ても処理する半導体ウエーハの汚染の原因とならない石
英ガラス又はSiC材を用いて形成され、その形状はほぼ
平行に延設する複数の支持棒の対面する側に、軸方向に
沿って多数のウエーハ挿入溝を刻設したもの、又ウエー
ハ外周に沿って湾曲させた板状部材の内壁面側に前記多
数のウエーハ挿入溝を刻設したもの、更には前記板状部
材と支持棒との組合せからなるもの等が存在するが、い
ずれも複数点支持にて前記挿入溝にウエーハ周縁を係止
させながら、前記炉管軸線方向に沿って多数枚の半導体
ウエーハを整列配置する構成を取っている。
ても処理する半導体ウエーハの汚染の原因とならない石
英ガラス又はSiC材を用いて形成され、その形状はほぼ
平行に延設する複数の支持棒の対面する側に、軸方向に
沿って多数のウエーハ挿入溝を刻設したもの、又ウエー
ハ外周に沿って湾曲させた板状部材の内壁面側に前記多
数のウエーハ挿入溝を刻設したもの、更には前記板状部
材と支持棒との組合せからなるもの等が存在するが、い
ずれも複数点支持にて前記挿入溝にウエーハ周縁を係止
させながら、前記炉管軸線方向に沿って多数枚の半導体
ウエーハを整列配置する構成を取っている。
そしてこのような挿入溝の断面形状には、矩形溝、Ｖ溝
又はＹ溝等の種々の形状が存在するが、矩形溝ではウエ
ーハ挿入時にウエーハ周縁部が溝開口端部に衝接し易
く、衝接によりウエーハの欠け、傷又はその結果として
パーティクル付着等が発生する恐れがあり、更にウエー
ハが局部的な点接触の状態で支持される為に姿勢保持安
定性に欠けるという問題と、その接触点においてボート
部材とウエーハの固着、酸化膜の成長不良、更には結晶
質の劣化等が生ずる。
又はＹ溝等の種々の形状が存在するが、矩形溝ではウエ
ーハ挿入時にウエーハ周縁部が溝開口端部に衝接し易
く、衝接によりウエーハの欠け、傷又はその結果として
パーティクル付着等が発生する恐れがあり、更にウエー
ハが局部的な点接触の状態で支持される為に姿勢保持安
定性に欠けるという問題と、その接触点においてボート
部材とウエーハの固着、酸化膜の成長不良、更には結晶
質の劣化等が生ずる。
この為一般的には前記欠点を解消するために、Ｖ又はＹ
溝形状のウエーハ挿入溝が多く用いられている。しか
し、Ｖ及びＹ溝形状のウエーハ挿入溝においても、なお
解決すべき問題点がある。
溝形状のウエーハ挿入溝が多く用いられている。しか
し、Ｖ及びＹ溝形状のウエーハ挿入溝においても、なお
解決すべき問題点がある。
そして、かかる挿入溝を断面円形の支持棒に刻設させる
場合は、例えば第５図（ａ）（ｂ）に示すように前記挿
入溝110と同形の断面形状を有する円板状のダイヤモン
ドカッター120を上方より支持棒100中心側に向け侵入さ
せるか、又は支持棒100接線方向に沿って該カッター120
を侵入させながら加工を行うものである為に、平行溝11
1の底面111aと該溝111と案内溝112間に形成される稜線1
12aが平行となるとともに、第５図（ｃ）に示すよう
に、該平行溝111の両側端111bが鋭角に支持棒100周面状
に露出する事となる。
場合は、例えば第５図（ａ）（ｂ）に示すように前記挿
入溝110と同形の断面形状を有する円板状のダイヤモン
ドカッター120を上方より支持棒100中心側に向け侵入さ
せるか、又は支持棒100接線方向に沿って該カッター120
を侵入させながら加工を行うものである為に、平行溝11
1の底面111aと該溝111と案内溝112間に形成される稜線1
12aが平行となるとともに、第５図（ｃ）に示すよう
に、該平行溝111の両側端111bが鋭角に支持棒100周面状
に露出する事となる。
「発明が解決しようとする課題」 一方第６図に示すように支持棒100をウエーハ周辺に沿
って複数本配置し、該支持棒100に形成される囲繞空間
内にウエーハを収納する構成をとるポートにあっては、
ウエーハ保持の安定化を図る為に、各支持棒100の挿入
溝開口方向を該溝110に収納されているウエーハの半径
方向Ｃ−Ｃ′と合致すべく配向しているが、このような
構成をとると各挿入溝の方向と鉛直方向との角度αが大
になればなる程、支持棒100周面に露出している平行溝1
11側壁の一方の111bが上方に位置する事となり、結果と
してウエーハ１をＡ方向に挿入する時にウエーハ１が、
前記案内溝112のテーパ部に導かれる事なく直接平行溝1
11に挿入されてしまう為に、Ｙ溝形状にした利点が何等
生かされず、ウエーハ挿入時にウエーハ周縁部が前記側
端に衝接し易くなる。
って複数本配置し、該支持棒100に形成される囲繞空間
内にウエーハを収納する構成をとるポートにあっては、
ウエーハ保持の安定化を図る為に、各支持棒100の挿入
溝開口方向を該溝110に収納されているウエーハの半径
方向Ｃ−Ｃ′と合致すべく配向しているが、このような
構成をとると各挿入溝の方向と鉛直方向との角度αが大
になればなる程、支持棒100周面に露出している平行溝1
11側壁の一方の111bが上方に位置する事となり、結果と
してウエーハ１をＡ方向に挿入する時にウエーハ１が、
前記案内溝112のテーパ部に導かれる事なく直接平行溝1
11に挿入されてしまう為に、Ｙ溝形状にした利点が何等
生かされず、ウエーハ挿入時にウエーハ周縁部が前記側
端に衝接し易くなる。
又ウエーハが挿入された後で、平行棒111とウエーハの
厚さと意図された寸法差のためにウエーハは僅かな傾斜
をもって載置されるが、その際左右の支持棒の案内溝11
2と平行棒111とで形成される稜線と、支持棒100表面と
の一交点の角部111cでウエーハ周端面が接触し、局部的
な応力集中が起きる。（第５図（Ｃ）、第６図参照） かかる欠点を解消する為に、第４図に示すように、平行
溝部121は底面がウエーハ１外周と合致する如く形成す
るとともに、案内溝部122を前記平行溝部121に対し角度
を変向させ、該案内溝部122の開口部122Aが上側に向け
て形成した従来技術（実開昭61−22347号、以下第１従
来技術という）が存在するが、かかる従来技術において
は、溝加工された支持棒を組合加工する場合、例えば材
質が石英の場合手作業で溶接組立が行われるので、案内
溝を理想的に水平方向に対峙することが不可能に低く、
このため案内溝と平行溝の稜線の支持棒との一交点の角
部のウエーハ載置時に接触を避けるのに困難があり、又
平行溝111の上部で案内溝部122が形成されないところで
は平行溝111の深さが大になる為に、その部分における
反応ガスの回り込みが円滑に行われにくく、結果として
製品不良が増大する事となる。
厚さと意図された寸法差のためにウエーハは僅かな傾斜
をもって載置されるが、その際左右の支持棒の案内溝11
2と平行棒111とで形成される稜線と、支持棒100表面と
の一交点の角部111cでウエーハ周端面が接触し、局部的
な応力集中が起きる。（第５図（Ｃ）、第６図参照） かかる欠点を解消する為に、第４図に示すように、平行
溝部121は底面がウエーハ１外周と合致する如く形成す
るとともに、案内溝部122を前記平行溝部121に対し角度
を変向させ、該案内溝部122の開口部122Aが上側に向け
て形成した従来技術（実開昭61−22347号、以下第１従
来技術という）が存在するが、かかる従来技術において
は、溝加工された支持棒を組合加工する場合、例えば材
質が石英の場合手作業で溶接組立が行われるので、案内
溝を理想的に水平方向に対峙することが不可能に低く、
このため案内溝と平行溝の稜線の支持棒との一交点の角
部のウエーハ載置時に接触を避けるのに困難があり、又
平行溝111の上部で案内溝部122が形成されないところで
は平行溝111の深さが大になる為に、その部分における
反応ガスの回り込みが円滑に行われにくく、結果として
製品不良が増大する事となる。
更に第３図（ａ）及び（ｂ）に示すように、本発明の比
較例として半導体ウエーハ１の周縁を保持する平行溝21
の外側にウエーハ１を案内するテーパ溝22が同心且つリ
ング状に形成した場合において、前記両溝21、22がいず
れも同心無端状のリング円である為に、ウエーハ１の案
内が容易になり、且つ平行溝21底面とテーパ溝22が全く
交差しない為に、ウエーハ１の傷防止又はパーティクル
発生の面から好ましいが、前記保持溝形成後の残余の支
持棒２の直径が細径化し、強度的に際めて不安がでると
共に、特に近年の様に大口径化した多数枚のウエーハを
保持させる場合に完全に強度が不足し、破損してしま
う。
較例として半導体ウエーハ１の周縁を保持する平行溝21
の外側にウエーハ１を案内するテーパ溝22が同心且つリ
ング状に形成した場合において、前記両溝21、22がいず
れも同心無端状のリング円である為に、ウエーハ１の案
内が容易になり、且つ平行溝21底面とテーパ溝22が全く
交差しない為に、ウエーハ１の傷防止又はパーティクル
発生の面から好ましいが、前記保持溝形成後の残余の支
持棒２の直径が細径化し、強度的に際めて不安がでると
共に、特に近年の様に大口径化した多数枚のウエーハを
保持させる場合に完全に強度が不足し、破損してしま
う。
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、前記支持棒をウ
エーハ周方向の任意の位置に配設した場合においても、
前記半導体ウエーハの周縁を保持する溝部が直接支持棒
周面上に露出する事なく、常に案内溝を介してウエーハ
の平行溝への挿入を可能にし、且つ載置時にウエーハが
局部的に支持棒溝の鋭角な角部で接触保持されず、且つ
溝部における反応ガスの回り込みを容易にする半導体ウ
エーハ保持装置の保持溝形成方法を提供する事を目的と
する。
エーハ周方向の任意の位置に配設した場合においても、
前記半導体ウエーハの周縁を保持する溝部が直接支持棒
周面上に露出する事なく、常に案内溝を介してウエーハ
の平行溝への挿入を可能にし、且つ載置時にウエーハが
局部的に支持棒溝の鋭角な角部で接触保持されず、且つ
溝部における反応ガスの回り込みを容易にする半導体ウ
エーハ保持装置の保持溝形成方法を提供する事を目的と
する。
本発明の他の目的は大口径化した多数枚のウエーハを保
持させる場合においても強度的に不安のない半導体ウエ
ーハ保持装置の保持溝形成方法を提供する事を目的とす
る。
持させる場合においても強度的に不安のない半導体ウエ
ーハ保持装置の保持溝形成方法を提供する事を目的とす
る。
「課題を解決する為の手段」 本発明は、半導体ウエーハの周縁を保持する第一の溝部
と、該第一の溝部にウエーハを案内する為に、第１の溝
部の支持棒外周側を断面テーパ状に拡幅化させてなる第
二の溝部とからなるウエーハ挿入溝を、軸方向に沿って
多数刻設した少なくとも一つの支持棒を有する半導体ウ
エーハ保持装置の第二の溝部形成方法において、 前記第一の溝部を削成する第一のカッタが、その周縁が
断面矩形状の円形カッタで有り、 一方前記第二の溝部を削成する第二のカッタが、前記第
一の溝部を削成するカッタより小径で且つその周縁が断
面台形状の円形カッタで有り 前記第一のカッタにて第一の溝部を削成した後、第二の
カッタにて第一の溝部の一の側端底部から反対側の側端
底部まで支持棒周面に沿って該周面と同心状に削成する
ことにより、前記第二の溝部を形成する事を特徴とする
半導体ウエーハ保持装置の溝部形成方法を提案する。
と、該第一の溝部にウエーハを案内する為に、第１の溝
部の支持棒外周側を断面テーパ状に拡幅化させてなる第
二の溝部とからなるウエーハ挿入溝を、軸方向に沿って
多数刻設した少なくとも一つの支持棒を有する半導体ウ
エーハ保持装置の第二の溝部形成方法において、 前記第一の溝部を削成する第一のカッタが、その周縁が
断面矩形状の円形カッタで有り、 一方前記第二の溝部を削成する第二のカッタが、前記第
一の溝部を削成するカッタより小径で且つその周縁が断
面台形状の円形カッタで有り 前記第一のカッタにて第一の溝部を削成した後、第二の
カッタにて第一の溝部の一の側端底部から反対側の側端
底部まで支持棒周面に沿って該周面と同心状に削成する
ことにより、前記第二の溝部を形成する事を特徴とする
半導体ウエーハ保持装置の溝部形成方法を提案する。
この結果前記第二の溝部は、前記第一溝部の両側端溝底
部を支持棒周面の非溝形成部側に向けＲ状にえぐった延
設部位を具えつつ、前記第一の溝部が形成された支持棒
周面を断面テーパ状に拡幅化させてなる弧状溝として形
成される。
部を支持棒周面の非溝形成部側に向けＲ状にえぐった延
設部位を具えつつ、前記第一の溝部が形成された支持棒
周面を断面テーパ状に拡幅化させてなる弧状溝として形
成される。
即ちより具体的には弧状に形成した第二の溝部12を第１
図に示すように、第一の溝部11の両側端底部11cを超え
た位置まで延在させた延在部位13cが形成される。
図に示すように、第一の溝部11の両側端底部11cを超え
た位置まで延在させた延在部位13cが形成される。
「作用」 かかる技術手段によれば、第１図に示すように、第一の
溝部11の両側端底部11c更には両側端底部11cを超えた位
置まで延在させた為に、前記第１の溝部11の稜線部分11
b言い換えれば支持棒２周面側の縁部全てが案内として
の第２の溝部12を介して支持棒２周面と接する事にな
る。
溝部11の両側端底部11c更には両側端底部11cを超えた位
置まで延在させた為に、前記第１の溝部11の稜線部分11
b言い換えれば支持棒２周面側の縁部全てが案内として
の第２の溝部12を介して支持棒２周面と接する事にな
る。
従って支持棒２の保持溝をウエーハ周面と対面配置した
場合、ウエーハ挿入溝10の開口部はいずれも第２の溝部
12を介して半導体ウエーハ１の周縁を保持する溝部11が
位置する事になる為、ウエーハ挿入方向Ａに限定される
異なくウエーハ挿入の容易化が達成されるとともに、従
来のＹ溝のように前記溝部11側端側がウエーハ１周面に
露出する事もない為に、該側端側にウエーハ１が衝接す
る恐れが極めて低減する。
場合、ウエーハ挿入溝10の開口部はいずれも第２の溝部
12を介して半導体ウエーハ１の周縁を保持する溝部11が
位置する事になる為、ウエーハ挿入方向Ａに限定される
異なくウエーハ挿入の容易化が達成されるとともに、従
来のＹ溝のように前記溝部11側端側がウエーハ１周面に
露出する事もない為に、該側端側にウエーハ１が衝接す
る恐れが極めて低減する。
而も本発明の溝部形成方法により形成された溝部は、支
持棒２の回転角度位置に合せて第２の溝部12を変向して
形成する必要が全くない為に、取付角度の異なる異種の
保持装置に使用出来汎用的であるとともに、且つ前記支
持棒２の取付け角度が多少狂った場合においても問題が
生ぜず、又ウエーハ保持装置の製造工程の共通化ととも
に組立作業に熟練を必要とする事なく製造可能であり、
製造コスト及び工数の低減につながる。
持棒２の回転角度位置に合せて第２の溝部12を変向して
形成する必要が全くない為に、取付角度の異なる異種の
保持装置に使用出来汎用的であるとともに、且つ前記支
持棒２の取付け角度が多少狂った場合においても問題が
生ぜず、又ウエーハ保持装置の製造工程の共通化ととも
に組立作業に熟練を必要とする事なく製造可能であり、
製造コスト及び工数の低減につながる。
又、第二の溝部12は弧状に形成される為に、いずれも支
持棒２周面方向に沿ってほぼ同一溝深さで形成されてお
り、且つ前記第１の従来技術のように案内溝112が周径
方向に非対称に形成されているのではなく対称に形成さ
れている為に、必然的にガスの回り込みもよくなり、製
品不良も大幅に低減する。特に第一の溝11の両側端底部
11cを超えた位置まで延在させた延在部位13cが形成さ
れ、而も該延在部位13cの支持棒周面に至る端部形状を
円弧状に形成したために、該延在部位13cからも容易に
ガスが侵入する。
持棒２周面方向に沿ってほぼ同一溝深さで形成されてお
り、且つ前記第１の従来技術のように案内溝112が周径
方向に非対称に形成されているのではなく対称に形成さ
れている為に、必然的にガスの回り込みもよくなり、製
品不良も大幅に低減する。特に第一の溝11の両側端底部
11cを超えた位置まで延在させた延在部位13cが形成さ
れ、而も該延在部位13cの支持棒周面に至る端部形状を
円弧状に形成したために、該延在部位13cからも容易に
ガスが侵入する。
又前記第２の溝部12が円周方向に対称に形成される為
に、ウエーハ１が保持溝11内で僅かに傾斜してその稜線
部分13bで保持される場合においても、その稜線13bの接
触位置がウエーハ１接線上の稜線中央位置となり、この
結果左右に配設した各一対の支持棒２夫々に均等にウエ
ーハ１荷重が印加する事となり、この結果高温処理時に
前記稜線13と接触しているウエーハ１側に集中接触圧の
ために固着したり、結晶欠陥の発生する事もない。
に、ウエーハ１が保持溝11内で僅かに傾斜してその稜線
部分13bで保持される場合においても、その稜線13bの接
触位置がウエーハ１接線上の稜線中央位置となり、この
結果左右に配設した各一対の支持棒２夫々に均等にウエ
ーハ１荷重が印加する事となり、この結果高温処理時に
前記稜線13と接触しているウエーハ１側に集中接触圧の
ために固着したり、結晶欠陥の発生する事もない。
而も前記第２の溝は第３図に示すようなリング溝円でな
い為に、前記保持溝形成後の残余の支持棒２の直径が細
径化することなく、結果として大口径化した多数枚のウ
エーハを保持させる場合においても強度的に不安のない
半導体ウエーハ保持装置を提供する事が出来る。
い為に、前記保持溝形成後の残余の支持棒２の直径が細
径化することなく、結果として大口径化した多数枚のウ
エーハを保持させる場合においても強度的に不安のない
半導体ウエーハ保持装置を提供する事が出来る。
「実施例」 以下、図面を参照して本発明の好適な実施例を例示的に
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
第２図は本発明に適用される石英ガラス製のウエーハ保
持装置４を示す斜視図で、軸方向に沿って多数のウエー
ハ挿入溝10を刻設した一対の支持棒２を平行に延設する
とともに、該支持棒２の両端側に連結棒３を溶着し、該
支持棒２間の間隔保持を行っている。
持装置４を示す斜視図で、軸方向に沿って多数のウエー
ハ挿入溝10を刻設した一対の支持棒２を平行に延設する
とともに、該支持棒２の両端側に連結棒３を溶着し、該
支持棒２間の間隔保持を行っている。
第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）はかかる保持装置４に使用さ
れる本発明の実施例に係る支持棒２で、ウエーハ挿入溝
10をその製造手段に従って説明するに、先ず、ウエーハ
１肉厚より僅かに大なる肉厚を有する断面矩形状の円板
状ダイヤモンドカッタ51を、支持棒２の任意の接線方向
に沿って挿入させながら加工を行い先ずウエーハ１の周
縁を保持する平行溝11（第一の溝部、保持溝部）を刻設
する。（第１図（ａ）参照） 次に第１図（ｂ）に示すように、前記支持棒２を、周縁
部が断面台形状で且つ前記ダイヤモンドカッタ51より小
径のダイヤモンドカッタ52に当てながら、平行溝11の側
端底部11cから反対側の側端底部11cに至るまで支持棒１
周面に沿って弧状に研削を行なうことにより、前記両側
端底部11cを支持棒１周面の非溝形成部側までＲ状にえ
ぐりながら、支持棒１周面に沿う弧状の第二の溝部12
（以上弧状溝12という）が、即ち具体的には第１図
（ｃ）に示すように、テーパ状に拡幅化した弧状溝12を
略支持棒２周面に沿って弧状に形成されるとともに弧状
溝部12を、平行溝11の両側端底部11cを超えた位置まで
延設させた延在部位13cが形成される。
れる本発明の実施例に係る支持棒２で、ウエーハ挿入溝
10をその製造手段に従って説明するに、先ず、ウエーハ
１肉厚より僅かに大なる肉厚を有する断面矩形状の円板
状ダイヤモンドカッタ51を、支持棒２の任意の接線方向
に沿って挿入させながら加工を行い先ずウエーハ１の周
縁を保持する平行溝11（第一の溝部、保持溝部）を刻設
する。（第１図（ａ）参照） 次に第１図（ｂ）に示すように、前記支持棒２を、周縁
部が断面台形状で且つ前記ダイヤモンドカッタ51より小
径のダイヤモンドカッタ52に当てながら、平行溝11の側
端底部11cから反対側の側端底部11cに至るまで支持棒１
周面に沿って弧状に研削を行なうことにより、前記両側
端底部11cを支持棒１周面の非溝形成部側までＲ状にえ
ぐりながら、支持棒１周面に沿う弧状の第二の溝部12
（以上弧状溝12という）が、即ち具体的には第１図
（ｃ）に示すように、テーパ状に拡幅化した弧状溝12を
略支持棒２周面に沿って弧状に形成されるとともに弧状
溝部12を、平行溝11の両側端底部11cを超えた位置まで
延設させた延在部位13cが形成される。
そして前記各溝間の稜線部分13a,13b,及び延在部位13c
をバーナであぶって先鋭化したエッジ除去を行い且つ洗
浄した後、該一対の支持棒２を第１図（ｄ）に示すよう
にウエーハ１周径に沿って配置するとともに、該支持棒
２に形成した挿入溝10を互いに対面させて且つ前記平行
溝11底面が、ウエーハ１の接線方向と合致すべく配置し
た状態で、その両端側に連結棒３を溶着して完成する。
をバーナであぶって先鋭化したエッジ除去を行い且つ洗
浄した後、該一対の支持棒２を第１図（ｄ）に示すよう
にウエーハ１周径に沿って配置するとともに、該支持棒
２に形成した挿入溝10を互いに対面させて且つ前記平行
溝11底面が、ウエーハ１の接線方向と合致すべく配置し
た状態で、その両端側に連結棒３を溶着して完成する。
「発明の効果」 以上記載した如く本発明によれば、前記支持棒をウエー
ハ周方向の任意の位置に配設した場合においても、前記
半導体ウエーハの周縁を保持する溝部が支持棒周面上に
露出する事なく、前記第二の溝その他のウエーハ案内部
位を介して支持棒周面と連接させる事が出来、これによ
り前記支持棒の配設位置（振れ角α）に限定される事な
く前記ウエーハの挿入容易化とともに、該挿入時におけ
るウエーハと支持棒が衝接する恐れを極力低減し、且
つ、熱処理時のウエーハの不良の原因を除去する保持溝
が容易に形成する事が出来る。
ハ周方向の任意の位置に配設した場合においても、前記
半導体ウエーハの周縁を保持する溝部が支持棒周面上に
露出する事なく、前記第二の溝その他のウエーハ案内部
位を介して支持棒周面と連接させる事が出来、これによ
り前記支持棒の配設位置（振れ角α）に限定される事な
く前記ウエーハの挿入容易化とともに、該挿入時におけ
るウエーハと支持棒が衝接する恐れを極力低減し、且
つ、熱処理時のウエーハの不良の原因を除去する保持溝
が容易に形成する事が出来る。
等の種々の著効を有す。
第２図は本発明が適用される半導体ウエーハ保持装置を
示す斜視図、第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の実施例
に係り、（ａ）乃至（ｃ）は支持棒の製造手順を示し、
（ｄ）はウエーハ収納状態を示すウエーハ保持装置断面
図である。 第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の比較例に係り、
（ａ）は要部斜視図、（ｂ）はウエーハ収納状態を示す
断面図である。 第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）は従来技術に係る支持棒の製
作手順を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は溝切削状態を
示す作用図、（ｃ）は切削後の外形形状を示す斜視図で
ある。 第６図は前記支持棒を用いて形成したウエーハ保持装置
を示す概略図、第４図は他の従来技術に係るウエーハ保
持装置を示す概略図である。
示す斜視図、第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の実施例
に係り、（ａ）乃至（ｃ）は支持棒の製造手順を示し、
（ｄ）はウエーハ収納状態を示すウエーハ保持装置断面
図である。 第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の比較例に係り、
（ａ）は要部斜視図、（ｂ）はウエーハ収納状態を示す
断面図である。 第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）は従来技術に係る支持棒の製
作手順を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は溝切削状態を
示す作用図、（ｃ）は切削後の外形形状を示す斜視図で
ある。 第６図は前記支持棒を用いて形成したウエーハ保持装置
を示す概略図、第４図は他の従来技術に係るウエーハ保
持装置を示す概略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 博至 福井県武生市北府２丁目13番60号 信越石 英株式会社武生工場内 (72)発明者 西巻 宏一 新潟県中頚城郡頚城村大字城野腰新田596 の２番地 直江津電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−152863（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−117649（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−22347（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭43−4952（ＪＰ，Ｙ１)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエーハの周縁を保持する第一の溝
部と、該第一の溝部にウエーハを案内する為に、第１の
溝部の支持棒外周側を断面テーパ状に拡幅化させてなる
第二の溝部とからなるウエーハ挿入溝を、軸方向に沿っ
て多数刻設した少なくとも一つの支持棒を有する半導体
ウエーハ保持装置の第二の溝部形成方法において、 前記第一の溝部を削成する第一のカッタが、その周縁が
断面矩形状の円形カッタで有り、 一方前記第二の溝部を削成する第二のカッタが、前記第
一のカッタより小径で且つその周縁が断面台形状の円形
カッタで有り 前記第一のカッタにて第一の溝部を削成した後、第二の
カッタにて第一の溝部の一の側端底部から反対側の側端
底部まで支持棒周面に沿って該周面と同心状に削成する
ことにより、前記第二の溝部を形成する事を特徴とする
半導体ウエーハ保持装置の溝部形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63131617A JPH0752720B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 半導体ウェーハ保持装置の保持溝形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63131617A JPH0752720B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 半導体ウェーハ保持装置の保持溝形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302814A JPH01302814A (ja) | 1989-12-06 |
| JPH0752720B2 true JPH0752720B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=15062252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63131617A Expired - Fee Related JPH0752720B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 半導体ウェーハ保持装置の保持溝形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752720B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3871369B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2007-01-24 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウエーハ処理用治具 |
| US7055702B1 (en) * | 2000-06-06 | 2006-06-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat |
| US20040188319A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Wafer carrier having improved processing characteristics |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS434952Y1 (ja) * | 1965-03-03 | 1968-03-02 | ||
| JPS54152863A (en) * | 1978-05-23 | 1979-12-01 | Toshiba Corp | Semiconductor processing boat |
| JPS57117649U (ja) * | 1981-01-16 | 1982-07-21 | ||
| JPS6122347U (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハ保持用ボ−ト |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63131617A patent/JPH0752720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01302814A (ja) | 1989-12-06 |
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Legal Events
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