JP2001044084A - 半導体ウエハ - Google Patents
半導体ウエハInfo
- Publication number
- JP2001044084A JP2001044084A JP21809999A JP21809999A JP2001044084A JP 2001044084 A JP2001044084 A JP 2001044084A JP 21809999 A JP21809999 A JP 21809999A JP 21809999 A JP21809999 A JP 21809999A JP 2001044084 A JP2001044084 A JP 2001044084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- processing
- edge
- wafer
- round
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 両面の研磨後においても確実に表面と裏面を
識別することのできる半導体ウエハを提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ１の縁部２の表と裏に、テ
ーパあるいは丸面取等の端面加工部６を形成するとき、
たとえば、表側のテーパ部４ａと丸面取部５ａをそれぞ
れ角度２２．５°とＲ３００μｍに基づいて加工し、一
方、裏側のテーパ部４ｂと丸面取部５ｂをそれぞれ角度
３０°とＲ１５０μｍで加工する。表側と裏側のテーパ
部と丸面取部に形状の差を設けることで、ウエハの表面
と裏面の識別を行う。
識別することのできる半導体ウエハを提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ１の縁部２の表と裏に、テ
ーパあるいは丸面取等の端面加工部６を形成するとき、
たとえば、表側のテーパ部４ａと丸面取部５ａをそれぞ
れ角度２２．５°とＲ３００μｍに基づいて加工し、一
方、裏側のテーパ部４ｂと丸面取部５ｂをそれぞれ角度
３０°とＲ１５０μｍで加工する。表側と裏側のテーパ
部と丸面取部に形状の差を設けることで、ウエハの表面
と裏面の識別を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに関
し、特に、両面の研磨後においても表面と裏面を容易に
識別することのできる半導体ウエハに関する。
し、特に、両面の研磨後においても表面と裏面を容易に
識別することのできる半導体ウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ等の化合物半導体のウエハは、
発光素子、受発光素子、高周波素子等の基板として幅広
く使用されている。このウエハにイオンを打ち込んだ
り、エピタキシャル層を形成して半導体素子を製造する
には、製造コストの観点から見た場合、大径のウエハの
使用が好ましい。
発光素子、受発光素子、高周波素子等の基板として幅広
く使用されている。このウエハにイオンを打ち込んだ
り、エピタキシャル層を形成して半導体素子を製造する
には、製造コストの観点から見た場合、大径のウエハの
使用が好ましい。
【０００３】このため、ＧａＡｓ等のウエハとしては、
主として４インチ（１００ｍｍ）径のものがこれまで使
用されてきたが、現在では６インチ（１５０ｍｍ）径の
ものも使用されており、将来は、６インチ径が主流にな
ることは明らかである。
主として４インチ（１００ｍｍ）径のものがこれまで使
用されてきたが、現在では６インチ（１５０ｍｍ）径の
ものも使用されており、将来は、６インチ径が主流にな
ることは明らかである。
【０００４】一方、ウエハの大径化が進むのに伴い、ウ
エハの方向性を特定するためのオリエンテーションフラ
ット、インデックスフラットを形成する代わりに、ウエ
ハの縁部にノッチを形成したものが普及している。
エハの方向性を特定するためのオリエンテーションフラ
ット、インデックスフラットを形成する代わりに、ウエ
ハの縁部にノッチを形成したものが普及している。
【０００５】図２は、そのウエハ形状を示したもので、
たとえば、７５０μｍの厚さと１５０ｍｍの直径を有す
る大径のウエハ１の縁部２の一部にノッチ３が形成され
る。図３は、図２のＡの部分を拡大したものであり、Ｖ
字状のノッチ３が、ウエハ１の縁部に所定のＶ角度、深
さ等のもとに形成される。たとえば、直径３ｍｍの円と
半径Ｒｖの円とで規制され、角度θｖと深さＶｈがそれ
ぞれ８９〜９５°と１．００〜１．２５ｍｍに設定さ
れ、Ｒｖが≧０．９ｍｍに設定され、さらに、Ｐ１とＰ
２がそれぞれ≦２．３ｍｍと≧０．０５ｍｍに設定され
ることによってノッチ３が形成される。
たとえば、７５０μｍの厚さと１５０ｍｍの直径を有す
る大径のウエハ１の縁部２の一部にノッチ３が形成され
る。図３は、図２のＡの部分を拡大したものであり、Ｖ
字状のノッチ３が、ウエハ１の縁部に所定のＶ角度、深
さ等のもとに形成される。たとえば、直径３ｍｍの円と
半径Ｒｖの円とで規制され、角度θｖと深さＶｈがそれ
ぞれ８９〜９５°と１．００〜１．２５ｍｍに設定さ
れ、Ｒｖが≧０．９ｍｍに設定され、さらに、Ｐ１とＰ
２がそれぞれ≦２．３ｍｍと≧０．０５ｍｍに設定され
ることによってノッチ３が形成される。
【０００６】このウエハは、それまでのウエハがオリエ
ンテーションフラット、インデックスフラットのために
使用可能な面積を減少させていたのに対し、そのような
問題がない点で有利であり、また、素子作成の過程にお
いて、ウエハ回転時の位置合わせにノッチを利用できる
点でも有利である。
ンテーションフラット、インデックスフラットのために
使用可能な面積を減少させていたのに対し、そのような
問題がない点で有利であり、また、素子作成の過程にお
いて、ウエハ回転時の位置合わせにノッチを利用できる
点でも有利である。
【０００７】通常、この種のウエハは、以下の手順で加
工される。まず、成長した半導体単結晶の外面を研削し
て円筒状のインゴットに加工し、インゴットの側面の軸
方向にノッチとなるＶ字溝を形成した後、これをスライ
サ、ワイヤソー等で所定の厚さに切り分け、次いで、ノ
ッチ３を含む縁部２を加工する。この加工には、縁部２
の全周を加工する砥石とノッチ３の部分を加工する砥石
が使用される。
工される。まず、成長した半導体単結晶の外面を研削し
て円筒状のインゴットに加工し、インゴットの側面の軸
方向にノッチとなるＶ字溝を形成した後、これをスライ
サ、ワイヤソー等で所定の厚さに切り分け、次いで、ノ
ッチ３を含む縁部２を加工する。この加工には、縁部２
の全周を加工する砥石とノッチ３の部分を加工する砥石
が使用される。
【０００８】図４は、ウエハを厚さ方向に切断したとき
の縁部２の構成例を示したもので、縁部２の表と裏に
は、たとえば、端部から５００μｍの部分に角度２２．
５°のテーパ部４とＲ３００μｍの丸面取部５の組み合
わせによる端面加工部６が設けられる。次いで、端面加
工が施されたウエハは、その表面と裏面に研磨加工が施
され、これによって両面が鏡面化された所定の半導体ウ
エハとなる。
の縁部２の構成例を示したもので、縁部２の表と裏に
は、たとえば、端部から５００μｍの部分に角度２２．
５°のテーパ部４とＲ３００μｍの丸面取部５の組み合
わせによる端面加工部６が設けられる。次いで、端面加
工が施されたウエハは、その表面と裏面に研磨加工が施
され、これによって両面が鏡面化された所定の半導体ウ
エハとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
ウエハによると、研磨後の両面が全く同じ外観を呈する
ため、表面と裏面の識別ができず、往々にして表面と裏
面を取り違えてその後の加工を行うことがある。研磨加
工を行うまでは、たとえば、表裏いずれかの面に薬品に
よる印しを付けての識別も可能であるが、両面を研磨加
工した後の表裏の識別は、このような印しが許されない
ために難しいものとなる。
ウエハによると、研磨後の両面が全く同じ外観を呈する
ため、表面と裏面の識別ができず、往々にして表面と裏
面を取り違えてその後の加工を行うことがある。研磨加
工を行うまでは、たとえば、表裏いずれかの面に薬品に
よる印しを付けての識別も可能であるが、両面を研磨加
工した後の表裏の識別は、このような印しが許されない
ために難しいものとなる。
【００１０】従って、本発明の目的は、両面を研磨加工
された後においても、確実に表面と裏面を識別すること
のできる半導体ウエハを提供することにある。
された後においても、確実に表面と裏面を識別すること
のできる半導体ウエハを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、縁部の表と裏に丸面取、テーパ加工等の
端面加工が施されたウエハより構成され、前記端面加工
の後に表面と裏面に研磨加工が施される半導体ウエハに
おいて、前記端面加工による前記縁部の表と裏の加工形
状を異ならせたことを特徴とする半導体ウエハを提供す
るものである。
達成するため、縁部の表と裏に丸面取、テーパ加工等の
端面加工が施されたウエハより構成され、前記端面加工
の後に表面と裏面に研磨加工が施される半導体ウエハに
おいて、前記端面加工による前記縁部の表と裏の加工形
状を異ならせたことを特徴とする半導体ウエハを提供す
るものである。
【００１２】上記の端面加工としては、丸面取とテーパ
加工の組み合わせによるものが多い。その場合、表と裏
で加工形状を異ならせる加工対象としては、丸面取、テ
ーパのいずれでもよく、あるいはこれらの双方を対象と
してもよい。
加工の組み合わせによるものが多い。その場合、表と裏
で加工形状を異ならせる加工対象としては、丸面取、テ
ーパのいずれでもよく、あるいはこれらの双方を対象と
してもよい。
【００１３】いずれの場合にも丸面取形状あるいはテー
パ形状を確認することによって表裏の識別を容易に行う
ことが可能となり、従って、従来のように表面と裏面を
取り違えて加工が行われる恐れがなくなる。ウエハの構
成材としては、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓあるいはＧ
ａＰ等が使用される。
パ形状を確認することによって表裏の識別を容易に行う
ことが可能となり、従って、従来のように表面と裏面を
取り違えて加工が行われる恐れがなくなる。ウエハの構
成材としては、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓあるいはＧ
ａＰ等が使用される。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明による半導体ウエハ
の実施の形態を説明する。図１は、（１００）方向にノ
ッチ３が形成された図２の半導体ウエハ１の縁部２の厚
さ方向の断面を示したもので、縁部２には、端部から５
００μｍの部分に端面加工部６が形成されている。
の実施の形態を説明する。図１は、（１００）方向にノ
ッチ３が形成された図２の半導体ウエハ１の縁部２の厚
さ方向の断面を示したもので、縁部２には、端部から５
００μｍの部分に端面加工部６が形成されている。
【００１５】この端面加工部６の表側には、角度２２．
５°のテーパ部４ａとＲ３００μｍの丸面取部５ａが形
成されており、一方、その裏側には、角度３０°のテー
パ部４ｂとＲ１５０μｍの丸面取部５ｂが設けられてい
る。これらの加工はノッチ３にも施されている。
５°のテーパ部４ａとＲ３００μｍの丸面取部５ａが形
成されており、一方、その裏側には、角度３０°のテー
パ部４ｂとＲ１５０μｍの丸面取部５ｂが設けられてい
る。これらの加工はノッチ３にも施されている。
【００１６】以上の構成の半導体ウエハによれば、縁部
２の表と裏に同じ形状のテーパ部と丸面取部を備えた従
来の半導体ウエハとは異なり、表と裏の縁部形状を変え
ているため、ウエハの表面と裏面を容易に識別すること
ができる。
２の表と裏に同じ形状のテーパ部と丸面取部を備えた従
来の半導体ウエハとは異なり、表と裏の縁部形状を変え
ているため、ウエハの表面と裏面を容易に識別すること
ができる。
【００１７】即ち、表側のテーパ部４ａの角度と丸面取
部５ａのＲ寸法をそれぞれ２２．５°と３００μｍに加
工する一方、裏側のこれらを表側と大幅に異なる３０°
と１５０μｍに加工しているため、角度とＲの違いは明
白であり、従って、従来のように表裏の識別目安の全く
ないウエハを使用する場合に比べ、表裏取り違えによる
加工不良の発生を格段に減らすことができる。
部５ａのＲ寸法をそれぞれ２２．５°と３００μｍに加
工する一方、裏側のこれらを表側と大幅に異なる３０°
と１５０μｍに加工しているため、角度とＲの違いは明
白であり、従って、従来のように表裏の識別目安の全く
ないウエハを使用する場合に比べ、表裏取り違えによる
加工不良の発生を格段に減らすことができる。
【００１８】因に、同じ加工ラインに、図３と図４に基
づく研磨加工済の半導体ウエハをそれぞれ１，０００数
ずつ流したところ、表裏取り違えによる不良は、前者が
ゼロであったのに対して後者に１２枚発生し、これを繰
り返し行った結果でも後者には不良が発生した。両者に
は顕著な差が生じ、本発明の効果が確認された。なお、
以上の実施の形態においては、方向の識別をノッチ３で
行う例について述べたが、他の手段で方向づけを行う場
合にも本発明は適用可能である。
づく研磨加工済の半導体ウエハをそれぞれ１，０００数
ずつ流したところ、表裏取り違えによる不良は、前者が
ゼロであったのに対して後者に１２枚発生し、これを繰
り返し行った結果でも後者には不良が発生した。両者に
は顕著な差が生じ、本発明の効果が確認された。なお、
以上の実施の形態においては、方向の識別をノッチ３で
行う例について述べたが、他の手段で方向づけを行う場
合にも本発明は適用可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体ウエハによれば、ウエハの縁部の端面加工形状をその
表と裏で異ならせているため、これらの表裏の形状を確
認することでウエハの表面と裏面の識別を容易に行うこ
とができ、従って、研磨後の加工において、表面と裏面
の取り違えによる不良の発生を効果的に減少させること
ができる。
体ウエハによれば、ウエハの縁部の端面加工形状をその
表と裏で異ならせているため、これらの表裏の形状を確
認することでウエハの表面と裏面の識別を容易に行うこ
とができ、従って、研磨後の加工において、表面と裏面
の取り違えによる不良の発生を効果的に減少させること
ができる。
【図１】本発明による半導体ウエハの実施の形態を示す
要部拡大断面図。
要部拡大断面図。
【図２】半導体ウエハの構成を示す説明図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図を示す。
（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図を示す。
【図３】図３のＡの部分を拡大して示す説明図。
【図４】従来の半導体ウエハを示す要部拡大断面図。
１ 半導体ウエハ ２ 縁部 ３ ノッチ ４、４ａ、４ｂ テーパ部 ５、５ａ、５ｂ 丸面取部 ６ 端面加工部
Claims (6)
- 【請求項１】縁部の表と裏に丸面取、テーパ加工等の端
面加工が施されたウエハより構成され、前記端面加工の
後に表面と裏面に研磨加工が施される半導体ウエハにお
いて、 前記端面加工による前記縁部の表と裏の加工形状を異な
らせたことを特徴とする半導体ウエハ。 - 【請求項２】前記縁部の表と裏において加工形状を異な
らせる前記端面加工は、丸面取加工であることを特徴と
する請求項１項記載の半導体ウエハ。 - 【請求項３】前記縁部の表と裏において加工形状を異な
らせる前記端面加工は、テーパ加工であることを特徴と
する請求項１項記載の半導体ウエハ。 - 【請求項４】前記縁部の表と裏において加工形状を異な
らせる前記端面加工は、丸面取加工とテーパ加工の組み
合わせであることを特徴とする請求項１項記載の半導体
ウエハ。 - 【請求項５】前記縁部は、その所定の個所にノッチを有
することを特徴とする請求項１項ないし４項のいずれか
に記載の半導体ウエハ。 - 【請求項６】前記ウエハは、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳ
ｂ、ＩｎＡｓあるいはＧａＰより構成されることを特徴
とする請求項１項ないし５項のいずれかに記載の半導体
ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21809999A JP2001044084A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21809999A JP2001044084A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 半導体ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044084A true JP2001044084A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16714626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21809999A Pending JP2001044084A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 半導体ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001044084A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030053085A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
| KR100745055B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 제조방법 |
| CN100350564C (zh) * | 2002-08-29 | 2007-11-21 | 三星电子株式会社 | 具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法 |
| CN102956442A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-06 | 万向硅峰电子股份有限公司 | 一种ic级硅片边缘加工方法 |
| JP2018119844A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 圧電性ウェハの表裏判定装置及び面取り装置 |
| CN112218737A (zh) * | 2018-09-14 | 2021-01-12 | 胜高股份有限公司 | 晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片 |
-
1999
- 1999-07-30 JP JP21809999A patent/JP2001044084A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100745055B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 제조방법 |
| KR20030053085A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
| CN100350564C (zh) * | 2002-08-29 | 2007-11-21 | 三星电子株式会社 | 具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法 |
| CN102956442A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-06 | 万向硅峰电子股份有限公司 | 一种ic级硅片边缘加工方法 |
| JP2018119844A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 圧電性ウェハの表裏判定装置及び面取り装置 |
| CN112218737A (zh) * | 2018-09-14 | 2021-01-12 | 胜高股份有限公司 | 晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3213563B2 (ja) | ノッチレスウェーハの製造方法 | |
| JP3580600B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびそれに使用される半導体ウエハ並びにその製造方法 | |
| TW406326B (en) | Method for manufacturing semiconductor wafers | |
| EP0393951B1 (en) | Semiconductor silicon wafer and manufacturing method thereof | |
| JPH0624200B2 (ja) | 半導体デバイス用基板の加工方法 | |
| JP2001044084A (ja) | 半導体ウエハ | |
| JP2003100666A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW200301931A (en) | Semiconductor wafer and method of manufacturing the same | |
| JP2008177287A (ja) | 化合物半導体ウェハ | |
| JP3935977B2 (ja) | ノッチ付き半導体ウェーハ | |
| JP4449088B2 (ja) | 半導体ウエハーおよびその製造方法 | |
| JP5343400B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2002025873A (ja) | 半導体ウエハ及びその表面、裏面判別方法 | |
| JP2001203177A (ja) | 半導体ウエハ | |
| JPH08222798A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2002052448A (ja) | 半導体ウェハおよびその加工方法 | |
| JPH09251934A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体ウエハ | |
| JP2001196333A (ja) | オフアングル付き半導体ウエハ | |
| JP2000331898A (ja) | ノッチ付半導体ウエハ | |
| JPH04113619A (ja) | ウェーハおよびその製造方法 | |
| JP2005032804A (ja) | 半導体ウェハの加工方法 | |
| JP2002015966A (ja) | 化合物半導体ウェハ | |
| JP2001167993A (ja) | 化合物半導体ウェハ | |
| JP4011300B2 (ja) | 半導体ウエハーおよびその製造方法 | |
| JP4541382B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060620 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060804 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060829 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |