JPH0752600B2 - 半導体メモリ素子 - Google Patents

半導体メモリ素子

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JPH0752600B2
JPH0752600B2 JP63241905A JP24190588A JPH0752600B2 JP H0752600 B2 JPH0752600 B2 JP H0752600B2 JP 63241905 A JP63241905 A JP 63241905A JP 24190588 A JP24190588 A JP 24190588A JP H0752600 B2 JPH0752600 B2 JP H0752600B2
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JP
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line
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input
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JP63241905A
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直人 梶
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NEC Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体メモリ素子に関し、特に複数のクロック
信号を使用する検査方法に関する。
[従来の技術] 今日、大型コンピュータのキャッシュメモリなどとして
使用されるメモリ素子は益々高速化が要求されている。
このためメモリ素子自身を高速化する以外に、メモリ素
子の入出力にレジスタを設けてこれを1つのデバイスと
し、システム全体としての高速化を図る方法がある。
[発明が解決しようとする問題点] 上述した従来の方法では、入出力に設けたレジスタをセ
ットするクロックが共通で単一であるのが一般的であり
デバイス自身の性能を評価する際に、例えば書き込み時
間の方が読み出し時間よりも長い場合、クロックサイク
ルは書込時間により制限されるため読み出し時間の実力
を簡単に検査できないという欠点がある。
[発明の従来技術に対する相違点] 上述した従来のメモリ素子に対し、本発明は読み出し時
間の実力測定を容易に行えるように従来のクロック入力
に加えて、素子の機能検査時のみに使用する第2のクロ
ック入力を設けているという相違点を有する。
[問題点を解決するための手段] 本発明の要旨は第1および第2のクロック入力を備えた
半導体メモリ素子であって、該半導体メモリ素子の機能
検査時には前記第1のクロック入力により第1のクロッ
ク信号が、前記第2のクロック入力により第2のクロッ
ク信号がそれぞれ独立して形成され、通常の使用時には
前記第1のクロック入力によってのみ前記第1のクロッ
ク信号が形成されることである。
[実施例] 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例を表すブロック図である。
第1図においてメモリ部5は線108によりアドレスレジ
スタ1と接続され、線109により書込データレジスタ2
と接続され、線111により書込パルス発生回路6と接続
され、さらに線112により読み出しデータレジスタ4と
接続されている。線101からはアドレスが入力されアド
レスレジスタ1に接続される。線102からは書込データ
が入力され書込データレジスタ2に接続される。線103
からは書込要求が入力され、書込要求レジスタ3に接続
される。前記アドレスレジスタ1,書込データレジスタ2,
書込要求レジスタ3には線104よりクロック(以下、主
クロックと称す)が入力され、毎クロック,データがセ
ットされる。アドレスレジスタ1,書込データレジスタ2
の出力はそれぞれ線108,線109によりメモリ部5に送出
され、書込要求レジスタ2の出力は線110により書込パ
ルス発生回路6に送出される。書込パルス発生回路6の
出力は線111によりメモリ部5に送出される。線104はセ
レクタ7にも接続されており、該セレクタ7は線105お
よび106と接続されている。線105からは検査用クロック
が入力され、セレクタ7は線106の値により前記主クロ
ックまたは検査用クロックのどちらか一方を線113から
送出する。線113は読出しデータレジスタ4と接続され
ており、メモリ部5から読出されたデータは線112を通
って線113より送出されたクロックにより、毎クロック
読み出しデータレジスタ4にセットされる。読み出しデ
ータレジスタ4にセットされたデータは線107から送出
される。
以上のような概略構成を有する本発明の第1実施例をさ
らに詳細に説明する。
メモリ部5は通常の半導体メモリに相当し、読み出し時
には線108で指定されたアドレスに対応するデータが読
出され、線112から送出される。書込時には線109から書
込データが入力され、線111からの書込パルスによっ
て、線108で指定されたアドレスにデータが書き込まれ
る。書込パルス発生回路は第2図に示すように線110が
値0から値1に変化すると、適当な遅延時間を持ってメ
モリ部5に対する書込パルスを発生させる。
次に、まず本発明の第1実施例の書込時の動作について
第3図を参照して説明する。第3図に示されるように線
101から入力されたアドレス,線102から入力された書込
データ,線103から入力された書込要求信号はそれぞれ
線104より入力された主クロックによりアドレスレジス
タ1,書込データレジスタ2,書込要求レジスタ3にセット
される。ここで本実施例では書込みは主クロックの2サ
イクルで1回行われるものとし、書込要求レジスタ3に
は最初の1サイクルで値1,次の1サイクル(2サイクル
目)で値0がセットされるとする。セットされたアドレ
スおよび書込データはそれぞれ線108,線109からメモリ
部5に送出される。また書き込み要求信号は値0から値
1に変化するので書込パルス発生回路6は適当な書込パ
ルスを発生して線111から書込パルスを送出し書込みが
完了する。
次に、読み出し時の動作について第4図および第5図を
用いて説明する。但しセレクタ7は線106が値0の時に
線104を、値1の時に線105を選択するものとする。通常
の読み出し時の動作を第4図に示す。このとき線106は
値0であるとする。線101より入力されたアドレスは1
回目のクロックによりアドレスレジスタ1にセットされ
る。セットされたアドレスは線108からメモリ部5に送
出され、指定されたアドレスに対応するデータが線112
から読出される。読出されたデータは2回目のクロック
により読み出しデータレジスタ4にセットされる。この
時線106は値0であるので読み出しデータレジスタ4の
セット信号は線104から入力される主クロックであり、
アドレスレジスタ1をセットするクロックと同一である
ため、アドレスレジスタ1にアドレスがセットされてか
ら読み出しデータレジスタ4に読み出しデータがセット
されるまでの時間は主クロックのクロックサイクルと同
一である。検査時の動作を第5図に示す。検査時には線
106を値1とし、セレクタ7は線105から入力される検査
用クロックを読み出しデータレジスタ4に対して送出す
る。線101からアドレスが入力されて線112から読み出さ
れるのは上記の通常時と同様であるが、読み出しデータ
レジスタ4には線105より入力された検査用クロックに
より読み出しデータがセットされる。アドレスをセット
するクロックと読み出しデータをセットするクロックが
独立なため、アドレスをセットしてから読み出しデータ
をセットするまでの時間を書き込み時のクロックサイク
ルとは独立に、任意の値を設定できる。
第6図は本発明の第2実施例を表すブロック図である。
第6図において第1図と異なるのはセレクタ7の制御信
号線106がレジスタ8に接続されていることである。レ
ジスタ8はレジスタ間で接続されてる専用のパス(図示
せず)で値0または値1の任意の値を設定することがで
きる。本実施例によれば装置実装使用時においても、レ
ジスタ8がセレクタ7の制御信号を保持しているため主
クロックと検査用クロックを用いた検査が可能となる。
また素子の入力ピンが1ピン少なくて済む利点もある。
[発明の効果] 以上説明したように本発明のメモリ素子は素子の機能検
査時のみに使用するクロック入力を通常使用するクロッ
クと独立して設けることにより、書込時のクロックサイ
クルとは独立に、読み出し時のクロックサイクルを設定
できるので、読み出し時の性能(アドレスレジスタにア
ドレスがセットされてから読み出しデータレジスタにデ
ータをセットするまでの最小時間)を容易に検査するこ
とができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例を表すブロック図、第2図
は書込パルス発生回路6の動作を表すタイミング図、第
3図は書込時の動作を表すタイミング図、第4図および
第5図は通常動作時および検査時の読み出し動作をそれ
ぞれ表すタイミング図、第6図は本発明の第2実施例を
表すブロック図である。 1……アドレスレジスタ、2……書込データレジスタ、
3……書込要求レジスタ、4……読み出しデータレジス
タ、5……メモリ部、6……書込パルス発生回路、7…
…セレクタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11C 11/401

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1および第2のクロック入力を備えた半
    導体メモリ素子であって、該半導体メモリ素子の機能検
    査時には前記第1のクロック入力により第1のクロック
    信号が、前記第2のクロック入力により第2のクロック
    信号がそれぞれ独立して形成され、通常の使用時には前
    記第1のクロック入力によってのみ前記第1のクロック
    信号が形成されることを特徴とする半導体メモリ素子。
JP63241905A 1988-09-27 1988-09-27 半導体メモリ素子 Expired - Lifetime JPH0752600B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP63241905A JPH0752600B2 (ja) 1988-09-27 1988-09-27 半導体メモリ素子

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JP63241905A JPH0752600B2 (ja) 1988-09-27 1988-09-27 半導体メモリ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0289300A JPH0289300A (ja) 1990-03-29
JPH0752600B2 true JPH0752600B2 (ja) 1995-06-05

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ID=17081298

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JP63241905A Expired - Lifetime JPH0752600B2 (ja) 1988-09-27 1988-09-27 半導体メモリ素子

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US5847368A (en) * 1996-06-20 1998-12-08 Koyo Lindberg Limited Electric heating unit and method of producing same
EP1990805B1 (en) * 2006-02-28 2010-06-30 Fujitsu Ltd. Ram macro and timing generating circuit for same

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