JPH07509686A - 一定pHにおける共沈澱による超伝導酸化物 - Google Patents

一定pHにおける共沈澱による超伝導酸化物

Info

Publication number
JPH07509686A
JPH07509686A JP6501877A JP50187794A JPH07509686A JP H07509686 A JPH07509686 A JP H07509686A JP 6501877 A JP6501877 A JP 6501877A JP 50187794 A JP50187794 A JP 50187794A JP H07509686 A JPH07509686 A JP H07509686A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxalate
powder
htsc
precursor
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6501877A
Other languages
English (en)
Inventor
バーガバ,アティット
ページ,デビッド
徹 山下
マッキンノン,イアン・ドナルド・リチャード
ゴールデン,スティーブン・ジョン
Original Assignee
ザ・ユニバーシティ・オブ・クイーンズランド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ザ・ユニバーシティ・オブ・クイーンズランド filed Critical ザ・ユニバーシティ・オブ・クイーンズランド
Publication of JPH07509686A publication Critical patent/JPH07509686A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • C04B35/4504Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
    • C04B35/4508Type 1-2-3
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/18Methods for preparing oxides or hydroxides in general by thermal decomposition of compounds, e.g. of salts or hydroxides
    • C01B13/185Preparing mixtures of oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G29/00Compounds of bismuth
    • C01G29/006Compounds containing, besides bismuth, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00Compounds of copper
    • C01G3/006Compounds containing, besides copper, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C55/00Saturated compounds having more than one carboxyl group bound to acyclic carbon atoms
    • C07C55/02Dicarboxylic acids
    • C07C55/06Oxalic acid
    • C07C55/07Salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/01Crystal-structural characteristics depicted by a TEM-image
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/42Magnetic properties

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 一定pHにおける共沈殿による超伝導酸化物発明の分野 本発明は、超伝導体および特に高温超伝導体ならびに高温超伝導体の改良された 製法および超伝導体を含む製品の製法に関する。
発明の背景 高温超伝導体は、最初、1987年に発見され、液体ヘリウムの温度を超える超 伝導転移温度(Tc)を有することによって特徴付けられ、多(は液体窒素の温 度(77,3K)を超えるTcを持つ。高温超伝導体(HTSC)の3種の広い ファミリーは以下の通りである・ (i)Y−Ba−Cu−0系 (ii) B1−Pb−3r−Ca−Cu−0系、および(iii) Tl−B a−Ca−Cu−0系フイノカル・レビュー・レターズ(Phys、 Rev、  Lett、)5旦 405 (1987)に報告されている系(+)は合成す るのが容易であり、超伝導性が出現し得る広い組成範囲を有する。それは、約9 0°にと比較的低いTcを有する。
系(1i)は希土類元素を含まず、約108にの高Tcを有する。しかしながら 、それは、超伝導性を可能とする狭い組成範囲を有する。系(il)はJapa n J、 Appl。
は約120にの高いTcを有するが、タリウムの毒性が危惧される。
他の高温伝導系は、 (a)214系、すなわち、(La、Ba)2CIJO4(b)124 (YB a2Cu3Ox)および247 (’1’2B a4c u70+5)(c)B i2Sr2Cu○a (CaCuOz) I(n=0.1.2)系およびPb安 定化させたその変形物 (d) Tl2Ba2Cu06 (CaCuOz) 、 (n=0.1.2.3 )系(e)(Nd、Ce)zcu04系およびその変形物:を包含する。
HTSCを形成する2つの主要な技術は、各HTSC前駆体を一緒に粉砕するこ と、あるいは各HTSC前駆体の溶液共沈澱である。
HTSC前駆体の粉砕は長いプロセスであり、HTSCの形成に適する粒子サイ ズ分布および混合物を得るのに、いくつかの粉砕および分級工程を必要とする。
しかしながら、相の純度および反復可能な結果を得るのは困難である。相の純度 はHTSCの効率において、また多くのHTSCファミリーに関して臨界的であ り、種々の成分の正しい比かられずかにズしてもHTSC特性の喪失または質低 下となる。
溶液共沈澱は(例えば、HTSC化合物の)前駆体化合物を調製するための技術 であり、それらは非常に密接に、恐らくは、分子レベルで密に混合される。溶液 共沈澱においては、種々の前駆体成分をまず(通常、硝酸のごとき酸性化剤を含 有する)水性溶液に溶解させる。溶解させた前駆体を、沈澱剤の添加によって溶 液から沈澱させる。これらの剤は、炭酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、水酸化物およびン ユウ酸塩を包含する。得られた共沈澱物を、通常、遠心によって濾過し、低温力 焼プロセスに付し、アニオンを除去または分解させて、各カチオンの酸化物の混 合物を得る。約900℃の高温でさらに加熱した結果、カチオン酸化物が高温超 伝導材料に変換される。
高効率および高転移温度を有するHTSC化合物を得るには、各前駆体を正しい 比で存在させるのを確実とするのが非常に重要である。要求される高い相純度を 得るのは、該比は極度に注意深く制御されなければならない。
商業的量の常に純粋な製品を得るのを可能とするには、粉砕は一般には成功しな かった。
今日まで、HTSC前駆体の溶液共沈澱は、極端に少量しか、一定した相純度を 供しておらず、従って、この技術は連続的または大規模な加工を含めた商業的適 用に適していなかった。
本発明者らは、共沈澱を起こすのが可能であって、共沈澱させた前駆体が一定し た相純度を有して高効率を有するHTSC化合物の製造を可能とする技術を今回 開発した。
該技術は、YBCO,B55COおよびタリウムベースの系における半導体、絶 縁体および超伝導体の相のごとき、すべて銅酸化物ベースのセラミックスに対す る前駆体を共沈澱させるのに用いることができる。
該技術は、共沈澱プロセスの間における溶液pHの変動を最小化できて、高くて 一定(1,た相純度を有する共沈澱前駆体が得られるという驚くべきかつ予期せ ぬ発見を念む。また、共沈澱物は粒子サイズの範囲で狭い変動を示す。
従って、1の態様において、本発明は、超伝導前駆体成分を溶解させて溶液とし 、沈澱剤を該水性相に添加し、次いで、 共沈澱プロセスの間、溶液のpHを実質的に維持する:工程よりなる超伝導前駆 体成分を共沈澱させる方法に存する。
前駆体成分は、銅、ビスマスおよびタリウムベースのHTSC化合物を形成する ものであってよい。
適当には、水性溶液を用いる。該水性溶液のpHは、該溶液の最初の希釈に際し て有意に変動(すなわち、0.1を超える変動)しないことが判明した。従って 、理論に拘束されるつもりはないが、緩衝効果が存在するようである。
適当には、緩衝範囲内または該緩衝範囲の丁度外側にて共沈澱プロセスが引き起 こされる。すなわち、最初の水性溶液は、pHがかなり変動し始める丁度前まで 希釈し、また共沈澱プロセスはその希釈値にて行うのが好ましい。本発明者らは 、これは共沈澱プロセスの間、緩衝効果を最大化し、従って、共沈澱の間、pH 変動を最小化すると考える。
適当には、超伝導体前駆体成分は高温超伝導体を形成するものである。好ましく は、超伝導体前駆体成分を酸性の水性溶液に溶解させる。該溶液は有機もしくは 無機酸によって酸性化してよく、硝酸が典型的な酸性化剤である。最初のpHは 、そこに溶解させた超伝導成分のタイプならびに用いる水および酸性化剤の容量 のごとき種々の他の変数に応じて変動し得るが、典型的には、最初のpH範囲は 領1と3との間であり、適当には、約0.7(イツトリウムベースのファミリー 用)と約0.45(ビスマスベースのファミリー用)の間である。
適当には、沈澱剤はジカルボン酸またはその誘導体である。該誘導体は塩、エス テル、無水物、アミド等である。シュウ酸アンモニウムは1つの適当な誘導体で ある。適当なジカルボン酸はシュウ酸である。
本発明者らは、我々の技術で用いた共沈澱前駆体シュウ酸塩は、他のプロセスに よって前駆体酸化物を形成するのに現在用いられている時間の一部にて前駆体酸 化物まで力燃することかできる。再度、理論に拘束されるつもりはないが、本発 明者らは、改良された時間は、我々が自分らの技術によって達成した高い相純度 、密接混合、および己ら(は得られた一定の粒子サイズに由来するものであると 考える。
従来達成されたものよりもかなり速く共沈澱前駆体を力焼できるという利点は、 ドロップ・チューブ(drop tube)炉、流動床炉および傾斜炉のごとき 通常のハイスルーボリューム(high through volui+e)乾 燥機を用いて商業的量で前駆体酸化物を形成できることである。
生産物を形成する方法に存する。
高温超伝導体(HTC8)が1987年に発見されて以来、HTSCを含有する 成形製品を製造するために種々の技術が開発されてきた。これらの成形製品はワ イア、テープ、コイル、厚手および薄手のフィルム、コーティング、チューブ、 ロンドおよび成形体を包含する。これらの成形製品は、粉体輸送、浮上列車、磁 気性シールド、マイクロ波空洞、磁石およびエネルギー貯蔵装置に適用される。
HTSCを含有する製品は数多くの現存するまたは可能な用途があり、種々の成 形製品が容易に製造でき、いずれのタイプの形状にも容易に適用できる製法の開 発が望まれている。
HTSCを含有する成形製品を提供するのに使用されてきた種々の公知技術があ る。1の公知の技術において、力焼した123粉末を、溶剤としてトルエンおよ び分散剤として他の有機物を用いることによって懸濁液に入れる。分散剤を添加 するのはスラリーを脱泡または分散させるのに必要だからである。何故ならば、 スラリーの凝集の結果、形成された製品の品質が劣るからである。このスラリー は切断して一定の形状とできる。しかしながら、分散剤のごとき添加剤は、「生 」製品から非常に制御された方法で燃やして無くする必要がある。この結果、多 孔度の増加および製品密度の欠如が起こり、また、クラック、欠点、欠陥も形成 され得る。また、スラリーを成形するために、水性溶液に対してセルロースのご とき増粘剤を使用することも知られている。
もう1つの技術が米国特許第5.026.683号に開示されており、チューブ 法において粉末が使用されている。このプロセスは、中空金属チューブをHTS C粉末で充填し、次いで、該チューブを回転させて全ワイア直径を減少させる。
このプロセスは費用がかかり、マルチフィラメント、丸い断面のワイアを得るた めには、非常に高度の機械技術の使用が必要である。また、このプロセスはYB C○超伝導体に適しない。というのは、これらの化合物は、容易に金属壁を通っ て流動しない酸素中での加熱処理を要するからである。従って、このプロセスに よってY B CO粉末で高いJcを得るのは不可能である。また、このプロセ スによって作成したワイアには長さおよび直径に物理的な限界がある。
もう1つの技術が米国特許第4.975.416号に開示されており、これは、 酸化物組成物を融点を超えて加熱し、次いで、溶融体をオリフエスを通過させて 冷却してワイヤを形成する。次いで、適当には、このワイヤを加熱処理してそれ を超伝導性とする。酸化物材料につき、このプロセスによっていくつかの成功が 納められているが、その不適当な溶融挙動のため、このプロセスによってはYB CO系においてワイヤを形成するのは不可能である。(不適当に溶融する化合物 の結果、溶融に際して1を超える化合物が生成し、そのうちいずれも元の組成で はない。)また、このプロセスによって作成されたワイヤは非常に脆く、容易に にコイルに形成できない。
ワイヤ/コイルを形成するさらに知られた技術は、セラミックスペーストをオリ フェスに通すという押出法による。このプロセスはHTSC化合物に適用できる 。該プロセスにおいて、力焼した123化合物の粉末をバインダー、分散剤、可 塑剤および溶剤と混合する。形成されたスラリーをダイを通して押し出して、可 撓性の生ワイヤを得る。この生または未焼成状態では、該ワイヤは型の回りに巻 いたり、型を包んだりできる。次いで、該ワイヤを加熱処理して添加物を燃やし て無くし、HTSC形態を焼結させる。
再度、この技術は、バインダー、分散剤、可塑剤および溶剤を別々に添加するた め、非均質な混合物を形成するという不利がある。
オーストラリア特許第603001号は、バルク成形体またはコーティングを形 成するために、HTSC粉末の注型もしくはスクリーン印刷を用いて超伝導製品 を形成する方法を開示している。しかしながら、この方法においては、既に本来 的に脆(なっている力焼HTSC粉末を使用している。従って、安定な懸濁液を 形成するためには、脱泡剤および可塑剤のごとき添加剤が必要であり、これらは 、十分に可塑性で/流動性の素材を供するには、比較的大量(40%まで)でな ければならない。
本発明者らは、今回、HTSC材料を含有する、多数の異なった成形生産物およ び製品を製造するのに適用できる技術を開発し、そこでは、得られた形成製品ま たは生産物は通常の技術よりも実質的に密であり得る。スリップ注型プロセスの パラメーターを最適化することによって、本発明者らは、製品または生産物の超 伝導特性に悪影響を与え兼ねないボイド、クラックまたは欠陥を実質的に除くこ とができる。
本発明者らの共沈澱アプローチは、すべて銅酸化物ベースのセラミックスについ て、同様のダウンストリーム加工を可能とする。このダウンストリーム加工は、 スリップ注型物、押出物、厚手のフィルムおよびドクタープレイディング物のご ときすべての形成品を包含する。
HTSC化合物を包含するセラミックス材料は元来的に非可塑性であることが知 られている。従って、ワイヤおよび坩堝のごとき成形品を形成するためには、バ インダー、分散剤、滑沢剤および可塑剤のごとき可塑性付与剤を添加しなければ ならない。本発明は、可塑性である、添加剤無添加の前駆体混合物を提供できる 。この可塑性混合物はHTSC化合物もしくはその前駆体、金属および他のセラ ミックスに添加することができ、それにより、通常の技術によって成形できる混 合物を提供する。
本発明者らは、共沈殿技術を用いて前駆体HTSC沈澱を形成し、沈澱した生成 物に可塑性を付与し、かつ加熱などによって容易に除去できる沈澱剤を選択して 生成物を得ることによってこれを可能とした。
このように、沈澱生成物に対する分散剤、可塑剤等のごとき別の添加剤を含ませ る必要がない。これは、沈澱した生成物が押出、成形、注型等によって成形でき るのを可能とするのに十分な可塑性をなお有しつつ、我々の沈澱した生成物が実 質的に均質となるのを可能とする。また、最終的に形成されたHTSC化合物は より密にできる。
従って、もう1つの態様において、本発明は、HTSC前駆体成分を溶解して溶 液とし、該前駆体成分を沈澱させる沈澱剤を添加し、得られた共沈澱生成物を成 形工程に付し、次いで、沈澱剤を成形された生成物から除去する工程からなり、 該沈澱剤は共沈澱生成物に可塑性を与えるように選択されることを特徴とするH TSC含有材料の成形方法に存する。
適当には、沈澱剤は有機ジカルボン酸またはその誘導体である。適当な有機ジカ ルボン酸は/ユウ酸であって、該誘導体は塩、エステル、無水物、およびアミド を包含し得る。
得られた共沈澱生成物を処理して、要求される成形工程の個々のタイプに応じて 、その粘度を増減できる。水を添加または除去して粘度、従って、沈澱物の可塑 性を調整できる。
可塑性とは、沈澱物またはスラリーが成形、押出、注型、コーティング等できる のに十分な粘度であることを意味する。種々の添加剤を沈澱生成物に添加できる 。これらは、HTSC化合物/前駆体、不活性充填材等を包含し得る。また、沈 澱に先立って種々の添加剤を溶液に添加して密接混合を可能とすることこともで きる。
沈澱剤は、該沈澱剤を燃やして無(するか分解するのに十分な加熱工程によって 除去できる。沈澱剤がシュウ酸塩である場合、加熱工程は、ンユウ酸塩を還元し て種々のカチオン酸化物を形成させるのに十分であるべきである。
所望ならば、加熱工程を継続し、または調整してHTSC特性を有する成形製品 を得ることができる。適当には、最初の沈澱技術は、共沈澱プロセスの間、媒質 のpHを緩衝化した前記開示のものと同様または同一である。
図面の簡単な記載 図1は、製造経路の模式図である。
図2は、実施例1の模式的フローシートである。
図3は、実施例1のpH値を示す。
図4は、Y−123粉末のXRDプロットである。
図5は、異なる時間において酸化物から形成されたHTSC材料のXRDプロッ トを示す。
図6は、シュウ酸塩から直接形成されたHTSCのXRDプロットである。
図7は、実施例4によって製造されたワイヤの磁化率一温度を示す。
図8は、実施例4によって製造されたワイヤのXRDプロットである。
図9は、実施例5によって製造したY−123ワイヤについての磁化率一温度を 示す。
図10は、実施例5によって製造したY−123ワイヤのJc−焼結温度である 。
図11は、実施例3によって製造したY−123ワイヤの抵抗率一温度のプロッ トである。
図12は、実施例7によって製造した試料についての磁化率一温度である。
図13aは、YBa2CLJ30t−m粉末YBCO力焼粉末(500℃)の透 過型電子顕微鏡写真である。
図13bは、力焼した前駆体から形成した透過型電子顕微鏡像である。
図14は、実施例11のB55CO粉末のXRDプロットである。
図15aおよび15bは、YBa、Cu、○ツー6粉末の走査型電子顕微鏡写真 である。
図16は実施例8によって作成したワイヤについての磁化率一温度である。
図17は、実施例10におけるプロセス2のpbドープB55CO粉末のXRD である。
図18aは、実施例10のプロセス1のBj−2223前駆体粉末のXRDプロ ットである。
図18bは、実施例10のプロセス1の粉末のSEM顕微鏡写真である。
図18cは、実施例10の粉末のSEM顕微鏡写真である。
図19は、実施例9によって作成されたY−211粉末のXRDプロットである 。
図20aおよび20 b l!、実施例10、プロセス2の試料のSEM写真で ある。
図20cは、実施例10、プロセス2の試料の磁化率一温度である。
本実施例は化合物Y1Ba2Cu30y−a(123)の前駆体およびHTSC 粉末を製造するための共沈澱プロセスを説明する。全模式的プロセスを図1に示 す。
試薬グレードの酸化イツトリウムY2O3の78.0gおよび試薬グレードの硝 酸銅三水和物CuN206 ・3H20の500g、および硝酸バリウムBaN zOsの360.6 gを20リツトルの計量プラスチック容器に充填する。前 記混合物に10リツトルの脱イオン水および240m1の濃硝酸を添加する。前 記混合物を、清澄な青色溶液になるまで機械的に混合する。この混合は約6時間 以内に達成される。混合の最後に、pHメーターを用いてこの溶液のpHを連続 的にモニターする。最初に、この溶液について、約0.7のpHが読取られる。
水の添加により、pHは最初に上昇しないことが観察される。水のpHは約70 であって、かかる水の添加は他の系において溶液のpHを増加させることが期待 されることに注意されたい。しかしながら、約4リツトルの水の添加の後にのみ 、pHは観察され得る増加を示す。約6リノトルの水の添加時に、溶液のpHは 約09である。(溶液の容量は今や約17リツトルである。)かかる挙動は、硝 酸塩溶液において緩衝ゾーンが存在することを示す。このゾーンは水の添加また は減少によって制御される。本発明者らは、この緩衝ゾーンを超えて水を添加す ると、共沈澱における軟度が得られることを観察する。水性溶液を緩衝化し、次 いで、最終段階において他の溶媒を添加して、水添加を置き換えることによって 超えさせる。これらの溶剤は、酢酸のごとき直ちに沈澱を引き起こさないもので あり得る。しかしながら、この添加は、沈澱特性において観察可能な改善を示さ ない。
もう1つのプラスチック容器に、シュウ酸1008gを秤量して入れる。16リ ツトルの脱イオン水を該シュウ酸に添加し、機械的に撹拌する。約4時間のうち に、溶液は清澄となる。今や、pHメーターを連続的に使用してpHをモニター する。この段階で、pHは約18である。シュウ酸および水のこの混合物に、水 酸化アンモニウム850m1を添加して、約15分間合合する。混合物のpHは 、今や、約345である。また、ンユウ酸およびシュウ酸アンモニウムの混合物 を採取することによって3.45のpHを達成するのは容易である。
2つの溶液(すなわち、硝酸塩およびシュウ酸)は、同一の容量、例えば、この 場合は17リツトルを有する。その各溶液を有する2つの容器を、該2つの溶液 を同一のスピードでタンクに導(ペリスタポンプに連結する。また、この反応タ ンクは、品質管理測定のための便宜な媒体としても作用する。反応タンク内では 、およびポンプ送液ライン内には、混合された溶液は迅速に青色の沈澱を形成し 、これは、各カチオンーンユウ酸塩共沈澱よりなる。本実施例では、これらの共 沈澱物はイットリウムーンユウ酸塩、バリウム−シュウ酸塩およびンユウ酸銅な らびにバリウムおよび銅シュウ酸塩のごとき混合したシュウ酸塩である。次いで 、反応タンクから、混合物を濾過層の遠心機に移す。別法として、反応タンク中 の沈澱したシュウ酸塩混合物を十分に乾燥し、成形用に直接使用することもでき る。この配置の模式的フローシートを図2に示す。
反応タンクを磁性スターシー上におき、一定に撹拌する。約2000m1の反応 した混合物を、第2のペリスタポンプからの流速を制御することによって反応タ ンク中に維持する。反応タンク中のかかる容量は、最終共沈澱物の均質性を向− 1−させ、また、品質管理測定のためりもう1つの場所として働く。pHメータ ーを用いて、反応し5たit合物のp I−(ならびに濾液のpHを読み取る。
両p H値は反応の間、一定であることが観察される。反応d合物のpHは共沈 殿プロセスの」ン/ステンノーの指標を与え、値は実行の数につき、図3に示す 。スラリーのptiは、一般には、約13と観察さね、平均変動は±01である 。
この段階のスラリーは少なくとも3つの異なる適用において用いることができ、 少なくても3つの異なる粘度処理において必要であり得る。これらは、各々=( i)HTSC粉末を形成するための力焼(II)ワイヤ/コイルを形成するため の押出および(m)バルク体を形成するためのおよび/または厚手のフィルムを コートするためのスリップコーティング である5、 HTSC化合物粉末を得るには、いくつかの合成手法がある。最も通常に行われ る技術は、酸化物、炭酸塩および同様の化学品の化学量論的混合物の力焼による 。かかる力焼プロセスは相、純粋なY、Ba2Cu307−d (123)を再 現性よく与える。しかしながら、均質性および適当な酸素付加を達成することは 、大量の粉末では問題である。すべての場合において、原料(例えば、酸化物、 炭酸塩等)のHT S C化合物への完全な変換に必要な時間は数時間である。
加えて、部分的に力焼した粉末の中間的粉砕が、この長いプロセスの間に、しば しば必要である。
溶液から進行させる利点は、数人の著者によって天川されており、ががる加工の 種々の報告がある。炭酸塩共沈殿粉末のスラリーを乾燥するために噴霧乾燥プロ セスが使用されてきたが、これは、y、Ba2cu30t−6(123)粉末を 得るには、中間のスラリー化を伴う長い力焼時間を必要とする。粉末を得て、次 いで、長時間力焼してYBa2Cu307−d(123)粉末を得るためにYI Ba2cI」3o7.、d(123)カチオンの噴霧乾燥した硝酸溶液も使用さ れてきた。
本発明者らの共沈殿粉末は、反応させて数分内に123粉末を形成させることが できる。このプロセスは、ビスマス−ベースのHTSC化合物のごとき他の共沈 殿HTSC粉末について有効である。図4はY−123粉末のXRDブロソ]実 施例1の遠心から得られた共沈殿ノユウ酸塩を100”Cで真空オープン内で乾 燥する。約12時間後、沈澱は乾燥した素材となり、これは、乳鉢および乳棒に て、あるいはフードプロセッサーにて容易に粉砕できて、疎なフワフワした粉末 を得る。次いで、この粉末を2つの異なる方法によって加熱処理することができ る。両方法の目的生成物は、同一の物理的および化学的特性を持つ純粋なYBa 2Cu307−n (123)粉末である。
方法1 (1) 該粉末を耐火性ビーカー(例えば、アルミナ)に移し、マツフル炉内で 処理して、ン、つ酸塩を分解して各カチオンの酸化物とする。温度は、最初の二 元共晶点未鵬であるが各ンユウ酸塩の分解温度を超えるように選択できる。か( して、例えば、前記調製のバッチについては、5oo℃の温度が選択される。ア ルミナビーカー内の粉末をマツフル炉に移し、5℃/分の速度で500℃まで加 熱処理し、その時点て15時間保持する。次いで、該粉末を5℃/分で室温まで 冷却する。さらなる実験は、該耐火性容器内の粉末の深さが浅いと(例えば、5 mm)、500℃の時点は5〜10分まで減少させることができることを示した 。
かくして、種々の時間500℃で力焼したンユウ酸塩粉末をX−線回折によって 分析した。約10分以内に、我々のプロセスによって製造したソユウ酸塩共沈澱 粉末は分解して酸化物を形成でき、それにより、加熱処理の数時間後に他の方法 によって得られたものと同一の結果を与えることが観察される。ンユウ酸塩粉末 の迅速な力焼は、(i)不適当な共沈殿方法、または(u)他の方法によって形 成された前駆体では可能でないであろう。
図13aは、力焼した粉末の透過型電子顕微鏡写真を示し、個々の結晶に関する 格子フリンジ(fringe)像の程度から、粒子サイズは20nm未満であっ て、種々の粒子は密接に混合されていることが明らかに分かる。図4はこれらの 力焼粉末から作成されたY−123粉末のXRDを示し、図13bは、YBa2 Cu307−a (123)粉末の透過型電子顕微鏡写真を示す。この顕微鏡の 単位細胞の寸法は、HTSC超伝導相が存在することを示す。
一旦/ユウ酸塩が分解して酸化物を形成すると、それをより高い温度で加熱処理 してHTSC材料を得る。図5は950℃における種々の時間の加熱処理後に前 記で得られた酸化物粉末のXRDパターンを示す。該酸化物を反応させて約5分 内にHTSC材料が得られることが観察される。数時間という通常の焼成時間と 比較して、この時間はかなり減少される。
前記2つの工程の焼成に伴う利点は、都合よくは、我々が、500℃で加熱処理 された粉末を貯蔵できるということである。比較すると、乾燥したシュウ酸塩粉 末は水を吸収する傾向がある一方、123HTSC化合物は湿潤条件下でゆっく りと分解する。
方法2 真空オーブン中で乾燥後に得られた乾燥ンユウ酸塩粉末は直接力焼してHTSC 粉末が得られる。本実施例において、ンユウ酸塩粉末80gを狭い(1cmの高 さ)アルミニウムボートに入れ、マツフル炉中で950℃にて種々の時間焼成し た。この手法から得られた結果を図6に示す。
かくして、方法1または方法2を用いてシュウ酸塩を酸化物に変換でき 焼成お よび引き続いてのHT S C材料への変換に対する前駆体粉末の高反応性は( i)ノユウ酸塩前駆体の適当な共沈殿および(ii)共沈殿した粉末の微細で密 接に混合された性質による。
これらの共沈殿ンユウ酸塩粉末についての反応時間は数分のオーダーであるので 、本発明者らは力焼のために種々の工業的装置を使用することができる。この装 置は、トンネルキルン、ドロップ・チューブ(drop tube)炉、流動床 炉および水平ゾーン炉を包含する。
さらに、我々の酸化物混合物の高反応性のため(あるいは500℃の力焼の後に 得られた粉末のため)、我々は、広節囲の粒子ライズ分布を有する純粋なYBa 2Cu307−1(123)粉末を製造することができる。500℃の力焼の後 に得られた酸化物の混合物を耐火性容器に移し、炉に充填する。次いで、該試料 を異なった方法で加熱処理して、制御された方法にて種々の粒子サイズが得られ る。各場合において、該材料はHT S CY 1 B a 2 Cu s O r −mである。かくして得られた種々の粉末の電子顕微鏡写真を図15aおよ び15bに示し、再現性よく得られる種々の粒子サイズを示す。かくして、例え ば、本発明者らは以下の3つの焼成経路を用いる。
(a)5℃/分で800℃まで炉を加熱し、20時間保持する。次いで、該炉を 5℃/分で475℃まで冷却し、そこで、それを5時間保持する。次いで、該炉 を5℃/分で室温まで冷却する。この試料の加熱処理は流動する酸素の雰囲気中 て行う。かかるプロセスによって得られた粒子サイズは、図15aに示すごとく 、1ミクロン未満である。
(b)5℃/分で900℃まで炉を加熱し、1時間保持する。次いで、該炉を5 ℃/分で475℃まで冷却し、5時間保持し、しがる後、それを5℃/分で室温 まで冷却する。この試料の加熱処理は流動する酸素中で行う。がくしで得られる HTSC粉末の典型的な粒子サイズは、図15bに示すごとく、1ミクロンであ る。
(C)炉を5℃/分で950℃まで加熱し、30分間保持する。次いで、試料を 5℃/分で475℃まで冷却し、5時間保持し、しかる後、それを5℃/分で室 温まで冷却する。この試料の加熱処理は流動する酸素中で行う。この方法によっ て得られたHTSC粉末の典型的な粒子サイズは約25ミクロンである。
実施例3 本実施例は、全て共沈殿ンユウ酸塩からなる可塑性体/素材からワイヤを押し出 すことができることを説明する。約10gの湿潤ンユウ酸塩スラリーを乳鉢およ び乳棒に移した。該スラリーの粘度はパン生地のそれとほぼ同じであった。それ をさらに乳鉢および乳棒にて粉砕していずれの可能な凝集も破壊し、均質性を向 上させた。次いで、該素材を、約400Kpaの適用された圧力を用いて、0. 6mmのダイを通して押し出した。バインダー、滑沢剤、または溶剤は使用しな かった。かくして得られたワイヤを室温で2日間乾燥した。ワイヤが乾燥された 後、それをアルミニウムホト−に入れ、次いで、チューブ炉に移した。チューブ 炉を次いで室温から250℃まで加熱し、そこで、3時間保持し、その終わりに 5℃/分で960℃まで加熱した。炉が960℃に到達したら、それを約10分 間保持し、次いで、閉じ、冷却させた。全加り処理は流動する酸素雰囲気中で行 った。ワイヤは形状を保持したが、有意量の多孔度があることが観察される。
しかしながら、該ワイヤ試料は、磁化率測定によって観察して91にの超伝導転 移を示した。ワイヤを250℃の保持しなくて直接に960℃まで加熱すると、 水の速い放出によってそれは粉々になる。図11はかかるワイヤの磁化率一温度 本実施例は、ノユウ酸塩および123および/または他のHTSC化合物を混合 してなお可塑性素材を形成でき、これを次いで成形して成形セラミックスとでき ることを示す。
約10gの力焼したY+BaxCtJ30t−、(123)粉末を約5g(7) 共沈殿ンユウ酸塩ペーストと混合する。該ンユウ酸塩ペーストは歯磨きの粘度と ほぼ同程度の粘度を有していた。該混合物を手により乳鉢および乳棒にて粉砕し て均質性を向上さ也いずれの可能な凝集も破壊した。次いで、それを、約400 Kpaの適用圧力を用いて0.6mmのダイを通して押し出した。かく形成され たワイヤを室温で約2日間乾燥した。適当に乾燥した後、該ワイヤをアルミナボ ートに乗せ、チューブ類に移した。次いで、該炉を5℃/分で250’Cまで加 熱処理し、そこで、3時間保持し、しかる後それを5℃/分で970℃まで加熱 した。970’Cにて炉を10時間保持し、しかる後、それを5℃/分で450 ℃まで冷却し、そこで5時間保持した。全焼成プロセスは流動する酸素下で行っ た。図7は、91に未満に冷却した場合、ゼロの抵抗までの鋭い降下によって示 されるごとく、このプロセスによって作成されたワイヤ試料における超伝導転移 を示す。図8は、このプロセスによって作成されたワイヤ試料のXRDプロット を示す。表面におけるXRDは高度の配向を示し、これは、001反射強度の増 加によって説明される。このプロセスによって作成された試料の典型的な臨界電 流密度Jcは約102A/cm2である。
大塵吻亙 本実施例は、バインダーをHTSC化合物に添加するというより通常のプロセス を用いてワイヤのごとき成形品を成形できることを説明する。しかしながら、固 有の微細な粒子サイズおよび粉末の均質性のため、本発明者らはかかるバインダ ーの量を約2重量パーセントまで減少させることができる。バインダーの添加を 必要とする通常のプロセスにおいて、この分率は10重量パーセントを超える。
有機バング−におけるかかる減少の結果、非超伝導性である材料を焼結体から除 去するのがより少なく、かくして、我々は高電流担持容量を持つ密なワイヤを得 ることができる。
ワイヤは、バインダーが添加されるより通常の経路を用いて押し出されてきた。
共沈殿YBCOンユウ酸塩前駆体の力焼によって作成されたYl B a 2C u 30t−a(123)粉末10gを商業的HPMC(バインダー)0.2g および50m1の水と、ガラスビーカー中のマグネチインクスクーラーによって 混合した。約40分内に、十分な水が蒸発して、歯磨きと同様の粘度を有する残 渣が得られた。この粘性素材を、次いで、前記した実施例2におけるごとくに押 し出し、加工した。
この焼結したワイヤから得られた磁化率および相の純度の結果は実施例2で得ら れた結果と同様であった。焼結後のこのワイヤ試料についての磁化率プロットを 図9に示す。しかしながら、数ミリメートルの長さにわたって領6mm直径のワ イヤにつき測定して電流担持容量Jcは一103A−am−2であった。この方 法によって製造し、種々の温度で焼結したワイヤにつき、輸送によって測定した 臨界電流密度Jcの変動を図10に示す。同一方法によって加工した異なる試料 についてのJcの反復測定はこの図に示す。
実施例6 共沈殿プロセスは、本来的に可塑性であって、脱泡剤の使用なくして懸濁液中に 止どまることができる/ユウ酸塩混合物を与える。事実、このプロセスで用いる ンユウ酸塩粉末は、一旦乾燥すると、いずれの有機剤の添加なくしても水に再度 懸濁できる。従って、例えば、シュウ酸塩それ自体、または種々の量の力焼HT SC粉末および銀および/または超伝導化合物のごとく他の添加物との混合物を 使用できるようになる。さらに、溶液中でこれらの添加物を混合できるようにな り、それにより、極端に微細な規模(例えば、サブミクロン)にて密接混合が可 能となる。
ガラスビーカー中のンユウ酸塩共沈澱粉末に水を添加することによってスラリー を調製する。マグネチインクスクーラーによって該スラリーを連続的に混合し、 スラリーが均一に流れるまで水を添加する。予め形成した坩堝またはいくつかの 他の適当な形状を用いて、プラスターのパリスからモールドを調製した。スラリ ーをモールドに注ぎ、約5秒後、排出させる。このように、スラリー混合物(例 えば、YBC○前駆体ンユウ酸塩)のコーティングはモールドに残ったままであ った。約2時間後、コーティングはそれ自体モールドから放出され、容易に抽出 され、開放された空気中で乾燥させる。セラミックスのスラリーをスリップ注型 するかかるプロセスは知られている。
注型物の乾燥の間におけるクランキングに対する抵抗を増加させるため、酸化物 粉末またはHTSC化合物をスラリーに添加することができる。500℃で7ユ ウ酸塩を力焼することによって酸化物粉末が得られる。力焼酸化物粉末およびH TSCは共にこのタイプのシュウ酸塩スラリー中で同様に挙動し、従って、適当 な焼成に際して同様の生成物を与える。
実施例7 本実施例は、超伝導特性および臨界電流密度>102A、cm−2を示す形成体 のスリップ注型のためにHTSC酸化物を添加し、乾燥したンユウ酸塩粉末の溶 解によって作成した共沈殿ンユウ酸塩スラリーの使用を説明する。
以下に、はぼ1.0 cmの直径、1.0 cmの高さおよび1.0mmの厚さ の壁の寸法の坩堝を作成する1の具体的な例を記載する。
ノユウ酸塩粉末60gをガラスビーカー中の水60m1に添加し、マグネチイン クスターラーによって3日間機械的に撹拌する。この時点の後、混合物はがなり 粘性となり、蜂蜜のように流れることが観察される。この粘性混合物に酸化物粉 末120gを添加した。この酸化物粉末は、乾燥したンユウ酸塩粉末をマツフル 炉中で500℃にて10時間力焼することによって調製した。均質な混合物が約 5分以内に得られ、次いで、スラリーを予め形成したプラスターのパリスのモー ルドに注ぐ。約30秒後、スラリーを注ぎ出し、それにより、モールドの内側に 約1.5mm厚みのコーティングが得られた。約2時間後、シュウ酸塩および酸 化物の注型混合物がモールドから放出され、モールドの形状を保持している。
坩堝の形状の「生の成形体」を空気中で3日間乾燥する。一旦乾燥したら、次い で、それを焼成して該成形体を焼結し、それにより、坩堝の形状の超伝導化合物 (例えば、YIBa2Cu30t−a (123))が形成される。また、この 焼結体は、取り扱いに耐え、液体窒素のごとき液体を含有するのに十分な機械的 強度を維持している。
これらのスリップ注型体についての適当な焼成経路は、0.5℃/分で500℃ まで「生の成形体」を焼成し、そこで、2時間保持することを含む。この最初の 焼成により、水が非常にゆっくりと逃げ、それにより、クラックの形成および増 加を制限する。500℃における保持の後、該炉を5℃/分で960℃まで加熱 し、2時間保持し、しかる後、該炉を475℃まで冷却し、5時間保持する。
475℃における保持は、正方晶相(Y B CO)の最大割合を超伝導斜方晶 相に変換するのに必須である。完全な焼成経路は流動する酸素雰囲気中、または 、示したように空気中で行うことができる。
電子顕微鏡写真は、スリップ注型体の表面の微粉砕された形態および高バルク密 度(〉90%)を示す。焼成経路の最適選択を用いて組織を形成するか(例えば 、粒状配向)、あるいは個々の粒状形態を改良する。図12は、流動酸素中、9 60℃(曲線raJ ) 、930℃(曲線「b」)および910℃(曲線「C 」)で10時間焼成したスリップ注型坩堝の試料片についての磁化率測定を示す 。
Y1Ba2Cu30y−a (123)材料に期待されるごとく、91Kにおい て超伝導転移があることが観察される。4点プローブを用いる該坩堝の試料片に ついての臨界電流密度測定により、ミリメーター長さにわたる電子の輸送につい て、77におよびOTの場にて一200A、cm−”のJc値が得られた。
実施例8 本実施例は、目的物が123材料についての211相の小さな粒を囲むフラック スビン止め実験の一部を用いるため、サイズ、量および形状の項において限定さ れた、非超伝導性であるY2Bacuos (211)を添加するためのスラリ ーの使用を示す。
約10gの力焼したY1Ba2Cu3O7−m (123)粉末を約5gの共沈 澱YzBaCuOs (211) 、ノユウ酸塩ペーストと混合する。該シュウ 酸塩ベーストは歯磨き程度の粘度を有していた。該混合物を乳鉢および乳棒にて 、あるいは温和な真空下の機械的ミキサーにて粉砕した。これらの後者の混合方 法は、混合条件ならびにノユウ酸塩+HTSC混合物の脱気の制御を可能とする 。次いで、この混合物を、約400Kpaの適用圧力を用いて1.Qmmのダイ を通して押し出した。か(して形成されたワイヤを室温で約2日間乾燥した。適 当な乾燥の後、該ワイヤをアルミナボートに乗せ、チューブ炉に移した。次いで 、該炉を5℃/分で260℃まで加熱処理し、そこで3時間保持し、しかる後、 5℃/分で990℃まで加熱した。990℃において、該炉を10時間保持し、 しかる後、それを5℃/分で450℃まで冷却し、そこで5時間保持した。全焼 成プロセスは流動する酸素下で行った。図16は、このワイヤについての磁化率 測定からの結果を示す。結果は、該試料が〜91にの転移温度で超伝導性になる ことを示す。
このワイヤの電流担持容量Jcは〜300A、crrr’である。特に適用され た磁場下において、超伝導のより高性能を得る方法は、211相の123マトリ ツクスへの分散を含む。ビン止め中心を供するための211相のこの可能な使用 はスーパーコンド・サイ・チクノル(Supercond、 Sci、 Tec hnol、)、4、S49.1991に記載されている。本実施例は、211お よび123相の密接混合物が、共沈澱プロセスによって形成されたンユウ酸塩ス ラリーの使用を通じてサブミクロン規模で作成され得ることを示す。
実施例9 本実施例は、化合物Y2BaICu+Osの製造への共沈澱プロセスの適用を説 明する。さらに、我々のプロセスは123化学量論体以外の銅酸化物ベース化合 物を首尾よく製造するのに使用できることも説明する。化合物Y2Ba、Cυ、 O6は超伝導性であることは知られていないが、それは、ドーピングのため、お よび基材としてのものを含めた、種々のHTSC関連適用に使用される。該化学 品はモル化学量論比Y:Ba:Cu: :2:1:1を採る。
45.16gのイツトリウム酸化物を1リツトル容量のフラスコに添加する。
該フラスコに100m1の濃硝酸も添加し、脱イオン水の添加によって容量を1 リツトルとする。該混合物を清澄になるまで機械的に混合する。かくして得られ た該清澄溶液の典型的なpH値は0.15である。
52.47gの硝酸バリウムを1リツトルのフラスコに添加する。該フラスコに 49.29gの硝酸銅も添加し、脱イオン水の添加によって容量を1リツトルと する。該混合物を清澄になるまで機械的に撹拌する。該清澄な溶液の典型的なp H値は4.1である。
前記した該2つの溶液を今や一緒に混合して清澄な溶液を得る。この清澄な溶液 の典型的なpH値は10である。(別法として、我々は、硝酸バリウムおよび硝 酸銅の混合物に500m1のみを添加することができる。該2つの硝酸塩溶液は 、混合すると、0.7の典型的tpH値を有するであろう。さらに水を最大50 0m1まで添加すると、緩衝効果が見られるであろう)。
2リツトルの容器に、126.07gのシュウ酸を添加し、脱イオン水の添加に よって容量を2リツトルとする。混合物を清澄となるまで機械的に混合する。
この溶液の典型的なpHは35である。該ンユウ酸溶液に150m1の水酸化ア ンモニウムを添加する。今や、pHは典型的には3.9である。別法として、ン ユウ酸アンモニウムおよびシュウ酸の混合物を用いて同一のpHを達成すること ができる。
実施例1に記載したオン−ラインの混合および遠心組立体を用いて、硝酸塩溶液 をンユウ酸溶液と混合し、それにより、イツトリウム、バリウム、銅のシュウ酸 塩および混合したカチオン/ユウ酸塩の共沈澱を得る。反応した混合物の典型的 なpHは1.3である。
かくして得られるスラリーを水の沸点にて真空オーブン中で乾燥する。乾燥した 素材を約12時間以内抽出し、フード・プロセッサーによって粉砕する。次いで 、疎粉末を乳鉢および乳棒によってさらに粉砕することができる。
粉砕したノユウ酸塩粉末を耐火性容器に移し、マツフル炉に充填する。該炉を5 ℃/分で500℃まで加熱し、10時間保持する。次いで、該炉を室温まで冷却 する。今や、黒色の粉末を乳鉢および乳棒にて手で粉砕し、前記のごとく炉に充 填する。該炉を980℃まで加熱し、12時間保持する。次いで、それを5℃/ 分で室温まで冷却する。得られた生粉末をX−線回折および電子顕微鏡によって 、図19に示すごと(、純粋なY2BalCu106であると特像付けられる。
実施例1と同様、本発明者らは、異なる温度および時間にて500℃力焼粉末を 処理して種々の粒子サイズ分布を得ることができる。
実施例]0 本実施例は、ビスマス−および鉛ベースのHTSC前駆体および式(B i P b) 2ca2sr2CIJsO+aの化合物の製造に適用される共沈澱プロセ スを説明する。化学品は(Bi :Pb):Sr:Ca:Cu: :(1,65 :0.35):223のモル化学量論的重量である。
試薬グレードの硝酸ビスマスB i (NO3) 2・5H,Oの100.05 gを1す・ットルのフラスコに充填する。これに、25m1の濃硝酸を添加し、 脱イオン水を添加することによって容量を300m1とする。混合物を清澄にな るまで機械的に撹拌する。/fI澄溶酸溶液Hは、典型的には、01である。
1リンドルのビーカーに、145gの硝酸鉛Pb (NO3) 2.52.91 gの硝酸ストロンチウムSr (NO3) 2・4H20,59,04gの硝酸 カル/ラムCa (NO3) 2および90.6gの硝酸銅Cu(NO)z・3 820を添加する。
これらの粉末に税イオン水300m1を添加し、溶液が清澄になるまで機械的に 撹拌する。清澄溶液のpHは、典型的には、約24である。
前記した2つの溶液を一緒に混合し、10分間機械的に撹拌する。今や、pHを 連続的にモニターする。この段階において、イ昆合した溶液は0.15のpHを 有する。溶液の容量を1すyトルとするにつれて、混合物のpt−tは0.45 まで上昇する。実施例1におけるごとく、水の添加は最初はpHを観察てきる程 度化させない。しかしながら、さらに添加すると、緩衝効果が約0.4のpHで 観察される。
6リツトルのフラスコに、190.0gの試薬グレードのンユウ酸アンモニウム (NH4COO) z・H2Oおよび4リツトルの脱イオン水を添加する。混合 物をそれが清澄になるまで機械的に撹拌する。この清澄溶液の典型的なpHは6 .6である。
次いで、ンユウ酸アンモニウムの溶液および硝酸塩の溶液を、ペリスタポンプを 用いて一緒に混合し、実施例1に記載したごとく遠心機を用いて濾過する。沈澱 した混合物の典型的なpHは1.6であり、平均変動は±02未鵬である。
沈澱を水の沸点にて真空乾燥オーブン中で乾燥し、約12時間以内に沈澱は乾燥 する。次いで、それをフード・プロセッサー、続いて乳鉢および乳棒にて粉砕し て微細な淡青色粉末を得る。
次いで、粉末を力焼して該シュウ酸塩を酸化物の微細な混合物に変換する。これ は、マツフル炉中で行うことができ、そこでは、耐火性容器中の粉末を5℃/分 で10時間、500℃まで加熱し、5℃/分で室温まで冷却する。この力焼した 粉末の高分解能透過型電子顕微鏡写真は、該粉末が密接に混合された20nm未 満のサイズの酸化物粒子よりなることを示す。X−線微細分析は、これらの粒子 は、典型的には、考慮した銅酸化物ファミリーに応じて、銅、ビスマス、カルシ ウム、ストロンチウムまたは鉛の酸化物であることを示す。
次いで、得られた粉末を、プロセス1およびプロセス2に記載したごとくに、H TSC前駆体またはHTSC材料に変換する。
プロセス1 このプロセスの加熱処理は、3層のHTSC超伝導(B +、Pb )zca2sr2cu301゜に変換される準備のできた前駆体を与える。
500℃での力焼の後に得られた粉末をマツフル炉に移す。次いで、該炉を5℃ /分で800℃まで加熱処理し、この温度に2時間保持する。次いで、それを5 ℃/分で室温まで冷却する。該粉末を手で粉砕し、次いで、マツフル炉に入れる 。該マンフル類を58C/分で840℃まで過熱処理し、10時間保持する。次 いで、該炉を室温まで冷却し、粉末を採る。該粉末を再度粉砕し、次いで、炉に 充填し、再度5°C/分で840℃まで加熱し、それに10時間保持する。次い で、マツフル炉を5℃/分で室温まで冷却する。かくして得られた粉末は、化合 物(Bi、Pb)zCa2Sr2CUiO+。を作成するために適した前駆体で ある。図18は、XRD (図18a)およびSEM顕微鏡写真(図18bおよ び18C)によって、最初のシュウ酸塩の最終の前駆体への変換の間における種 々の相の進展を説明する。我々のプロセスは、種々の粒子サイズにおけるこの前 駆体の合成を可能とする。これらの達成できる種々の粒子サイズは、特に、「粉 末−イン−チューブ」として知られているプロセスによるワイヤの製造において 、粉末の製造における柔軟性を大とする。
プロセス2 このプロセスは、プロセス1で得られた前駆体を超伝導相(Bi  Pb)zca23r、cu30Bに変換する。プロセス1で得られた前駆体粉末 を、例えば、2cm直径および約0.5cm厚み未満のディスクにプレスする。
該ディスクをMgOのごとき耐火性セッター(setter)の上に置き、マツ フル炉に移す。該マツフルを5℃/分で860℃まで加熱し、15時間保持する 。次いで、試料を5℃/分で室温まで冷却する。図17.20A−Cは、XRD 、SEMおよび磁化率データによって、このプロセスを介しての3層HTSC化 合物(Bi、Pb) 2ca2sr2cu30+oの進展を説明する。高い相純 度(約99.8%)はこのプロセスによって得られ、超伝導転移は108にの開 始温度を有することに注意されたい。
実施例11 本実施例は、ビスマス−および鉛ベースのHTSC前駆体および式B!2Sr2 Ca+Cu30m (または2212)の化合物の製造へ適用する共沈澱のプロ セスを説明する。試薬グレードの化学品を、モル化学量論量、BISr:Ca: Cu::2:2:1:2に従って秤量する。
100gの硝酸ビスマスを1リツトルのフラスコに添加する。このフラスコに5 0m1の硝酸を添加し、混合物を振盪してほとんどの硝酸ビスマスを溶解させる 。脱イオン水を添加して容量を1リツトルとし、混合物を清澄になるまで機械的 に撹拌する。清澄溶液の典型的なpHは約015である。
43、64 gの硝酸ストロンチウム、24.33gの硝酸カルシウム、49. 83gの硝酸銅を1リツトルのフラスコに添加する。脱イオン水を添加して溶液 を1リツトルとし、溶液が清澄になるまで機械的に撹拌する。清澄溶液の典型的 なpH値は3.4である。
2つの硝酸塩溶液を混合し、10分間機械的に撹拌する。清澄溶液の典型的なp Hは0.4である。
142.11gの7ユウ酸アンモニウムを4リツトルの容器に添加し、脱イオン 水の添加によって容量を4リツトルとする。混合物をそれが清澄となるまで機械 的に撹拌する。清澄溶液の典型的なpHは6.7である。
オン−ライン混合系および遠心機を用いて、硝酸塩溶液およびンユウ酸塩溶液を 混合して共沈澱物を形成し、スラリーを遠心機で収集する。反応混合物の典型的 なpHは12であり、平均変動は±0.1である。
かくして沈澱したシュウ酸塩を水の沸点にて真空オーブン中で12時間乾燥する 。乾燥した素材をフード・プロセッサー中で粉砕し、続いて、乳鉢および乳棒に て手で粉砕する。次いで、青色の粉末を耐火性容器に移し、加熱処理のためにマ ツフル炉に充填する。電炉を5℃/分で500℃まで加熱し、10時間保持する 。次いで、それを5℃/分で室温まで冷却する。今や、黒色の粉末を乳鉢および 乳棒で粉砕し、前記したごとくに炉に再度充填する。電炉を5℃/分で800℃ まで加熱し、2時間保持する。次いで、それを5℃/分で室温まで冷却する。
粉末を取り出し、再度粉砕し、次いで、炉に再度充填する。電炉を5℃/分で8 40℃まで加熱し、10時間保持する。次いで、試料を5℃/分で室温まで冷却 する。該粉末を取り出し、再度粉砕し、前記したごとく炉に再度充填する。電炉 を5℃/分で840℃まで加熱し、前記したごと(10時間保持する。次いで、 それを5℃/分で室温まで冷却する。図14におけるX−線回折データは、該粉 末はHTSC相B125r2ca+cu20gよりなることを示す。
2212相の製造のかかる段階において、平均粒子サイズ分布に対する種々の修 飾を加熱処理に対する適当な修飾によってなすことができる。
実施例12 我々の共沈殿粉末に存在する固有の可塑性のため、バリウム、イツトリウム、銅 、または銀(YBCO系で必要となる得る)またはストロンチウム、ビスマス、 カルシウム、鉛または銀(BSSCO系で必要となり得る)を含有するカチオン 混合物(または化合物)を添加することが可能となる。該添加を行って、乾燥し た共沈殿粉末を作成することができ、これは、所望の最終化合物で必要な1の、 数種のまたはすべてのカチオンを含有し得る。該プロセスは、単純な乾燥操作を 可能とするための水媒質を通じて容易とし得る。
既に乾燥した共沈澱物を十分粉砕し、水に移し、そこで、ミキサーによって撹拌 する。この混合により、微細に分散した懸濁液が得られる。別の容器において、 新しいまたはさらなるカチオンの溶液を調製する。次いで、この溶液を混合して 共沈殿溶液が得られ、次いて、これを撹拌し、蒸発乾固する。共沈殿粉末は水で 微細懸濁液を形成する能力を有するので、新鮮な粉末/沈澱/溶液との乾燥粉末 の再混合を可能とする。
例 最終化学量論的量が123となるようにモル比Y:Ba:Cu::1:15 ・3.0を有する共沈澱にバリウムカチオンを添加する出発共沈澱物は明細書に て前記したプロセスによって作成され、イツトリウム、バリウム、および銅のン ユウ酸塩よりなる。1. C,P、(誘導カンブリングプラズマ原子発光スペク トロスコピー)結果により、Y:Ba:Cuは1・15・3.0であると測定さ れる。(かかる組成は、フラックスピン止めセンターとして作用することが期待 される絶縁性化合物Y−211の割合を生じるので、バルクHTSC成形体に適 用される。)乾燥した共沈殿粉末800gに水500II+1を添加し、混合物 を激しく撹拌する。もう1つの容器において、硝酸ナトリウム792gを秤量し 、1リツトルの水に溶解させる。硝酸バリウム溶液を該共沈殿混合物に添加し、 ブレングー中で30分間激しく撹拌する。ブレンドした混合物をホントプレート に移し、そこで、なおほとんど乾燥している状態になるまで連続的に撹拌する。
この段階で、それを真空オーブンに移し、そこで、混合物を水の沸薇にて乾燥さ せる。乾燥した粉末についての透過型電子顕微鏡写真は、該粉末が前記にて得ら れた粉末と同様のナノメーターレベルのよ(混合されたカチオンからなることを 示していた。同様に、500℃において力面(してシュウ酸塩カチオンを除いた )後におけるこの粉末のTEMは、該カチオンはナノメーターレベルでよく混合 されていることを示す。
新たに調製された混合物は、共沈殿粉末について前記したのと同様に処理するこ とができる。かくして、例えば、我々は同様に焼成して超伝導性Y−123を形 成することができる。XRDおよび1. C,P、の結果より、得られた粉末の カチオン化学量論的量は1・2:3であることが確認される。
実施例13゜ 力面した共沈殿ンユウ酸塩粉末を用い、スパッタリング標的を製造した。力面し た粉末を粉砕し、プレスしてディスクとし、次いで、超伝導相が安定な920℃ と980℃の間で焼結した。よく知られたスパッタリングプロセスを介しての薄 手のフィルムの製造には密な標的が必要なので、それらの標的の密度を測定した 。500℃力焼の力面(酸化物の混合物、Y B a 2 Cu 307− 、 相なし)は、最終製品を焼結した後における高温(>800℃、主としてY B  a 、Cu 307−、)力面粉末よりも40−60%高い密度を与えること が判明した。密度におけるこの差異は、500℃力焼酸力面相から超伝導相への 変換の間において緻密化を助ける中間相(類)に寄与できる。
特許請求する本発明の精神および範囲を逸脱することなく、種々の他の変形およ び修飾を具体例に対してなすことができる。
適用/目的用逮 FIGIJRE 2 N pH硝酸塩 口 pH1l金物 + 2 3 4 5 6 7 8 9 IO+++2+3+4FIGURE 5 75 80 85 90 95 to。
F工GURE 16 75 80 85 90 95 TOO105温度(K) FIGURE 15b (l ltl 2+1 1+1 40 FIGURE 17 FIGURE 20c !If(K) FIGIJRE 19 +Q 20 30 40 50 60 2θ F’1GURE 18b FIGυRE 20b 国際調査報告 −−l轡−*mnN。
Fa+WIPCゴ’nsNフ1010翼滅1h噛ゎ自滅1h噛l1l−011f lu1719921a+plec国際調査報告 −−a−N。
1葡とコ“ASA/210イ匈幽−maol帥閃−aheslglすly l? F21国際調査報告 −一轡−6・ ≧==工a+t+onalZ=a=G廖==温=盟り霧:11for+bese particulan which纒+naelygiven forchep urposeofinfornutionB FermIC了’/Isノーノー110イー−@l−−×I+alyI99’2 1フロントページの続き (51) Int、 C1,6識別記号 庁内整理番号C04B 35/45  ZAA (81)指定国 EP(AT、BE、CH,DE。
DK、ES、FR,GB、GR,IE、IT、LU、MC,NL、PT、SE) 、0A(BF、BJ、CF、CG、 CI、 CM、 GA、 GN、 ML、  MR,NE、 SN。
TD、 TG)、 AT、 AU、 BB、 BG、 BR,BY。
CA、CH,CZ、DE、DK、ES、FI、GB、HU、J P、 KP、  KR,KZ、 LK、 LU、 MG、 MN、 M”vV、 NL、 No、  NZ、 PL、 PT、 RO,RU。
SD、SE、SK、UA、US、VN (72)発明者 ページ、デビット オーストラリア国りィーンズランド4072、セント・ルチア(番地の表示なし )、ザ・ユニバーシティ・オブ・クイーンズランド、センター・フォー・マイク ロスコピー・アンド・マイクロアナリシス内 I (72)発明者 山王 徹 オーストラリア国りィーンズランド4072、セント・ルチア(番地の表示なし )、ザ・ユニバーシティ・オブ・クイーンズランド、センター・フォー・マイク ロスコピー・アンド・マイクロアナリシス内 (72)発明者 マツキンノン、イアン・ドナルド・リチャード オーストラリア国りィーンズランド4072、セント・ルチア(番地の表示なし )、ザ・ユニバーシティ・オブ・クイーンズランド、センター・フォー・マイク ロスコピー・アンド・マイクロアナリシス内 (72)発明者 ゴールデン、ステイーブン・ジョンオーストラリア国りイーン ズランド4072、セント・ルチア(番地の表示なし)、ザ・ユニバーシティ・ オブ・クィーンズランド、センター・フォー・マイクロスコピー・アンド・マイ クロアナリシス内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.超伝導前駆体成分を溶解させて溶液とし、該水性溶液に沈澱剤を添加し、次 いで、共沈澱プロセスの間は溶液のpHを実質的に一定に維持する工程よりなる 超伝導前駆体成分を共沈澱させる方法。
  2. 2.該沈澱剤が共沈澱生成物に可塑性を付与する請求の範囲第1項記載の方法。
  3. 3.該前駆体成分が高温超伝導体を形成するものである請求の範囲第2項記載の 方法。
  4. 4.該沈澱剤がジカルボン酸またはそのエステル、アミド、無水物もしくは塩か ら選択される請求の範囲第3項記載の方法。
  5. 5.該沈澱剤がシュウ酸またはシュウ酸アンモニウムから選択される請求の範囲 第4項記載の方法。
  6. 6.共沈澱プロセスの間、溶液のpHが±0.1単位の範囲内に維持される請求 の範囲第5項記載の方法。
  7. 7.該前駆体成分がイットリウム成分、バリウム成分および銅成分である請求の 範囲第6項記載の方法。
  8. 8.請求の範囲第1項に記載の方法によって得られる共沈澱物。
  9. 9.共沈澱させたシュウ酸塩よりなる請求の範囲第8項に記載の共沈澱物。
  10. 10.請求の範囲第9項に記載された共沈澱シュウ酸塩を、該シュウ酸塩を酸化 物まで分解させるのに十分であるが、該酸化物を超伝導組成まで変換するのには 不十分な温度まで加熱することによって得られた前駆体酸化物。
  11. 11.請求の範囲第9項記載の共沈澱シュウ酸塩または請求の範囲第10項記載 の前駆体酸化物あるいは共沈澱シュウ酸塩および前駆体酸化物の混合物またはシ ュウ酸塩およびHTSCの混合物を、シュウ酸塩または酸化物あるいは該混合物 をHTSCに変換するのに十分な温度まで加熱することによって得られた高温超 伝導組成物(HTSC)。
  12. 12.請求の範囲第9項記載の共沈澱シュウ酸塩を成形工程に付し、次いで、該 成形したシュウ酸塩を十分加熱してそれをHTSC材料に変換することによって 形成されたHTSC成形製品。
  13. 13.シュウ酸塩をダイを通すことによってワイヤとして形成された請求の範囲 第12項記載の製品。
  14. 14.層としてのシュウ酸塩を表面に適用することによってシートとして形成さ れた請求の範囲第12項記載の製品。
  15. 15.シュウ酸塩をプレスエ程に付すことによってプレス製品として形成された 請求の範囲第12項記載の製品。
JP6501877A 1992-06-23 1993-06-22 一定pHにおける共沈澱による超伝導酸化物 Pending JPH07509686A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU3080 1992-06-23
AUPL308092 1992-06-23
PCT/AU1993/000300 WO1994000385A1 (en) 1992-06-23 1993-06-22 SUPERCONDUCTING OXIDES BY COPRECIPITATION AT CONSTANT pH

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07509686A true JPH07509686A (ja) 1995-10-26

Family

ID=3776236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6501877A Pending JPH07509686A (ja) 1992-06-23 1993-06-22 一定pHにおける共沈澱による超伝導酸化物

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0647207A4 (ja)
JP (1) JPH07509686A (ja)
CN (1) CN1089751A (ja)
CA (1) CA2138670A1 (ja)
WO (1) WO1994000385A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4100736B2 (ja) * 1996-09-27 2008-06-11 シャープ株式会社 非水系二次電池用正極活物質ニッケル酸リチウムの製造方法
DE19800168A1 (de) * 1998-01-06 1999-07-15 Aventis Res & Tech Gmbh & Co Verfahren zur Herstellung einer homogenen und stabilen Suspension aus Oxidvorprodukten
SE9900759D0 (sv) * 1999-03-02 1999-03-02 Muhammed Mamoun A method for producing nano-engineered precursors
CN100584519C (zh) * 2008-05-05 2010-01-27 西北有色金属研究院 一种Bi-2212/Ag超导带材的制备方法
TWI412569B (zh) * 2010-11-02 2013-10-21 Ind Tech Res Inst 接合材料、接合方法、與接合結構

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0791055B2 (ja) * 1987-07-31 1995-10-04 三菱マテリアル株式会社 複合金属酸化物の製法
US4804649A (en) * 1987-10-16 1989-02-14 Akzo America Inc. Alkaline oxalate precipitation process for forming metal oxide ceramic superconductors
US4839339A (en) * 1988-02-25 1989-06-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Superconductor precursor mixtures made by precipitation method

Also Published As

Publication number Publication date
CN1089751A (zh) 1994-07-20
WO1994000385A1 (en) 1994-01-06
EP0647207A4 (en) 1996-02-21
EP0647207A1 (en) 1995-04-12
CA2138670A1 (en) 1994-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0587326B1 (en) Method for making rare earth superconductive composite
WO1994005599A1 (en) Dense melt-based ceramic superconductors
JP2871258B2 (ja) 酸化物超電導体及びその製造方法
US5288679A (en) Process for producing superconducting wires
US5037801A (en) Method for producing a wire- or band-shaped ceramic superconductor
JPH07509686A (ja) 一定pHにおける共沈澱による超伝導酸化物
JPH04224111A (ja) 希土類系酸化物超電導体及びその製造方法
JPH0214817A (ja) 超伝導性付形材料
US5077265A (en) Co-precipitation synthesis of precursors to bismuth-containing superconductors
KR100633671B1 (ko) 향상된 반응성을 갖는납-비스무트-스트론튬-칼슘-구리-산화물 분말 혼합물 및그의 제조방법
JP3330962B2 (ja) 酸化物超電導体の製造方法
WO1993010047A1 (en) Method of fabricating thallium-containing ceramic superconductors
US6559103B1 (en) Method for producing superconducting oxide compounds
JP3394297B2 (ja) 超電導性組成物の製造方法
JP3115915B2 (ja) 希土類系酸化物超電導体の製造方法
Sah et al. Comparative studies of pure YBa2Cu3O7-ẟ prepared by modified thermal decomposition method against thermal treatment method
AU4298993A (en) Superconducting oxides by coprecipitation at constant ph
JP2540639B2 (ja) ビスマス系超電導体の製造方法
JP2978538B2 (ja) 高密度結晶構造の超電導材料
JP2504824B2 (ja) 超電導セラミックスの製造方法
JP3444930B2 (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JPH10510799A (ja) 改良された超電導体
Chen et al. High T c Superconducting Films and Powders Synthesized by Sol-Gel Processes
JP3115357B2 (ja) 酸化物超電導材料の製造方法
CN117700225A (zh) 一种YaGd2-aBa4CuNbOy纳米粉体及用其提高单畴钆钡铜氧超导块材性能的方法