JPH07502245A

JPH07502245A - 低誘電率基板

Info

Publication number: JPH07502245A
Application number: JP4506167A
Authority: JP
Inventors: デビッド、ローレンス、ダニエル; ニッカボッカー、サラー、ハッフスミス
Original assignee: インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン
Priority date: 1991-09-26
Filing date: 1991-12-27
Publication date: 1995-03-09
Anticipated expiration: 2010-11-22
Also published as: JPH07108832B2; WO1993006053A1; EP0605421A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】低誘電率基板およびその製法［背景技術］本発明はガラスまたはセラミック（以下セラミックと総称する）基板に関するものであり、特に、電子回路パッケージングに有用なセラミック基板と、そのような基板の製法に関するものである。

セラミック構造は、通常は多層であり、かつそうであることが好ましいが、電子回路基板および電子デバイスの製造に使用される。多種類の構造が使用できるが、これらの構造のい（つかを下記に述べる。たとえば、多層セラミック回路基板は、絶縁体として機能する複数のセラミック層の間に挟まれた、電気導体として機能するパターン付き金属層からなる。

基板は、半導体チップ、コネクタ・リード、キャパシタ、抵抗、カバーなどを取り付けるための成端パッドを有するものを設計することができる。複数の埋込導体レベルの間の相互接続は、積層前に形成した個々のセラミック層に、金属ペーストで充填した穴を設けて形成したバイアによって行うことができ、これは焼結により、金属を主体とする導体の密な金属相互接続となる。

一般に、従来のセラミック構造は、セラミック粒子、触媒（たとえば米国特許第４６２７１６０号明細書に開示されたもの）、熱可塑性重合体バインダ、可塑剤、および溶剤を混合し２て調製したセラミックのグリーン・シートから形成される。この組成物を延展または注型してセラミック・シートまたはスリップとし、これから溶剤を蒸発させて、凝集した自立性の柔軟なグリーン・シートを得る。

ブランキング、スタッキング、および積層の後、グリーン・シートを十分な高温度で焼成してバインダ樹脂を除去し、セラミックを焼結して密なセラミック基板を形成する。

電子回路の形成に使用する電気導体は、モリブデンやタングステンなどの高融点金属、または金などの貴金属とすることができる。しかし、銅および銅合金など、電気抵抗が低く低価格の導体を使用することが望ましい。

最新の技術によるセラミック基板は、米国特許第４３０１３２４号明細書に開示されるような、菫青石ガラス・セラミックの粒状材料から製造される。これらの基板は、誘電率が約５以上であり、熱膨張係数（ＴＣＥ）がシリコンときわめて類似している。信号伝播速度は誘電率の平方根に反比例するので、信号伝播速度を増大させるためには、誘電率の低い材料で基板を作成することが望ましい。

菫青石ガラス・セラミック材料の前には、アルミナが、超小型電子回路パッケージングに適した誘電材料として長年使用されていた。しかし、アルミナは誘電率が１０に近（、大きな信号伝播遅延および小さなＳ／Ｎ比の原因となっていた。

さらに、アルミナはＴＣＥがシリコンの約２倍であり、シリコン・チップとセラミックの耐熱疲労性に影響を与える。

アルミナから菫青石への移行は、技術の飛躍を示すものであった。将来の電子回路パッケージングの要件は、菫青石ガラス・セラミックより特性が改善された、特に誘電率が改善された（すなわち低い）基板を要求することになると予想される。

誘電率が１程度に低い多孔質のシリカ皮膜が形成されている。この材料は、焼成により収縮し、得られた構造が機械的に完全でなく、熱膨張がシリコンと合わないため、電子回路パッケージングには適当ではないと考えられる。

興味ある有望な後続材料は、シリカおよびホウケイ酸ガラスからなるセラミックである。たとえば、米国特許第４５４７６２５号明細書および米国特許第４６２４９３４号明細書には、ホウケイ酸ガラスとシリカ・ガラスまたは耐火性金属の粒子との混合物が開示されている。これらの混合物は、諸成分をボール・ミルで混合してつくられる。得られる生成物は、誘電率が４．０５またはそれ以上である。

従来の、シリカおよびホウケイ酸ガラスまたはガラスを形成する粉末を単にボール・ミルで混合してセラミックの原料を生成する方法では、不均一な微細構造が生成する。焼結中に、このような材料で形成した構造は、寸法的にひずみを生じる傾向がある。

しかし、多くの研究者が、シリカとホウケイ酸ガラスのセラミックをゾル・ゲル法で形成することを提案している。たとえば、クマール（Ｋｕｍａｒ）　、Ｍａｔ、　Ｒｅｓ、　Ｂｕｌｌ、、１９、ｐ。

３３１〜３３８　（１９８４年）および野上ら、Ｊ、　ｏｆ　Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔ、ａｌ、１ｉｎｅ　５ｏｌｉｄｓ、４８、ｐ、３５９〜３６６、　（］−９９８２年に、シリカとホウケイ酸ガラスのセラミックの、ゾル・ゲル法による合成が開示されている。峠ら、窯業協会誌、９５、ｐ、１８２〜１８５　（１９８７年）には、ガラス基板上へのシリカおよびホウケイ酸ガラス皮膜の形成が提案されている。峠ら、Ｊ、　ｏｆ　Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　５ｏｌｉｄｓ、　１００　、　ｐ　。

５０１〜５０５、（１９８８年）には、ガラス基板上へのシリカおよびホウケイ酸ガラス皮膜のパターン形成が提案されている。皮膜は、ゲル状態の間に、機械式スタンパによりパターン形成される。

米国特許第４７８８０４６号明細書ではさらに進んで、上記のセラミック材料からの電子回路パッケージング用基板の製造について開示している。このセラミック材料は、ゾル・ゲル法で作成される。開示されたホウケイ酸ガラスは、シリカと酸化ホウ素のほかに、マグネシア、酸化カルシウム、およびアルミナを含む。

これらの添加成分は、いくつかの理由でガラスに添加される。これらの理由には、ガラスの安定性が必要なこと、セラミック粒子がガラスと過度に反応しないことが望ましいことがある。残念ながら、マグネシア、酸化カルシウムおよびアルミナを添加すると、ガラスの誘電率も上昇する。上記明細書の例３の後の表に示されているように、はとんどすべてのガラス・セラミックの誘電率は５．３以上である。例外の１つは石英とホウケイ酸ガラスからなるガラス・セラミック材料で、誘電率が４．５ないし５．０である。

しかしこの材料は、ＴＣＥがシリコンのＴＣＥよりはるかに高い。

上記特許の発明者達や当技術分野の他の関係者の努力にもかかわらず、誘電率が低く、ＴＣＥがシリコンと同等で、機械的強度が高く、製造が容易なセラミック材料が依然として必要とされている。

したがって、本発明の目的は、上記の電気的、機械的要件を満たし、またはそれを上回るホウケイ酸ガラスを含有する、改良されたセラミック材料を提供することにある。本発明の他の目的は、このような改良されたセラミック材料の製法を提供することにある。

本発明の上記その他の目的は、以下に詳しく記載する本発明の説明を添付の図面と併せて参照すればより明らかになるであろう。

［発明の開示］本発明によれば、本発明の目的は、ホウケイ酸ガラスで均一にコーティングしたセラミック粒子を含む、誘電率の低い基板を提供することにより達成される。セラミック粒子の均一なコーティングを行うためには、ゾル・ゲル法でコーティングすることが必要である。得られたセラミック基板は、誘電率が約４以下である。

［図面の簡単な説明］第１Ａおよび１８図は、それぞれ従来のボールミル技法５二よってＩＪＲ製し７たホウケイ酸ガラス／セラミック粒子組成物の、焼結前および焼結後の概略図である。

第２Ａおよび２Ｂ図は、それぞれゾル・ゲル技法によって調製したホウケイ酸ガラス／セラミック粒子組成物の、焼結前および焼結後の概略図である。

第３図は、理論的密度と、シリカ・セラミック粒子上にコーティングしたホウケイ酸ガラスの百分率の関係を示すグラフである。

［発明の詳細な説明コ本発明によれば、ホウケイ酸ガラスで均一にコーティングしたセラミック粒子を含む、誘電率の低い基板が開示される。

この基板の誘電率は約４以下である。以下に示すように、誘電率はホウケイ酸ガラスの組成、セラミック粒子をコーティングするホウケイ酸ガラスの百分率、およびセラミック粒子の組成の関数である。

このセラミック粒子が均一にコーティングされることが、その前のゾル・ゲル処理による明確な特徴である。ゾル・ゲル法でコーティングしたセラミック粒子が容易に識別できることは、第１図と第２図を比較すると明らかである。第１図には、従来のボールミル技術によって調製したセラミック混合物の概略が示しである。すなわち、第１Ａ図では、セラミック粒子が焼結前にホウケイ酸ガラス粒子と混合されている。

第１Ｂ図に示すように、焼結後は、ホウケイ酸ガラスが不規則な形状の球体として形成され、セラミック粒子を接着する。

ガラスによるセラミック粒子のコーティングは、あったとしてもわずかしかないことに留意されたい。

第２Ａ図および第２Ｂ図も、それぞれ焼結前と焼結後のセラミック混合物の略図である。ただし、第２図では、焼成前のセラミック混合物はゾル・ゲル法で製造されている。第２Ａ図では、セラミック粒子がホウケイ酸ガラスでコーティングされている。コーティングは均一で、セラミック粒子の周囲に均一に分布している。第２Ｂ図では、粒子同士が結合したところでも、セラミック粒子をコーティングするホウケイ酸ガラスはそのままで、均一である。ひずみの原因となるホウケイ酸塩の粒子がないことに注目されたい。

基板は、１０〜５０体積％のガラスと、残りはセラミック粒子で構成されることが好ましい。

本発明の最も好ましい実施例では、ホウケイ酸ガラスは１０〜３０重示％の酸化ホウ素と、残りはシリカ（Ｓ　ｉ　Ｏ２）から構成される。ガラスの電気的または機械的特性に実質的な影響を与えない少量の不純物その他の成分以外の他の化合物は、酸化ホウ素およびシリカに添加すべきではない。酸化ホウ素およびシリカをホウケイ酸ガラスの主要成分とするとき、最良の特性が得られることが分かった。

もちろん、本発明の適用例で、たとえば低融点など、ここでは重要ではない特性が必要となる場合がある。この場合、少量のマグネシア、酸化カルシウム、またはアルミナまたはその他の成分あるいはそれらの組合せを添加することにより、誘電率のわずかな上昇という犠牲を払って融点の低下を達成することが望ましいまたは必要なこともある。これらの添加成分は、ガラスの約２０重量％以下、好ましくは約１０重量％以下とし、酸化ホウ素が１０〜３０重量％残るようにすべきである。

さらに、誘電率を最低にするための好ましいセラミック粒子はシリカおよび菫青石であるが、所期の特性を得るために、他のセラミック粒子をセラミック混合物に添加し、あるいはシリカまたは菫青石あるいはその両方の代わりに使用することができる。これらの他のセラミック粒子には、アルミナ、ゆう輝石、ムライト、順欠輝石、苦土カンラン石、尖晶石、ベータ・ユークリプタイト、灰長石、窒化アルミニウム、窒化シリコン、およびこれらの混合物があるが、これらは例示の目的に挙げたものにすぎず、これらに限定されるものではない。

セラミック粒子の一部を、好ましくはシリカの中空の球状粒子、繊維またはウィスカで置き換えたものも、本発明の範囲内に含まれると考えられる。一般に、繊維またはウィスカは、セラミック粒子とは異なる材質のものが好ましい。したがって、繊維またはウィスカは、たとえば窒化シリコンまたは炭化シリコンからなるものとすることができる。

本発明の重要な一態様は、完全に緻密ではない基板を製造できることである。多孔性の基板は、完全に緻密な基板よりも誘電率が低いという利点がある。前記の多孔性シリカ基板に関して発見されたことであるが、多孔性基板は機械強度が弱いことが多い。しかし、本発明者等は、セラミック粒子をコーティングするホウケイ酸ガラスの量を調整することにより、機械的強度の高い多孔性基板が作成できることを発見した。

本発明ｌ二よる基板は、下記の工程により製造される。

（ａ）ゾル・ゲル法により、セラミック粒子をホウケイ酸ガラスでコーティングする。ゾル・ゲル法は、酸化ホウ素前駆物質を溶剤または混合溶剤中でシリカ前駆物質で加水分解し、この溶液をセラミック粒子と混合した後、セラミック粒子から溶剤または混合溶剤を除去することからなる。便利な除去法は、粒子をオーブン中またはホット・プレート上で、低温で乾燥するものである。ガラス混合物およびセラミック粒子は、得られる基板の電気的および機械的要件に合うように選択する。この考慮において重要なことは、誘電率が低（、好ましくは約４以下であることである。

（ｂ）コーティングした粒子を成形して、基板を形成する。

好ましい基板成形法は、テープ注型法である。この方法によれば、コーティングした粒子を適当な溶剤または混合溶剤、およびバインダ材料と混合して、スラリを形成する。通常のバインダには、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）またはボリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に、粒子分散剤、可塑剤、流動ｖａ整割などの成分を添加したものである。このスラリを注型して、複数のグリーン・シートとする。次に、導電性ペーストによりグリーン・シート上に配線およびバイアを形成する。その後、グリーン・シートを積み重ね、積層してグリーン（未焼結）基板とする。

（ｃ）基板を焼結する。グリーン基板を適当な雰囲気のオーブンに入れ、必要な時間焼結する。基板が銅（抵抗率が低いために好ましい）の配線パターンを有する場合、銅を保護する雰囲気を使用して錆の酸化を防止しながら、基板を焼結し有機残渣を焼却しなければならない。さらに、銅は１０８３℃で融解するので、基板は約１０００℃未満の温度で焼結できなければならない。

本発明の利点は、下記の例を参照すると一層明らかになろう。

［例］例１１０重重量のホウケイ酸ガラス（８２０３２０重量％、５Ｌ０２８０重量％）と、９０重量％のシリカ粒子からなるセラミック材料を下記の方法により作成した。

アエサール（Δｅｓａｒ）非晶質球状５ｉＯ２（平均粒径３．２４μｍ）２７８．５ｇを、乾燥変性エタノール１８００ｍｌとともに、電動攪拌機付の５リツトルの三日丸底フラスコに入れてスラリを生成した。テトラエトキシシラン（ＴＥ０１）８９ｍｌ（０，４０モル）をこのスラリに添加し、これにさらに水２００ｍ１と３８％ＨＣｌ１ｍ１の混合物を加えた。

スラリを４時間攪拌して、ＴＥ０１を加水分解した後、ホウ酸トリメチル３４ｍ１　（０，２モル）をスラリに加え、さらに１晩攪拌した。次に、スラリを平らなトレイに入れ、ホット・プレートで徐々に加熱して、溶剤をすべて除去した。

次に、粉末をパルベリセット２　（Ｐｕｌｖｅｒｉｓｅｔｔｅ　２）粉砕機で粉砕した。

次に、この粉末１００ｇを、ＰＭＭＡ樹脂と、アセトン、エチルアルコール、イソプロピルアルコールの混合溶剤からなるＰＭＭＡバインダ溶液に添加した。５層の積層板をプレスし、空気中で焼成した。このサンプルを使って誘電率を測定した。誘電率の測定値は、２．４であった。

乾燥した粉末をプレスしてペレット状にしてもう１つのサンプルを調製し、膨張計で１０００℃に加熱したところ、収縮は１％未満であった。焼結生成物の密度は約７０％であった。

例ＩＩホウケイ酸ガラス中に２０重量％の８２０３を含有する、他のペレット状のサンプルを調製した。このサンプルで、シリカ粒子をコーティングするガラスの百分率を変化させた。２種類のセラミックについて、誘電率を測定した。

同様にして、ホウケイ酸ガラス中に１０重量％および３０重量％の８２０３を含有するセラミックのペレット状のサンプルを生成した。これらのサンプルについても、シリカ粒子をコーティングするガラスの百分率を変化させた。

すべてのサンプルについて、焼結中の理論密度の百分率と、セラミック中のホウケイ酸ガラスの重量％の関係をめた。

この結果を下記の表１および第３図に示す。表工および第３図には、例■の結果も示す。

表　■ ％Ｂ２Ｏ３／％５ｉ０２　％力゛ラス／％５ｉ０２　理論密度　誘電率（重量％）　（重量％）　（％）２０／８０　０／１００　６５　２．２’２０／８０　１０／９０　７０　２．４士２０／８０　２５／７５　７７　２．９”２０／８０　５０１５０　９０　３．５’８　計算でめた誘電率１　測定した誘電率これらの結果および第３図を見ると、シリカ粒子に添加するホウケイ酸ガラスの量にかかわらず、１０重量％のＢ２Ｏ３を含有するホウケイ酸ガラスで緻密化が最小となることが分かる。一方、２０重量％および３０重量％の８２０３を含有するホウケイ酸ガラスは、ホウケイ酸ガラスの量が増加するにつれて、緻密化が増大する。多孔質の基板を必要とする場合は、ガラスの含有量は５０％が最高である。さらに、ガラスの含有量が増加するほど、誘電率が高くなる。

何重およびＩＩのサンプルはすべて、著しい損傷を与えることなく取り扱うのに十分な強度を示した。

したがって、本発明の目的が、本発明による組成物によって達成されることは明らかである。

本明細書に具体的に記載した実施例以外の変更も、本発明の趣旨から逸脱することな〈実施できることは当業者には明白である。したがって、このような変更も本発明の範囲内に含まれると考えられ、本発明の範囲は下記の特許請求の範囲によってのみ限定される。

ＦＩＧ、　２ＡＦＩＧ、２Ｂロー　３０７７０　Ｂ２Ｏ３／　５ｉ０２ＦＩＧ、　３

Claims

【特許請求の範囲】

１．ホウケイ酸ガラスでコーティングしたセラミック粒子を含む、誘電率が約４以下の、低誘電率基板。
２．上記ガラスが、上記基板の１０〜５０体積パーセントを占め、残りがセラミック粒子である、請求項１の基板。
３．上記ガラスの１０〜３０重量パーセントがＢ２Ｏ３であり、残りがＳｉＯ２と、ＭｇＯ、ＣａＯ、またはＡｌ２Ｏ３など他の添加物である、請求項１の基板。
４．上記他の添加物、ＭｇＯ、ＣａＯまたはＡｌ２Ｏ３が、上記ガラスの２０重量％以下である、請求項３の基板。
５．上記他の添加物、ＭｇＯ、ＣａＯまたはＡｌ２Ｏ３が、上記ガラスの１０重量％以下である、請求項３の基板。
６．上記ガラスの１０〜３０重量パーセントがＢ２Ｏ３であり、残りがＳｉＯ２である、請求項１の基板。
７．上記セラミック粒子が中空の球を含む、請求項２の基板。
８．上記中空の球がＳｉＯ２を含む、請求項７の基板。
９．上記セラミック粒子が繊維またはウィスカを含む、請求項２の基板。
１０．上記繊維またはウィスカが、Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣからなる群から選択した材料を含む、請求項９の基板。
１１．上記セラミック粒子がＳｉＯ２を含む、請求項１０の基板。
１２．上記基板の密度が、理論値の約９０％以下である、請求項１の基板。
１３．上記セラミック粒子が、シリカ、菫青石、およびこれらの混合物からなる群から選択したものである、請求項１の基板。
１４．上記セラミック粒子がシリカである、請求項１３の基板。
１５．（ａ）ゾル・ゲル法により、セラミック粒子を、得られる基板の誘電率が約４以下になるように選択したホウケイ酸ガラスでコーティングする工程と、（ｂ）上記のコーティングした粒子を基板に成形する工程と、（ｃ）上記基板を焼結する工程とを含む、低誘電率基板の製法。
１６．上記ゾル・ゲル法によるコーティング工程が、（ａ）酸化ホウ素前駆物質を、溶剤または混合溶剤中でシリカ前駆物質で加水分解する工程と、（ｂ）（ａ）の溶液をセラミック粒子と混合する工程と、（ｃ）上記混合物から溶剤または混合溶剤を除去する工程とを含む、請求項１５の方法。
１７．上記成形工程が、（ａ）上記コーティングした粒子を、少なくとも１種類の溶液およびバインダ材料と混合して、スラリを形成する工程と、（ｂ）上記スラリを注型して、複数のグリーン・シートを形成する工程と、（ｃ）上記グリーン・シートを積み重ね、積層して、多層基板を形成する工程とを含む、請求項１５の方法。
１８．焼結工程が、上記基板を約１０００℃未満の温度に加熱する工程を含むことを特徴とする、請求項１５の方法。
１９．上記ガラスが、上記基板の１０〜５０体積パーセントを占め、残りがセラミック粒子である、請求項１５の方法。
２０．上記ガラスの１０〜３０重量パーセントがＢ２Ｏ３であり、残りがＳｉＯ２と、ＭｇＯ、ＣａＯ、またはＡｌ２Ｏ３など他の添加物である、請求項１５の方法。
２１．上記他の添加物、ＭｇＯ、ＣａＯまたはＡｌ２Ｏ３が、上記ガラスの２０重量％以下である、請求項２０の方法。
２２．上記他の添加物、ＭｇＯ、ＣａＯまたはＡｌ２Ｏ３が、上記ガラスの１０重量％以下である、請求項２０の方法。
２３．上記ガラスの１０〜３０重量パーセントがＢ２Ｏ３であり、残りがＳｉＯ２である、請求項１５の方法。
２４．上記セラミック粒子が中空の球を含む、請求項１６の方法。
２５．上記中空の球がＳｉＯ２を含む、請求項２４の方法。
２６．上記セラミック粒子が繊維またはウィスカを含む、請求項１６の方法。
２７．上記繊維またはウィスカが、Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣからなる群から選択した材料を含む、請求項２６の方法。
２８．上記セラミック粒子がＳｉＯ２を含む、請求項２７の方法。
２９．上記セラミック粒子が、シリカ、菫青石、およびこれらの混合物からなる群から選択したものである、請求項１５の方法。
３０．上記セラミック粒子がシリカである、請求項２９の方法。
３１．１０〜３０重量パーセントがＢ２Ｏ３であり、残りがＳｉＯ２であるホウケイ酸ガラスで均一にコーティングしたセラミック粒子を含む、低誘電率基板。
３２．上記ガラスが、上記基板の１０〜５０体積パーセントを占め、残りがセラミック粒子である、請求項３１の基板。
３３．上記ガラスがさらに、２０重量パーセント以下のＭｇＯ、ＣａＯまたはＡｌ２Ｏ３を含有する、請求項３１の基板。
３４．上記ガラスがさらに、１０重量パーセント以下のＭｇＯ、ＣａＯまたはＡｌ２Ｏ３を含有する、請求項３１の基板。
３５．上記ガラスの１０〜３０重量パーセントがＢ２Ｏ３であり、残りがＳｉＯ２である、請求項３１の基板。
３６．上記セラミック粒子が中空の球を含む、請求項３２の基板。
３７．上記中空の球がＳｉＯ２を含む、請求項３６の基板。
３８．上記セラミック粒子が繊維またはウィスカを含む、請求項３２の基板。
３９．上記繊維またはウィスカが、Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣからなる群から選択した材料を含む、請求項３８の基板。
４０．上記セラミック粒子がＳｉＯ２を含む、請求項３９の基板。
４１．上記基板の密度が、理論値の約９０％以下である、請求項３１の基板。
４２．上記セラミック粒子が、シリカ、アルミナ、菫青石、ゆう輝石、ムライト、頑火輝石、苦土カンラン石、尖晶石、ベータ・ユークリプタイト、灰長石、窒化アルミニウム、窒化シリコン、およびこれらの混合物からなる群から選択したものである、請求項３１の基板。
４３．上記セラミック粒子がシリカである、請求項４２の基板。
４４．（ａ）ゾル・ゲル法により、セラミック粒子を、１０〜３０重量パーセントのＢ２Ｏ３と、残りがＳｉＯ２からなるホウケイ酸ガラスでコーティングする工程と、（ｂ）上記のコーティングした粒子を基板に成形する工程と、（ｃ）上記基板を焼結する工程とを含む、低誘電率基板の製法。
４５．上記ゾル・ゲル法によるコーティング工程が、（ａ）酸化ホウ素前駆物質を溶剤または混合溶剤中でシリカ前駆物質で加水分解する工程と、（ｂ）（ａ）の溶液をセラミック粒子と混合する工程と、（ｃ）上記混合物から溶剤または混合溶剤を除去する工程とを含む、請求項４４の方法。
４６．上記成形工程が、（ａ）上記コーティングした粒子を、少なくとも１種類の溶液およびバインダ材料と混合して、スラリを生成する工程と、（ｂ）上記スラリを注型して、複数のグリーン・シートを形成する工程と、（ｃ）上記グリーン・シートを積み重ね、積層して、多層基板を形成する工程とを含む、請求項４４の方法。
４７．焼結工程が、上記基板を約１０００℃未満の温度に加熱する工程を含むことを特徴とする、請求項４４の方法。
４８．上記ガラスが、上記基板の１０〜５０体積パーセントを占め、残りがセラミック粒子である、請求項４４の方法。
４９．上記ガラスがさらに、２０重量パーセント以下のＭｇＯ、ＣａＯまたはＡｌ２Ｏ３を含有する、請求項４４の方法。
５０．上記ガラスがさらに、１０重量パーセント以下のＭｇＯ、ＣａＯまたはＡｌ２Ｏ３を含有する、請求項４４の方法。
５１．上記ガラスの１０〜３０重量パーセントがＢ２Ｏ３であり、残りがＳｉＯ２である、請求項４４の方法。
５２．上記セラミック粒子が中空の球を含む、請求項４５の方法。
５３．上記中空の球がＳｉＯ２を含む、請求項５２の方法。
５４．上記セラミック粒子が繊維またはウィスカを含む、請求項４５の方法。
５５．上記繊維またはウィスカが、Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣからなる群から選択した材料を含む、請求項５４の方法。
５６．上記セラミック粒子がＳｉＯ２を含む、請求項５５の方法。
５７．上記セラミック粒子が、シリカ、アルミナ、菫青石、ゆう輝石、ムライト、頑火輝石、苦土カンラン石、尖晶石、ベータ・ユークリプタイト、灰長石、窒化アルミニウム、窒化シリコン、およびこれらの混合物からなる群から選択したものである、請求項５５の方法。
５８．上記セラミック粒子がシリカである、請求項５７の方法。