JP2666744B2 - アルミナ多層配線基板とその製造方法、及びアルミナ焼結体の製造方法 - Google Patents
アルミナ多層配線基板とその製造方法、及びアルミナ焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JP2666744B2 JP2666744B2 JP6289960A JP28996094A JP2666744B2 JP 2666744 B2 JP2666744 B2 JP 2666744B2 JP 6289960 A JP6289960 A JP 6289960A JP 28996094 A JP28996094 A JP 28996094A JP 2666744 B2 JP2666744 B2 JP 2666744B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alumina
- weight
- particle size
- average particle
- atm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
されるマイクロ波集積回路に用いられるセラミックス多
層配線基板とその製造方法、及び低温焼結基板として好
適に用いられるアルミナ焼結体の製造方法に関する。
層化が可能であることから広範囲の分野に応用されてき
た。特にアルミナは、誘電率、誘電損失、熱膨張係数、
強度等のバランスがよいことから、従来からセラミック
ス基板の代表的な材料の一つであった。アルミナは高周
波領域における誘電損失が小さいことから、高周波集積
回路(MIC)用の配線基板等にも応用される。しかし
ながら、アルミナの焼結温度は通常1600℃以上と高
いため、同時焼成による内層配線を低抵抗ではあるが低
融点でもあるAu、Ag、Cu等とすることが出来ない
という欠点があった。従来、アルミナ多層配線基板はW
等の高融点金属を配線材料として使用することが知られ
ている。
してアルミナ−ガラス複合化によって焼成温度を100
0°以下とした例や、平均粒径が3μm 以下のアルミナ
原料粉末を用いて1460℃程度で焼成した例(特開平
4−106994号公報)が報告されている。
要求される基板材料の中にあってアルミナは前述した通
り、バランスのとれた材料である。特に誘電損失の点で
は非常に優れているため、高周波モジュールへの応用が
期待されるが、前述の通り高い焼成温度の為に内装可能
な配線材料に制限がある。この欠点は、アルミナの焼成
温度をAu、Ag、Cu、Ag−Pd等の融点以下の温
度域まで下げることを可能にすることにより解決でき
る。しかし、前述の開示されている方法ではアルミナに
ガラス等を多量に混合するため、誘電損失が損なわれる
と言う問題があった。また、アルミナの重量%を100
%に近づけると、焼結温度は1500℃付近になってし
まうため低融点金属は使用できなかった。
能にすることで、低誘電損失を特徴とする多層配線基板
とその製造方法を提供することにある。
結体は、平均粒径5〜50nmのアルミナ微粉末70〜1
00重量%、平均粒径0.5〜3.0μm であるアルミ
ナ粉末0〜20重量%及びアルカリ土類金属化合物の添
加剤0〜10重量%の成形体を作製し、これを分圧にし
て0.005気圧以上0.85気圧以下の水蒸気を含む
雰囲気中にて900〜1200℃の温度域で焼成するこ
とによって得られる。
末を得ることは困難である。また、平均粒径が50nm以
上であると1200℃以下での焼結性が著しく低下す
る。この為原料粉末のアルミナ微粉末の粒径は5〜50
nmの範囲にある必要がある。さらに好適には5〜20nm
の範囲がよい。
行を促す効果が認められる。添加剤を添加しない場合に
比較して、同等の密度に達するまでの焼成時間は短くな
る。ここで添加量は10重量%以上とすることは望まし
くない。副成分が多くなることにより焼結体の誘電損率
は大きくなるからであり、従来のアルミナのもつ誘電特
性と遜色ない特性は添加量が10重量%以下のときに達
成される。
焼結性は向上する。分圧にして0.005気圧以下では
その効果は全く認められない。一方、0.85気圧以上
含有する雰囲気を得ることは困難である。したがって、
水蒸気量は分圧にして0.005気圧以上0.85気圧
以下が望ましい。更に好適には0.3〜0.7気圧の範
囲が容易に得られ、効果も十分確認されたことから望ま
しい範囲である。以上の条件下で焼成を行うことによ
り、焼成温度を900〜1200℃としてアルミナ焼結
体を得ることが出来る。また、アルミナ成分として0.
5〜3.0μm の粒径をもつアルミナ粉末を0〜20重
量%加えることができる。この添加は焼成によって起こ
る収縮量を制御するのに有効である。しかし、粒径が
0.5μm 以下のアルミナ粉末を添加することは収縮の
制御に関しては効果が認められない。粒径が0.5μm
以上のアルミナ粉末を原料粉末に加えることは焼結性の
低下を招くが、粒径3.0μm 以下のアルミナ粉末20
重量%以下までの添加量ならば焼結性を著しく低下させ
ることはない。
ンシートを作製し、これに配線及びヴィア配線を形成し
た後積層し、次いで積層体を焼成することにより一体化
して多層配線基板を得ることが出来る。ここで配線材料
はAu、Ag、Ag−Pd、Cuのうち少なくとも1種
類以上より選択することが望ましい。これは、これらの
金属が特に高周波特性が良好であるためである。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
ナ微粉末90重量%とマグネシア10重量%を秤量(図
1点b)、混合を行い、原料となる混合粉末を作製し
た。エチルセロソルブを主成分とする溶剤に前述の混合
粉末とバインダーとしてポリビニルブチラールを加えて
混合を行い、粘度が3000〜10000cpsである
スラリーを作製した。これをスリップキャスティング成
膜法により50μm から200μm の厚みになるように
グリーンシート化する。作製したグリーンシートを熱プ
レスすることにより生積層体を得た。この生積層体を分
圧にして0.7気圧の水蒸気を含む雰囲気中900℃2
5時間及び1200℃10時間焼成を行った。
8.0%、99.0%であった。また、空洞共振器法に
より各焼成体の誘電損失を測定したところ、ともにta
nδ=1.0×10-4であった。また、添加剤としてマ
グネシアの他に、カルシア、炭酸カルシウム、炭酸スト
ロンチウム等を用いてもほぼ同様の結果が得られた。
ミナ微粉末90重量%とマグネシア10重量%を秤量
(図2点f)、混合を行い、原料となる混合粉末を作製
した。この混合粉末を用い、実施例1と同様のプロセス
により生積層体を作製した。この生積層体を分圧にして
0.7気圧の水蒸気を含む雰囲気中、1200℃にて2
0時間焼成を行った。
度は98.5%であった。また、このアルミナ焼結体の
破断面を走査型電子顕微鏡により観察を行ったところ、
1μm 以下の空孔が若干存在することが観察されたが、
十分に緻密な焼結体であることが確認された。
であるアルミナ微粉末を用い(図1点a)、実施例1と
同様のプロセスにて生積層体を作製した。この生積層体
を分圧にして0.7気圧の水蒸気を含む雰囲気中、90
0℃50時間及び1200℃20時間の焼成を行った。
それぞれ98.5%、99.0%に達していた。また、
実施例2と同様の破断面観察により、緻密な焼結体であ
ることが確認された。
て作製した生積層体を焼成温度を1000℃として焼成
を行った。この際、焼成雰囲気に含有する水蒸気量を
0.005気圧としたところ、焼成時間が30時間とな
ったところで焼結体密度が98.0%に達した。また、
水蒸気量を0.85気圧まで高めて焼成を行ったとこ
ろ、焼成時間が10時間のときに焼結体密度が98.0
%に達した。
電子顕微鏡にて観察したところ、緻密な焼結体であるこ
とが観察され、水蒸気量は0.005気圧以上で効果が
あることが確認された。
ナ微粉末70重量%、平均粒径が3.0μm であるアル
ミナ粉末20重量%、及びマグネシア10重量%を秤量
(図1点c)、混合を行い、原料となる混合粉末を作製
した。この混合粉末にバインダーとしてポリビニルアル
コールを添加して造粒を行った後、一軸プレス成形によ
り圧粉体を作製した。この圧粉体を分圧にして0.7気
圧の水蒸気を含む雰囲気中、900℃25時間及び12
00℃10時間焼成を行った。得られたアルミナ焼結体
は、それぞれ98.0%、98.5%の密度に達してい
た。
て、厚みが100μm であるグリーンシートを作製し
た。このグリーンシートに直径200μm のヴィアホー
ルを形成し、Cuペーストを埋め込んだ。また、このグ
リーンシート上にCuペーストにより配線パターンをス
クリーン印刷法により印刷を行った。こうして作製され
たグリーンシート20枚を積層し、熱プレスを行うこと
により生積層体を得た。この生積層体を分圧にして0.
7気圧の水蒸気を含む雰囲気中、1000℃の焼成温度
にして20時間焼成を行った。
あるアルミナ焼結体は破断面を観察することにより、緻
密な焼結体であることが確認された。
ろ、3μΩ・cmであり、低抵抗導体として良好である
ことが確認された。
て作製した生積層体を水蒸気が分圧にして0.003気
圧以下の焼成雰囲気中、1000℃50時間焼成を行っ
た。得られた焼成対は密度が95%以下であり、十分な
焼結には至らなかったことが判った。水蒸気が少ない場
合、十分なアルミナ焼結体は得られないことが判明し
た。
粉末70重量%、平均粒径0.5μm のアルミナ粉末2
5重量%、マグネシア5重量%を秤量(図2点i)、混
合を行い、原料混合粉末とした。この原料混合粉末を用
い、実施例1と同様の方法により作製した生積層体を1
200℃の焼成温度にて、分圧にして0.7気圧の水蒸
気を含む焼成雰囲気中50時間焼成を行った。しかしな
がら、得られた焼成体の密度は96.0%であり、十分
緻密な焼結体ではなかった。
損失の小さい多層配線基板及びアルミナ焼結体を得るこ
とができる。また、焼成温度が、1200℃以下である
ことから、低抵抗導体を内装することが容易であり、低
誘電損失な多層配線基板を作製することが可能となっ
た。
Claims (5)
- 【請求項1】絶縁層がアルミナ90.0重量%以上より
なり、かつ前記絶縁層中の内層配線が、同時焼成にて形
成される融点900〜1200℃の金属よりなることを
特徴とするアルミナ多層配線基板。 - 【請求項2】配線材料がAu,Ag,Ag/Pd及びC
uより選ばれた1種以上の材料よりなることを特徴とす
る請求項1記載のアルミナ多層配線基板。 - 【請求項3】平均粒径が5〜50nmであるアルミナの微
粉末70〜100重量%、平均粒径が0.5〜3.0μ
m であるアルミナの粉末0〜20重量%及びアルカリ土
類金属化合物の添加剤0〜10重量%をあわせて100
重量%となるように調製し、バインダー・溶剤と共に混
合したスラリーを用いてグリーンシートを作製し、この
グリーンシート上に融点900〜1200℃の金属より
なる導体層を形成した複数のシート、もしくは該シート
とグリーンシートにヴィア導体を形成したシートとを積
層、プレス成形した後、分圧にして0.005気圧以上
0.85気圧以下の水蒸気を含む雰囲気中、900〜1
200℃にて焼成することを特徴とする請求項1記載の
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項4】平均粒径が5〜50nmであるアルミナの微
粉末70〜100重量%、平均粒径が0.5〜3.0μ
m であるアルミナの粉末0〜20重量%及びアルカリ土
類金属化合物の添加剤0〜10重量%をあわせて100
重量%となるように調製し、バインダー・溶剤と共に混
合してスラリーとし、これを成形した後分圧にして0.
005気圧以上0.85気圧以下の水蒸気を含む雰囲気
中900〜1200℃にて焼成することを特徴とするア
ルミナ焼結体の製造方法。 - 【請求項5】平均粒径が5〜50nmであるアルミナの微
粉末70〜100重量%、平均粒径が0.5〜3.0μ
m であるアルミナの粉末0〜20重量%及びアルカリ土
類金属化合物の添加剤0〜10重量%をあわせて100
重量%とした混合物をプレス成形した後、分圧にして
0.005気圧以上0.85気圧以下の水蒸気を含む雰
囲気中900〜1200℃にて焼成することを特徴とす
るアルミナ焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6289960A JP2666744B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | アルミナ多層配線基板とその製造方法、及びアルミナ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6289960A JP2666744B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | アルミナ多層配線基板とその製造方法、及びアルミナ焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08148786A JPH08148786A (ja) | 1996-06-07 |
JP2666744B2 true JP2666744B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17749965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6289960A Expired - Lifetime JP2666744B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | アルミナ多層配線基板とその製造方法、及びアルミナ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2666744B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100108290A (ko) | 2009-03-26 | 2010-10-06 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 알루미나 소결체, 그 제법 및 반도체 제조 장치 부재 |
US8178455B2 (en) | 2009-03-26 | 2012-05-15 | Ngk Insulatores, Ltd. | Alumina sintered body, method for manufacturing the same, and semiconductor manufacturing apparatus member |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02231791A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電子回路基板の製造法 |
-
1994
- 1994-11-24 JP JP6289960A patent/JP2666744B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100108290A (ko) | 2009-03-26 | 2010-10-06 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 알루미나 소결체, 그 제법 및 반도체 제조 장치 부재 |
US8178455B2 (en) | 2009-03-26 | 2012-05-15 | Ngk Insulatores, Ltd. | Alumina sintered body, method for manufacturing the same, and semiconductor manufacturing apparatus member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08148786A (ja) | 1996-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100356678B1 (ko) | 다층 세라믹 기판의 제조방법 | |
US4755490A (en) | Low firing temperature ceramic materials | |
US5728470A (en) | Multi-layer wiring substrate, and process for producing the same | |
JPH0649594B2 (ja) | 結晶化可能な低誘電率低誘電体損組成物 | |
JP2008053525A (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
JP3761289B2 (ja) | 誘電体材料及びその製造方法並びにそれを用いた回路基板及び多層回路基板 | |
JP3419291B2 (ja) | 低温焼結磁器組成物及びそれを用いた多層セラミック基板 | |
JPH1095686A (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
JP4569000B2 (ja) | 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体 | |
JP2666744B2 (ja) | アルミナ多層配線基板とその製造方法、及びアルミナ焼結体の製造方法 | |
JP2787026B2 (ja) | 低誘電率多層セラミック回路基盤の製造方法 | |
US5932326A (en) | Ceramic wiring boards and method for their manufacture | |
JPH0881267A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法と窒化アルミニウム回路基板、その製造方法 | |
JP4688460B2 (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 | |
JP4202117B2 (ja) | 高周波用低温焼成磁器組成物及びその製造方法 | |
JP3121769B2 (ja) | 窒化ケイ素多層基板およびその製造方法 | |
JPH07245482A (ja) | セラミック回路基板及びその製造方法 | |
JP2666744C (ja) | ||
JPH10297960A (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 | |
JP2753892B2 (ja) | コンデンサー内蔵複合回路基板 | |
JP2699919B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法、及びそれに用いるシリカ焼結体の製造方法 | |
JPH09175853A (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
JPH09175855A (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
JPH08323925A (ja) | アルミナ−ムライト積層構造体およびその製造方法 | |
JP3688919B2 (ja) | セラミック多層配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970527 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 16 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |