JPH07501660A - 埋め込み式接触型，相互接続薄型フィルム及びバルク光電池 - Google Patents

埋め込み式接触型，相互接続薄型フィルム及びバルク光電池

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JPH07501660A JP5510457A JP51045793A JPH07501660A JP H07501660 A JPH07501660 A JP H07501660A JP 5510457 A JP5510457 A JP 5510457A JP 51045793 A JP51045793 A JP 51045793A JP H07501660 A JPH07501660 A JP H07501660A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 埋め込み式接触型、相互接続薄型フィルム及びバルク光電池技術分野 本発明は光電池を有した半導体基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）材料と、相互に電気 的シリーズとなった少なくとも２個の光電池の集積アレイ（ａｒｒａｙ）を有し た半導体基板材料と、電気製造システムと、電気製造方法とに関する。
背景技術 光電気エネルギー変換のコストを下げる１提案方法は、薄いシート状の光電気太 陽電池をガラス等の支持基材に配置することである。そのようなシートは移動す る基材上に、あるいは他の手段にである程度は連続的に配置することが可能であ る。この配置されたシート内の個々の電池を定義し、それらの電気的相互接続を 提供するには技術を要する。
もし基材電池（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｃｅｌｌ）中の個々の電池が輻広い範囲の 基板材料、配置条件及び電池デザインで製造可能であれば、少なくとも製造の見 地からは有利であろう。もし電池固有の特性が比較的に大きな面積の個々の電池 と、製造する電池の大きなスケールの集積アレイを可能にすれば、同様に有利で あろう。
発明の目的 本発明の１目的は光電池を有した半導体基板材料と、相互に電気的にシリーズと なった少なくとも２＋１１の光電池の集積アレイを有した半導体基板材料とを提 供することである。
池の目的は電気製造システムと、電気製造方法とを提供することである。
発明の開示 本発明の第１実施例によれば、光電池を有した半導体基板材料が提供される。こ の光電池は、 第１タイプの不純物（ｄｏｐａｎｔ）でドープされた壁を有した少なくとも１つ の第１タイプの溝を含み、この第１タイプの溝は第１導電性材料を有しており、 第１タイプのドープされた壁との電気的接触を為し、さらに、 第２タイプの不純物でドープされた壁を有した少なくとも１つの第２タイプの溝 を含み、この第２タイプの渭は第２導電性材料を有しており、第２タイプのドー プされた壁との電気的接触を為し、第１及び第２タイプの渭は、第１タイプのド ープされた領域であるリンクする基板材料と第２タイプのドープされた領域であ るリンクする基板材料で成る群から選択された少なくとも１つのドープされた領 域であるリンクする基板材料によって相互に電気的にリンクされており、ドープ されたリンクする基板材料が異なる極性のドープされた基板材料とのジャンクシ ョンを形成する光電気ジャンクションを形成し、第１タイプの不純物は第２タイ プの不純物とは異なる極性であることを特徴とする。
本発明の第２実施例によれば、相互に電気的にシリーズとなったｎ個の光電池の 集積アレイを有した半導体基板材料が提供され、各光電池は第１実施例にて定義 されたものと同様であり、基板材料内の前記のｎ個の光電池は相互に電気的にシ リーズとなっており、このｎは２以上であり、　（ｍｊ−１）番目の電池はｍｊ 番目の電池と以下で成る群から選択された形状にて電気的にカプリングされてお り、 （ｉ）（ｍｊ−１）番目の電池の第１タイプの溝の第１導電材料は相互接続する 導電材料を介してｍｊ番目の電池の第２タイプの溝の第２導電材料と電気的にカ プリングされている：（ｉｉ）（ｍｊ−１）番目の電池の第２タイプの溝の第２ 導電材料は相互接続する導電材料を介してｍｊ番目の電池の第１タイプの溝の第 １導電材料と電気的にカプリングされている：二こで、ｊは２以上であり、ｎ以 下であり、ｍｊはｊと等しく、基板材料内の各光電池の第１タイプの溝の第１タ イプのドープされた壁はき板材料内の他の光電池の第１タイプの溝の第１タイプ のドープされた壁とは実質的に電気的に絶縁されており、基板材料内の各光電池 の第２タイプの溝の第２タイプのドープされた壁は基板材料の他の光電池の第２ タイプの溝の第２タイプのドープされた壁から絶縁さ本発明の他の実施例は本明 細書において後述する詳細な説明内で詳細に解説する。
図面の簡単な説明 図１は、本発明の一実施例に従って、互いに電気的に接続された２つの光電池の 集積されたアレイを有するガラス層（ｇｌａｓｓ　５ｕｐｅｒｓｔｒａｔｅ）上 の薄ＩＩＩ　（ｔｈｉｎ　ｆｉｌｓ’）半導体基板材料を示す図。
図２は、支持ガラス層上に交互に形成されたｎタイプとｎタイプの薄膜シリコン 層であって、ｎタイプのシリコン層上の酸化物又は他の絶縁マスキング層を有し 、本発明の一実施例に従って形成できる２つの光電池の集積されたアレイ内の構 造を示す図。
図３は、互いに電気的に接続された２つの光電池の集積されたアレイを有する図 ２のガラス層上の薄膜半導体基板材料の断面を示す図。
図４は、互いに電気的に接続された２つの光電池の集積されたアレイを有する図 ２のガラス層上の異なるタイプの薄膜半導体基板材料の断面を示す図。
図５は、支持ガラス層上のｐ°タイプ層、１層及びｎ゛タイプ薄膜シリコン層を 示し、ｐ゛タイプシリコン層上の酸化物又は他の絶縁マスキング層を有する。
図６は、互いに電気的に接続された光電池の集積されたアレイを有する図５のガ ラス層上の薄膜半導体基板材料の断面を示す斜視図。
図７は、本発明の他の実施例に従った互いに電気的に接続された３つの光電池の 集積されたアレイを有するガラス層上の薄膜半導体基板材料を示す平面図。
図８は、本発明の池の実施例に従った互いに電気的に接続された５つの光電池の 集積されたアレイを有するガラス層上の薄膜半導体基板材料を示す平面図。
図９は、本発明の他の実施例に従った互いに電気的ζ：接続された４つの光電池 の集積されたアレイを有するガラス層上の薄膜半導体基板材料を示す平面図。
図１０は、本発明の他の実施例に従った互いに電気的に接続された４つの光電池 の集積されたアレイを有するガラス層上の薄膜半導体基板材料を示す平面図。
図１１は、互いに電気的に接続された２つの光電池の集積されたアレイを有する ガラス層上の薄膜半導体基板材料を示す断面図。
図１２は、本発明の１実施例に従った１つの光電池を有するガラス層上の薄膜半 導体基板材料を示す図。
本発明のベストモードと他の実施例 図１は相互に電気的シリーズにて２個の光電池３０３と３０４の集積アレイを有 したガラス基板３０２上の薄型フィルム半導体基板３゜１を図示している。光電 池３０３は渭３０５．３０６．３０７を有しており、溝３０５の３０８にて示す ように凸溝はｐ十タイプの不純物でドープされた壁を有している。溝３０５．３ ０６．３０７は、それぞれのｐ十タイプのドープされた壁との電気的接触を為す 金属で満たされている。光電池３０３はさらに溝３１０と３１１を有しており、 凸溝は、ダブル溝３０９を形成する溝の１つであり、電池３０３の１部でもある 渭３１２にて示されるようにｎ十タイプの不純物でドープされた壁を有している 。ダブル溝３０９は溝３１２と溝３２０を含んでいる。溝３２０はｐ十タイプの 不純物でドープされた壁を有しており、前述したように、溝３１２はｎ十タイプ の不純物でドープされた壁を有している。溝３１０と３１１及びダブル溝３０９ はそれぞれのｎ十タイプのドープされた壁と電気的に接触を為す金属で満たされ ている。
電池３０３内の基板材料は酸化物あるいは他の絶縁マスク層３１３、ｐ十タイプ 層３１４、固有（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ：　ｎタイプあるいはｎタイプでよい）層 ３１５及びｎ十タイプ層３１６を含む。渭３０５．３０６．３０７は渭３０９． ３１０．３１１と、ｐ十層３１４、層３１５（もしｎタイプあるいはｎタイプで あれば）及びｎ十タイプ屑３１６によって電気的にリンクされており、光電池ジ ャンクションを形成し、ドープされたリンクする基板材料は反対の極性を有する 異なってドープされた基板材料とジャンクションを形成する。
光電池３０４は満３１８．３１９を有し、６溝はダブル溝３０９の溝３２０で示 すようにｐ十タイプの不純物でドープされた壁を有している。満３１８と３１９ とダブル溝３０９はそれぞれのｐ十タイプのドープされた壁と電気的接触を為す 金属によって満たされている。光電池３０４も溝３２１．３２２．３２３を有し ており、６溝は溝３２１の３２４で示すごとくのｎ十タイプ不純物でドープされ た壁を有している。溝３２１．３２２．３２３はｎ十タイプのドープされた壁と 電気的接触を為す金属で満たされている。
電池３０４内の基板材料３０１はオプションの酸化物あるいは他の絶縁マスク層 ３２５、ｐ十タイプ層３２６、オプションの固有（ｎタイプあるいはｎタイプ） 層３２７、及びｎ十タイプ層３２８を含む。
最も単純な形態では、層３２５と３２７は含まれず、すなわち、基板材料３０１ は２層を有し、それらはｐ十タイプ屑３２６とｎ十タイプ層３２８である。溝３ ２０．３１８．３１９は溝３２１．３２２．３２３とｐ十タイプ層３２６、層３ ２７（もしｎタイプあるいはｎタイプなら）及びｎ十タイプ層３２８によって電 気的にリンクされており、光電池ジャンクションを形成しており、そこでドープ されたリンクしている基板材料は反対極性の異なってドープされた基板材料との ジャンクションを形成する。
基板材料３０１内の光電池３０３と３０４は相互に電気的シリーズになっており 、理由は、溝３１０の金属が溝３１８の金属と電気的接触状態であるからである 。溝３０５．３０６．３０７．３０９．３１０．３１１．３１８．３１９．３２ １．３２２．３２３はガラス基板３０２と接触間近あるいは接触し、電池３０３ の渭３０９．３１０．３１１のｎ十タイプのドープされた壁が電池３０４の溝３ ２１．３２２．３２３のｎ十タイプのドープされた壁から電気的に実質的に絶縁 されており、電池３０３の溝３０５．３０６．３０７のｐ十タイプのドープされ た壁は電池３０４の溝３２０．３１８．３１９のｐ十タイプのドープされた壁か ら実質的に電気的に絶縁されている。
溝３０５．３０６．３０７．３０９．３１０．３１１．３１８．３１９．３２１ ．３２２．３２３の金属の高導電性は、一層長い距離を電流が流れるようにし、 各電池領域３０３，３０４の幅を非常に大きくする（例２０ｃｍ）。
溝３０５と３２１の金属は線３３１と３３２を介してロード（ｌ。
ａｄ）３２９と電気的にリンクされている。
好適な基板材料３０１はシリコンである。
使用の琴には、光３３０Ａ（典型的には太陽光）はガラス基板３０２を通過し、 あるいは光３３０Ｂは絶縁層３２５を通過し、適切な波長の光（反射されない） は基板のシリコンに吸収される。電流は電池３０３と３０４の光イルミネートさ れたｐ−ｎジャンクションで光発生（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄ）され、線 ３３１と３３２を介してロード３２９を通過する。
ガラス基板３０２の代用でのアレンジにおいて、固有のｎ−タイプあるいはｐ− タイプの単一アモルファスあるいはポリクリスタリン半導体（固有（ｊ、　ｎ　 ｔ　ｒ　ｉ　ｎ　ｓ　ｉ　ｃ　）が好適）基板が使用され、層３１３．３１４． ３１５．３１６．３２５．３２６．３２７．３２８は基板３０２に配置されるか 、あるいは基板３０２自体から形成されるかのいずれかである。この場合には、 基板３０２が充分に薄くないかぎり、電池３０３と３０４は表面３０１を介して イルミネートされる。
図２に移る。薄いフィルム状シリコン層１０１と１０２（Ｐタイプ）、１０３． １０４及び１０５（ｎタイプ）は従来技術によって溶融した金属内の溶液から、 支持ガラス基板１０７に堆積される（層形成のための他の適当な従来技術でも可 ）。溶融金属の溶液からこれらの層の堆積を行った後に、酸化物あるいは他の絶 縁マスク層１０６は層１０３の表面上で成長あるいは堆積される０層１０６を成 長させる適当な技術は、周囲酸素内の成長した層の表面領域の急速な熱焼き入れ 処理（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、あるいはそのような贋の物理的蒸着、あるいは化 学的蒸着を含む。レーザーがその１に１こ使用され、渭１０８と１０９が形成さ れ、図３に示すように、層１０１．１０２．１０３．１０４．１０５及び１０６ を通過し、ガラス基板１０７に到達あるいは近づく０機械的スクライビング（ｓ ｃｒｉｂｉｎｇ）あるいは溝切り、あるいは化学的エツチングそれらのあるいは 多様な組合せを使用して溝を形成することが可能である。追加的ｎタイプ材料は その後に金属溶液から、溝１０８と１０９の壁を含む露出層全体に堆積される。
追加的ｎタイプ材料が金属溶液から堆積されたら、ドープされた層は、溝領域に 選択的にそれが形成されるように堆積されるが、その理由は、−ａ的な成長がア モルファス酸化物あるいは他の絶縁マスク層では核形成が困難であるからである 。追加的ｎタイプの材料が金属溶液等から露出層全体に堆積されたら、不純物拡 散は酸化物あるいは他の絶縁マスク層でカバーされた領域では妨害されるが、溝 の残り部分では妨害されない。ｎ十タイプのドープされた溝壁１１２とＸ１３を 形成する、ｎタイプの材料の溝１０８と１０９の壁への堆積、成長あるいは拡散 、及び不用な堆積層の除去後には、もし必要ならば、酸化物あるいは絶縁マスク 層は成長し、あるいは溝１０８と１０９の壁（及び、もし適切ならば、残余表面 層）１．：ｆｉｌ！積される。溝１１０．１１１はレーザーエツチング、プラズ マエツチング、機械的スクライビング、あるいは化学的エツチング、あるいはそ れらの多様な組合せで形成され、ガラス基板１０７に到達あるいは接近する。追 加的ｎタイプ材料はその徨に渭１１０と１１１の壁に前記同様に堆積され、ｐ十 タイプのドープされた壁１１４と１１５を形成する。酸化物あるいは他の絶縁マ スク層は溝１０８と１０９からその後に除去される。その儂に金属が堆積されて 、１１６で示すように、無電気メッキ等の技術？二よって溝１０８．１０９．１ １０．１１１を満たし、隣接する電池１１７と１１８を形成する。隣接する電池 １１７と１１８は１１９で相互接続される。溝１１０と１０９のｐとｎの領域は それぞれ相互に非常に接近して位置している。
図３において、層１０１．１０２．１０３．１０４．１０６は、相互に電気的シ リーズとなった２個の光電池１１７と１１８の集積アレイを有したガラス基板１ ０７上の薄いフィルム半導体基板材料を構成する。光電池１１８は１１５で示す ようにｐ十タイプ不純物でドープされた壁を有した渭１１１を有する。渭１１１ はｐ十タイプのドープされた壁１１５と電気接触を為す金属で満たされている。
光電池１１８もｎ十タイプ不純物でドープされた壁１１３を有した渭１０９を有 電池１１８内の基板材料は酸化物あるいは他の絶縁層１０６、及び代用としてｐ タイプ贋１０１−　１０２、及び１９４１層１０３．１０４．１０５を含む、溝 １０９．１１１は、層１０１．１０２，１０３．１０４．１０５によって電気的 にリンクされ、光電気ジャンクションを形成し、そこでドープされたリンクして いる層は反対極性の異なってドープされた基板材料とのジャンクションを形成す る。
光電池１１７はｐ十タイプ不純物でドープされた壁１１４を有する溝１１０を有 する。溝１１０はｐ十タイプのドープされた壁１１４と電気的接触を為す金属で 満たされる。光電池１１７もｎ十タイプの不純物でドープされた壁１１２を有す る溝１０８を有する。溝１０８はｎ十タイプのドープされた壁１１２と電気的接 触を為す金属で膚たされる。
電池１１７の基板材料は酸化物あるいは他の絶縁層１０６、及び代用の９９４１ 層１０１，１０２及び１９４１層１０３．１０４．１０５を含む。溝１０８と１ １０は、層１０１．１０２．１０３．１０４．１０５によって電気的にリンクさ れ、光電気ジャンクションを形成し、そこでドープされたリンクする層は反対極 性の異なってドープされた基板材料とのジャンクションを形成する。
光電池１１７と１１８は相互に電気的シリーズとなっており、理由は、渭１１０ の金属は溝１０９と１１９の金属と電気的接触状態だからである。溝１０８．１ １０．１０９．１１１はガラス基板１０７に接近し、溝１０８のｎ十タイプのド ープされた壁は、電池１１８の溝１０９のｎ十タイプのドープされた壁、及び電 ｆｆ１１１８あるいは層１０１．１０２．１０３．１０４．１０５．１０６のの 他の電池のどの他のｎ十タイプのドープされた壁からも電気的に絶縁されている 。また、溝１１０のｐ十タイプのドープされた壁は、電池１１８の渭１１１のｐ 十タイプのドープされた壁及び電池１１８あるいは屑１０１．１０２．１０３． １０４．１０５．１０６の他の電池のｐ十タイプのドープされた壁から実質的に 電気的に絶縁されている。
溝１０８．１１０．１０９．１１１の高い導電性は一層長い距離を電流を流し、 電池１１７の溝１０８と１１０の距離と、電池１１８の渭１０９と１１１の距離 を非常？；大きくする（ＲＩＯ−２０ｃｍ）。
図４を説明する。痺いフィルムシリコン層１０１．１０２（ｎタイプ）、１０３ ．１０４．１０５（ｎタイプ）は溶融金属の溶液で、あるいは他の周知技術で支 持ガラス基板４０７に堆積される。堆積層、酸化物あるいは池の絶縁マスク層１ ０６は成長するか、層１０３の表面に堆積される０層＋−０６の成長の遺した技 術はスプレー、スクリーンプリント、急速熱焼き入れ、物理的蒸着、化学的蒸着 、等を含む。
レーザーも前述同様に利用可能である。溝の形成も前述と同様でよい。
追加的ｎタイプの材料が渭４０８．４０９の壁を含む露出層全体に金属溶液で１ ′１積され、あるいは他の技術を利用する。追加的ｎタイプの材料が金属溶液か ら堆積されたら、ドープされた層は溝領域にそれが選択的に形成されるように堆 積されるが、理由は、一般的な成長はアモルファス酸化物あるいは他の絶縁マス ク層で核形成することがさらに困難たからである。追加的ｎタイプ材料が堆積さ れたら、不純物拡散は酸化物や他の絶縁マスク層にカバーされたところは妨害さ れる。
Ｔｌタイプ材料の溝４０８と４０９の壁への拡散はｎ十タイプのドープされた溝 壁４１２と４１３を形成する。　Ｊｉｉｌｍｌされ六層は、もし必要なら、取り 除かれる。酸化物あるいは他の絶縁マスク層は成長し、あるいは溝４０８と４０ ９の壁（及び、もし適当であれば残余の表面層）に堆積する。溝４１０と４１１ はレーザーエツチング、プラズマエツチング、機械的スクライビング、あるいは 化学的エツチング等によって形成され、ガラス基板４０７に到達あるいは接近す る。追加的ｎタイプ材料は溝壁４１４と４１５の場合と同様に溝４１０．４１１ の壁？ご堆積される０Ｍ化物あるいは池の絶縁マスク層は渭４０８と４０９から 取り除かれる。金属が渭４０８．４０９．４１０．４１１を満たすように無電気 メッキ等で堆積され、隣接する電池４１７と４１８が形成される。隣接電池４１ ７と４１８は４１９で接続され、ｐとｎ壁領域４１４と４１３が合体する。
図４では、層１０１．１０２．１０３．１０４．１０５．１０６が相互に電気的 シリーズとなった２個の光電池４１７と４１８の集積アレイを有したガラス基板 ４０７上の薄いフィルム半導体基板材料を構成する。光電池４１８は４１５で示 すｐ十タイプの不純物でドープされた壁を有した溝４１１を有している。渭４】 １はｐ十タイプのドープされた壁４１５と電気接触を為す金属で満たされる。光 電池４１８もｎ十タイプの不純物でドープされた壁４１３を有した溝４０９を有 している。溝４０９はｎ十タイプのドープされた壁４１３と電気接触を為す金属 で満たされる。
電池４１８の基板材料４１８は酸化物あるいは他の絶縁層１０６、及び代用の９ ９４１層１０１と１０２及び１９４１層１０３，１０４と１０５を含む。溝４０ ９と４１１は層１０１．１０２．１０３．１０４．１０５によって電気的にリン クされ、光電気ジャンクションを形成し、そこでドープされたリンクする層は反 対極性の異なってドープされた基板材料とのジャンクションを形成する。
光電池４１７はｐ十タイプの不純物でドープされた壁４１４を有した溝４１０を 有している。溝４１０はｐ十タイプのドープされた壁４１４とＷｌ電気接触為す 金属で満たされている。光電池４１７はまたｎ＋ダイブの不純物でドープされた 壁４１２を有する溝４０８を有している。溝４０８はｎ十タイプのドープされた 壁４１２と電気接触を為す金属で満たされている。
電池４１７の基板材料は酸化物あるいは他の絶縁層１０６、及び代用の９９４１ 層１０１，１０２及び１９４１層１０３．１０４．１０５を含む、渭４０８と４ １０は層１０１．１０２．１０３．１０４、１０５で電気的にリンクされ、光電 気ジャンクションを形成し、ドープされたリンクする層は反対極性の異なってド ープされた基板材料とのジャンクションを形成する。
光電池４１７，４１８は相互に電気的シリーズであり、理由は、溝４１０の金属 が溝４０９の金属と電気接触しているからである。渭４０８．４１０．４０９． ４１１はガラス基板４０７付近に延び、溝４０８のｎ十タイプのドープされた壁 は電池４１８の渭４０９のｎ十タイプのドープされた壁、及び電池４１８あるい は層１０１．１０２．１０３．１０４．１０５．１０６の他の電池の溝のｎ十タ イプのドープされた壁から電気的に絶縁され、溝４１０のｐ十タイプのドープさ れた壁４１４は電池４１８の溝４１１のｐ十タイプのドープされた壁４１５と電 池４１８あるいは層１０１．１０２．１０３．１０４．１０５．１０６の他の電 池の溝のｐ十タイプのドープされた壁から電気的に絶縁されている。
溝４０８．４１０．４０９．４１１の金属の高い導電性の効用は前述と同一であ る。
図１と図４のＷ形状のダブル溝はスクライビングと化学的エツチングの組合せで 製造され、図３のＵ形状はスクライビングのみで、あるいはスクライビングとエ ツチングで製造され、このエツチングはごく少々であり、クリーニングの目的に 充分な分だけであり、クリスタログラフィック（ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈ ｉｃ）のオリエンテーシゴンはＵ形状を実質的なエツチングの壕で製造するもの である。クリスタログラフィックオリエンテーションは適切なスクライビングと 化学的エツチングとの組合せてほとんどいかなる溝形状も提供するように選択可 能である。
図５に移る。薄いフィルムシリコン層２０１（Ｐ十タイプ）、２０２（ｉあるい はｎタイプ）、２０３　（ｎ十タイプ）は溶融金属の溶液で支持ガラス基板２０ ４に堆積される。図５に示す極性の層２０１．２０２．２０３の代用として、図 ５の層２０１．２０２．２０３は逆の極性とすることもできる。堆積後に、酸化 物あるいは他の絶縁層は成長、あるいは層２０１の表面に堆積される。使用技術 は前述と同様でよい。図６に示すように、層２０１．２０２．２０３．２０５か らガラス基板２０４に至る、あるいは接近する、溝２０６．２０８．２１Ｏ１２ １２，２１９，２２０，２２３，２２４（７）形成ｊ：　ハｌｚ−サ−が利用さ れる。他の技術も活用可能である。追加的ｎタイプ材料が金属溶液あるいはドー プされた層から溝２０６．２０８．２１０．２１２．２１９．２２０．２２３． ２２４の壁を含む露出層全体に堆積される。アモルファス酸化物等には核の形成 が困難であることは前述と同様である。不純物の拡散に関する妨害も前述と同様 である。ｎタイプ材料の渭２０６．２０８．２１０．２１２．２１９．２２０． ２２３．２２４の壁への拡散は、ｎ十タイプのドープされた溝壁を形成する。必 要に応じて堆積された層を取り除いた後、酸化物あるいは他の絶縁層あるいはマ スキング層は成長あるいは渭２０６．２０８．２１０．２１２．２１９．２２０ ．２２３．２２４の壁（及び、適当なら残余の表面）に堆積する。溝２０７．２ ０９．２１１．２１７．２１８．２１３．２２１．２２２がレーザーエツチング 等で形成され、基板２０４に至るか接近する。追加的ｎタイプ材料は溝２０７． ２０９．２１１．２１７．２１８．２１３．３￥２２１．２２２の壁に前記同様 に堆積される。渭２１０と２１１はＷ形状ダブル渭２１５を形成し、溝２１２と ２１３はＷ形状ダブル溝２１４を形成する０図６のごとき適切なレイアウトによ り、ｎ十タイプの領域とｐ十タイプの領域は個々の電池（ｎ十タイプには溝２１ ０と２１２、ｐ十タオブには溝２１１と２１３）の境界を定義する場として作用 するか、あるいはそのような電池（ｎ十タイプには渭２０６．２０８．２１９． ２２０．２２３．２２４、ｐ十タオプには溝２０７．２０９．２１７．２１８． ２２１．２２２）の単なる接触領域として作用する。マスキング層は渭２０６． ２０８．２１０．２１２．２１９．２２０．２２３．２２４から取り外される。
金属が溝２０６．２０８．２１０．２１２．２１９．２２０．２２３．２２４． ２０７．２０９．２１１．２１７．２１８．２１３．２２１．２２２を全部ある いは一部満たすために無電気メッキ等で堆積される。そのような堆積された金属 の高い導電性は一層長い距離に電流を流し、図６のように各電池領域２１６の幅 を非常に大きくする（例、２０　Ｃｍ　）　ｅ　隣接する電池は接続され、隣接 溝（例、溝２１０と２１１）は合体する。
図６から、シリーズのマルチ光電池は単一のスーパーストレートあるいは基板に 構築可能であることが明確となった。この点で、例えば、図７に示されるシステ ム７００の平面図は電気製造のためのものであって、ガラススーパーストレート （図示せず）上の相互に電気的シリーズとなった３個の光電池７０１．７０２． ７０３の集積アレイを有した薄いフィルム半導体基板材料７０５を含む、システ ム７００において、ロード７０４はｌｌ７０６を介して電池７０１の第１タイプ の溝の導電性材料７０７と、線７０６と７０９とロード７０４を除いて、線７０ ９を介して電池７０３の第２タイプの溝の第２導電性材料７０８と電気的連結関 係である。システム７００の黒い部分７０７．７０８．７１０．７１１は図６の タイプの溝の導電性材料を図示している。
システム７００において、導電性材料７０７は、相互接続導電性材料を介して電 池７０２あるいは７０３の第２タイプの溝の導電性材料とは電気的にカプリング されていない。さらに、システム７００において、導電性材料７０８は、１１１ １７０６．７０９及びロード７０４を除いて、相互接続導電性材料を介して電池 ７０２あるいは７０１の第１タイプの溝の導電性材料とは電気的にカプリングさ れていない。
シリーズのマルチ光電池は単一のスーパーストレイトあるいは基板に構築可能で ある別例として、図８に紹介するシステム８００の平面図を解説する。これは、 ガラススーパーストレート（図示せず）上の相互にＷ１気的シリーズとなった５ 個の光電池８０１．８０２．８０３．８０４．８０５の集積アレイを有した薄い フィルム半導体基板材料８０６を含む。システム８００において、ロード８０９ はｌｌ８０８を介して電池８０１の第１タイプの溝の導電性材料８０７と、線８ １０を介して電池８０５の第２タイプの溝の第２導電性材料８１１と電気的連結 関係である。システム８００の黒い部分８０７．８１２．８１３．８１４．８１ ５．８１１は図６のタイプの溝の導電性材料を図示している。システム８００に おいて、導電性材料８０７は、１１８０８．８１０とロード８０９を除いて、相 互接続導電性材料を介して電池８０２．８０３．８０４、あるいは８０５の第２ タイプの溝の導電性材料とは電気的にカプリングされていない。さらに、システ ム８００において、導電性ｔ４料８１１は、ｌｌ１８０８．８１０及びロード８ ０９を除いて、相互接続導電性材料を介して電池８０４．８０３．８０２、ある いは８０１の第１タイプの溝の導電性材料とは電気的にカプリングされていない 。
シリーズのマルチ光電池は単一のスーパーストレイトあるいは基板に構築可能で ある別例として、図９に紹介するシステム９００の平面図を解説する。これは、 ガラススーパーストレート（図示せず）上の相互に電気的シリーズとなった４個 の光電池９０１．９０２．９０３．９０４の集積アレイを有した薄いフィルム半 導体基板材料９０６を含む。システム９００において、ロード９０９は練９０８ を介して電池９０１の第１タイプの渭の導電性材料９０７と、１１９１０を介し て電池９０４の第２タイプの溝の第２導電性材料９１１と電気的連結関係である 。システム９００の黒い部分９０７．９１２．９１３．９１４．９１１は図４の タイプの溝の導電性材料を図示している。システム９００において、導電性材料 ９０７は、線９０８．９１０とロード９０９を除いて、相互接続導電性材料を介 して電池９０２．９０３あるいは９０４の第２タイプの溝の導電性材料とは電気 的にカプリングされていない。さらに、システム９００において、導電性材料９ １１は、線９０８．９１０及びロード９０９を除いて、相互接続導電性材料を介 して電池９０３．９０２、あるいは９０１の第１タイプの溝の導電性材料とは電 気的にカプリングされていない。
シリーズのマルチ光電池は単一のスーパーストレイトあるいは基板に構築可能で ある別例として、図１０に紹介するシステム１０００の平面図を解説する。これ は、ガラススーパーストレート（図示せず）上の相互に電気的シリーズとなった ４個の光電池１００１．１００２．１００３．１００４の集積アレイを有した薄 いフィルム半導体基板材料１００６を含む。システム１０００において、ロード １００９は線１００８を介して電池１００１の第１タイプの溝の導電性材料１０ ０７と、４１１１０１０を介して電池１００４の第２タイプの溝の第２導電性材 料１０１１と電気的連結関係である。システム１０００の黒い部分１００７、ｌ Ｏ】３．１０１４．１０１５、及び１０１１は図３のタイプの溝の導電性材料を 図示している。システム１ｏｏｏにおいて、導電性材料１００７は、線１００８ ．１０１０とロード１００９を除いて、相互接続導電性材料を介して電池１００ ２．１００３あるいは１００４の第２タイプの溝の導電性材料とは電気的にカプ リングされていない、さらに、システム１０００において、導電性材料１０１１ は、線１００８．１０１０及びロード１００９を除いて、相互接続導電性材料を 介して電池１００３．１００２、あるいは１００１の第１タイプの溝の導電性材 料とは電気的にカプリングされていない。
図３あるいは図４のアプローチの利点の１つは、薄いフィルムの半導体基板材料 は１層のｎタイプ層と、１層のｐタイ１層を単に有し、各電池内のｐ十タイプと ｎ十タイプの溝を相互リンクさせること、あるいは、図３と図４に示すように、 相互に交換（ａｌｔｅｒｎａｔｅ）する、例えば、電気的にｐ十タイプとｎ十タ イプの溝を各電池内で電気的に相互リンクすることにより相互交換する複数のｎ タイプ層とｐタイ１層を有することが可能であることである。１ｎタイプ層と１ ｐタイプ層を、各電池内のｐ十タイプとｎ十タイプの溝を電気的に相互リンクす るように有する光電池の比較的単純性を考慮すると、そのような電池を図１１を 使用してさらに詳細に解説することが望ましい。
図１１において、層１１０１．１１０２．１１０３は、相互に電気的にシリーズ となった２個の光電池１１１７と１１１８の集積アレイを有するガラススーパー ストレート上の薄いフィルム半導体基板材料１００７を構築する。光電池１１１ ８は１１１５で示すｐ十タイプの不純物でドープされた壁を有する渭１１１１を 有する。溝１１１１はｐ＋タイプのドープされた壁１１１５と電気的接触を為す 金属で満たされる。光電池１１１８はまたｎ十タイプの不純物でドープされた壁 １１１３を有する渭１１０９をも有する。溝１１０９はｎ十タイプのドープされ た壁１１１３と電気的接触を為す金属で満たされている。
電池１１１８内の基板材料は酸化物あるいは他の絶縁層１１０１、及び５９４１ 層１１０２と９９１１層１１０３を含む、溝１１ｏ９と１１１１は、層１１０２ と１１０３とで電気的にリンクされ、光電気ジャンクションを形成し、そこで、 ドープされたリンクする層は反対極性の異なってドープされた基板材料とのジャ ンクションを形成する。
光電池１１１７はｐ十タイプの不純物でドープされた壁１１１４を有する溝１１ １Ｏを有する。渭１１１０はｐ十タイプのドープされた壁１１１４と電気的接触 を為す金属で満たされる。光電池１１１７はまたｎ十タイプの不純物でドープさ れた壁１１１２を有する溝１１０８をも有する。溝１１０８はｎ十タイプのドー プされた壁１１１２と電気的接触を為す金属で満たされている。
電池１１１７内の基板材料は酸化物あるいは他の絶縁層１１０１、及び５９４１ 層１１０２と９９１１層１１０３を含む、溝１１０８と１１１０は、層１１０２ と１１０３とで電気的にリンクされ、光電気ジャンクションを形成し、そこで、 ドープされたリンクする層は反対極性の異なってドープされた基板材料とのジャ ンクションを形成する。
光電池１１１７と１１１８は相互に電気的シリーズとなっており、理由は、溝１ １１０の金属１１１６Ａは金属ブリッジ１１１９を介して溝１１０９の金属１１ １６Ｂと電気接触しているがらである。溝１１０８．１１１０．１１０９．１１ １１はガラス基板１１０７に接近し、溝１１０８のｎ十タイプのドープされた壁 は電池１１１８の溝１１０９のｎ十タイプのドープされた壁及び、電池１１１８ あるいは層１１０１．１１ｏ２．１１０３の他の電池の溝のｎ十タイプのドープ されたどの他の壁からも電気的に絶縁されている。溝１１１０のｐ十タイプのド ープされた壁１１１４は、電池１１１８の溝１１１１のｐ＋タイプのドープされ た壁及び、電池１１１８あるいは層１１ｏ１．１１０２．１１０３の他の電池の 溝のｐ十タイプのドープされたどの他の壁からも電気的に絶縁されている。
溝の金属の性質は前記と同一である。
図１２は光電池１３０３を有したガラス基板１３０２上の薄いフィルム半導体基 板材料１３０１を示す。光電池１３０３は各々１３０８で示すｐ十タイプの不純 物でドープされた壁を有する溝１３０５．１３０６．１３０７を有する。渭１３ ０５．１３０６．１３０７はｐ＋タイプのドープされた壁と電気的接触を為す金 属で満たされる。光電池１３０３はまた１３２４で溝１３１２において示すよう に、各々ｎ＋タイプの不純物でドープされた壁を有する溝１３１０と１３１１を も有する。溝１３１Ｏ１１３１１，１３２１はｎ十タイプのドープされた壁と電 気的接触を為す金属で満たされている。
電池１３０３の基板材料１３０１は酸化物あるいは他の絶縁マスク層１３１３、 及び９９４１層１３１４、固有（ｎタイプあるいはｐタイプ）層１３１５、ｎタ イ１層１３１６を含む。渭１３０５．１３０６．１３０７、ｐ十タイプ層１３１ ４、層１３１５（ｎタイプあるいはｐタイプなら）及びｎ十タイプ屑１３１６で 溝１３１０．１３１１．１３２１と電気的にリンクされ、光電気ジャンクション を形成し、そこで、ドープされたリンクする屑は反対極性の異なってドープされ た基板材料とのジャンクションを形成する。最も単純な形態では、層１３１４と １３１５は含まれず、すなわち、基板材料１３０１は２屑、すなわち、ｐ十タイ プ層１３１４とｎ十タイプ層１３１６を有する。
溝の金属の性質は前述の逼りである。
溝１３０５と１３２１の貴族は線１３３１と１３３２を介してロード１３２９と 電気的にリンクされている。
好適な基板材料１３０１はシリコンである。
使用の際には、光１３３０Ａ（典型的には太陽光）はガラス基板１３０２を通過 し、あるいは光１３３０Ｂは絶縁層１３２５を通過し、適切な波長の光（反射さ れない）は基板のシリコンに吸収される。電流は１１ｉ池１３０３の光イルミネ ートされたｐ−ｎジャンクションで光発生（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄ）さ れ、線１３３１と１３３２を介してロードｌ３２９を通過する。
ガラス基板１３０２０代用でのアレンジにおいて、固有のｎ−タイプあるいはｐ −タイプの単一アモルファスあるいはポリクリスタリン半導体（固有が好ｉ１） 基板が使用され、贋１３１３．１３１４．１３１５．１３１６は基板１３０２に 配買されるか、あるいは基板１３０２自体から形成されるかのいずれかである。
この場合には、基板１３０２が充分に薄くないかぎり、電池１３０３は表面１３ ０１を介してイルミネートされる。
１：ｊＪｌ、３．４．６．７．８．９．１０及び１１に示すシステム力ら、当業 者であれば、相互に電気的シリーズの多数の光電池が同様に構築されることは容 易に理解されるであろう。
請求の範囲に記載された技術の範囲内で多様な変形及び改良が可能であろう、、 ｆＮえば、開示されている技術はシリコンやアモルファスシリコン基板ばかりで なく、光電池装置に使用可能などのような半導体基板でもよい。
堆積された層と基板は平坦でなくともよい、また、表面からの反射を防止し、光 を吸収するように表面処理してもよい。
国際調査報告　区−一−ｐＰ７Ｎ。
ＰＣＴ／ＡＵタ２ＩｏＯ６ｓＩＩ 巴／：昇＝エキ；＝＝＝工１；宅ソ；＝湿：１ｒ＝乙雪＝ｒｏｒ　ｔｈｅｓｅ　 Ｐｉｉｃｕｌａｒｓ　ｗ石ｃｈ　ｕｅ　ｍｅｒｅｌｙ　ｇｉｖｅｎ　ｆｏｒ　ｔ ｈｅ　ｐｕｒｐｏｓｅ　ｏｆ　ｆ＋ｆ盾窒窒窒浮≠盾氏B Ｐｏｅｍ　ＰＣｒｎＳｋｎＩＣＭ−−１ｍＢｙ　ａｍａｉＸｊｕｌｙ　１９９２ １　ａｅｐｇ＋１フロントページの続き （８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。
ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、ＳＥ）、０Ａ（ＢＦ 、ＢＪ、ＣＦ、ＣＧ、ＣＩ、ＣＭ、ＧＡ、ＧＮ、ＭＬ、ＭＲ，ＳＮ、ＴＤ、ＴＧ ）、ＡＴ、　ＡＵ、　ＢＢ、　ＢＧ、　ＢＲ，ＣＡ、　ＣＨ，Ｃ３，ＤＥ。
ＤＫ、　ＥＳ、ＦＩ、　ＧＢ、　ＨＵ、ＪＰ、　ＫＰ、　ＫＲ，ＬＫ、　ＬＵ、 　ＭＧ、　ＭＮ、　ＭＷ、　ＮＬ、　Ｎｏ、　ＮＺ、　ＰＬ、　ＰＴ、　ＲＯ， ＲＵ、　ＳＤ、　ＳＥ、　ＵＡ、　ＵＳ（７２）発明者　タオウク、　マイケル 、　ヨウセフオーストラリア国　ニュー　サウス　ウエールズ州　２０１８　イ ーストレイクス　エバンス　アベニュー　ユニット　２／２４番地

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．光電池（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ　ｃｅｌｌ）を有する半導体基板材料（ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｍａｔｅｒｉａｌ）であっ て、前記光電池が 第一のタイプの不純物（ｄｏｐａｎｔ）にてドープされた（ｄｏｐｅｄ）壁を有 する少なくとも１つの第一のタイプの溝（ｇｒｏｏｖｅ）であって、前記第一の タイプの壁との電気的接触をなす第一の導体材料を有する溝と、第二のタイプの 不純物にてドープされた壁を有する少なくとも１つの第二のタイプの溝であって 、前記第二のタイプの壁との電気的接触をなす第二の導体材料を有する溝と、を 有し、前記第一及び第二のタイプの溝が、接続基板材料（ｌｉｎｋｉｎｇ　ｓｕ ｂｓｔｒａｔｅ　ｍａｔｅｒｉａｌ）の第一のタイプのドープされた領域及び接 続基板材料の第二のタイプのドープされた領域からなるグループから選択された 接続基板材料の少なくとも１つのドープされた領域によって互いに電気的に接続 され、そこでドープされた接続基板材料が異なる極性のドープされた基板材料と の接続部（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を形成する、光起電力接続部（ｐｈｏｔｏｖｏｌ ｔａｉｃ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を形成する。 ２．互いに電気的に接続されたｎ個の光電池（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ　ｃｅ ｌｌ）の集積されたアレイを有する半導体基板材料であって、各光電池は請求項 １のように構成され、前記基板材料内の前記ｎ個の光電池は互いに電気的に接続 され（ｅｌｅｃｔｒｉｃａ１　ｓｅｒｉｅｓ）、ｎは２以上であり、（ｍｊ−１ ）番目の電池（ｃｅｌｌ）は、以下のグループから選択される構成を介してｍｊ 番目の電池と接続され、 （ｉ）（ｍｊ−１）番目の電池の第一のタイプの溝の第一の導体材料は、内部接 続導体材料を介してｍｊ番目の電池の第二のタイプの溝の第二の導体材料と電気 的に接続される、そして、（ｉｉ）（ｍｊ−１）番目の電池の第二のタイプの溝 の第二の導体材料は、内部接続導体材料を介してｍｊ番目の電池の第一のタイプ の溝の第一の導体材料と電気的に接続される、ここで、ｊは２以上で、ｎ以下で あり、ｍｊはｊと等しいそして、基板材料内の各光電池の第一のタイプの溝の第 一のタイプのドープされた壁は、他の光電池の第一のダイブの溝の第一のタイプ のドープされた壁から電気的に絶縁されており、基板材料内の各光電池の第二の タイプの溝の第二のタイプのドープされた壁は、他の光電池の第二のタイプの溝 の第二のタイプのドープされた壁から電気的に絶縁されている。 ３．前記電池（ｃｅｌｌ）のｎの数は、２から５０００である請求項２に記載の 基板材料。 ４．前記電池（ｃｅｌｌ）のｎの数は、６から５０である請求項２に記載の基板 材料。 ５．前記第一及び第二のタイプの不純物は、ｎタイプ、ｐタイプ、ｎ′タイプ及 びｐ′タイプの不純物から選択され、第一のタイプの不純物は、第二のタイプの 不純物と反対の極性である、請求項１に記載の基板材料。 ６．前記半導体基板材料は、薄膜材料、単結晶質材料及び多結晶質材料からなる グループから選択された材料の形である請求項１に記載の基板材料。 ７．前記材料は、支持基板及び支持スーパーストレート（ｓｕｐｅｒｓｔｒａｔ ｅ）からなるグループから選択された支持部材上の薄膜の形態である請求項１に 記載の基板材料。 ８．前記支持部材は、ガラス、水晶及びパースペックス（ｐｅｒｓｐｅｘ：アク リルガラスの商標）からなる材料から選択される支持スーパーストレートからな る請求項６に記載の基板材料。 ９．前記第一及び第二のタイプの不純物は、ｎタイプ、ｐタイプ、ｎ′タイプ及 びｐ′タイプの不純物から選択され、第一のタイプの不純物は、第二のタイプの 不純物と反対の極性である、請求項２に記載の基板材料。 １０．前記半導体基板材料は、薄膜材料、単結晶質材料及び多結晶質材料からな るグループから選択された材料の形である請求項２に記載の基板材料。 １１．前記光電池は、ｐ−ｎ光太陽電池（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ　ｓｏ１ａ ｒ　ｃｅｌｌ）である請求項１に記載の基板材料。 １２．前記光電池は、ｐ−ｎ光太陽電池である請求項２に記載の基板材料。 １３．前記半導体基板材料は、シリコン、ゲルマニウム、ＣｄＴｅ、ＣｕＩｎＳ ｅ２、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、Ｇａｐ、ＧａＡｓＰ、ＳｉＣ及びＩｎＰからな るグループから選択された材料である請求項１から１２のいずれかに記載の基板 材料。 １４、以下の構成を有する発電装置（ｓｙｓｔｅｍ）（ａ）請求項１に従った、 光電池を有する半導体基板材料と、（ｂ）前記電池の第一のタイプの溝の第一の 導体材料と電気的に接続された電気回路。 １５．以下の構成を有する発電装置（ｓｙｓｔｅｍ）（ａ）請求項２に従った、 互いに電気的に接続されたｎ個の光電池の集積されたアレイを有する半導体基板 材料と、（ｂ）以下のグループから選択された導体材料と電気的に接続された電 気回路 （１）前記第一の電池の第一のタイプの溝の前記第一の導体材料（但し、この前 記第一の導体材料は、前記電気回路を介することを除いて、前記電気的接続状態 （ｅｌｅｃｔｒｉｃａ１　ｓｅｒｉｅｓ）にある他の電池の第二のタイプの溝の 第二の導体材料と内部接続導体材料を介して電気的に接続されていないという条 件下におく。）と、前記ｎ番目の電池の第二のタイプの溝の前記第二の導体材料 （但し、この前記第二の導体材料は、前記電気回路を介することを除いて、前記 電気的接続状態にある他の電池の第一のタイプの溝の第一の導体材料と内部接続 導体材料を介して電気的に接続されていないという条件下におく。）と、 （２）前記第一の電池の第二のタイプの溝の前記第二の導体材料（但し、この前 記第二の導体材料は、前記電気回路を介することを除いて、前記電気的接続状態 （ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｓｅｒｉｅｓ）にある他の電池の第一のタイプの溝の 第一の導体材料と内部接続導体材料を介して電気的に接続されていないという条 件下におく。）と、前記ｎ番目の電池の第一のタイプの溝の前記第一の導体材料 （但し、この前記第一の導体材料は、前記電気回路を介することを除いて、前記 電気的接続状態にある他の電池の第二のタイプの溝の第二の導体材料と内部接続 導体材料を介して電気的に接続されていないという条件下におく。）。 １６．前記電池（ｃｅｌｌ）のｎの数は、２から５０００である請求項１５に記 載の装置。 １７．前記電池（ｃｅｌｌ）のｎの数は、６から５０である請求項１５に記載の 装置。 １８．前記第一及び第二のタイプの不純物は、ｎタイプ、ｐタイプ、ｎ′タイプ 及びｐ′タイプの不純物から選択され、第一のタイプの不純物は、第二のタイプ の不純物と反対の極性である、請求項１４に記載の装置。 １９．前記半導体基板材料は、薄膜材料、単結晶質材料及び多結晶質材料からな るグループから選択された材料の形である請求項１４に記載の装置。 ２０．前記材料は、支持基板及び支持スーパーストレートからなるグループから 選択された支持部材上の薄膜の形態である請求項１４に記載の装置。 ２１．前記支持部材は、ガラス、水晶及びパースペックスからなる材料から選択 される支持スーパーストレートからなる請求項２０に記載の装置。 ２２．前記第一及び第二のタイプの不純物は、ｎタイプ、ｐタイプ、ｎ′タイプ 及びｐ′タイプの不純物から選択され、第一のタイプの不純物は、第二のタイプ の不純物と反対の極性である、請求項１５に記載の装置。 ２３．前記半導体基板材料は、薄膜材料、量結晶質材料及び多結晶質材料からな るグループから選択された材料の形である請求項１５に記載の装置。 ２４．前記光電池は、ｐ−ｎ光太陽電池である請求項１４に記載の装置。 ２５．前記光電池は、ｐ−ｎ光太陽電池である請求項１５に記載の装置。 ２６．前記半導体基板材料は、シリコン、ゲルマニウム、ＣｄＴｅ、ＣｕＩｎＳ ｅ２、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、Ｇａｐ、ＧａＡｓＰ、ＳｉＣ及びＩｎＰからな るグループから選択された材料である請求項１４から２５のいずれかに記載の装 置。 ２７．前記半導体基板材料は、シリコンからなる請求項１４から２５のいずれか に記載の装置。 ２８．前記半導体基板材料は、シリコンからなる請求項１から１２のいずれかに 記載の基板材料。
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