JPH0745904A - 励起子レーザ - Google Patents
励起子レーザInfo
- Publication number
- JPH0745904A JPH0745904A JP18614893A JP18614893A JPH0745904A JP H0745904 A JPH0745904 A JP H0745904A JP 18614893 A JP18614893 A JP 18614893A JP 18614893 A JP18614893 A JP 18614893A JP H0745904 A JPH0745904 A JP H0745904A
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- Japan
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- layer
- exciton
- gaas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 励起子による光利得を利用し、量子細線中の
励起子による光利得の特徴を引き出す励起子レーザを提
供することを目的とする。 【構成】 化合物半導体基板上に形成された化合物半導
体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込み、外
部から注入される電流により量子細線内部で形成された
励起子が、フォノンを放出して遷移することにより生じ
た最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特徴とす
る。
励起子による光利得の特徴を引き出す励起子レーザを提
供することを目的とする。 【構成】 化合物半導体基板上に形成された化合物半導
体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込み、外
部から注入される電流により量子細線内部で形成された
励起子が、フォノンを放出して遷移することにより生じ
た最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、励起子による光利得を
利用した励起子レーザに関する。
利用した励起子レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザは、電子および正孔
の高濃度注入により伝導帯中の電子数が価電子帯中の電
子数を凌駕（電子の反転分布を形成）した結果、光の増
幅が起こること（光利得の発生）を利用している。通
常、半導体レーザでは、注入された電子および正孔は互
いに独立な粒子として振る舞うとされる。したがって、
発光は伝導帯内の電子と価電子帯内の正孔の直接的な再
結合（バンド間再結合）により起こると見なされてい
る。しかし、現実には電子と正孔との間にはクーロン引
力が働くので、両粒子は互いに独立に振る舞うことはで
きない。
の高濃度注入により伝導帯中の電子数が価電子帯中の電
子数を凌駕（電子の反転分布を形成）した結果、光の増
幅が起こること（光利得の発生）を利用している。通
常、半導体レーザでは、注入された電子および正孔は互
いに独立な粒子として振る舞うとされる。したがって、
発光は伝導帯内の電子と価電子帯内の正孔の直接的な再
結合（バンド間再結合）により起こると見なされてい
る。しかし、現実には電子と正孔との間にはクーロン引
力が働くので、両粒子は互いに独立に振る舞うことはで
きない。
【０００３】ところが、バルク結晶を用いたレーザの場
合には、このクーロン引力は多数の電子・正孔プラズマ
により遮閉されるので、事実上無視しても構わない。す
なわち、バルクレーザの光利得は、電子・正孔のバンド
間再結合により起こるとしても支障はなかった。
合には、このクーロン引力は多数の電子・正孔プラズマ
により遮閉されるので、事実上無視しても構わない。す
なわち、バルクレーザの光利得は、電子・正孔のバンド
間再結合により起こるとしても支障はなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電子および正
孔が存在する領域の次元が３次元（バルク）から２次元
に、さらに１次元と下がってくると事情は変わってく
る。
孔が存在する領域の次元が３次元（バルク）から２次元
に、さらに１次元と下がってくると事情は変わってく
る。
【０００５】低次元（特に１次元）構造では、遮閉粒子
が低次元の狭い領域に閉じ込められるので、多数の遮閉
粒子が存在したとしてもクーロン引力に対する遮閉効果
は著しく弱まる。すなわち、低次元構造では、電子と正
孔との間のクーロン引力が無視できなくなる。このため
に電子と正孔はクーロン引力によって結合して励起子を
形成し、バンド間再結合による発光ではなく励起子の消
滅による発光が支配的になる。したがって、光の利得も
励起子発光による利得が支配的となる。
が低次元の狭い領域に閉じ込められるので、多数の遮閉
粒子が存在したとしてもクーロン引力に対する遮閉効果
は著しく弱まる。すなわち、低次元構造では、電子と正
孔との間のクーロン引力が無視できなくなる。このため
に電子と正孔はクーロン引力によって結合して励起子を
形成し、バンド間再結合による発光ではなく励起子の消
滅による発光が支配的になる。したがって、光の利得も
励起子発光による利得が支配的となる。
【０００６】これまでは、このような低次元半導体レー
ザにおいても光利得は電子・正孔のバンド間再結合の立
場で解釈され、その結果、励起子発光の効果は無視され
てきた。すなわち、励起子発光に特徴的な光利得の利用
を見逃してきた。
ザにおいても光利得は電子・正孔のバンド間再結合の立
場で解釈され、その結果、励起子発光の効果は無視され
てきた。すなわち、励起子発光に特徴的な光利得の利用
を見逃してきた。
【０００７】本発明は、この点に着目し、低次元構造
（量子細線）中の励起子による光利得の特徴を引き出す
励起子レーザを提供することを目的とする。
（量子細線）中の励起子による光利得の特徴を引き出す
励起子レーザを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の励起子
レーザは、化合物半導体基板上に形成された化合物半導
体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込み、外
部から注入される電流により量子細線内部で形成された
励起子が、フォノンを放出して遷移することにより生じ
た最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特徴とす
る。
レーザは、化合物半導体基板上に形成された化合物半導
体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込み、外
部から注入される電流により量子細線内部で形成された
励起子が、フォノンを放出して遷移することにより生じ
た最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特徴とす
る。
【０００９】請求項２に記載の励起子レーザは、請求項
１に記載の励起子レーザにおいて、化合物半導体基板を
ＧaＡs基板とし、障壁層をＡlＧaＡs 層とし、井戸層を
断面形状が矩形で一辺が５〜７ｎｍのＧaＡs量子細線と
する。
１に記載の励起子レーザにおいて、化合物半導体基板を
ＧaＡs基板とし、障壁層をＡlＧaＡs 層とし、井戸層を
断面形状が矩形で一辺が５〜７ｎｍのＧaＡs量子細線と
する。
【００１０】請求項３に記載の励起子レーザは、請求項
１に記載の励起子レーザにおいて、化合物半導体基板を
ＩnＰ 基板とし、障壁層をＩnＰ 層とし、井戸層を断面
形状が矩形で一辺が４〜９ｎｍのＩnＧaＡs 量子細線と
する。
１に記載の励起子レーザにおいて、化合物半導体基板を
ＩnＰ 基板とし、障壁層をＩnＰ 層とし、井戸層を断面
形状が矩形で一辺が４〜９ｎｍのＩnＧaＡs 量子細線と
する。
【００１１】請求項４に記載の励起子レーザは、請求項
１に記載の励起子レーザにおいて、化合物半導体基板を
ＺnＳe基板とし、障壁層をＺnＳe層とし、井戸層を断面
形状が矩形で一辺が７〜11ｎｍのＺnＣdＳe 量子細線と
する。
１に記載の励起子レーザにおいて、化合物半導体基板を
ＺnＳe基板とし、障壁層をＺnＳe層とし、井戸層を断面
形状が矩形で一辺が７〜11ｎｍのＺnＣdＳe 量子細線と
する。
【００１２】
【作用】図２は、量子細線中の励起子の分散関係を示
す。縦軸Ｅは励起子エネルギ、横軸Ｋは励起子の重心運
動の波数を表す。なお、量子細線中の励起子の運動は１
次元であるのでＫはスカラ量である。「０」，「１」，
「２」，…は、それぞれ基底状態，第１励起状態，第２
励起状態，…を表す。
す。縦軸Ｅは励起子エネルギ、横軸Ｋは励起子の重心運
動の波数を表す。なお、量子細線中の励起子の運動は１
次元であるのでＫはスカラ量である。「０」，「１」，
「２」，…は、それぞれ基底状態，第１励起状態，第２
励起状態，…を表す。
【００１３】光の運動量は非常に小さいので、発光・光
吸収に伴う励起子の消滅・生成はＫ＝０で起こる。ただ
し、この直接的な（１次の）光過程に伴う光の増幅率
は、光子数をＮ、励起子数をＮexとすると、 （Ｎ＋１）Ｎex−Ｎ（Ｎex＋１）＝Ｎex−Ｎ に比例する。この式から、Ｎに関係した光増幅率が負で
あることがわかる。すなわち、正味の過程としては光吸
収しか存在せず、この過程そのものに伴う光の利得は存
在しないと言える。
吸収に伴う励起子の消滅・生成はＫ＝０で起こる。ただ
し、この直接的な（１次の）光過程に伴う光の増幅率
は、光子数をＮ、励起子数をＮexとすると、 （Ｎ＋１）Ｎex−Ｎ（Ｎex＋１）＝Ｎex−Ｎ に比例する。この式から、Ｎに関係した光増幅率が負で
あることがわかる。すなわち、正味の過程としては光吸
収しか存在せず、この過程そのものに伴う光の利得は存
在しないと言える。
【００１４】一方、発光・光吸収は必ずＫ＝０で起こる
が、Ｋ＝０にある励起子のみがこの過程に関与するもの
ではなく、他から供給されてもよい。ここに２次の光過
程による光利得発生の可能性が生ずる。
が、Ｋ＝０にある励起子のみがこの過程に関与するもの
ではなく、他から供給されてもよい。ここに２次の光過
程による光利得発生の可能性が生ずる。
【００１５】図３は、ＬＯフォノンを介した発光過程を
示す。なお、(a),(b) は、それぞれ基底状態、第１励起
状態にある励起子がＬＯフォノンを放出してＫ＝０の基
底状態に遷移し、その後発光する過程を示している。こ
れに伴う光の増幅率は、ＬＯフォノン数をＮphとする
と、 Ｎex（Ｎ＋１)(Ｎph＋１）−（Ｎex＋１）Ｎ・Ｎph ＝Ｎex（Ｎph＋１）＋（Ｎex−Ｎph）Ｎ に比例する。この式から、Ｎに関係した光増幅率は（Ｎ
ex−Ｎph）に比例することがわかる。すなわち、Ｎex＞
Ｎphのときに光の利得が生じる。
示す。なお、(a),(b) は、それぞれ基底状態、第１励起
状態にある励起子がＬＯフォノンを放出してＫ＝０の基
底状態に遷移し、その後発光する過程を示している。こ
れに伴う光の増幅率は、ＬＯフォノン数をＮphとする
と、 Ｎex（Ｎ＋１)(Ｎph＋１）−（Ｎex＋１）Ｎ・Ｎph ＝Ｎex（Ｎph＋１）＋（Ｎex−Ｎph）Ｎ に比例する。この式から、Ｎに関係した光増幅率は（Ｎ
ex−Ｎph）に比例することがわかる。すなわち、Ｎex＞
Ｎphのときに光の利得が生じる。
【００１６】図４は、ＧaＡs量子細線の光利得スペクト
ラムの例を示す。横軸は光子エネルギ（ｅＶ）、縦軸は
光利得（×103 ｃｍ-1）を表す。ＧaＡs量子細線の断面
寸法は６ｎｍ×６ｎｍの正方形とした。励起子密度は２
×106 ｃｍ-1である。
ラムの例を示す。横軸は光子エネルギ（ｅＶ）、縦軸は
光利得（×103 ｃｍ-1）を表す。ＧaＡs量子細線の断面
寸法は６ｎｍ×６ｎｍの正方形とした。励起子密度は２
×106 ｃｍ-1である。
【００１７】図に示すように、比較的ブロードなスペク
トラムに重畳するようにシャープなスペクトラムが観測
される。前者は、図３(a) に示した基底状態内の励起子
遷移に付随する光利得であり、後者は図３(b) に示した
第１励起状態から基底状態への励起子遷移に付随する光
利得である。後者が鋭い光利得スペクトラムを示すの
は、第１励起状態のＫ＝０付近から基底状態のＫ＝０へ
の散乱が大きな遷移確率を有することによる（S.Nojim
a,Phys.Rev.B46,2303(1992)) 。このような特異な光利
得スペクトラムは、電子・正孔のバンド間再結合におい
てはみられない。この著しく大きな光利得が励起子発光
の特徴であり、これを利用することにより低発振閾値の
励起子レーザを実現することができる。
トラムに重畳するようにシャープなスペクトラムが観測
される。前者は、図３(a) に示した基底状態内の励起子
遷移に付随する光利得であり、後者は図３(b) に示した
第１励起状態から基底状態への励起子遷移に付随する光
利得である。後者が鋭い光利得スペクトラムを示すの
は、第１励起状態のＫ＝０付近から基底状態のＫ＝０へ
の散乱が大きな遷移確率を有することによる（S.Nojim
a,Phys.Rev.B46,2303(1992)) 。このような特異な光利
得スペクトラムは、電子・正孔のバンド間再結合におい
てはみられない。この著しく大きな光利得が励起子発光
の特徴であり、これを利用することにより低発振閾値の
励起子レーザを実現することができる。
【００１８】
【実施例】図１は、本発明の励起子レーザの実施例構成
を示す図である。図において、ｎ型ＧaＡs基板１上に、
ｎ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層２を結晶成長させる。さらに、
その上にＧaＡs活性層を成長させ、電子線リソグラフィ
とエッチングによりアレイ構造のＧaＡs量子細線３を形
成する。さらに、このアレイ構造のＧaＡs量子細線３の
間に高いポテンシャルを有するＡlＡs層４を埋め込み、
その上にｐ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層５を成長させる。さら
に電極６を形成し、その後へき開によりレーザダイオー
ドチップを切り出す。符号７はへき開面である。
を示す図である。図において、ｎ型ＧaＡs基板１上に、
ｎ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層２を結晶成長させる。さらに、
その上にＧaＡs活性層を成長させ、電子線リソグラフィ
とエッチングによりアレイ構造のＧaＡs量子細線３を形
成する。さらに、このアレイ構造のＧaＡs量子細線３の
間に高いポテンシャルを有するＡlＡs層４を埋め込み、
その上にｐ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層５を成長させる。さら
に電極６を形成し、その後へき開によりレーザダイオー
ドチップを切り出す。符号７はへき開面である。
【００１９】ここで、ＡlＡs層４は、アレイ構造になっ
ているＧaＡs量子細線３の間の領域に電流が流れるのを
防ぐための電流ブロック層になっており、また量子細線
の障壁層にもなっている。ｎ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層２お
よびｐ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層５は、量子細線の障壁層で
あるとともに、光を導波させるためのクラッド層であ
る。
ているＧaＡs量子細線３の間の領域に電流が流れるのを
防ぐための電流ブロック層になっており、また量子細線
の障壁層にもなっている。ｎ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層２お
よびｐ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層５は、量子細線の障壁層で
あるとともに、光を導波させるためのクラッド層であ
る。
【００２０】このような構造の励起子レーザでは、電流
注入により発生した電子および正孔はＧaＡs量子細線３
中に溜まり、励起子を形成する。この励起子は、上述し
た原理に基づいて、第１励起状態から基底状態へ遷移す
ることにより大きな光利得を生じる。
注入により発生した電子および正孔はＧaＡs量子細線３
中に溜まり、励起子を形成する。この励起子は、上述し
た原理に基づいて、第１励起状態から基底状態へ遷移す
ることにより大きな光利得を生じる。
【００２１】本実施例構成による光利得スペクトラムは
図４に示すようになる。ただし、その鋭いピークの最大
値は、図５に示すように、ＧaＡs量子細線３の断面寸法
に依存する。図５において、横軸はＧaＡs量子細線３の
断面を正方形としたときの一辺の長さＬ（ｎｍ）、縦軸
は光利得（×103 ｃｍ-1）を表す。励起子密度は２×10
6 ｃｍ-1である。
図４に示すようになる。ただし、その鋭いピークの最大
値は、図５に示すように、ＧaＡs量子細線３の断面寸法
に依存する。図５において、横軸はＧaＡs量子細線３の
断面を正方形としたときの一辺の長さＬ（ｎｍ）、縦軸
は光利得（×103 ｃｍ-1）を表す。励起子密度は２×10
6 ｃｍ-1である。
【００２２】光利得は、Ｌ＝６ｎｍ付近において極大を
示す。これは以下の事情による。Ｌを大きくすると、量
子細線内の励起子密度が減少するために光利得が小さく
なる。一方、Ｌを小さくすると第一励起状態のエネルギ
が上昇し、そこに分布する励起子の数が減少するために
光利得が小さくなる。両者が釣り合ったところで光利得
は極大を示す。このように、ＧaＡs量子細線３の断面寸
法を最適化すれば、最大の光利得を生じさせることがで
きる。
示す。これは以下の事情による。Ｌを大きくすると、量
子細線内の励起子密度が減少するために光利得が小さく
なる。一方、Ｌを小さくすると第一励起状態のエネルギ
が上昇し、そこに分布する励起子の数が減少するために
光利得が小さくなる。両者が釣り合ったところで光利得
は極大を示す。このように、ＧaＡs量子細線３の断面寸
法を最適化すれば、最大の光利得を生じさせることがで
きる。
【００２３】また、他の励起子レーザとして、ＩnＰ 基
板上に形成されるＩnＰ 層を障壁層とし、ＩnＧaＡs 量
子細線を井戸層とする構造としてもよい。この構造にお
けるＩnＧaＡs 量子細線の断面寸法と光利得スペクトラ
ムの最大値との関係を図６に示す。横軸はＩnＧaＡs 量
子細線の断面を正方形としたときの一辺の長さＬ（ｎ
ｍ）、縦軸は光利得（×103 ｃｍ-1）を表す。光利得
は、Ｌ＝６ｎｍ付近において極大を示す。
板上に形成されるＩnＰ 層を障壁層とし、ＩnＧaＡs 量
子細線を井戸層とする構造としてもよい。この構造にお
けるＩnＧaＡs 量子細線の断面寸法と光利得スペクトラ
ムの最大値との関係を図６に示す。横軸はＩnＧaＡs 量
子細線の断面を正方形としたときの一辺の長さＬ（ｎ
ｍ）、縦軸は光利得（×103 ｃｍ-1）を表す。光利得
は、Ｌ＝６ｎｍ付近において極大を示す。
【００２４】また、他の励起子レーザとして、ＺnＳe基
板上に形成されるＺnＳe層を障壁層とし、ＺnＣdＳe 量
子細線を井戸層とする構造としてもよい。この構造にお
けるＺnＣdＳe 量子細線の断面寸法と光利得スペクトラ
ムの最大値との関係を図７に示す。横軸はＺnＣdＳe 量
子細線の断面を正方形としたときの一辺の長さＬ（ｎ
ｍ）、縦軸は光利得（×103 ｃｍ-1）を表す。光利得
は、Ｌ＝８ｎｍ付近において極大を示す。
板上に形成されるＺnＳe層を障壁層とし、ＺnＣdＳe 量
子細線を井戸層とする構造としてもよい。この構造にお
けるＺnＣdＳe 量子細線の断面寸法と光利得スペクトラ
ムの最大値との関係を図７に示す。横軸はＺnＣdＳe 量
子細線の断面を正方形としたときの一辺の長さＬ（ｎ
ｍ）、縦軸は光利得（×103 ｃｍ-1）を表す。光利得
は、Ｌ＝８ｎｍ付近において極大を示す。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の励起子レ
ーザは、量子細線の内部に形成される励起子がその第１
励起状態から基底状態へ散乱されることにより生じる光
利得が著しく大きくなることを利用したものである。し
たがって、この光利得を利用すれば、発振閾値の低い半
導体レーザを実現することができる。
ーザは、量子細線の内部に形成される励起子がその第１
励起状態から基底状態へ散乱されることにより生じる光
利得が著しく大きくなることを利用したものである。し
たがって、この光利得を利用すれば、発振閾値の低い半
導体レーザを実現することができる。
【図１】本発明の励起子レーザの実施例構成を示す図。
【図２】量子細線中の励起子の分散関係を示す図。
【図３】ＬＯフォノンを介した発光過程を示す図。
【図４】ＧaＡs量子細線の光利得スペクトラムの例を示
す図。
す図。
【図５】ＧaＡs量子細線の断面寸法と光利得スペクトラ
ムの最大値との関係を示す図。
ムの最大値との関係を示す図。
【図６】ＩnＧaＡs 量子細線の断面寸法と光利得スペク
トラムの最大値との関係を示す図。
トラムの最大値との関係を示す図。
【図７】ＺnＣdＳe 量子細線の断面寸法と光利得スペク
トラムの最大値との関係を示す図。
トラムの最大値との関係を示す図。
１ ｎ型ＧaＡs基板 ２ ｎ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層 ３ ＧaＡs量子細線 ４ ＡlＡs層 ５ ｐ型Ａl0.3Ｇa0.7Ａs 層 ６ 電極 ７ へき開面
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体基板上に形成された化合物
半導体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込
み、外部から注入される電流により量子細線内部で形成
された励起子が、フォノンを放出して遷移することによ
り生じた最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特
徴とする励起子レーザ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の励起子レーザにおい
て、 化合物半導体基板をＧaＡs基板とし、障壁層をＡlＧaＡ
s 層とし、井戸層を断面形状が矩形で一辺が５〜７ｎｍ
のＧaＡs量子細線とすることを特徴とする励起子レー
ザ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の励起子レーザにおい
て、 化合物半導体基板をＩnＰ 基板とし、障壁層をＩnＰ 層
とし、井戸層を断面形状が矩形で一辺が４〜９ｎｍのＩ
nＧaＡs 量子細線とすることを特徴とする励起子レー
ザ。 - 【請求項４】 請求項１に記載の励起子レーザにおい
て、 化合物半導体基板をＺnＳe基板とし、障壁層をＺnＳe層
とし、井戸層を断面形状が矩形で一辺が７〜11ｎｍのＺ
nＣdＳe 量子細線とすることを特徴とする励起子レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18614893A JPH0745904A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 励起子レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18614893A JPH0745904A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 励起子レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745904A true JPH0745904A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16183226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18614893A Pending JPH0745904A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 励起子レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745904A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321965A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| US6078062A (en) * | 1996-09-26 | 2000-06-20 | Nec Corporation | II-VI compound semiconductor based light emitting device having recombination regions spatially arrayed in a planar direction of the active layer to prevent crack propagation |
| DE102004035635A1 (de) * | 2004-07-22 | 2006-04-06 | Philipps-Universität Marburg | Erfindung betreffend Emitterelemente elektromagnetischer Strahlung sowie Verfahren zur Erzeugung von Besetzungsinversionen in solchen Emitterelementen |
-
1993
- 1993-07-28 JP JP18614893A patent/JPH0745904A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078062A (en) * | 1996-09-26 | 2000-06-20 | Nec Corporation | II-VI compound semiconductor based light emitting device having recombination regions spatially arrayed in a planar direction of the active layer to prevent crack propagation |
| JPH10321965A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| DE102004035635A1 (de) * | 2004-07-22 | 2006-04-06 | Philipps-Universität Marburg | Erfindung betreffend Emitterelemente elektromagnetischer Strahlung sowie Verfahren zur Erzeugung von Besetzungsinversionen in solchen Emitterelementen |
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