JPH0745867A - ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極 - Google Patents
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極Info
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- JPH0745867A JPH0745867A JP20727493A JP20727493A JPH0745867A JP H0745867 A JPH0745867 A JP H0745867A JP 20727493 A JP20727493 A JP 20727493A JP 20727493 A JP20727493 A JP 20727493A JP H0745867 A JPH0745867 A JP H0745867A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を
用いた発光素子を実現するにあたり、ｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られると共
にアニーリング時に変質しにくい電極を提供することに
より、発光素子の発光効率および信頼性を高める。 【構成】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形
成され、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミッ
ク接触が得られた電極であって、前記電極が少なくとも
チタンとアルミニウムとの合金よりなるか、または前記
電極が少なくともチタンとアルミニウムとが積層された
多層膜よりなる。
用いた発光素子を実現するにあたり、ｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られると共
にアニーリング時に変質しにくい電極を提供することに
より、発光素子の発光効率および信頼性を高める。 【構成】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形
成され、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミッ
ク接触が得られた電極であって、前記電極が少なくとも
チタンとアルミニウムとの合金よりなるか、または前記
電極が少なくともチタンとアルミニウムとが積層された
多層膜よりなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レー
ザーダイオード等の発光素子に用いられるｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体の電極に係り、特に、ｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体とオーミック接触が得られる電極に
関する。
ザーダイオード等の発光素子に用いられるｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体の電極に係り、特に、ｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体とオーミック接触が得られる電極に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、Ｉｎ
ＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移
を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで変
化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、発
光素子の材料として有望視されている。現在、この材料
を用いた発光素子には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体の上に、ｐ型ドーパントをドープした高抵抗なｉ型の
窒化ガリウム系化合物半導体を積層したいわゆるＭＩＳ
構造の青色発光ダイオードが知られている。
ＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移
を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで変
化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、発
光素子の材料として有望視されている。現在、この材料
を用いた発光素子には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体の上に、ｐ型ドーパントをドープした高抵抗なｉ型の
窒化ガリウム系化合物半導体を積層したいわゆるＭＩＳ
構造の青色発光ダイオードが知られている。
【０００３】ＭＩＳ構造の発光素子は発光強度、発光出
力共非常に低く、また高抵抗なｉ層を発光層としている
ため順方向電圧（Ｖｆ）が２０Ｖ以上と非常に高いため
に発光効率が悪く、実用化するには不十分であった。順
方向電圧を下げ、発光効率を向上させて実用化を図るに
は、ＭＩＳではなくｐ−ｎ接合が有利であることは自明
である。
力共非常に低く、また高抵抗なｉ層を発光層としている
ため順方向電圧（Ｖｆ）が２０Ｖ以上と非常に高いため
に発光効率が悪く、実用化するには不十分であった。順
方向電圧を下げ、発光効率を向上させて実用化を図るに
は、ＭＩＳではなくｐ−ｎ接合が有利であることは自明
である。
【０００４】ところで、最近窒化ガリウム系化合物半導
体をｐ型とする技術が開発され、ｐ−ｎ接合の窒化ガリ
ウム系化合物半導体が実現できるようになってきた。
（例えば、特開平２−２５７６７９号公報、特開平３−
２１８３２５号公報、他文献）。
体をｐ型とする技術が開発され、ｐ−ｎ接合の窒化ガリ
ウム系化合物半導体が実現できるようになってきた。
（例えば、特開平２−２５７６７９号公報、特開平３−
２１８３２５号公報、他文献）。
【０００５】ｐ−ｎ接合の発光素子が実現できるように
なると、順方向電圧を下げ、発光効率を高めるために
も、ｐ層およびｎ層とオーミック接触の得られる電極材
料が非常に重要である。しかしながら、従来のＭＩＳ構
造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極はｉ層
とショットキ−バリアを用いる構造であったため、ｎ層
のオーミック電極にはほとんど注意されていなかった。
なると、順方向電圧を下げ、発光効率を高めるために
も、ｐ層およびｎ層とオーミック接触の得られる電極材
料が非常に重要である。しかしながら、従来のＭＩＳ構
造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極はｉ層
とショットキ−バリアを用いる構造であったため、ｎ層
のオーミック電極にはほとんど注意されていなかった。
【０００６】例えば、ＭＩＳ構造の素子のｎ層とオーミ
ック接触を得る電極材料として、特開昭５５−９４４２
号公報に、ＡｌまたはＡｌ合金が開示されている。その
他、Ｉｎもよく使用されている。しかしながら、Ｉｎ、
Ａｌともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と十分なオー
ミック接触が得にくく、さらにまた電極形成時に、電極
材料を窒化ガリウム系化合物半導体となじませるため、
アニーリング装置を用いてアニールを行うのであるが、
そのアニーリング時に装置内の残留酸素、水分等の雰囲
気により電極が変質しやすいという問題があった。
ック接触を得る電極材料として、特開昭５５−９４４２
号公報に、ＡｌまたはＡｌ合金が開示されている。その
他、Ｉｎもよく使用されている。しかしながら、Ｉｎ、
Ａｌともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と十分なオー
ミック接触が得にくく、さらにまた電極形成時に、電極
材料を窒化ガリウム系化合物半導体となじませるため、
アニーリング装置を用いてアニールを行うのであるが、
そのアニーリング時に装置内の残留酸素、水分等の雰囲
気により電極が変質しやすいという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はこの
ような事情を鑑み成されたもので、その目的とするとこ
ろは、ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い
た発光素子を実現するにあたり、ｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体と良好なオーミック接触が得られると共にア
ニーリング時に変質しにくい電極を提供することによ
り、発光素子の発光効率および信頼性を高めようとする
ものである。
ような事情を鑑み成されたもので、その目的とするとこ
ろは、ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い
た発光素子を実現するにあたり、ｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体と良好なオーミック接触が得られると共にア
ニーリング時に変質しにくい電極を提供することによ
り、発光素子の発光効率および信頼性を高めようとする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】我々はｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体層と良好なオーミック接触が得られ、ア
ニール時に変質しにくい電極材料について、実験を重ね
たところ、ＡｌにＴｉを含有させることにより前記問題
が解決できることを見いだした。即ち、本発明のｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層の電極は、ｎ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層表面に形成され、ｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体層とオーミック接触が得られた電極であ
って、前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとの
合金よりなるか、または前記電極が少なくともチタンと
アルミニウムとが積層された多層膜よりなることを特徴
とする。
系化合物半導体層と良好なオーミック接触が得られ、ア
ニール時に変質しにくい電極材料について、実験を重ね
たところ、ＡｌにＴｉを含有させることにより前記問題
が解決できることを見いだした。即ち、本発明のｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層の電極は、ｎ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層表面に形成され、ｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体層とオーミック接触が得られた電極であ
って、前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとの
合金よりなるか、または前記電極が少なくともチタンと
アルミニウムとが積層された多層膜よりなることを特徴
とする。
【０００９】本発明の電極は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ等
のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すように成
長した窒化ガリウム系化合物半導体層表面、またはノン
ドープの窒化ガリウム系化合物半導体層表面に、蒸着、
スパッタ等の技術により、チタンとアルミニウムよりな
る合金膜を形成するか、またはチタンとアルミニウムよ
りなる多層膜を形成した後、アニーリングを行うことに
より得ることができる。アニーリング温度は特に限定す
るものではないが、４００℃以上、１２００℃以下で行
うことが好ましい。なぜなら、４００℃よりも低いと、
オーミック接触が得にくく、１２００℃よりも高いと窒
化ガリウム系化合物半導体が分解してしまうからであ
る。
のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すように成
長した窒化ガリウム系化合物半導体層表面、またはノン
ドープの窒化ガリウム系化合物半導体層表面に、蒸着、
スパッタ等の技術により、チタンとアルミニウムよりな
る合金膜を形成するか、またはチタンとアルミニウムよ
りなる多層膜を形成した後、アニーリングを行うことに
より得ることができる。アニーリング温度は特に限定す
るものではないが、４００℃以上、１２００℃以下で行
うことが好ましい。なぜなら、４００℃よりも低いと、
オーミック接触が得にくく、１２００℃よりも高いと窒
化ガリウム系化合物半導体が分解してしまうからであ
る。
【００１０】上記のように合金膜、または多層膜として
形成した電極材料を、アニーリングすることにより、電
極材料と窒化ガリウム系化合物半導体層との接触を良く
してオーミック接触を得ることができる。さらに、多層
膜はアニーリング条件（主として熱）、チタンとアルミ
ニウムそれぞれの層の膜厚等により多層膜の一部、また
は全部が合金化する。多層膜がアニーリングにより合金
化した場合、全体として電極はチタンとアルミニウムか
らなるオーミック電極となるが、例えばチタンが第１層
目、アルミニウムが第２層目とはっきりと分離されたも
のではなく、前にも述べたように条件によっては電極層
が合金化するため、チタンとアルミニウムが渾然一体と
なっている場合が多い。ただ、多層膜の場合、ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と接触する側の電極材料をチ
タンとした後、次にアルミニウムを形成して多層膜とす
る方が、再現性良くオーミック接触を得られるため、よ
り好ましい。
形成した電極材料を、アニーリングすることにより、電
極材料と窒化ガリウム系化合物半導体層との接触を良く
してオーミック接触を得ることができる。さらに、多層
膜はアニーリング条件（主として熱）、チタンとアルミ
ニウムそれぞれの層の膜厚等により多層膜の一部、また
は全部が合金化する。多層膜がアニーリングにより合金
化した場合、全体として電極はチタンとアルミニウムか
らなるオーミック電極となるが、例えばチタンが第１層
目、アルミニウムが第２層目とはっきりと分離されたも
のではなく、前にも述べたように条件によっては電極層
が合金化するため、チタンとアルミニウムが渾然一体と
なっている場合が多い。ただ、多層膜の場合、ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と接触する側の電極材料をチ
タンとした後、次にアルミニウムを形成して多層膜とす
る方が、再現性良くオーミック接触を得られるため、よ
り好ましい。
【００１１】チタンのアルミニウムに対する含有率は特
に限定するものではなく、チタンと、アルミニウムとを
どのような比率で混合しても、ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層と再現性良くオーミック接触が得られ、非常
に有利である。多層膜の場合、この含有率は多層膜を形
成する膜厚の比を調整することにより変えることができ
る。
に限定するものではなく、チタンと、アルミニウムとを
どのような比率で混合しても、ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層と再現性良くオーミック接触が得られ、非常
に有利である。多層膜の場合、この含有率は多層膜を形
成する膜厚の比を調整することにより変えることができ
る。
【００１２】
【実施例】図１は、２インチφのサファイア基板上にＳ
ｉをドープしたｎ型ＧａＮ層を成長させ、そのｎ型Ｇａ
Ｎ層の表面に、数々の電極材料を１００μｍφの大きさ
で、それぞれ千個蒸着して４５０℃でアニーリングした
後、同一種類の電極間のＩ−Ｖ（電流−電圧）特性を全
て測定してオーミック特性を調べた結果を示す図であ
る。図１において、Ａ、Ｂ、Ｃ、ＤはそれぞれＡ・・Ｔ
ｉとＡｌとを０．０１：１の膜厚比で順に積層した電
極、Ｂ・・Ｔｉを１％含むＡｌ−Ｔｉ合金で形成した電
極、Ｃ・・ｎ型層にＴｉ単独で形成した電極、Ｄ・・ｎ
型層にＡｌ単独で形成した電極、のＩ−Ｖ特性を示す。
ｉをドープしたｎ型ＧａＮ層を成長させ、そのｎ型Ｇａ
Ｎ層の表面に、数々の電極材料を１００μｍφの大きさ
で、それぞれ千個蒸着して４５０℃でアニーリングした
後、同一種類の電極間のＩ−Ｖ（電流−電圧）特性を全
て測定してオーミック特性を調べた結果を示す図であ
る。図１において、Ａ、Ｂ、Ｃ、ＤはそれぞれＡ・・Ｔ
ｉとＡｌとを０．０１：１の膜厚比で順に積層した電
極、Ｂ・・Ｔｉを１％含むＡｌ−Ｔｉ合金で形成した電
極、Ｃ・・ｎ型層にＴｉ単独で形成した電極、Ｄ・・ｎ
型層にＡｌ単独で形成した電極、のＩ−Ｖ特性を示す。
【００１３】Ａ〜Ｄはそれぞれ代表的なＩ−Ｖ特性を示
す図であるが、アルミニウムにチタンを含有させた電極
はＡ、Ｂに示すようにｎ型ＧａＮ層と完全にオーミック
接触が得られており、電極千個の内オーミック接触が確
認されないものはなかった。一方、チタン単独、もしく
はアルミニウム単独の電極は、Ｃ、Ｄに示すようにいず
れのにおいてもオーミック接触は得られず、千個の内で
オーミック接触が確認されたものは、Ｄの電極の方に数
個あっただけである。
す図であるが、アルミニウムにチタンを含有させた電極
はＡ、Ｂに示すようにｎ型ＧａＮ層と完全にオーミック
接触が得られており、電極千個の内オーミック接触が確
認されないものはなかった。一方、チタン単独、もしく
はアルミニウム単独の電極は、Ｃ、Ｄに示すようにいず
れのにおいてもオーミック接触は得られず、千個の内で
オーミック接触が確認されたものは、Ｄの電極の方に数
個あっただけである。
【００１４】さらにアニーリング後、電極表面の状態を
顕微鏡で観察したところ、ＣとＤの電極表面はその９０
％以上が黒く変質していた。
顕微鏡で観察したところ、ＣとＤの電極表面はその９０
％以上が黒く変質していた。
【００１５】図２は、同じく２インチφのサファイア基
板の上にＳｉをドープしたｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を成
長させ、そのｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層の表面にＴｉとＡ
ｌとを膜厚比を変えて１００μｍφの大きさで千個蒸着
して、４５０℃でアニーリングした後、同じく同一種類
の電極間のＩ−Ｖ（電流−電圧）特性を測定してオーミ
ック特性を調べた結果を示す図である。図２において、
Ｅ、Ｆ、Ｇ、ＨはそれぞれＥ・・ＴｉとＡｌとを０．０
０１：１の膜厚比で順に積層した電極、Ｆ・・ＡｌとＴ
ｉとを０．００１：１の膜厚比で順に積層した電極、Ｇ
・・ＴｉとＡｌとを１：０．００１の膜厚比で順に積層
した電極、Ｈ・・ＡｌとＴｉとを１：０．００１の膜厚
比で順に積層した電極、のＩ−Ｖ特性を示している。
板の上にＳｉをドープしたｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を成
長させ、そのｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層の表面にＴｉとＡ
ｌとを膜厚比を変えて１００μｍφの大きさで千個蒸着
して、４５０℃でアニーリングした後、同じく同一種類
の電極間のＩ−Ｖ（電流−電圧）特性を測定してオーミ
ック特性を調べた結果を示す図である。図２において、
Ｅ、Ｆ、Ｇ、ＨはそれぞれＥ・・ＴｉとＡｌとを０．０
０１：１の膜厚比で順に積層した電極、Ｆ・・ＡｌとＴ
ｉとを０．００１：１の膜厚比で順に積層した電極、Ｇ
・・ＴｉとＡｌとを１：０．００１の膜厚比で順に積層
した電極、Ｈ・・ＡｌとＴｉとを１：０．００１の膜厚
比で順に積層した電極、のＩ−Ｖ特性を示している。
【００１６】Ｅ〜Ｈに示す図は、ＴｉとＡｌの含有率に
かかわらず、全てオーミック接触が得られていることを
示しているが、特に、Ｅ、Ｇに示すＴｉを先に形成した
電極は、千個全てそれぞれの図に示すようなオーミック
接触が得られたが、Ｆ、Ｈに示すＡｌを先に形成した電
極は、それぞれ数個オーミック接触が得られていないも
のが発見された。また、電極の変質は全ての電極につい
て観察されなかった。
かかわらず、全てオーミック接触が得られていることを
示しているが、特に、Ｅ、Ｇに示すＴｉを先に形成した
電極は、千個全てそれぞれの図に示すようなオーミック
接触が得られたが、Ｆ、Ｈに示すＡｌを先に形成した電
極は、それぞれ数個オーミック接触が得られていないも
のが発見された。また、電極の変質は全ての電極につい
て観察されなかった。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電極はｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層と非常に良好なオーミ
ック接触が得られ、さらに電極の変質がない。しかもオ
ーミックが得られるチタンのアルミニウムに対する定ま
った含有率が無いため、電極形成時において非常に生産
性も向上する。従って、ｐ−ｎ接合を用いた窒化ガリウ
ム系化合物半導体を実現した際、ｎ型層と電極とが完全
にオーミック接触しているため、発光素子のＶｆを下
げ、発光効率を向上させることができ、電極の変質もな
いため発光素子の信頼性も格段に向上する。
型窒化ガリウム系化合物半導体層と非常に良好なオーミ
ック接触が得られ、さらに電極の変質がない。しかもオ
ーミックが得られるチタンのアルミニウムに対する定ま
った含有率が無いため、電極形成時において非常に生産
性も向上する。従って、ｐ−ｎ接合を用いた窒化ガリウ
ム系化合物半導体を実現した際、ｎ型層と電極とが完全
にオーミック接触しているため、発光素子のＶｆを下
げ、発光効率を向上させることができ、電極の変質もな
いため発光素子の信頼性も格段に向上する。
【図１】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成し
た電極の電流電圧特性を比較して示す図。
た電極の電流電圧特性を比較して示す図。
【図２】 本発明の一実施例にかかる電極の電流電圧特
性を示す図。
性を示す図。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レー
ザーダイオード等の発光素子に用いられるｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体の電極に係り、特に、ｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られる
電極に関する。
ザーダイオード等の発光素子に用いられるｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体の電極に係り、特に、ｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られる
電極に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】Ａ〜Ｄはそれぞれ代表的なＩ−Ｖ特性を示
す図であるが、アルミニウムにチタンを含有させた電極
はＡ、Ｂに示すようにｎ型ＧａＮ層と良好なオーミック
接触が得られており、電極千個の内、Ａ、Ｂのようなオ
ーミック接触が確認されないものはなかった。一方、チ
タン単独、もしくはアルミニウム単独の電極は、Ｃ、Ｄ
に示すようにいずれにおいても良好なオーミック接触は
得られず、千個の内でＡ、Ｂのようなオーミック接触が
確認されたものは、Ｄの電極の方に数個あっただけであ
る。
す図であるが、アルミニウムにチタンを含有させた電極
はＡ、Ｂに示すようにｎ型ＧａＮ層と良好なオーミック
接触が得られており、電極千個の内、Ａ、Ｂのようなオ
ーミック接触が確認されないものはなかった。一方、チ
タン単独、もしくはアルミニウム単独の電極は、Ｃ、Ｄ
に示すようにいずれにおいても良好なオーミック接触は
得られず、千個の内でＡ、Ｂのようなオーミック接触が
確認されたものは、Ｄの電極の方に数個あっただけであ
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】Ｅ〜Ｈに示す図は、ＴｉとＡｌの含有率に
かかわらず、全て良好なオーミック接触が得られている
ことを示しているが、特に、Ｅ、Ｇに示すＴｉを先に形
成した電極は千個全て、Ｅ、Ｇの図に示すようなオーミ
ック接触が得られたが、Ｆ、Ｈに示すＡｌを先に形成し
た電極は、それぞれ数個、好ましいオーミック接触が得
られていないものが発見された。また、電極の変質は全
ての電極について観察されなかった。
かかわらず、全て良好なオーミック接触が得られている
ことを示しているが、特に、Ｅ、Ｇに示すＴｉを先に形
成した電極は千個全て、Ｅ、Ｇの図に示すようなオーミ
ック接触が得られたが、Ｆ、Ｈに示すＡｌを先に形成し
た電極は、それぞれ数個、好ましいオーミック接触が得
られていないものが発見された。また、電極の変質は全
ての電極について観察されなかった。
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面
に形成され、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とオー
ミック接触が得られた電極であって、前記電極が少なく
ともチタンとアルミニウムとの合金よりなるか、または
前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとが積層さ
れた多層膜よりなることを特徴とするｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体層の電極。 - 【請求項２】 前記多層膜は、ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層と接する側がチタンであることを特徴とする
請求項１に記載のｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
電極。
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| EP99114356A EP0952617B1 (en) | 1993-04-28 | 1994-04-27 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
| TW90209918U TW491406U (en) | 1993-04-28 | 1994-04-27 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device having an ohmic electrode |
| EP94106587A EP0622858B2 (en) | 1993-04-28 | 1994-04-27 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
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| TW083103775A TW403945B (en) | 1993-04-28 | 1994-04-27 | Gallium nitride based III - V group compound semiconductor device having an ohmic electrode and producing method thereof |
| DE69425186T DE69425186T3 (de) | 1993-04-28 | 1994-04-27 | Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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| CNB031458696A CN1240143C (zh) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | 氮化镓系ⅲ－ⅴ族化合物半导体器件 |
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| CNB981183115A CN1262021C (zh) | 1993-04-28 | 1998-08-11 | 氮化镓系ⅲ－ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法 |
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| KR1020030035961A KR100551365B1 (ko) | 1993-04-28 | 2003-06-04 | 질화갈륨계 화합물 반도체 발광소자 |
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| US11/198,465 US7205220B2 (en) | 1993-04-28 | 2005-08-08 | Gallium nitride based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
| US11/714,890 US7375383B2 (en) | 1993-04-28 | 2007-03-07 | Gallium nitride based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20727493A JP2783349B2 (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法 |
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Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH11186605A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法 |
| US6329716B1 (en) | 1997-01-14 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Contact electrode for N-type gallium nitride-based compound semiconductor and method for forming the same |
| US6507041B2 (en) | 1993-04-28 | 2003-01-14 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| JP2005064485A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| US6887311B2 (en) | 2001-10-31 | 2005-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming ohmic electrode |
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| US8000364B2 (en) | 2008-02-18 | 2011-08-16 | Opnext Japan, Inc. | Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2012028641A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2014175624A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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| US9583580B2 (en) | 2014-09-24 | 2017-02-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Manufacturing method of the semiconductor device electrode having three metal layers |
| KR20170091300A (ko) * | 2016-02-01 | 2017-08-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| US10153352B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-12-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device |
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559442A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light emission element and its manufacturing method |
| JPH04321279A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-11-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
-
1993
- 1993-07-28 JP JP20727493A patent/JP2783349B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559442A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light emission element and its manufacturing method |
| JPH04321279A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-11-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507041B2 (en) | 1993-04-28 | 2003-01-14 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| US6610995B2 (en) | 1993-04-28 | 2003-08-26 | Nichia Corporation | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| US7375383B2 (en) | 1993-04-28 | 2008-05-20 | Nichia Corporation | Gallium nitride based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
| US6998690B2 (en) | 1993-04-28 | 2006-02-14 | Nichia Corporation | Gallium nitride based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
| US7205220B2 (en) | 1993-04-28 | 2007-04-17 | Nichia Corporation | Gallium nitride based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US6329716B1 (en) | 1997-01-14 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Contact electrode for N-type gallium nitride-based compound semiconductor and method for forming the same |
| JPH11177184A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH11186605A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法 |
| US6887311B2 (en) | 2001-10-31 | 2005-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming ohmic electrode |
| JP2005064485A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| US7323783B2 (en) | 2003-12-08 | 2008-01-29 | Nec Corporation | Electrode, method for producing same and semiconductor device using same |
| US7615868B2 (en) | 2003-12-08 | 2009-11-10 | Nec Corporation | Electrode, method for producing same and semiconductor device using same |
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| US7791098B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-09-07 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
| US7358544B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-04-15 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
| US8686442B2 (en) | 2008-02-18 | 2014-04-01 | Oclaro Japan, Inc. | Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8000364B2 (en) | 2008-02-18 | 2011-08-16 | Opnext Japan, Inc. | Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US20210257526A1 (en) * | 2010-05-25 | 2021-08-19 | Micron Technology, Inc. | Ohmic contacts for semiconductor structures |
| JP2012028641A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置の製造方法 |
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