KR100882112B1 - 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

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    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

순방향 전압 특성 및 턴온 전압 특성과 같은 발광소자 자체의 특성을 향상시키고, 입력전압을 감소시켜 발광소자 효율을 증가시키면서, 저전압 동작으로 발광소자의 신뢰성이 증가되는 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 제안된다. 본 발명에 따르는 반도체 발광소자는 n형 GaN 반도체층, n형 GaN 반도체층의 갈륨표면에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 p형 반도체층과 함께, n형 GaN 반도체층의 질소표면에 형성된, 란탄(La)-니켈(Ni) 합금을 포함하는 n형 전극을 포함한다.
질소표면, 란탄, 니켈

Description

반도체 발광소자 및 그의 제조방법{Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof}
본 발명은 반도체 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 순방향 전압 특성 및 턴온 전압 특성과 같은 발광소자 자체의 특성을 향상시키고, 입력전압을 감소시켜 발광소자 효율을 증가시키면서, 저전압 동작으로발광소자의 신뢰성이 증가되는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 소자 내에 포함되어 있는 반도체 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 예를 들면, LED와 같이 다이오드를 이용하여 반도체를 접합한 형태로 전자/정공 재결합에 따른 에너지를 광으로 변환하여 방출하는 종류의 소자가 있다.
이러한 반도체 발광소자는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로서 널리 이용되며, 적은 전력으로 원하는 파장의 빛을 발광하고, 수은과 같은 환경유해물질 방출을 억제할 수 있어서 에너지 절약 및 환경보호 측면을 고려하여 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
특히, 최근 그 개발 및 사용이 활성화된 질화갈륨(GaN)계 LED를 이용한 휴대폰 키패드, 사이드 뷰어, 카메라 플래쉬 등의 상용화에 힘입어, 최근 발광다이오드를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품이 소형 휴대제품에서 대형화, 고출력화, 고효율화, 높은 신뢰성을 갖는 제품으로 진행하여 해당 제품에 요구되는 특성을 나타내는 광원을 요구하게 되었다.
GaN계 LED제조시 각 반도체층 상에 형성되는 전극의 접촉저항과 같은 특성의 제어가 중요하다. 특히 n형 GaN계 반도체층에 접촉하면서 형성되는 n형 오믹(ohmic) 전극은 낮은 순방향 전압(forward voltage, Vf)를 나타낼 것이 요구된다. 따라서, n형 GaN계 반도체층에 접촉하는 n형 오믹 전극은 접촉저항이 낮은 재료를 포함할 필요가 있다.
n형 GaN 반도체층상에 형성될 n형 전극에는 Ti, Cr, Ta, Al, Au 및 이들의 합금이 사용된다. 그러나, 현재 사용되는 n형 전극 재료들을 이용하여 n형 전극이 형성된 반도체 발광소자는 여전히 접촉저항이 높고, 그에 따라 순방향 전압치가 원하는 수준보다 높은 값을 나타내는 문제가 잔존하였다.
따라서, 반도체 발광소자의 특성을 원하는 수준으로 제어하여 소자발광효율을 보다 높이면서 제품의 신뢰성은 유지할 수 있는 n형 전극 재료물질의 개발이 요 청되었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 순방향 전압 특성 및 턴온 전압 특성과 같은 발광소자 자체의 특성을 향상시키고, 입력전압을 감소시켜 발광소자 효율을 증가시키면서, 저전압 동작으로 발광소자의 신뢰성이 증가되는 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 발광소자는 n형 GaN 반도체층; n형 GaN 반도체층의 갈륨표면에 형성된 활성층; 활성층 상에 형성된 p형 반도체층; 및 n형 GaN 반도체층의 질소표면에 형성된, 란탄(La)-니켈(Ni) 합금을 포함하는 n형 전극;을 포함한다.
n형 전극은, 란탄-니켈 합금 중, LaNi5를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 상에 n형 GaN 반도체층을 형성하는 단계; n형 GaN 반도체층의 갈륨표면 상에 활성층을 형성하는 단계; 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계; 기판을 제거하는 단계; 및 n형 GaN 반도체층의 질소표면 상에, 란탄-니켈 합금을 포함하는 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반 도체 발광소자 제조방법이 제공된다.
n형 전극은, 란탄-니켈 합금 중, LaNi5를 포함할 수 있다. 기판은, 사파이어 기판일 수 있다.
바람직하게는, n형 전극 형성 전에, n형 GaN 반도체층의 질소표면을 레이저 처리하여 질소표면의 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, GaN 기판; GaN 기판의 갈륨표면에 형성된 n형 반도체층; n형 반도체층 상에 형성된 활성층; 활성층 상에 형성된 p형 반도체층; 및 GaN 기판의 질소표면에 형성된, 란탄-니켈 합금을 포함하는 n형 전극;을 포함하는 반도체 발광소자가 제공된다. GaN 기판은 성장기판 또는 지지기판일 수 있다.
n형 전극은, 란탄-니켈 합금 중, LaNi5를 포함할 수 있다.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, GaN 기판의 갈륨표면 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계; n형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계; 및 GaN 기판의 질소표면 상에, 란탄-니켈 합금을 포함 하는 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법이 제공된다.
n형 전극은, 란탄-니켈 합금 중, LaNi5를 포함할 수 있다.
바람직하게는, n형 전극 형성 전에, n형 GaN 반도체층의 질소표면을 레이저 처리하여 질소표면의 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 발광소자는 n형 전극의 오믹특성이 향상되어, 순방향 전압 특성이 향상되고, 턴온 전압이 감소되어 발광소자 자체 특성이 향상되는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 입력전압을 감소시켜 입력전압과 발광된 광량의 비율이 높아져 발광소자 효율(lm/W)을 증가시킬 수 있고, 입력전압이 낮으므로 저전압에서 동작하게 되어 신뢰성이 증가되는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다. 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자(100)는 n형 GaN 반도체층(110); n형 GaN 반도체층(110)의 갈륨표면에 형성된 활성층(120); 활성층(120) 상에 형성된 p형 반도체층(130); 및 n형 GaN 반도체층(110)의 질소표면에 형성된, 란탄(La)-니켈(Ni) 합금을 포함하는 n형 전극(150);을 포함한다.
반도체 발광소자(100)는 n형 GaN 반도체층(110), 활성층(120) 및 p형 반도체층(130)이 순차적으로 적층된 형태인데, 그 중, n형 반도체층은 특히 GaN계 화합물 반도체를 포함한다. n형 GaN 반도체층(110)은 GaN계 화합물 반도체층에 불순물로서 예를 들어, Si, Ge, 및 Sn 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다.
활성층(120)은 n형 GaN 반도체층(110)의 갈륨표면에 형성된다. 활성층(120)은 발광을 활성화시키는 층으로서, n형 GaN 반도체층(110) 및 p형 반도체층(130)의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질을 이용하여 형성된다.
활성층(120)은 예를 들어 n형 GaN 반도체층(110)이 GaN계 화합물 반도체이므로, GaN계 화합물 반도체의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 InGaN계 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 이 때, 활성층(120)의 특성상, 불순물은 도핑되지 않는 것이 바람직하며, 장벽의 높이나 우물층의 두께, 조성, 우물의 개수를 조정하여 파장이나 양자효율을 조절할 수 있다.
활성층(120) 상에는 p형 반도체층(130)이 적층된다. p형 반도체층(130)은 예를 들면, GaN계반도체, ZnO계반도체, GaAs계반도체, GaP계반도체, 및 GaAsP계반도체와 같은 반도체로 구성될 수 있다. 이외에도, 반도체층들은 III-V 족 반도체, II-VI 족 반도체, 및 Si로 구성된 군으로부터 적절히 선택되어 구현될 수 있다.
p형 반도체층(130)이 GaN계 화합물 반도체를 포함하는 경우, 불순물로는 Mg, Zn, 및 Be 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다.
n형 전극(150)은 n형 GaN 반도체층(110)의 질소표면에 형성된다. n형 GaN 반도체층(110)의 질소표면(nitrogen-face)은 상대적으로 질소가 더 풍부하게 존재하는 표면을 의미한다. 이와 반대로, 갈륨표면(gallium-face)은 상대적으로 갈륨이 더 풍부하게 존재하는 표면을 의미한다. GaN계 반도체층의 질소표면 및 갈륨표면에 대하여는 이하, 도2a 내지 도2d를 참조하여 더 설명하기로 한다.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자(100)에서, n형 전극(150)은 n형 GaN 반도체층(110)의 표면 중, 상대적으로 질소가 더 풍부한 표면에 형성된다. n형 GaN 반도체층(110)의 질소표면은 그 위에 n형 전극을 형성한 경우, 압전효과에 의하여 오믹 접촉 형성이 나쁜 경우가 있다. 이러한 질소표면 상에 안정한 오믹 접촉 형성을 위하여 란탄(La)-니켈(Ni) 합금을 포함하는 n형 전극(150)을 형성한다. 특히, n형 전극은, 란탄-니켈 합금 중, LaNi5를 포함할 수 있다.
n형 전극(150)은 란탄-니켈 합금을 포함하는데, 특히 란탄은 질소와 일함수(work function)값이 유사하여 안정한 오믹 접촉을 형성하는데 기여할 수 있다.
p형 전극(140)은 p형 반도체층(130)과의 오믹 접촉 특성 등을 고려하여, Ag, Zn, 또는 Mg와 같은 금속을 사용할 수 있다.
도2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법에 제공되는 도면들이다. 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자 제조방법에 따르면, 먼저 도2a를 참조하면, 기판(160) 상에 n형 GaN 반도체층(110)을 형성한다.
기판(160)은 그 위에 n형 GaN 반도체층(110)을 성막하기 위한 성장기판으로서, GaN계 반도체층과 결정격자 상수가 유사하여 성막특성이 우수한 사파이어 기판 또는 스피넬(MgAl2O4) 기판이 사용될 수 있다.
이 때, 기판(160) 상에 성막되는 n형 GaN 반도체층(110)이 기판(160)과 접하는 표면은 질소표면이다. 도2a에는 n형 GaN 반도체층(110)의 성장방향이 화살표로 나타나 있다. 성장방향은 성막방법에 따라 달라질 수 있고, 동일한 성막방법에 의한 경우라도 조건을 제어하여 성장방향을 다르게 할 수 있다. 본 실시예에서는 기판(160)과 n형 GaN 반도체층(110)의 경계면은 질소표면이고, n형 GaN 반도체층(110) 및 활성층(120)의 경계면은 갈륨표면으로 성장된 경우를 상정하여 설명하기로 한다.
n형 GaN 반도체층(110)의 성막이 완료되면, n형 GaN 반도체층(110)의 갈륨표면 상에 활성층(120)을 형성한다. 활성층(120) 상에는 p형 반도체층(130)을 형성한다.
n형 GaN 반도체층(110), 활성층(120) 및 p형 반도체층(130)의 형성은 공지의 성막방법을 이용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 분자선 에피택시(Molecular beam epitaxy, MBE)방법을 이용하여 수행될 수 있다.
반도체층(110, 130) 및 활성층(120)이 적층되면, 성장기판으로서 사용된 기판(160)은 공지의 방법, 예를 들면, 레이저 등을 이용하여 제거된다(도2b 참조). 전술한 바와 같이, 기판(160) 및 n형 GaN 반도체층(110)의 경계면은 질소표면이므로 기판(160)을 제거하면(도2c), n형 GaN 반도체층(110)의 표면은 질소가 상대적으로 풍부한 질소표면이다.
기판(160)의 제거로 노출된 n형 GaN 반도체층(110)의 질소표면 상에는 n형 전극(150)이, p형 반도체층(130)상에는 p형 전극(140)이 형성된다(도2d). n형 전극(150) 및 p형 전극(140)은 통상의 전극형성방법에 의하여 형성될 수 있는데, 예를 들면, 전자빔 증발기(e-beam evaporator)를 이용하여 형성할 수 있다.
n형 전극(150)은 란탄-니켈 합금을 포함한다. 특히, n형 전극(150)은 LaNi5를 포함하는 것이 바람직하다.
도2c에서, n형 GaN 반도체층(110)은 그 위에 n형 전극(150)을 형성하기 전에, 질소표면을 레이저 처리하여 질소표면의 특성을 향상시킬 수 있다. 레이저 전처리로 인하여 질소표면은 n형 전극(150)과의 접촉특성이 더욱 향상될 수 있다.
도3은 도2c에서 n형 GaN 반도체층의 질소표면 및 갈륨표면을 나타낸 도면이 다. A는 n형 GaN 반도체층(110) 및 활성층(120)의 경계면을 확대하여 나타내고 있고, B는 n형 GaN 반도체층(110) 및 기판(160)의 경계면이었으나, 기판(160)의 제거로 인하여 외부로 노출된 표면을 확대하여 나타내고 있다. 전술한 바와 같이, n형 GaN 반도체층(110)의 성장방향은 화살표로 나타내었다.
A에는 n형 GaN 반도체층(110)이 활성층(120)과의 경계면에 갈륨(Ga)이 풍부하게 존재하는 것이 나타나있다. B에는 n형 GaN 반도체층(110)이 외부에 노출된 표면에 질소가 풍부하게 존재하는 것이 나타나 있다. n형 GaN 반도체층(110)은 기판(미도시)상에서, 기판 측에 질소가 풍부하고, 반대편측에는 갈륨이 풍부하도록 성장하는 것이 일반적이다. 이와 반대로 기판 측에 갈륨이 풍부하도록 성장시키려면, 통상의 성막방법을 변형 또는 제어하는 특별한 공정 및 조건이 추가될 필요가 있으므로 도3과 같이 성장시킨다.
그에 따라, 란탄-니켈 합금을 포함하는 n형 전극(150)은 도2d에서와 같이 n형 GaN 반도체층(110)의 질소표면에 형성되고, 전술한 바와 같이 질소가 풍부한 표면에서도 우수한 오믹접촉특성을 나타낼 수 있다.
도4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다. 본 실시예에 따른 반도체 발광소자(200)는 GaN 기판(260); GaN 기판(260)의 갈륨표면에 형성된 n형 반도체층; n형 반도체층 상에 형성된 활성층; 활성층 상에 형성된 p형 반도체층; 및 GaN 기판의 질소표면에 형성된, 란탄-니켈 합금을 포함하는 n형 전극;을 포함하는 반도체 발광소자가 제공된다. 본 실시예에 따른 반도체 발광소자(200)에서 활성층(220) 및 p형 반도체층(230)은 도1의 반도체 발광소자(100)의 활성층(120) 및 p형 반도체층(130)과 동일하므로 그 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예에 따른 반도체 발광소자(200)는 n형 반도체층(210), 활성층(220) 및 p형 반도체층(230)을 GaN 기판(260)상에 순차적으로 적층한다. GaN 기판(260)은 도전성 기판으로서, 반도체층(210, 230)에 사용되는 GaN계 반도체로 구성된다.
GaN 기판(260)은 성장기판 또는 지지기판일 수 있다. GaN 기판(260)이 성장기판인 경우, GaN계 반도체층과는 결정격자상수가 동일 또는 유사할 것이므로 성장시 결함억제가 가능하여 성막특성이 우수하다.
GaN 기판(260)이 지지기판인 경우에는 별도의 성장기판을 사용하여 n형 반도체층(210), 활성층(220), 및 p형 반도체층(230)을 형성하고, 성장기판을 제거한 후, 다시 적층체(210, 220, 230)를 지지하기 위한 기판으로서 GaN 기판(260)을 형성하여 사용할 수 있다. 지지기판은 통상 사용되는 방법에 의하여 형성될 수 있는데, 예를 들어, 접합층을 이용하여 접합되거나 또는 n형 반도체층(210)상에 도금방법을 이용하여 형성될 수 있다.
본 실시예에서 n형 반도체층(210)은 GaN계반도체, ZnO계반도체, GaAs계반도체, GaP계반도체, 및 GaAsP계반도체와 같은 반도체로 구성될 수 있다. 이외에도, III-V 족 반도체, II-VI 족 반도체, 및 Si로 구성된 군으로부터 적절히 선택되어 구현될 수 있다. 다만, GaN 기판(260)이 GaN계 반도체를 포함하고 있으므로 결정격자상수 등의 성장조건을 고려하여 GaN계 반도체층인 것이 바람직하다.
본 실시예에 따른 n형 전극(250)은 GaN 기판(260)의 질소표면 상에 형성된다. 따라서, GaN 기판(260)의 갈륨표면 상에는 n형 반도체층(210)이 형성된다. n형 전극(250)은 란탄-니켈 합금을 포함하고, 특히, LaNi5를 포함할 수 있다.
바람직하게는, n형 전극(250) 형성 전에, GaN 기판(260)의 질소표면을 레이저 처리하여 질소표면의 특성을 향상시킬 수 있다. 레이저 전처리로 인하여 GaN 기판(260)의 질소표면은 n형 전극(250)과의 접촉특성이 더욱 향상될 수 있다.
도5는 도4에서 GaN 기판의 질소표면 및 갈륨표면을 나타낸 도면이다. 도5에서 n형 반도체층(210)은 특히, GaN계 반도체층인 경우를 상정하여 설명하기로 한다. C는 GaN 기판(260) 및 n형 반도체층(210)의 경계면을 확대하여 나타내고 있고, D는 GaN 기판(260)의 외부표면을 확대하여 나타내고 있다. 전술한 바와 같이, n형 GaN 반도체층(110)의 성장방향은 화살표로 나타내었다.
GaN 기판(260)의 질소표면 및 갈륨표면은 선택적으로 n형 반도체층(210)에 형성할 수 있는데, 본 실시예에서는 GaN 기판(260)의 갈륨표면과 n형 반도체층(210)이 접촉할 수 있도록 형성한다. 그에 따라 GaN 기판(260)의 외부표면은 질소표면이고, 이 질소표면 상에 n형 전극(250)을 형성한다(D 확대도 참조). GaN 기판(260)의 갈륨표면 상에 n형 반도체층(210)이 형성되면, 성장특성상 n형 반도체층(210)의 질소표면과 접촉하게 된다.
그에 따라, 란탄-니켈 합금을 포함하는 n형 전극(250)은 도4에서와 같이 GaN 기판(260)의 질소표면에 형성되고, 전술한 바와 같이 질소가 풍부한 표면에서도 우수한 오믹접촉특성을 나타낼 수 있다.
도6은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 n형 전극, Ti/Al n형 전극, 및 Cr n형 전극의 350 mA에서의 순방향 전압을 각각 나타낸 그래프이다. 여기서, n형 전극은 n형 GaN 반도체층 상에 형성하여 순방향 전압을 측정하였다. Ti/Al 및 Cr n형 전극도 n형 GaN계 반도체층 상에 형성하여 순방향 전압을 측정하였다.
도6을 참조하면, LaNi5를 사용하여 n형 전극을 구현한 경우, 약 3.45 V로서, Ti/Al n형 전극(약 3.77 V) 및 Cr n형 전극(약 3.72 V)보다 낮은 순방향 전압특성을 나타내었다. 따라서, 본 발명에 따른 란탄-니켈 n형 전극의 순방향 전압특성은 종래의 n형 전극보다 우수한 것을 확인할 수 있었다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법에 제공되는 도면들이다.
도 3은 도2c에서 n형 GaN 반도체층의 질소표면 및 갈륨표면을 나타낸 도면이다.
도4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도5는 도4에서 GaN 기판의 질소표면 및 갈륨표면을 나타낸 도면이다.
도6은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 n형 전극, Ti/Al n형 전극, 및 Cr n형 전극의 순방향 전압을 나타낸 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 반도체 발광소자 110 n형 GaN 반도체층
120 활성층 130 p형 반도체층
140 p형 전극 150 n형 전극
160 기판

Claims (12)

  1. n형 GaN 반도체층;
    상기 n형 GaN 반도체층의 갈륨표면에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층; 및
    상기 n형 GaN 반도체층의 질소표면에 형성된, 란탄(La)-니켈(Ni) 합금을 포함하는 n형 전극;을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 n형 전극은, LaNi5를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 기판 상에 n형 GaN 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 n형 GaN 반도체층의 갈륨표면 상에 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 기판을 제거하는 단계; 및
    상기 n형 GaN 반도체층의 질소표면 상에, 란탄-니켈 합금을 포함하는 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 n형 전극은, LaNi5를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 기판은, 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 n형 전극 형성 전에, 상기 n형 GaN 반도체층의 질소표면을 레이저 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  7. GaN 기판;
    상기 GaN 기판의 갈륨표면에 형성된 n형 반도체층;
    상기 n형 반도체층 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층; 및
    상기 GaN 기판의 질소표면에 형성된, 란탄-니켈 합금을 포함하는 n형 전극;을 포함하는 반도체 발광소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 GaN 기판은, 성장기판 또는 지지기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 n형 전극은, LaNi5를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. GaN 기판의 갈륨표면 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 n형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계; 및
    상기 GaN 기판의 질소표면 상에, 란탄-니켈 합금을 포함하는 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 n형 전극은, LaNi5를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 n형 전극 형성 전에, 상기 GaN 기판의 질소표면을 레이저 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
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