KR102425850B1 - 발광소자 - Google Patents

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강현오
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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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Abstract

실시 예는 제1반도체층과, 활성층, 제2반도체층, 및 상기 활성층과 제2반도체층 사이에 배치되는 채널층을 포함하고, 상기 채널층은 제1채널층 및 제1채널층보다 에너지 밴드갭이 큰 제2채널층을 포함하고, 상기 제1채널층의 에너지 밴드갭과 상기 제2채널층의 에너지 밴드갭은 성장방향으로 작아지는 발광소자를 개시한다.

Description

발광소자{Light Emitting Device}
실시 예는 발광소자를 개시한다.
발광소자(Light Emitting Device, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
그러나, 질화물반도체 발광소자는 상대적으로 정공 주입 효율이 떨어져 발광 효율이 저하되는 문제가 있다.
실시 예는 정공 주입 효율이 향상된 발광소자를 제공한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자는, 제1반도체층과, 활성층, 제2반도체층, 및 상기 활성층과 제2반도체층 사이에 배치되는 채널층을 포함하고, 상기 채널층은 제1채널층 및 제1채널층보다 에너지 밴드갭이 큰 제2채널층을 포함하고, 상기 제1채널층의 에너지 밴드갭과 상기 제2채널층의 에너지 밴드갭은 성장방향으로 작아진다.
상기 제1채널층과 제2채널층의 경계면에서의 에너지 레벨 차는 0.3 내지 0.5eV일 수 있다.
상기 제1채널층과 제2채널층의 도핑 농도는 상기 성장방향으로 변화할 수 있다.
상기 제1채널층은 성장 방향으로 In의 농도가 증가할 수 있다.
상기 제2채널층은 성장 방향으로 Al의 농도가 낮아질 수 있다.
상기 제1채널층은 InGaN이고, 제2채널층은 AlGaN일 수 있다.
상기 채널층과 제2반도체층 사이에 배치되는 전자 차단층을 포함할 수 있다.
실시 예에 따르면, 정공 주입 효율이 향상되어 광 효율이 향상될 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이고,
도 2는 도 1의 발광소자의 에너지 밴드와 도핑 함량을 보여주는 도면이고,
도 3은 도 1의 채널층을 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 도 1의 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램이고,
도 5는 멀티 채널층을 갖는 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램이고,
도 6은 도 4의 에너지 밴드 다이어그램에서 밴드 밴딩을 제거한 도면이고,
도 7은 도 5의 에너지 밴드 다이어그램에서 밴드 밴딩을 제거한 도면이고,
도 8은 종래 발광소자의 방사 재결합(Radiative Recombination)을 측정한 그래프이고,
도 9는 도 1의 발광소자의 방사 재결합(Radiative Recombination)을 측정한 그래프이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이다.
도 1을 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자는 기판(110), 버퍼층(120), 제1반도체층(130), 활성층(140), 채널층(150), 전자 차단층(160), 및 제2반도체층(170)을 포함한다. 발광소자는 가시광 파장대의 광 또는 자외선 파장대의 광을 방출할 수 있다.
기판(110)은 전도성 기판(110) 또는 절연성 기판(110)을 포함할 수 있다. 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼일 수 있다. 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1반도체층(130)과 기판(110) 사이에는 버퍼층(120)이 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 기판(110) 상에 구비된 발광 구조물과 기판(110)의 격자 부정합을 완화할 수 있다.
버퍼층(120)은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(120)에는 도펀트가 도핑될 수도 있으나, 이에 한정하지 않는다.
버퍼층(120)은 기판(110) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층(120)은 버퍼층(120)상에 성장하는 제1반도체층(130)의 결정성을 향상시킬 수 있다.
기판(110) 상에 구비되는 발광 구조물은 제1반도체층(130), 활성층(140), 및 제2반도체층(170)을 포함한다. 일반적으로 상기와 같은 발광 구조물은 기판(110)을 절단하여 복수 개로 분리될 수 있다.
제1반도체층(130)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체일 수 있으며, 제1반도체층(130)에 제1도펀트가 도핑될 수 있다. 제1반도체층(130)은 Inx1Aly1Ga1 -x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제1도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1반도체층(130)은 n형 반도체층일 수 있다.
활성층(140)은 제1반도체층(130)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)과 제2반도체층(170)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(140)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 본 실시 예에서 발광 파장에는 제한이 없다.
활성층(140)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(140)의 구조는 이에 한정하지 않는다.
활성층(140)은 복수 개의 우물층(141) 및 장벽층(142)이 교대로 배치되는 구조를 가질 수 있다. 우물층(141)과 장벽층(142)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있고, 장벽층(142)의 에너지 밴드갭은 우물층(141)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.
장벽층(142)은 p형 도펀트 또는 n형 도펀트를 포함할 수 있다. P형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, 및 Ba으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있고, n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, 및 Te로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다. 활성층(140)이 복수 개의 우물층(141)과 장벽층(142)을 포함하는 경우 적어도 하나 이상의 장벽층(142)은 p형 도펀트와 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 장벽층(142)은 P/N 접합 장벽층(142)(P/N junction barrier)일 수 있다.
제2반도체층(170)은 활성층(140) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2반도체층(170)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다. 제2반도체층(170)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2반도체층(170)은 p형 반도체층일 수 있다.
활성층(140)과 제2반도체층(170) 사이에는 전자 차단층(EBL, 160)이 배치될 수 있다. 전자 차단층(160)은 제1반도체층(130)에서 공급된 전자가 제2반도체층(170)으로 빠져나가는 흐름을 차단하여, 활성층(140) 내에서 전자와 정공이 재결합할 확률을 높일 수 있다. 전자 차단층(160)의 에너지 밴드갭은 활성층(140) 및/또는 제2반도체층(170)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.
전자 차단층(160)은 Inx1Aly1Ga1 -x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
활성층(140)과 전자 차단층(160) 사이에는 채널층(150)이 배치될 수 있다. 채널층(150)은 제1채널층(151) 및 제2채널층(152)을 포함할 수 있다. 제2채널층(152)의 에너지 밴드갭은 제1채널층(151)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.
채널층(150)은 활성층(140)과 제2반도체층(170) 사이에서 캐리어가 이동하는 채널을 형성할 수 있다. 따라서, 캐리어의 주입 효율 및 재결합 확률을 높일 수 있다. 이하에서는 채널층(150)이 활성층(140)과 제2반도체층(170) 사이에 배치되는 것으로 설명하나, 채널층(150)은 활성층(140)과 제1반도체층(130) 사이에 배치되어 전자 주입층으로 기능할 수도 있다.
도 2는 도 1의 발광소자의 에너지 밴드와 도핑 함량을 보여주는 도면이고, 도 3은 도 1의 채널층의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참고하면, 제1채널층(151)은 마지막 장벽층(142)의 종료 지점에서 인듐을 도핑하여 제작할 수 있다. 이때, 갈륨과 질소의 농도는 장벽층(142) 성장시 농도와 동일할 수 있다. 즉, 제1채널층(151)은 InGaN일 수 있다.
인듐의 함량은 성장방향(D)으로 갈수록 높아질 수 있다. 인듐은 에너지 밴드갭을 낮추므로 제1채널층(151)의 에너지 밴드갭은 성장방향(D)으로 작아질 수 있다. 인듐의 농도 곡선은 선형일 수도 있고 비선형일 수도 있다.
제2채널층(152)은 제1채널층(151)의 종료 지점에서 알루미늄을 도핑하여 제작할 수 있다. 이때, 갈륨과 질소의 농도는 제1채널층(151)과 동일할 수 있다. 즉 제2채널층(152)은 AlGaN일 수 있다. 제1채널층(151)과 제2채널층(152)은 단속적일 수 있다. 즉, 제1채널층(151)의 성장을 종료하면 챔버 내에서 인듐을 제거한 뒤에 제2채널층(152)을 성장시킬 수 있다.
알루미늄의 농도는 제2채널층(152)의 시작 지점에서 최대가 되며 성장방향(D)으로 낮아질 수 있다. 알루미늄은 에너지 밴드갭을 높이므로 제2채널층(152)은 성장방향(D)으로 갈수록 에너지 밴드갭이 작아질 수 있다. 알루미늄의 농도 곡선은 선형일 수도 있고 비선형 곡선일 수도 있다.
제1채널층(151)의 종료 지점에서 인듐의 함량은 최대가 되고 제2채널층(152)의 시작 지점에서 알루미늄의 함량은 최대가 되므로 제1채널층(151)과 제2채널층(152)의 사이에 경계면(EB)이 형성될 수 있다. 여기서 경계면(EB)이란 에너지 준위가 연속적으로 변화하지 않는 단속구간으로 정의할 수 있다.
채널층(150)의 두께는 10nm 내지 20nm일 수 있다. 채널층(150)의 두께가 10nm 내지 20nm를 만족하는 경우 정공의 주입 효율이 상승할 수 있다.
전자 차단층(160)은 제2채널층(152)의 종료 시점에서 다시 알루미늄의 농도를 높여 제작할 수 있다. 즉, 제2채널층(152)과 전자 차단층(160)의 조성은 동일할 수 있다.
도 3을 참고하면, 제2반도체층(170)에서 주입된 정공(H1)은 제2채널층(152)과 제1채널층(151)을 거쳐 우물층(141)으로 이동할 수 있다. 이때, 제2채널층(152)은 성장방향(D)으로 에너지 밴드갭이 점차 작아지므로 정공(H1)의 주입이 용이해질 수 있다. 만약, 성장방향(D)으로 에너지 밴드갭이 동일하거나 커지는 경우, 처음부터 에너지 레벨이 너무 크기 때문에 정공의 주입 효율이 감소하며, 정공이 소실될 수 있다.
일부 정공은 제1채널층(151)과 경계면에 의해 형성된 포켓(H2)에 포획(storage)될 수 있다. 따라서, 다시 제2반도체층(170)으로 이동하지 못하고 우물층(141)으로 이동하여 주입 효율이 향상될 수 있다. 또한, 순차적으로 주입되는 정공의 이동은 더 용이해질 수 있다.
경계면(EB)의 높이(h1)는 0.3eV 내지 0.5eV일 수 있다. 경계면(EB)의 높이(h1)는 제1채널층(151)과 제2채널층(152)의 경계면에서의 에너지 레벨 차이일 수 있다. 에너지 레벨은 전도대 밴드 또는 가전자대 밴드 중 어느 하나에서의 에너지 레벨일 수 있다. 경계면의 높이(h1)가 0.3eV 미만인 경우에는 주입된 정공이 다시 성장방향(D)으로 백플로우(Back Flow) 되는 문제가 있으며, 경계면의 높이(h1)가 0.5eV를 초과하는 경우 제2채널층(152)의 에너지 레벨이 급격히 높아져 정공의 이동이 제한되는 문제가 있다.
경계면의 높이(h1)는 제1채널층(151)과 제2채널층(152)의 도핑 농도를 조절하여 제어할 수 있다. 경계면의 높이(h1)를 높이기 위해서는 인듐과 알루미늄의 함량은 더 높게 할 수 있고, 경계면의 높이(h1)를 낮추기 위해서는 인듐과 알루미늄의 함량을 적게 할 수 있다. 이해를 위해 도 3은 전도대 밴드(Ec)로 설명하였으나 가전도대 밴드(Ev)에서도 동일하게 적용될 수 있음을 이해하여야 한다.
도 4는 도 1의 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램이고, 도 5는 멀티 채널층(150)을 갖는 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램이고, 도 6은 도 4의 에너지 밴드 다이어그램에서 밴드 밴딩을 제거한 도면이고, 도 7은 도 5의 에너지 밴드 다이어그램에서 밴드 밴딩을 제거한 도면이다.
도 4를 참고하면, 성장방향으로 에너지 밴드의 준위가 상승하는 것을 알 수 있다. 이는 결정격자(Crystal Lattice)의 차에 의해 에너지 밴드가 벤딩(Bending)되었기 때문이다. 그러나, 밸런스 밴드와 전도성 밴드는 대칭이므로 제1채널층(151)과 제2채널층(152)의 에너지 밴드갭은 성장방향으로 감소한다. 또한, 도 5를 참고하면, 제1채널층(151)과 제2채널층(152)은 복수 개일 수도 있다. 제1채널층(151)과 제2채널층(152)을 복수 개로 배치하는 경우 정공의 재결합 효율이 증가할 수 있다.
도 6과 도 7은 결정 격자와 같이 에너지 밴드의 벤딩에 영향을 주는 인자를 제거하고 측정한 결과이다. 도 6과 도 7을 참고하면, 성장방향(D)으로 제1채널층(151)과 제2채널층(152)의 에너지 레벨이 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 정공은 가전도대 밴드(Ev)를 따라 성장방향의 반대 방향으로 이동하여 최종적으로 우물층(141)에서 광 결합할 수 있다.
도 8은 종래 발광소자의 방사 재결합(Radiative Recombination)을 측정한 그래프이고, 도 9는 도 1의 발광소자의 방사 재결합(Radiative Recombination)을 측정한 그래프이다.
도 8을 참고하면, 종래 발광소자는 제2반도체층(170)에 가까운 마지막 우물층(P1)에서의 재결합률이 약 0.09인 반면, 도 9를 참고하면 실시 예에 따른 발광소자의 마지막 우물층(P1)의 재결합률은 0.14로 약 44% 증가하였음을 알 수 있다. 이는 채널층(150)에 의해 정공의 주입 효율이 향상되었기 때문이다. 따라서, 동일한 전류로 발광 효율을 증가시킬 수 있다.
실시 예의 발광 소자는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광 소자는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.
이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다.
그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명 실시 예는 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명 실시 예가 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
110: 기판
120: 버퍼층
130: 제1반도체층
140: 활성층
141: 우물층
142: 장벽층
150: 채널층
151: 제1채널층
152: 제2채널층
170: 제2반도체층

Claims (7)

  1. 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층, 및 상기 활성층과 제2반도체층 사이에 배치되는 채널층을 포함하고,
    상기 채널층은 제1채널층 및 제1채널층보다 에너지 밴드갭이 큰 제2채널층을 포함하고,
    상기 제1채널층의 에너지 밴드갭과 상기 제2채널층의 에너지 밴드갭은 상기 제1반도체층에서 상기 제2반도체층을 향하는 제1 방향으로 작아지고,
    상기 제1채널층은 상기 제1 방향으로 갈수록 인듐(In)의 농도가 증가함으로써 에너지 밴드갭이 작아지고,
    상기 제2채널층은 상기 제1 방향으로 갈수록 알루미늄(Al)의 농도가 낮아짐으로써 에너지 밴드갭이 작아지고,
    상기 제1채널층은 상기 제2채널층보다 활성층에 더 가깝게 배치되는 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1채널층과 제2채널층의 경계면에서 에너지 레벨의 차는 0.3 내지 0.5eV이고,
    상기 제1채널층과 제2채널층의 두께합은 10nm 내지 20nm 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1채널층은 InGaN이고, 제2채널층은 AlGaN인 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2채널층과 제2반도체층 사이에 배치되는 전자 차단층을 포함하고,
    상기 전자 차단층에서 상기 알루미늄의 농도는 상기 제1 방향으로 갈수록 증가하는 발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1채널층과 상기 제2채널층 사이의 경계에서의 에너지 밴드갭은 상기 제2채널층과 상기 전자 차단층 사이의 경계에서의 에너지 밴드갭보다 작은 발광소자.
  6. 삭제
  7. 삭제
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