KR102523696B1 - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시 예는, 도전성 베이스층; 상기 도전성 베이스층 상에 배치되고 복수 개의 제1홀을 포함하는 제1절연층; 및 상기 제1홀을 통해 상기 도전성 베이스층과 전기적으로 연결되는 제1반도체 코어와, 상기 제1반도체 코어상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층을 포함하는 복수 개의 발광 구조물을 포함하고, 상기 제1반도체 코어의 상부는 제1평탄면을 갖는 발광소자 및 그 제조방법을 개시한다.

Description

발광소자 및 그 제조방법{Light Emitting Device and Method for the same}
실시 예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
최근에는, 수직 성장된 나노 구조물을 이용한 발광소자가 개발되고 있다. 이러한 나노 구조물은 모든 면에서 발광하므로 발광면적을 넓힐 수 있다.
그러나, 수직 성장된 나노 구조물은 내부에 다수의 누설전류 경로가 발생하여 발광효율이 떨어지는 문제가 있다.
실시 예는 누설 전류를 감소할 수 있는 발광소자를 제공한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자는, 도전성 베이스층; 상기 도전성 베이스층 상에 배치되고 복수 개의 제1홀을 포함하는 제1절연층; 및 상기 제1홀을 통해 상기 도전성 베이스층과 전기적으로 연결되는 제1반도체 코어와, 상기 제1반도체 코어상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층을 포함하는 복수 개의 발광 구조물을 포함하고, 상기 제1반도체 코어의 상부는 제1평탄면을 포함한다.
상기 활성층은 상기 제1평탄면상에 배치되는 제2평탄면을 포함한다.
상기 제2반도체층의 상부는 상기 제1반도체 코어 및 활성층의 상부보다 뾰족할 수 있다.
상기 제2반도체층의 측면에 배치된 제2절연층을 포함할 수 있다.
상기 제2절연층은 상기 제2반도체층의 높이의 1/5 내지 1/2까지 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자는, 도전성 베이스층; 상기 도전성 베이스층 상에 배치되고 복수 개의 제1홀을 포함하는 제1절연층; 및 상기 제1홀을 통해 상기 도전성 베이스층과 전기적으로 연결되는 제1반도체 코어와, 상기 제1반도체 코어상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층을 포함하는 복수 개의 발광 구조물을 포함하고, 상기 제1반도체 코어의 상부는 상기 도전성 베이스층과 도핑 농도가 상이하다.
상기 제1반도체 코어의 상부는 u-GaN층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 제조방법은, 도전성 베이스층 상에 복수 개의 제1홀을 갖는 제1절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제1홀 상에 제1반도체 코어, 활성층, 및 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 발광구조물을 성장시키는 단계는, 질소 분위기에서 상기 제1반도체 코어를 성장시켜 제1반도체 코어의 상부를 평탄하게 성장시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자 제조방법은, 도전성 베이스층 상에 복수 개의 제1홀을 갖는 제1절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제1홀 상에 제1반도체 코어, 활성층, 및 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 발광구조물을 성장시키는 단계는, 상기 제1반도체 코어 성장 단계에서 도핑 원소를 차단하여 제1반도체 코어의 상부가 도핑되지 않도록 제어할 수 있다.
실시 예에 따르면, 누설 전류가 감소되어 발광효율이 우수한 발광소자를 제조할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이고,
도 2는 종래 발광소자의 사진이고,
도 3은 도 1의 A부분 확대도이고,
도 4는 도 1의 제1반도체층 코어의 사진이고,
도 5는 도 1의 발광 구조물의 사진이고,
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이고
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 보여주는 순서도이고,
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 보여주는 순서도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이고, 도 2는 종래 발광소자의 사진이고, 도 3은 도 1의 A부분 확대도이고, 도 4는 도 1의 제1반도체층 코어의 사진이고, 도 5는 도 1의 발광 구조물의 사진이다.
도 1을 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자(100A)는 기판(110)상에 배치되는 도전성 베이스층(120)과, 도전성 베이스층(120) 상에 배치되고 복수 개의 제1홀(W1)을 포함하는 제1절연층(130), 및 제1홀(W1)을 통해 도전성 베이스층(120)과 전기적으로 연결되는 복수 개의 발광 구조물(140)을 포함한다.
기판(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼일 수 있다. 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도전성 베이스층(120)은 기판(110) 상에 형성되고 발광 구조물(140)의 성장면을 제공할 수 있다. 또한, 도전성 베이스층(120)은 도전성을 가져 제1전극(171)과 발광 구조물(140)을 전기적으로 연결할 수 있다.
도전성 베이스층(120)은 제1반도체 코어(141)와 동일한 조성일 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 도전성 베이스층(120)은 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
제1절연층(130)은 도전성 베이스층(120)상에 배치된다. 제1절연층(130)은 도전성 베이스층(120)과 발광 구조물(140)이 전기적으로 연결되는 복수 개의 제1홀(W)을 포함한다. 복수 개의 제1홀(W)은 마스크 패턴에 의해 형성될 수 있다. 제1절연층(130)은 SiO2 또는 SiNx와 같은 절연물질을 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
복수 개의 발광 구조물(140)은 제1홀(W)을 통해 도전성 베이스층(120)과 전기적으로 연결되는 제1반도체 코어(141), 제1반도체 코어(141)상에 형성되는 활성층(142), 활성층(142) 상에 형성되는 제2반도체층(143)을 포함할 수 있다.
발광 구조물(140)은 기판(110)상에 실질적으로 수직한 방향으로 성장하며, 나노 사이즈의 크기를 가질 수 있다. 발광 구조물(140)에서 방출된 광은 기판(110) 방향 및/또는 반대 방향으로 방출될 수 있다.
제1반도체 코어(141)는 제1홀(W)에 의해 노출된 도전성 베이스층(120)의 표면에서 성장할 수 있다. 제1반도체 코어(141)는 나노 로드일 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
제1반도체 코어(141)는 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체일 수 있으며, 제1반도체 코어(141)에 제1도펀트가 도핑될 수 있다.
제1반도체 코어(141)는 Inx1Aly1Ga1 -x1- y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 제1도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1반도체 코어(141)는 n형 반도체일 수 있다.
도 2를 참고하면, 뾰족한 코어에 성장한 활성층은 상부 영역(A)이 일부 무너지는 문제가 발생할 수 있다. 무너진 영역은 제1누설전류 경로를 형성한다. 또한, nGaN과 pGaN의 사이(B)에 존재하는 전위(dislocation)는 제2누설전류 경로를 형성한다.
도 3을 참고하면, 실시 예에 따른 제1반도체 코어(141)는 상부에 형성되는 제1평탄면(141a)을 포함할 수 있다. 제1반도체 코어(141)의 상부를 평탄하게 제어하는 방법은 다양할 수 있다. 일 예로, 질소 분위기에서 성장시켜 상부를 평탄하게 제어할 수도 있고, 기계적인 레벨링에 의해 제어할 수도 있다.
활성층(142)은 제1반도체 코어(141)상에 배치된다. 따라서, 활성층(142)은 제1반도체 코어(141)의 제1평탄면(141a)상에 형성되는 제2평탄면(142a)을 포함한다. 따라서, 활성층(142)이 제1반도체 코어(141)에 의해 충분히 지지되어 활성층(142)이 무너지는 문제를 개선할 수 있다.
활성층(142)은 제1반도체 코어(141)를 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2반도체층(143)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(142)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 본 실시 예에서 발광 파장에는 제한이 없다.
활성층(142)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(142)의 구조는 이에 한정하지 않는다.
활성층(142)은 복수 개의 우물층 및 장벽층이 교대로 배치되는 구조를 가질 수 있다. 우물층과 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있고, 장벽층의 에너지 밴드갭은 우물층의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.
제2반도체층(143)은 활성층(142)상에 배치된다. 제2반도체층(143)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2반도체층(143)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다.
제2반도체층(143)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2반도체층(143)은 p형 반도체일 수 있다.
활성층(142)과 제2반도체층(143) 사이에는 전자 차단층(EBL)이 배치될 수 있다. 전자 차단층은 Inx1Aly1Ga1 -x1- y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
제2반도체층(143) 상에는 제2절연층(150)이 배치될 수 있다. 제2절연층(150)은 제1누설전류 경로 및/또는 제2누설전류 경로를 차단할 수 있다. 제2절연층(150)의 높이(h2)는 제2반도체층(143)의 높이(h1)의 1/5 내지 1/2까지 형성될 수 있다. 제2절연층(150)의 높이(h2)가 제2반도체층(143)의 1/5 미만으로 형성된 경우 누설전류 경로를 효과적으로 차단하지 못할 수 있다. 또한, 제2절연층(150)의 높이(h2)가 제2반도체층(143)의 1/2를 초과하여 형성된 경우 발광면적이 과도하게 축소되는 문제가 있다.
도전층(160)은 발광 구조물(140)상에 배치된다. 도전층(160)은 제2전극(172)과 제2반도체층(143)을 전기적을 연결할 수 있다. 또한, 제1전극(171)은 일부 노출된 도전성 베이스층(120)상에 배치되어 제1반도체 코어(141)와 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 구조물(140)은 다양한 형상이 모두 적용될 수 있다. 성장 조건에 따라 피라미드 형상, 나노 로드 형상, 및 상단이 평평한 형상을 모두 포함할 수 있다. 도 4를 참고하면 제1반도체 코어(141)의 상부에 제1평탄면(141a)이 형성되어도, 도 5와 같이 최종 발광 구조물(140)은 피라미드 형상을 가질 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자의 개념도다.
도 6을 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자(100B)는 도전성 베이스층(120)과, 도전성 베이스층(120) 상에 배치되고 복수 개의 제1홀(W1)을 포함하는 제1절연층(130), 및 제1홀(W1)을 통해 도전성 베이스층(120)과 연결되는 복수 개의 발광 구조물(140)을 포함한다.
발광 구조물(140)은 도전성 베이스층(120)과 전기적으로 연결되는 제1반도체 코어(141)와, 제1반도체 코어(141)상에 배치되는 활성층(142), 및 활성층(142)상에 배치되는 제2반도체층(143)을 포함한다. 본 실시 예에서는 제1반도체 코어(141)의 상부(141b)를 제외하고는 전술한 구성이 그대로 적용될 수 있다. 즉, 도전성 베이스층(120), 제1절연층(130), 제2절연층(150), 및 발광구조물의 일반적인 구조는 전술한 구성이 그대로 적용될 수 있다.
실시 예에 따른 제1반도체 코어(141)의 상부(141b)는 도전성 베이스층(120)과 도핑 농도가 상이하게 제어될 수 있다. 일 예로, 제1반도체 코어(141)의 상부(141b)는 도핑되지 않은 u-GaN층을 포함할 수 있다.
이러한 구성에 의하면, 발광 구조물(140)의 상부가 무너져도 u-GaN층에 의해 제1반도체 코어(141)의 도전 부분과 제2반도체층(143)이 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 즉, 제1반도체 코어(141)의 상부(141b)가 전류누설 경로를 차단할 수 있다. 상부(141b)가 시작되는 높이는 제2반도체층(143)의 1/5 내지 1/2 지점일 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 보여주는 순서도이다.
실시 예에 따른 발광소자 제조방법은, 도전성 베이스층(120) 상에 복수 개의 제1홀(W1)을 갖는 제1절연층(130)을 형성하는 단계, 및 제1홀(W1) 상에 제1반도체 코어(141), 활성층(142), 및 제2반도체층(143)을 포함하는 발광 구조물(140)을 성장시키는 단계를 포함한다.
도 7a를 참고하면, 기판(110) 상에 도전형 도전성 베이스층(120)을 형성한다. 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도전성 베이스층(120)은 제1반도체 코어(141)와 동일한 조성일 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 도전성 베이스층(120)은 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
도 7b를 참고하면, 도전성 베이스층(120) 상에 복수 개의 제1홀(W1)을 갖는 제1절연층(130)을 형성한다. 제1절연층(130)은 SiO2, Si3N4, Al2O3, ZrSiO4, HfSiO4, ZrO2, HfO2, La2O3, Ta2O5, TiO2의 다양한 절연 재질이 선택될 수 있고, 제1홀(W1)은 0.5㎛ 이상 3㎛이하의 폭으로 제작할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
도 7c를 참고하면, 제1절연층(130) 상에 복수 개의 발광 구조물(140)은 성장시킨다. 발광 구조물(140)의 성장 방법은 기존의 반도체 성장 방법이 모두 적용될 수 있다. 예시적으로, MOCVD, HVPE, ALD, PECVD, LPCVD, APCVD 등의 CVD 공정이 모두 적용될 수 있다.
제1반도체 코어(141)는 도전성 베이스층(120)의 표면에서 성장시킬 수 있다. 이때, 제1반도체 코어(141)는 질소 분위기에서 성장시켜 제1반도체 코어(141)의 상부가 제1평탄면(141a)을 갖도록 성장시킬 수 있다. 수소 및 질소 분위기에서 성장시키는 경우 상부가 뾰족한 구조를 만들 수 있으며, 질소 분위기에서 성장시키는 경우 상부가 평탄한 에피 구조를 제작할 수 있다.
이후, 활성층(142)과 제2반도체층(143)을 순차적으로 성장시킬 수 있다. 활성층(142)은 제1반도체 코어(141)의 외면을 따라 성장할 수 있다. 따라서, 활성층은 제2평탄면(142)를 갖는다. 제2반도체층(143) 성장시에는 수소 및 질소분위기에서 성장시켜 끝단을 뾰족하게 제어할 수 있다.
도 7d를 참고하면, 발광 구조물(140) 및 제1절연층(130) 상에 제2절연층(150)을 형성할 수 있다. 제2절연층(150)의 높이는 제2반도체층(143)의 1/5 내지 1/2까지 형성할 수 있다.
도 7e를 참고하면, 발광 구조물(140)을 커버하는 도전층(160)을 형성하고, 제1전극(171) 및 제2전극(172)을 형성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 보여주는 순서도이다.
실시 예에 따른 발광소자 제조방법은, 도전성 베이스층(120) 상에 복수 개의 제1홀을 갖는 제1절연층(130)을 형성하는 단계, 및 제1홀 상에 제1반도체 코어(141), 활성층(142), 및 제2반도체층(143)을 포함하는 발광 구조물(140)을 성장시키는 단계를 포함하는 점에서 전술한 프로세스가 그대로 적용될 수 있다. 이하에서는 특징적인 부분을 중심으로 설명한다.
도 8b를 참고하면, 제1반도체 코어(141)는 도전성 베이스층(120)의 표면에서 성장시킬 수 있다. 이때, 제1반도체 코어(141)는 상부(141b)에서 도핑 원소 공급을 차단하여 성장시킬 수 있다. 따라서, 제1반도체 코어(141)의 상부(141b)는 u-GaN층을 포함할 수 있다. 그러나, 성장 조건에 따라 미량의 도핑 원소가 도핑될 수도 있다.
이후, 도 8c과 같이 활성층(142)과 제2반도체층(143)을 순차적으로 성장시킬 수 있다. 활성층(142)은 제1반도체 코어(141)의 외면을 따라 성장할 수 있다. 이러한 구조에 의하면 발광 구조물의 상부가 무너져도 u-GaN층에 의해 제1반도체 코어(141)와 제2반도체층(143)이 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 즉, u-GaN층이 전류누설 경로를 차단할 수 있다.
실시 예의 발광 소자는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광 소자는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.
이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다.
그리고, 조명 장치는 기판(110)과 실시 예의 발광 소자를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명 실시 예는 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명 실시 예가 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
110: 기판
120: 도전성 베이스층
130: 제1절연층
140: 발광 구조물
141: 제1반도체 코어
142: 활성층
143: 제2반도체층

Claims (9)

  1. 발광소자에 있어서,
    도전성 베이스층;
    상기 도전성 베이스층 상에 배치되고 복수 개의 제1홀을 포함하는 제1절연층;
    상기 제1홀을 통해 상기 도전성 베이스층과 전기적으로 연결되는 제1반도체 코어와, 상기 제1반도체 코어상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층을 포함하는 복수 개의 발광 구조물; 및
    상기 제2반도체층의 측면에 배치된 제2절연층
    을 포함하고,
    상기 제2절연층은 상기 제2반도체층의 높이의 1/5 내지 1/2까지 배치되고,
    상기 제1반도체 코어의 상부의 도핑 농도는, 상기 도전성 베이스층의 도핑 농도와 상이한 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 활성층은 상기 제1평탄면상에 배치되는 제2평탄면을 포함하는 발광소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2반도체층의 상부는 상기 제1반도체 코어 및 활성층의 상부보다 뾰족한 발광소자.
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  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
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  9. 삭제
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