KR102353850B1 - 발광소자 - Google Patents

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Abstract

실시 예는 제1반도체층; 상기 제1반도체층상에 배치되는 활성층; 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층; 및 상기 제2반도체층상에 배치되고, 복수 개의 저굴절층 및 상기 복수 개의 저굴절층 사이에 배치되는 적어도 하나의 고굴절층을 포함하는 광추출층을 포함하는 발광소자를 개시한다.

Description

발광소자{Light Emitting Device}
실시 예는 발광소자에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
GaN 계열의 발광소자는 광 경로상에 큰 흡수율(Absorptance)을 갖는 박막이 다수 배치되어 외부 양자 효율(EQE)이 저하되는 문제가 있다. 또한, 전류밀도가 높아질수록 발광 효율이 떨어지는 드루프 현상(Efficiency Droop)이 발생하는 문제가 있다.
실시 예는 외부 양자 효율 및 드루프 현상이 개선된 발광소자를 제공한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자는 제1반도체층; 상기 제1반도체층상에 배치되는 활성층; 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층; 및 상기 제2반도체층상에 배치되고, 복수 개의 저굴절층 및 상기 복수 개의 저굴절층 사이에 배치되는 적어도 하나의 고굴절층을 포함하는 광추출층을 포함한다.
상기 저굴절층 중에서 상기 제2반도체층과 가장 인접한 제1저굴절층의 두께는 나머지 저굴절층의 두께보다 작을 수 있다.
상기 제1저굴절층의 두께는 나머지 저굴절층 두께의 1/8 내지 1/12을 만족할 수 있다.
상기 제1저굴절층의 두께는 5.75nm의 90%이상 110%이하이고, 나머지 저굴절층의 두께는 50.03nm의 90%이상 110%이하일 수 있다.
상기 고굴절층의 굴절률은 2.42의 90%이상 110%이하이고, 상기 저굴절층의 굴절률은 2.31의 90%이상 110%이하일 수 있다.
상기 고굴절층은 GaN을 포함하고, 상기 저굴절층은 AlGaN을 포함할 수 있다.
상기 저굴절층은 15%이상 20%이하의 Al을 포함할 수 있다.
상기 저굴절층 및 고굴절층은 p형 도펀트를 포함할 수 있다.
상기 p형 도펀트의 농도는 1×1019cm- 1이상 1×1021cm- 1이하일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광소자는 제1반도체층; 상기 제1반도체층상에 배치되는 활성층; 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층; 및 상기 활성층과 제2반도체층 사이에 배치되고, 복수 개의 저굴절층 및 상기 복수 개의 저굴절층 사이에 배치되는 적어도 하나의 고굴절층을 포함하는 광추출층을 포함한다.
실시 예에 따르면, 외부 양자 효율 및 드루프 현상이 개선된 발광소자를 제조할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이고,
도 2는 도 1의 광추출층의 굴절률을 보여주는 그래프이고,
도 3은 도 1의 광추출층에 입사된 광이 반사되는 과정을 설명하기 위한 개념도이고,
도 4는 도 1의 광추출층에 의해 발광 스펙트럼의 반치폭이 감소한 그래프이고,
도 5는 GaN 반도체층의 두께에 따른 광 투과율을 측정한 그래프이고,
도 6은 GaN 반도체층의 두께에 따른 광 투과율을 측정한 표이고,
도 7은 도 1의 광추출층에 의한 광 투과율을 보여주는 그래프이고,
도 8은 도 1의 광추출층이 전자 차단층과 제2반도체층 사이에 배치된 변형예이고,
도 9는 도 1의 광추출층이 제2반도체층 중간에 배치된 변형예이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자는, 제1반도체층(130), 제1반도체층(130)상에 배치되는 활성층(140), 활성층(140)상에 배치되는 제2반도체층(160), 및 제2반도체층(160)상에 배치되는 광추출층(170)을 포함한다.
기판(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼일 수 있다. 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 필요에 따라 기판(110)은 제거될 수 있다.
제1반도체층(130)과 기판(110) 사이에는 버퍼층(120)이 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 기판(110) 상에 구비된 발광 구조물과 기판(110)의 격자 부정합을 완화할 수 있다.
버퍼층(120)은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(120)에는 도펀트가 도핑될 수도 있으나, 이에 한정하지 않는다.
버퍼층(120)은 기판(110) 상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층(120)은 버퍼층(120)상에 성장하는 제1반도체층(130)의 결정성을 향상시킬 수 있다.
기판(110) 상에 구비되는 발광 구조물은 제1반도체층(130), 활성층(140), 및 제2반도체층(160)을 포함한다. 일반적으로 상기와 같은 발광 구조물은 기판(110)을 절단하여 복수 개로 분리될 수 있다.
제1반도체층(130)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체일 수 있으며, 제1반도체층(130)에 제1도펀트가 도핑될 수 있다. 제1반도체층(130)은 Inx1Aly1Ga1 -x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제1도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1반도체층(130)은 n형 반도체층일 수 있다.
활성층(140)은 제1반도체층(130)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)과 제2반도체층(160)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(140)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 본 실시 예에서 발광 파장에는 제한이 없다.
활성층(140)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(140)의 구조는 이에 한정하지 않는다.
활성층(140)은 복수 개의 우물층(141) 및 장벽층(142)이 교대로 배치되는 구조를 가질 수 있다. 우물층(141)과 장벽층(142)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있고, 장벽층(142)의 에너지 밴드갭은 우물층(141)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.
제2반도체층(160)은 활성층(140) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2반도체층(160)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다. 제2반도체층(160)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2반도체층(160)은 p형 반도체층일 수 있다.
활성층(140)과 제2반도체층(160) 사이에는 전자 차단층(EBL, 150)이 배치될 수 있다. 전자 차단층(150)은 제1반도체층(130)에서 공급된 전자가 제2반도체층(160)으로 빠져나가는 흐름을 차단하여, 활성층(140) 내에서 전자와 정공이 재결합할 확률을 높일 수 있다. 전자 차단층(150)의 에너지 밴드갭은 활성층(140) 및/또는 제2반도체층(160)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.
전자 차단층(150)은 Inx1Aly1Ga1 -x1- y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
제1전극(180)은 일부가 노출된 제1반도체층(130)상에 형성될 수 있다. 또한, 제2반도체층(160)상에는 제2전극(190)이 형성될 수 있다. 제1전극(180)과 제2전극(190)은 다양한 금속 및 투명전극이 모두 적용될 수 있다. 제1전극(170)과 제2전극(190)은 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 필요에 따라 오믹 전극층을 더 포함할 수 있다.
제2반도체층(160)과 제2전극(190) 사이에는 광추출층(170)이 배치될 수 있다. 광추출층(170)은 복수 개의 저굴절층(171) 및 그 사이에 배치되는 적어도 하나의 고굴절층(172)을 포함할 수 있다. 광추출층(170)은 제2반도체층(160)의 두께를 줄여 광 추출 효율을 상승시킬 수 있다. 또한, 활성층에서 생성된 광의 파장을 시프트시켜 발광 스펙트럼의 반치폭(FWHM)을 감소시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 광추출층의 굴절률을 보여주는 그래프이고, 도 3은 도 1의 광추출층에 입사된 광이 반사되는 과정을 설명하기 위한 개념도이고, 도 4는 도 1의 광추출층에 의해 발광 스펙트럼의 반치폭이 감소한 그래프이다.
도 2를 참고하면, 복수 개의 저굴절층(171)은 Aly1Ga1 -x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있다. 저굴절층(171)의 굴절률은 2.31의 90%이상 110%이하일수 있다.
저굴절층(171)은 전류 차단층(150) 또는 장벽층(142)과 동일한 조성일 수도 있다. 저굴절층(171)은 AlGaN을 포함할 수 있다. Al의 함량은 15% 내지 20%일 수 있다. Al의 함량이 15% 내지 20%인 경우 GaN 반도체층의 금속성(metallic)을 상승시키고 굴절률을 2.08 내지 2.54로 조절할 수 있다.
저굴절층(171)의 두께는 50.03nm의 90%이상 110%이하일 수 있다. 이때, 저굴절층(171) 중에서 제2반도체층(160)과 가장 인접한 층(171a, 이하 광입사층)의 두께는 나머지 저굴절층(171)의 두께보다 작을 수 있다. 광입사층(171a)의 두께가 나머지 저굴절층(171) 두께의 1/8 내지 1/12인 경우 광추출층(170)으로 입사되는 광량이 증가할 수 있다. 광입사층(171a)의 두께는 5.75nm의 90%이상 110%이하일 수 있다.
고굴절층(172)은 한 쌍의 저굴절층(171) 사이에 배치될 수 있다. 고굴절층(172)의 굴절률은 2.42의 90%이상 110%이하일 수 있다. 따라서, 실시 예의 광추출층(170)은 한 쌍의 저굴절층(171) 사이에 고굴절층(172)이 배치된 다층 구조(173)를 복수 개 포함할 수 있다.
고굴절층(172)의 두께는 저굴절층(171)의 두께보다 작을 수 있다. 고굴절층(172)의 두께는 42.00nm의 90%이상 110%이하일 수 있다.
고굴절층(172)은 제2반도체층(160)과 동일한 조성의 반도체층일 수 있다. 제2반도체층(160)이 p형 반도체층인 경우 고굴절층(172)은 p형 반도체층일 수 있다. 광추출층(170)은 p형 반도체층(160)과 같이 정공 주입층으로 기능할 수 있으므로 상대적으로 p형 반도체층의 두께를 감소시킬 수 있다. 저굴절층(171)과 고굴절층(172)에는 p형 도펀트가 도핑될 수도 있다. P형 도펀트의 농도는 1×1019cm- 1이상 1×1021cm- 1이하일 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
전술한 바와 같이 저굴절층(171)의 굴절률은 약 2.31일 수 있고, 고굴절층(172)의 굴절률은 약 2.42일 수 있다. 한 쌍의 저굴절층(171)은 상대적으로 금속성(Metallic)이 강해 미러(mirror) 역할을 수행할 수 있고, 그 사이에 배치되는 고굴절층(172)은 상대적으로 캐비티(Cavity)역할을 수행할 수 있다.
도 3을 참고하면, 구체적으로 광입사층(171a)으로 입사된 광 중 일부(L1)는 한 쌍의 저굴절층(171) 사이에서 전반사를 반복할 수 있다. 입사된 광(L1)은 전반사를 반복하면서 주파장대로 시프트되어 증폭될 수도 있다. 반사광은 반사되는 각도에 의해 파장이 시프트될 수 있다. 또는, 반사된 광들의 보강 간섭에 의해 주파장대의 광이 증폭될 수도 있다.
이러한 구조는 한 쌍의 미러가 이격 배치되는 FPI(Fabry-Perot Interferometer) 구조와 유사할 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 굴절률과 고굴절층(172)의 두께는 하기 관계식1을 만족하도록 조절할 수 있다.
[관계식 1]
Figure 112015063522794-pat00001
여기서, n은 고굴절층의 굴절률이고, d는 고굴절층의 두께이고, cos θ는 광의 입사각이고, m은 정수(integer termed the order of interference)이고, λ은 활성층에서 방출되는 빛의 파장이다.
광추출층(170)내에 다층 구조(173)가 복수 개인 경우 이러한 반사 메커니즘(R)은 복수 회 반복될 수 있다. 따라서, 다층 구조(173)를 통과하는 경우 주파장대의 광은 증폭되어 발광 스펙트럼의 반치폭(FWHM)이 더욱 좁아질 수 있다. 따라서, 도 4와 같이 종래 발광 스펙트럼(λ1)에 비해 실시 예에 따른 발광 스펙트럼(λ2)은 피크 강도가 상승하고, 반치폭은 좁아질 수 있다.
도 5는 GaN 반도체층의 두께에 따른 광 투과율을 측정한 그래프이고, 도 6은 GaN 반도체층의 두께에 따른 광 투과율을 측정한 표이고, 도 7은 도 1의 광추출층에 의한 광 투과율을 보여주는 그래프이다.
도 5 및 도 6을 참고하면, GaN 반도체층의 광 투과율은 두께가 감소할수록 증가하고, 약 165㎛의 두께에서 약 68.5%의 광 투과율을 보임을 알 수 있다. GaN의 두께를 더 얇게 하여도 광 투과율은 크게 상승하지 않음을 알 수 있다. 따라서, GaN 반도체층의 두께가 두꺼워질수록 광 추출 효율(Extraction efficiency)은 떨어짐을 알 수 있다.
이에 반해, 도 7을 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자는 450nm의 주 파장대에서 광 투과율이 약 98%임을 알 수 있다. 이는 광추출층에 의해 광 추출 효율이 향상되고, 상대적으로 p-GaN 반도체층의 두께가 감소하였기 때문이다. 따라서, 광추출층(170)에 의해 발광소자의 외부 양자 효율이 향상됨을 확인할 수 있다.
도 8은 도 1의 광추출층이 전자 차단층과 제2반도체층 사이에 배치된 변형예이고, 도 9는 도 1의 광추출층이 제2반도체층 중간에 배치된 변형예이다.
도 8을 참고하면, 광추출층(170)은 제2반도체층(160)과 전자 차단층(150) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 광추출층(170)은 제2반도체층(160)과 활성층(140) 사이에 배치될 수 있다.
도 9를 참고하면, 광추출층(170)은 제2반도체층(160)의 중간에 배치될 수도 있다. 또한, 광추출층(170)이 제2반도체층(160)을 대체할 수도 있다.
즉, 광추출층(170)은 제2반도체층(160)과 동일하게 정공 주입층의 역할을 수행하므로 제2반도체층(160)의 어디에 배치되어도 외부 양자 효율 및/또는 증폭 효율을 가질 수 있다.
실시 예의 발광 소자는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광 소자는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.
이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다.
그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명 실시 예는 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명 실시 예가 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
110: 기판
130: 제1반도체층
140: 활성층
160: 제2반도체층
170: 광추출층
171: 저굴절층
172: 고굴절층

Claims (10)

  1. 제1반도체층;
    상기 제1반도체층 상에 배치되는 활성층;
    상기 활성층 상에 배치되는 제2반도체층; 및
    상기 제2반도체층 상에 배치되고, 복수 개의 저굴절층 및 상기 복수 개의 저굴절층 사이에 배치되는 적어도 하나의 고굴절층을 포함하는 광추출층을 포함하고,
    상기 저굴절층 중에서 상기 제2반도체층과 가장 인접한 제1저굴절층의 두께는 나머지 저굴절층 두께의 1/8 내지 1/12인 발광소자.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1저굴절층의 두께는 5.75nm의 90%이상 110%이하이고, 나머지 저굴절층의 두께는 50.03nm의 90%이상 110%이하인 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고굴절층의 굴절률은 2.42의 90%이상 110%이하이고, 상기 저굴절층의 굴절률은 2.31의 90%이상 110%이하이고,
    상기 저굴절층 및 고굴절층은 p형 도펀트를 포함하는 발광소자.
  5. 제1반도체층;
    상기 제1반도체층 상에 배치되는 활성층;
    상기 활성층 상에 배치되는 제2반도체층; 및
    상기 활성층과 제2반도체층 사이에 배치되고, 복수 개의 저굴절층 및 상기 복수 개의 저굴절층 사이에 배치되는 적어도 하나의 고굴절층을 포함하는 광추출층을 포함하고,
    상기 저굴절층 중에서 상기 제2반도체층과 가장 인접한 제1저굴절층의 두께는 나머지 저굴절층 두께의 1/8 내지 1/12인 발광소자.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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