JPH0745613A - 銅配線層構造体の保護膜形成方法 - Google Patents
銅配線層構造体の保護膜形成方法Info
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- JPH0745613A JPH0745613A JP18645893A JP18645893A JPH0745613A JP H0745613 A JPH0745613 A JP H0745613A JP 18645893 A JP18645893 A JP 18645893A JP 18645893 A JP18645893 A JP 18645893A JP H0745613 A JPH0745613 A JP H0745613A
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- wiring layer
- layer
- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程の低減化を図り、また保護膜の表面
に凹凸がなく、膜厚の均一みも優れた銅配線層構造体の
保護膜を形成する。 【構成】 バリヤメタル層１４ａ上に銅配線層１６ａを
積層して銅配線層用予備構造体１７を形成する。また、
銅配線用予備構造体の露出面をタングステン含有ＶＩ族
ガスと水素ガスとの混合ガスを用いたＣＶＤ法により、
銅配線層予備構造体の保護膜としてタングステン層１８
を形成する。このようにして、バリヤメタル層、銅配線
層及びタングステン層から成る銅配線層構造体１９が形
成される。
に凹凸がなく、膜厚の均一みも優れた銅配線層構造体の
保護膜を形成する。 【構成】 バリヤメタル層１４ａ上に銅配線層１６ａを
積層して銅配線層用予備構造体１７を形成する。また、
銅配線用予備構造体の露出面をタングステン含有ＶＩ族
ガスと水素ガスとの混合ガスを用いたＣＶＤ法により、
銅配線層予備構造体の保護膜としてタングステン層１８
を形成する。このようにして、バリヤメタル層、銅配線
層及びタングステン層から成る銅配線層構造体１９が形
成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子の配線層
構造体、特に、銅配線層構造体の保護膜の形成方法に関
するものである。
構造体、特に、銅配線層構造体の保護膜の形成方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の微細化に伴い、配線
層としてアルミニウム配線が一般に用いられていた。し
かし、このアルミニウム配線は、ストレスマイグレーシ
ョンが発生しやすく、配線の断線原因となるという問題
がある。このため、近年、耐ストレスマイグレーション
性を有し、かつアルミニウムよりも電気抵抗の小さい銅
配線が注目されている。しかし、この銅配線は、酸化反
応を起こしやすく、この酸化反応によって抵抗も高くな
るという欠点を備えている。この問題を解決するための
一例として、銅配線層を保護膜によって覆う方法が、例
えば文献Ｉに開示されている（文献Ｉ：「Ｅｎｃａｐｓ
ｕｌａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｃｔ
ｉｏｎ Ｄｉｖｉｃｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ｓｉｄｅｗａｌ
ｌ Ｂａｒｒｉｅｒｓ」、Ｄ．Ｓ．Ｇａｒｄｎｅｒ、Ｊ
ｉｎ Ｏｎｕｋｉ、Ｋａｚｕｅ Ｋｕｄｏｏ ａｎｄ
Ｙｕｔａｋａ Ｍｉｓａｗａ、Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＶＭＩ
Ｃ、１９９１、Ｐ．Ｐ９９〜１０８）。
層としてアルミニウム配線が一般に用いられていた。し
かし、このアルミニウム配線は、ストレスマイグレーシ
ョンが発生しやすく、配線の断線原因となるという問題
がある。このため、近年、耐ストレスマイグレーション
性を有し、かつアルミニウムよりも電気抵抗の小さい銅
配線が注目されている。しかし、この銅配線は、酸化反
応を起こしやすく、この酸化反応によって抵抗も高くな
るという欠点を備えている。この問題を解決するための
一例として、銅配線層を保護膜によって覆う方法が、例
えば文献Ｉに開示されている（文献Ｉ：「Ｅｎｃａｐｓ
ｕｌａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｃｔ
ｉｏｎ Ｄｉｖｉｃｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ｓｉｄｅｗａｌ
ｌ Ｂａｒｒｉｅｒｓ」、Ｄ．Ｓ．Ｇａｒｄｎｅｒ、Ｊ
ｉｎ Ｏｎｕｋｉ、Ｋａｚｕｅ Ｋｕｄｏｏ ａｎｄ
Ｙｕｔａｋａ Ｍｉｓａｗａ、Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＶＭＩ
Ｃ、１９９１、Ｐ．Ｐ９９〜１０８）。
【０００３】以下、文献Ｉに開示されている銅配線層の
形成方法につき、図３の（Ａ）、（Ｂ）及び図４の
（Ａ）、（Ｂ）を参照して簡単に説明する。
形成方法につき、図３の（Ａ）、（Ｂ）及び図４の
（Ａ）、（Ｂ）を参照して簡単に説明する。
【０００４】先ず、シリコン基板２０上に層間絶縁膜２
２、下部バリヤメタル層２４、銅配線層２６及び上部バ
リヤメタル層２８を順次積層させてある。その後、上部
バリヤメタル層２８上にレジストパターン３０ａ及び３
０ｂを形成する（図３の（Ａ））。
２、下部バリヤメタル層２４、銅配線層２６及び上部バ
リヤメタル層２８を順次積層させてある。その後、上部
バリヤメタル層２８上にレジストパターン３０ａ及び３
０ｂを形成する（図３の（Ａ））。
【０００５】次に、異方性エッチングを行って下部バリ
ヤメタル層２４ａ及び２４ｂ、銅配線層２６ａ及び２６
ｂ、上部バリヤメタル層２８ａ及び２８ｂをそれぞれ残
存させて図３の（Ｂ）の構造体を得る。
ヤメタル層２４ａ及び２４ｂ、銅配線層２６ａ及び２６
ｂ、上部バリヤメタル層２８ａ及び２８ｂをそれぞれ残
存させて図３の（Ｂ）の構造体を得る。
【０００６】次に、サイドウォールを形成するため、図
３の（Ｂ）の構造体の上面をバリヤメタル層３２で覆
う。この方法として、例えばスパッタリング法等を用い
る（図４の（Ａ））。
３の（Ｂ）の構造体の上面をバリヤメタル層３２で覆
う。この方法として、例えばスパッタリング法等を用い
る（図４の（Ａ））。
【０００７】続いて、全面エッチングによって図４の
（Ａ）の構造体をエッチングし、銅配線層２６ａ、２６
ｂ及び下部バリヤメタル層２４ａ、２４ｂ、及び上部バ
リヤメタル層２８ａ、２８ｂの側面にバリヤメタル層
（サイドウォールともいう。）３２ａ、３２ｂ、３２ｃ
及び３２ｄを残存させる（図４の（Ｂ））。
（Ａ）の構造体をエッチングし、銅配線層２６ａ、２６
ｂ及び下部バリヤメタル層２４ａ、２４ｂ、及び上部バ
リヤメタル層２８ａ、２８ｂの側面にバリヤメタル層
（サイドウォールともいう。）３２ａ、３２ｂ、３２ｃ
及び３２ｄを残存させる（図４の（Ｂ））。
【０００８】上述した方法を用いて銅配線層の酸化を防
止するための保護膜が形成される。
止するための保護膜が形成される。
【０００９】このような方法で形成された銅配線層は、
抵抗が低く、かつストレスマイグレーションの耐性にも
優れていると報告されている。
抵抗が低く、かつストレスマイグレーションの耐性にも
優れていると報告されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たスパッタリング法を用いて銅配線層の保護膜を形成し
た場合、銅配線層の部分ばかりでなく、層間絶縁膜上に
も保護膜が形成されてしまう。従って、後工程で層間絶
縁膜上にある保護膜をエッチング除去し、層間絶縁膜を
露出させる必要がある。このため、製造工程が増えるこ
とになり、コストアップにつながる。また、スパッタリ
ング法を用いた場合、垂直方向や斜め方向から角度を変
えてスパッタを行って保護膜を形成するため、保護膜の
膜厚が不均一になるという問題もある。
たスパッタリング法を用いて銅配線層の保護膜を形成し
た場合、銅配線層の部分ばかりでなく、層間絶縁膜上に
も保護膜が形成されてしまう。従って、後工程で層間絶
縁膜上にある保護膜をエッチング除去し、層間絶縁膜を
露出させる必要がある。このため、製造工程が増えるこ
とになり、コストアップにつながる。また、スパッタリ
ング法を用いた場合、垂直方向や斜め方向から角度を変
えてスパッタを行って保護膜を形成するため、保護膜の
膜厚が不均一になるという問題もある。
【００１１】この発明は、上述した問題点に鑑み行われ
たものであり、従って、この発明の目的は、製造工程数
が低減でき、また、保護膜の膜厚が均一になる銅配線層
構造体の保護膜を形成する方法を提供することにある。
たものであり、従って、この発明の目的は、製造工程数
が低減でき、また、保護膜の膜厚が均一になる銅配線層
構造体の保護膜を形成する方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の銅配線層構造体の保護膜形成方法では、
下地上に、第１絶縁膜とバリヤメタル層と銅配線層と保
護膜とを順次に積層して成る銅配線層構造体の保護膜を
形成するに当たり、（ａ）前記バリヤメタル層上に銅配
線層を積層して銅配線層用予備構造体を形成する工程
と、（ｂ）前記銅配線層用予備構造体の露出面に、ＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）法により、前記保護膜として金属
層を選択的に成膜する工程とを含むことを特徴とする。
め、この発明の銅配線層構造体の保護膜形成方法では、
下地上に、第１絶縁膜とバリヤメタル層と銅配線層と保
護膜とを順次に積層して成る銅配線層構造体の保護膜を
形成するに当たり、（ａ）前記バリヤメタル層上に銅配
線層を積層して銅配線層用予備構造体を形成する工程
と、（ｂ）前記銅配線層用予備構造体の露出面に、ＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）法により、前記保護膜として金属
層を選択的に成膜する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、（ｂ）に記載の金属層を、タングステン（Ｗ）層と
するのが良い。
は、（ｂ）に記載の金属層を、タングステン（Ｗ）層と
するのが良い。
【００１４】
【作用】上述したこの発明の銅配線層構造体の保護膜形
成方法によれば、下地上に第１絶縁膜とバリヤメタル層
と銅配線層とを順次積層させ、このバリヤメタル層と銅
配線層とで銅配線層用予備構造体を形成する。このよう
にして形成された銅配線層用予備構造体には、銅配線層
上に従来のような上部バリヤメタル層を積層して設ける
必要がなくなる。従って、製造工程の低減を図ることが
できる。
成方法によれば、下地上に第１絶縁膜とバリヤメタル層
と銅配線層とを順次積層させ、このバリヤメタル層と銅
配線層とで銅配線層用予備構造体を形成する。このよう
にして形成された銅配線層用予備構造体には、銅配線層
上に従来のような上部バリヤメタル層を積層して設ける
必要がなくなる。従って、製造工程の低減を図ることが
できる。
【００１５】また、銅配線層用予備構造体の露出面に、
ＣＶＤ法により、保護膜として金属層を形成する。この
金属層をタングステン層で形成するのが良い。このと
き、第１絶縁膜の表面には、タングステン層が形成され
ず、銅配線層用予備構造体にのみ選択的にタングステン
層を形成させることができる。従って、従来のように第
１絶縁膜上の保護膜部分をエッチングによって除去する
必要がなくなり、製造工程の低減を図ることができる。
また、ＣＶＤ法でタングステン層を形成するため、従来
のスパッタリング法に比べ、銅配線層用予備構造体の上
面と側面のそれぞれの膜厚は均一になる。従って、半導
体素子の隣接配線間が狭くても、銅配線予備構造体に対
して十分な保護が可能になるため、半導体素子の微細化
を図ることができる。
ＣＶＤ法により、保護膜として金属層を形成する。この
金属層をタングステン層で形成するのが良い。このと
き、第１絶縁膜の表面には、タングステン層が形成され
ず、銅配線層用予備構造体にのみ選択的にタングステン
層を形成させることができる。従って、従来のように第
１絶縁膜上の保護膜部分をエッチングによって除去する
必要がなくなり、製造工程の低減を図ることができる。
また、ＣＶＤ法でタングステン層を形成するため、従来
のスパッタリング法に比べ、銅配線層用予備構造体の上
面と側面のそれぞれの膜厚は均一になる。従って、半導
体素子の隣接配線間が狭くても、銅配線予備構造体に対
して十分な保護が可能になるため、半導体素子の微細化
を図ることができる。
【００１６】
【実施例】以下、各図面を参照してこの発明の銅配線層
構造体の保護膜形成方法につき説明する。なお、各図
は、この発明が理解出来る程度に各構成成分の形状、配
置および寸法を概略的に示しているにすぎない。また、
以下に説明する実施例は単なる好適例にすぎず、従って
この発明の実施例のみに何ら限定されるものではないこ
とを理解されたい。
構造体の保護膜形成方法につき説明する。なお、各図
は、この発明が理解出来る程度に各構成成分の形状、配
置および寸法を概略的に示しているにすぎない。また、
以下に説明する実施例は単なる好適例にすぎず、従って
この発明の実施例のみに何ら限定されるものではないこ
とを理解されたい。
【００１７】図１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）と図２の
（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の実施例を説明するため
の製造工程図である。
（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の実施例を説明するため
の製造工程図である。
【００１８】先ず、下地１０としては、シリコン基板
（以下、基板と称する。）を用いる。この基板１０上に
第１絶縁膜１２を、例えば常圧ＣＶＤ法を用いて形成す
る（図１の（Ａ））。このとき形成された第１絶縁膜１
２を、例えばＳｉＯ2 膜とする。以下、ここでは、第１
絶縁膜のことをＳｉＯ2 膜と称する。
（以下、基板と称する。）を用いる。この基板１０上に
第１絶縁膜１２を、例えば常圧ＣＶＤ法を用いて形成す
る（図１の（Ａ））。このとき形成された第１絶縁膜１
２を、例えばＳｉＯ2 膜とする。以下、ここでは、第１
絶縁膜のことをＳｉＯ2 膜と称する。
【００１９】次に、ＳｉＯ2 膜１２上に、任意好適な方
法、例えばスパッタ法によって予備バリヤメタル層１４
を形成する。この予備バリヤメタル層１４を、例えばチ
タンナイトライド（ＴｉＮ）とし、予備バリヤメタル層
１４の膜厚を約５００Ａ°（Ａ°の記号は、オングスト
ロームを表す。）とする。その後、任意好適は方法、例
えばスパッタ法を用いて予備バリヤメタル層１４上に予
備銅配線層１６を形成する（図１の（Ｂ））。この発明
では、このとき形成される予備銅配線層１６の材料を、
銅（Ｃｕ）とし、膜厚を約７０００Ａ°とする。
法、例えばスパッタ法によって予備バリヤメタル層１４
を形成する。この予備バリヤメタル層１４を、例えばチ
タンナイトライド（ＴｉＮ）とし、予備バリヤメタル層
１４の膜厚を約５００Ａ°（Ａ°の記号は、オングスト
ロームを表す。）とする。その後、任意好適は方法、例
えばスパッタ法を用いて予備バリヤメタル層１４上に予
備銅配線層１６を形成する（図１の（Ｂ））。この発明
では、このとき形成される予備銅配線層１６の材料を、
銅（Ｃｕ）とし、膜厚を約７０００Ａ°とする。
【００２０】次に、ホトリソグラフィ法を用いて予備銅
配線層１６上にレジストパターン１５を形成する（図１
の（Ｃ））。
配線層１６上にレジストパターン１５を形成する（図１
の（Ｃ））。
【００２１】次に、レジストパターン１５をマスクとし
て任意好適な方法、例えば反応性イオンエッチングを用
いて異方性エッチングを行って図２の（Ａ）の構造体を
得る。このときエッチングによって形成された１４ａ及
び１６ａをそれぞれバリヤメタル層及び銅配線層と称す
る。また、バリヤメタル層１４ａ及び銅配線層１６ａを
総称して銅配線層用予備構造体１７と称する。
て任意好適な方法、例えば反応性イオンエッチングを用
いて異方性エッチングを行って図２の（Ａ）の構造体を
得る。このときエッチングによって形成された１４ａ及
び１６ａをそれぞれバリヤメタル層及び銅配線層と称す
る。また、バリヤメタル層１４ａ及び銅配線層１６ａを
総称して銅配線層用予備構造体１７と称する。
【００２２】次に、銅配線層用予備構造体１７の露出面
に、タングステン含有ＶＩ族ガスと水素ガスとの混合ガ
スを用いたＣＶＤ法により、保護膜として金属層１８を
形成する（図２の（Ｂ））。この金属層１８をタングス
テン層とも称する。このとき、タングステン（Ｗ）層１
８は、ＳｉＯ2 膜１２の表面には実質的に形成されず、
露出した銅配線層用予備構造体１７の表面にのみ選択的
に形成される。このようにして、銅配線用予備構造体１
７の部分にのみ保護膜を形成する方法を選択成長法とい
う。また、このときのＣＶＤの成膜条件は、以下の通り
である。
に、タングステン含有ＶＩ族ガスと水素ガスとの混合ガ
スを用いたＣＶＤ法により、保護膜として金属層１８を
形成する（図２の（Ｂ））。この金属層１８をタングス
テン層とも称する。このとき、タングステン（Ｗ）層１
８は、ＳｉＯ2 膜１２の表面には実質的に形成されず、
露出した銅配線層用予備構造体１７の表面にのみ選択的
に形成される。このようにして、銅配線用予備構造体１
７の部分にのみ保護膜を形成する方法を選択成長法とい
う。また、このときのＣＶＤの成膜条件は、以下の通り
である。
【００２３】タングステン含有ＶＩ族ガスとしては、六
フッ化タングステン（ＷＦ6 ）ガスを用いる。このＷＦ
6 ガスガスと水素ガスを任意好適な混合ガスとなるよう
に濃度比を調整した後、反応炉（図示せず。）内を、例
えば約３５０℃に加熱する。
フッ化タングステン（ＷＦ6 ）ガスを用いる。このＷＦ
6 ガスガスと水素ガスを任意好適な混合ガスとなるよう
に濃度比を調整した後、反応炉（図示せず。）内を、例
えば約３５０℃に加熱する。
【００２４】この実施例では、タングステン層１８の膜
厚を約１０００Ａ°程度とする。このとき形成されたバ
リヤメタル層１４ａ、銅配線層１６ａ及びタングステン
層１８を総称して銅配線層構造体１９と称する。
厚を約１０００Ａ°程度とする。このとき形成されたバ
リヤメタル層１４ａ、銅配線層１６ａ及びタングステン
層１８を総称して銅配線層構造体１９と称する。
【００２５】なお、多層銅配線層を形成するときは、図
２の（Ｂ）の構造体の表面全体を例えばＳｉＯ2 膜で覆
い、更に、新たな銅配線層構造体を形成する。このとき
新たに形成された銅配線層構造体は、前に形成した銅配
線層構造体に電気的に接合させる。このような工程を順
次繰り返して多層銅配線層が形成される。
２の（Ｂ）の構造体の表面全体を例えばＳｉＯ2 膜で覆
い、更に、新たな銅配線層構造体を形成する。このとき
新たに形成された銅配線層構造体は、前に形成した銅配
線層構造体に電気的に接合させる。このような工程を順
次繰り返して多層銅配線層が形成される。
【００２６】上述したこの発明の実施例の製造方法から
も理解できるように、従来の工程に比べて上部バリヤメ
タル層を形成する工程と保護膜を形成した後、エッチン
グしてＳｉＯ2 膜上の保護膜を除去する工程が必要なく
なる。
も理解できるように、従来の工程に比べて上部バリヤメ
タル層を形成する工程と保護膜を形成した後、エッチン
グしてＳｉＯ2 膜上の保護膜を除去する工程が必要なく
なる。
【００２７】また、図２の（Ｂ）の断面図を電子顕微鏡
で観察した結果、タングステン層の表面には凹凸がな
く、かつ膜厚が均一であることがわかった。
で観察した結果、タングステン層の表面には凹凸がな
く、かつ膜厚が均一であることがわかった。
【００２８】また、上述した実施例の保護膜をタングス
テン層として形成したが、なんらこれに限定されるもの
ではなく、例えば、アルミニウム層で保護膜を形成して
も良いと考えられる。このとき使用するガスとしては、
例えばジメチルアミドハイドライト（（ＣＨ3 ）2 Ａｌ
Ｈ）、トリイソブチルアルミニウム（（Ｃ4 Ｈ9 ）Ａ
ｌ）、ジエチルアルミクロライド（（Ｃ2 Ｈ5 ）Ａｌ2
Ｃｌ）のガス群の中から選ばれた１種類のガスまたは２
種類以上のガスを用いても良い。
テン層として形成したが、なんらこれに限定されるもの
ではなく、例えば、アルミニウム層で保護膜を形成して
も良いと考えられる。このとき使用するガスとしては、
例えばジメチルアミドハイドライト（（ＣＨ3 ）2 Ａｌ
Ｈ）、トリイソブチルアルミニウム（（Ｃ4 Ｈ9 ）Ａ
ｌ）、ジエチルアルミクロライド（（Ｃ2 Ｈ5 ）Ａｌ2
Ｃｌ）のガス群の中から選ばれた１種類のガスまたは２
種類以上のガスを用いても良い。
【００２９】また、この発明の実施例に用いた第１絶縁
膜にＳｉＯ2 膜を用いたが、例えば窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）を用いても良い。
膜にＳｉＯ2 膜を用いたが、例えば窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）を用いても良い。
【００３０】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の銅配線層構造体の保護膜形成方法によれば、下
地上に第１絶縁膜とバリヤメタル層と銅配線層とを順次
積層させ、このバリヤメタル層と銅配線層とで銅配線層
用予備構造体を形成する。このとき、従来のように上部
バリヤメタル層を形成する必要がなくなるため、製造工
程の低減化を図ることができる。
の発明の銅配線層構造体の保護膜形成方法によれば、下
地上に第１絶縁膜とバリヤメタル層と銅配線層とを順次
積層させ、このバリヤメタル層と銅配線層とで銅配線層
用予備構造体を形成する。このとき、従来のように上部
バリヤメタル層を形成する必要がなくなるため、製造工
程の低減化を図ることができる。
【００３１】また、銅配線層用予備構造体の露出面にＣ
ＶＤ法により、保護膜として金属層を形成する。このと
き、下地上の第１絶縁膜上には、金属層が形成されず、
銅配線層用予備構造体にのみ金属層は選択的に形成され
る。この金属層を、好ましくは、タングステン層とする
のが良い。従って、従来のように、第１絶縁膜上の保護
膜をエッチングで除去する必要がなくなる。このため、
製造工程の低減化を図ることができる。また、ＣＶＤ法
により、タングステン層を形成するため、従来のスパッ
タリング法と比べ、銅配線層用予備構造体の露出面を覆
うタングステン層の表面の凹凸も少なくなり、かつ膜厚
を均一に形成することができる。従って、半導体素子の
著しい微細化を図ることができる。
ＶＤ法により、保護膜として金属層を形成する。このと
き、下地上の第１絶縁膜上には、金属層が形成されず、
銅配線層用予備構造体にのみ金属層は選択的に形成され
る。この金属層を、好ましくは、タングステン層とする
のが良い。従って、従来のように、第１絶縁膜上の保護
膜をエッチングで除去する必要がなくなる。このため、
製造工程の低減化を図ることができる。また、ＣＶＤ法
により、タングステン層を形成するため、従来のスパッ
タリング法と比べ、銅配線層用予備構造体の露出面を覆
うタングステン層の表面の凹凸も少なくなり、かつ膜厚
を均一に形成することができる。従って、半導体素子の
著しい微細化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の実施例の形成方
法の説明に供する製造工程図である。
法の説明に供する製造工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｂ）は、図１から続く、この発明の
実施例の形成方法の説明に供する製造工程図である。
実施例の形成方法の説明に供する製造工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｂ）は、従来の実施例の形成方法の
説明に供する製造工程図である。
説明に供する製造工程図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｂ）は、図３に続く、従来の実施例
の形成方法の説明に供する製造工程図である。
の形成方法の説明に供する製造工程図である。
１０：シリコン基板 １２：第１絶縁膜（ＳｉＯ2 膜） １４：予備バリヤメタル層 １４ａ：バリヤメタル層 １６：予備銅配線層 １６ａ：銅配線層 １７：銅配線層用予備構造体 １８：タングステン層 １９：銅配線層構造体
Claims (2)
- 【請求項１】 下地上に、第１絶縁膜とバリヤメタル層
と銅配線層と保護漠とを順次に積層して成る銅配線層構
造体の保護膜を形成するに当たり、（ａ）前記バリヤメ
タル層上に前記銅配線層を積層して銅配線層用予備構造
体を形成する工程と、（ｂ）前記銅配線層用予備構造体
の露出面に、ＣＶＤ（化学的気相成長）法により、前記
保護膜として金属層を選択的に成膜する工程とを含むこ
とを特徴とする銅配線層構造体の保護膜形成方法。 - 【請求項２】前記請求項１の（ｂ）に記載の前記金属層
を、タングステン（Ｗ）層とすることを特徴とする銅配
線構造体の保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18645893A JPH0745613A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 銅配線層構造体の保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18645893A JPH0745613A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 銅配線層構造体の保護膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745613A true JPH0745613A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16188819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18645893A Withdrawn JPH0745613A (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 銅配線層構造体の保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745613A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7192858B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-03-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of forming plug |
-
1993
- 1993-07-28 JP JP18645893A patent/JPH0745613A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7192858B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-03-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of forming plug |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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