JPH0744892A - 光学情報記録媒体 - Google Patents

光学情報記録媒体

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JPH0744892A
JPH0744892A JP5205569A JP20556993A JPH0744892A JP H0744892 A JPH0744892 A JP H0744892A JP 5205569 A JP5205569 A JP 5205569A JP 20556993 A JP20556993 A JP 20556993A JP H0744892 A JPH0744892 A JP H0744892A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 オーバライト時のジッタ増加が小さく、か
つ、繰り返し特性に優れた相変化型の光学情報記録媒体
を提供する。 【構成】 反射層を2層構造とし、第1反射層としてダ
イヤモンド状カーボン(DLC)を第2反射層としてS
iを用い、あるいは第1反射層としてSiを第2反射層
としてDLCを用いる。結晶状態の吸収率の方が非晶質
状態における吸収率より大きくなっているので、オーバ
ライトによるジッタの増加が小さく、幅記録による高密
度化を実現できる。また、記録層の膜厚を20nm以下
と薄くすることで記録膜の流動が生じにくく、反射層の
膜厚を50nm以上と厚くすることで熱変形が生じにく
い、繰り返し特性に優れた光学情報記録媒体とすること
が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱履歴の違いにより誘
起される相変化に伴う光学定数の変化を利用して情報の
記録・消去を行う光学情報記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光の照射によって情報の記録・消
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化型光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化型光ディスクでは、図3に示すよう
に、基板1上に下部保護層2、記録層3、上部保護層4
および反射層7がこの順に設けられた4層構成が通常用
いられる。情報の記録・消去はレーザ光の照射による昇
温・冷却の熱履歴の違いによって誘起される記録層の非
晶質・結晶間の相変化を利用して行われる。すなわち、
記録層を溶融し急冷することにより非晶質化させ記録を
行い、また、結晶化温度以上に一定時間保持することに
より結晶化させ、消去を行う。信号の再生は非晶質・結
晶間の反射率差を利用して行われる。下部保護層2、記
録層3、上部保護層4および反射層7のそれぞれの膜厚
は、感度、C/N、消去率、書換可能繰り返し回数など
の観点から最適化される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】書換可能な光ディスク
が現在市販されているが、光ディスクにはさらなる高速
化・高密度化が要求されている。高密度化には、記録マ
ークの両端に情報を持たせる幅記録が有効である。しか
し、信号の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用して
いる相変化型光ディスクでは、結晶状態の吸収率と非晶
質状態の吸収率が異なる場合が多く、一般に、非晶質状
態の吸収率が結晶状態の吸収率より大きくなっている。
このような場合、形成されるマークの幅や長さは、新た
に記録する前の状態が結晶であったか、非晶質であった
かによって影響され、図4に示すように、オーバライト
によってジッタが大きく増加してしまう。従って、相変
化型光ディスクにおいてジッタを低減し、幅記録を実現
するには、非晶質状態と結晶状態の吸収率を等しくする
必要がある。結晶状態の方が融解に伴う潜熱が大きいこ
とを考慮すると、結晶状態の吸収率が非晶質状態の吸収
率より大きくなるように設計するのが望ましい。このよ
うな媒体を提供する手段として、特開平01−1492
38号公報、特開平02−128330号公報などに記
載された技術が知られているが、特開平02−1283
30号公報では、感度を高めるために記録層の膜厚が1
00nm以上とかなり厚く、特開平01−149238
号公報では金属を反射層として用いて吸収率の制御をし
ているために、反射層の膜厚が20nmと薄い。記録層
の膜厚が厚い場合には、よく知られているように、情報
の記録・消去の繰り返しによって記録層が流動しやす
く、特性が早期に劣化してしまうという問題がある。ま
た、反射層の膜厚が極端に薄い場合は、熱的な負荷が高
くなるため、情報の記録・消去の繰り返しによって熱変
形が生じやすく、特性が早期に劣化してしまうという問
題がある。本発明は、このような従来の問題点を解決す
るためになされたもので、幅記録時のジッタが小さく、
かつ、繰り返し特性に優れた光学情報記録媒体を提供す
ることを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、下
部保護層、レーザ光照射によって相変化を起こす記録
層、上部保護層、第1反射層および第2反射層が順次積
層され、第1反射層と第2反射層とが、それぞれ一方が
Siで他方がダイヤモンド状カーボンで形成されている
ことを特徴とする光学情報記録媒体である。本発明によ
れば、特に記録層の膜厚が10〜20nmで、第1反射
層および第2反射層の膜厚がそれぞれ50nm以上であ
り、かつ結晶状態における記録層の吸収率が非晶質状態
における記録層の吸収率より大きい光学情報記録媒体と
することができ、繰り返し特性に優れ、かつオーバライ
トによるジッタ増加の少ない媒体を提供することが可能
となる。
【0005】
【作用】反射層の膜厚を厚くして吸収率を制御するに
は、特開平2−218334号公報に記載されているよ
うに透過性の反射層を用いるのが有効である。例えば、
反射層としてSiを用いた場合、図5に示すように、容
易に上記の条件を満たすことができる。しかしながら、
通常のスパッタリング法で作製したSiは熱伝導率が低
いため、図3に示すような通常の構成で反射層として用
いた場合、書換え繰り返し可能回数は、熱変形等の影響
により5万回程度に制限されてしまう。一方、スパッタ
リング法で作製可能であり、かつ熱伝導率が高い透過性
の膜としてダイヤモンド状カーボン(以後、DLCと記
す。)があるが、屈折率が1.5〜2.2と小さいため
そのままでは光学的な反射層として用いることが難し
い。そこで図2に示すように、透過性の膜であり、か
つ、熱伝導率が高く熱負荷を低減することができるDL
Cと、屈折率が大きく透過性の膜であるSiとを組み合
わせて第1および第2の反射層5、6として用いること
により、幅記録時のジッタが小さく、かつ、繰り返しに
優れた光学情報記録媒体を提供することが可能となる。
このような構成では、図1に示すように、記録層の膜厚
を20nm以下と薄くし、反射層の膜厚を50nm以上
としても、結晶状態の記録膜の吸収率を非晶質状態の記
録膜の吸収率より高くすることができるので、オーバラ
イトによるジッタの増加を抑制することができ、かつ、
繰り返しに伴う記録膜の流動や反射膜の熱変形を防ぐこ
とができる。記録層の膜厚はできるだけ薄くすることが
望ましいが、感度・膜質の観点から10nm以上は必要
である。なお、第1反射層としてSiを用い、第2反射
層としてDLCを用いても、光学的な特性は図1とほと
んど変わらず結晶状態の吸収率を非晶質状態の吸収率よ
り高くすることができるので、幅記録時のジッタが小さ
く、かつ繰り返しに優れた光学情報記録媒体を提供する
ことが可能になる。
【0006】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。図2は本発明に係る光学情報記録媒体の
断面図である。基板1上に下部保護層2、記録層3、上
部保護層4、第1反射層5、第2反射層6を順次積層し
た構成である。以下、同図に基づいて各実施例を説明す
る。
【0007】実施例1 基板1としてポリカーボネート(PC)を用い、下部保
護層2としてZnS−SiO2を160nm、記録層3
としてGe2Sb2Te5を15nm、上部保護層4とし
てZnS−SiO2を18nm、第1反射層5としてD
LCを50nm、第2反射層6としてSiを65nmを
順次スパッタリングにより積層した。この構成では、非
晶質状態の記録層の吸収率および結晶状態の記録層の吸
収率はそれぞれ60%と70%であった。上記ディスク
を線速20m/sで回転させ、波長830nmの半導体
レーザを用いて記録・消去を行った。2.12MHz,
duty=50%の信号に3.39MHz,duty=
50%の信号を交互にオーバライトして、C/N、消去
率、ジッタを測定した。その結果、図6に示すように、
オーバライト後でもジッタは2ns以下の良好な値であ
った。また、ジッタは図7の○印で示すように、100
万回の繰り返しオーバライト後もほとんど変化しなかっ
た。
【0008】実施例2 基板1としてポリカーボネート(PC)を用い、下部保
護層2としてZnS−SiO2を250nm、記録層3
としてGe2Sb2Te5を15nm、上部保護層4とし
てZnS−SiO2を18nm、第1反射層5としてS
iを65nm、第2反射層6としてDLCを50nmを
順次スパッタリングにより積層した。この構成では、非
晶質状態の記録層の吸収率及び結晶状態の記録層の吸収
率はそれぞれ50%と60%であった。実施例1と同じ
測定条件で、繰り返しに伴うC/N、ジッタの変化を調
べた。その結果、図7の◎印で示すように、実施例1と
同様に100万回の繰り返しオーバライト後もジッタは
ほとんど変化しなかった。
【0009】比較例1 繰り返し特性に及ぼす記録層の膜厚の影響を調べるた
め、上記実施例1とほぼ同様の媒体構成で、記録層の膜
厚のみを30nmと厚くしたディスクの特性を測定し
た。実施例1と同じ測定条件で、繰り返しに伴うC/
N、ジッタの変化を調べた。その結果、図8の△印で示
すように、繰り返し回数10万回以上では、ノイズ、ジ
ッタが大幅に増加し、特性が劣化することが確認され
た。
【0010】比較例2 繰り返し特性に及ぼす反射層の膜厚の影響を調べるた
め、PC基板上に下部保護層としてZnS−SiO2
150nm、記録層としてGe2Sb2Te5を15n
m、上部保護層としてZnS−SiO2を40nm、反
射層としてSiを30nmを順次スパッタリングにより
積層したディスクの特性を測定した。上記実施例1と同
じ測定条件で、繰り返しに伴うC/N、ジッタの変化を
調べた。その結果、図8の□印で示すように、繰り返し
回数5000回以上では、ノイズ、ジッタが大幅に増加
し特性が劣化することが確認された。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
繰り返し特性を劣化させることなく、幅記録時のジッタ
が小さい媒体を提供することができるので、高密度化を
実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる光学情報記録媒体の光学設計の
一例における下部保護層膜厚と反射率および吸収率との
関係を示す図である。
【図2】本発明にかかる相変化型光ディスクの媒体構成
の一例の断面図である。
【図3】従来の光学情報記録媒体の媒体構成の一例の断
面図である。
【図4】従来の光学情報記録媒体における消去パワと消
去率およびジッタとの関係を示す図である。
【図5】従来の光学情報記録媒体の光学設計の一例にお
ける下部保護層膜厚と反射率および吸収率との関係を示
す図である。
【図6】本発明の光学情報記録媒体における消去パワと
消去率およびジッタとの関係を示す図である。
【図7】本発明の実施例の光学情報記録媒体における繰
り返しオーバライトによるジッタおよびC/Nの変化を
示す図である。
【図8】比較例の光学情報記録媒体における繰り返しオ
ーバライトによるジッタおよびC/Nの変化を示す図で
ある。
【符号の説明】
1 基板 2 下部保護層 3 記録層 4 上部保護層 5 第1反射層 6 第2反射層 7 反射層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、下部保護層、レーザ光照射に
    よって相変化を起こす記録層、上部保護層、第1反射層
    および第2反射層が順次積層され、第1反射層と第2反
    射層とが、それぞれ一方がSiで他方がダイヤモンド状
    カーボンで形成されていることを特徴とする光学情報記
    録媒体。
  2. 【請求項2】 記録層の膜厚が10〜20nmで、第1
    反射層および第2反射層の膜厚がそれぞれ50nm以上
    であり、かつ結晶状態における記録層の吸収率が非晶質
    状態における記録層の吸収率より大きい請求項1記載の
    光学情報記録媒体。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08124218A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Nec Corp 光学情報記録媒体
KR20030004747A (ko) * 2001-07-06 2003-01-15 엘지전자 주식회사 근접장용 광 디스크의 적층구조
US6740382B2 (en) 1997-09-09 2004-05-25 Hitachi, Ltd. Information recording medium

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US6740382B2 (en) 1997-09-09 2004-05-25 Hitachi, Ltd. Information recording medium
KR20030004747A (ko) * 2001-07-06 2003-01-15 엘지전자 주식회사 근접장용 광 디스크의 적층구조

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