JPH0744413B2 - 増幅器 - Google Patents
増幅器Info
- Publication number
- JPH0744413B2 JPH0744413B2 JP62187142A JP18714287A JPH0744413B2 JP H0744413 B2 JPH0744413 B2 JP H0744413B2 JP 62187142 A JP62187142 A JP 62187142A JP 18714287 A JP18714287 A JP 18714287A JP H0744413 B2 JPH0744413 B2 JP H0744413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- terminal
- amplifier
- input
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、FETを用いた広帯域増幅器に関するものであ
る。
る。
従来の技術 近年、高周波機器においては、ますます、機器の小型，
高性能化が要求されている。
高性能化が要求されている。
以下に従来の、デュアルゲートの電界効果トランジスタ
（以後、FET）を用いた広帯域増幅器について説明す
る。
（以後、FET）を用いた広帯域増幅器について説明す
る。
第２図は従来の、デュアルゲートFETを用いた広帯域増
幅器の回路図を示すものである。第２図において、201
はFET、202は第１ゲート端子、203は第２ゲート端子、2
04はドレイン端子、205はソース端子、206は帰還抵抗、
207は抵抗、208は帰還容量、209は入力結合容量、210は
出力結合容量、211はチョークコイル、212は高周波入力
端子、213は高周波出力端子、214は利得制御端子、215
は電源端子、216は接地である。
幅器の回路図を示すものである。第２図において、201
はFET、202は第１ゲート端子、203は第２ゲート端子、2
04はドレイン端子、205はソース端子、206は帰還抵抗、
207は抵抗、208は帰還容量、209は入力結合容量、210は
出力結合容量、211はチョークコイル、212は高周波入力
端子、213は高周波出力端子、214は利得制御端子、215
は電源端子、216は接地である。
以上のように構成された広帯域増幅器について、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
まず、利得が最大のとき、利得制御端子214は、初期電
位（これをVAGCとする）。に設定されている。このと
き、この広帯域増幅器の入出力インピーダンスは、伝送
線路の特性インピーダンスに一致する様に、帰還抵抗20
6および帰還容量208の値が設定されている。この状態か
ら、高周波入力端子212に入力される信号電力が大きく
なると、高周波出力電力を一定に保つため、利得制御端
子214の電位を初期電位VAGCより低い電位にすることに
より、増幅器の利得を下げる。
位（これをVAGCとする）。に設定されている。このと
き、この広帯域増幅器の入出力インピーダンスは、伝送
線路の特性インピーダンスに一致する様に、帰還抵抗20
6および帰還容量208の値が設定されている。この状態か
ら、高周波入力端子212に入力される信号電力が大きく
なると、高周波出力電力を一定に保つため、利得制御端
子214の電位を初期電位VAGCより低い電位にすることに
より、増幅器の利得を下げる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記従来の構成では、利得を下げてゆく
につれ、増幅器の入出力インピーダンスが変化するた
め、伝送線路の特性インピーダンスとの不整合を生じ始
めるという欠点を有していた。また、利得を下げてゆく
につれ、FETの非線形効果により、出力信号に高次歪が
発生するという欠点をも有していた。
につれ、増幅器の入出力インピーダンスが変化するた
め、伝送線路の特性インピーダンスとの不整合を生じ始
めるという欠点を有していた。また、利得を下げてゆく
につれ、FETの非線形効果により、出力信号に高次歪が
発生するという欠点をも有していた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、入出力
整合を保ったまま、かつ高次歪をほとんど発生させず
に、減衰を行なうことができる高周波増幅器を提供する
ことを目的とする。
整合を保ったまま、かつ高次歪をほとんど発生させず
に、減衰を行なうことができる高周波増幅器を提供する
ことを目的とする。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明の増幅器は電界効果
トランジスタを用いて構成された広帯域増幅器の前段
に、ダイオードから成る減衰器を備えるとともに、前記
減衰器が、入力端子と前記電界効果トランジスタのゲー
トとの間に接続れた減衰量制御用の第１のダイオード
と、同第１のダイオードに並列に接続端子インピーダン
ス制御用直列接続の第２と第３のダイオードと、前記第
１のダイオードに減衰量を制御する電圧を印加する第１
のバイアス回路および前記第２と第３のダイオードにイ
ンピーダンスを制御する電圧を印加する第２のバイアス
回路を備えたものである。
トランジスタを用いて構成された広帯域増幅器の前段
に、ダイオードから成る減衰器を備えるとともに、前記
減衰器が、入力端子と前記電界効果トランジスタのゲー
トとの間に接続れた減衰量制御用の第１のダイオード
と、同第１のダイオードに並列に接続端子インピーダン
ス制御用直列接続の第２と第３のダイオードと、前記第
１のダイオードに減衰量を制御する電圧を印加する第１
のバイアス回路および前記第２と第３のダイオードにイ
ンピーダンスを制御する電圧を印加する第２のバイアス
回路を備えたものである。
作用 この構成によって、高周波信号の減衰は、増幅器の入力
端子に接続されたダイオード減衰器により行なわれるた
め、増幅器の入出力インピーダンスを一定に保ったまま
減衰を行なうことができる。従って、ダイオード減衰器
の入出力インピーダンスを伝送線路の特性インピーダン
スに保つように構成すれば、全体としての入出力インピ
ーダンスは線路の特性インピーダンスと常に整合してい
る。また、FETの非線形効果が最も少ない状態で使用で
きるため、出力端に発生する高次歪も大幅に低減するこ
とができる。
端子に接続されたダイオード減衰器により行なわれるた
め、増幅器の入出力インピーダンスを一定に保ったまま
減衰を行なうことができる。従って、ダイオード減衰器
の入出力インピーダンスを伝送線路の特性インピーダン
スに保つように構成すれば、全体としての入出力インピ
ーダンスは線路の特性インピーダンスと常に整合してい
る。また、FETの非線形効果が最も少ない状態で使用で
きるため、出力端に発生する高次歪も大幅に低減するこ
とができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例における広帯域増幅器の回路
図を示すものである。第１図において、101はFET、102
〜104はダイオード、105〜111はコンデンサ、112〜114
は抵抗、115,116はチョークコイル、117は高周波入力端
子、118は高周波出力端子、119はダイオード減衰器のイ
ンピーダンス制御端子、120はダイオード減衰器の減衰
量制御端子、121はFETの電源端子、122〜124は接地であ
る。
図を示すものである。第１図において、101はFET、102
〜104はダイオード、105〜111はコンデンサ、112〜114
は抵抗、115,116はチョークコイル、117は高周波入力端
子、118は高周波出力端子、119はダイオード減衰器のイ
ンピーダンス制御端子、120はダイオード減衰器の減衰
量制御端子、121はFETの電源端子、122〜124は接地であ
る。
以上の様に構成された広帯域増幅器について、以下その
動作を説明する。
動作を説明する。
高周波入力端子117より入力された高周波信号は、ダイ
オード102を通ってFET101のゲート端子に入力される。
まず、入力信号電力が最小の場合、減衰量制御端子120
から、チョークコイル115,ダイオード102,抵抗114を通
して接地へ、ある程度の電流を流すことにより、ダイオ
ード102の内部抵抗値を下げ、減衰量を最小にしてお
く。逆に、入力信号電力が最大の場合、ダイオード102
に流れる電流を最小にして、ダイオードの内部抵抗を上
げ、減衰量を最大にする。通常は、これらの間の状態に
あり、入力信号電力に応じた減衰を行なう。また、入出
力インピーダンス整合は、インピーダンス制御端子119
の電圧を制御することにより、ダイオード103,104に流
れる電流量を変え、その内部抵抗を変化させることによ
り行なう。
オード102を通ってFET101のゲート端子に入力される。
まず、入力信号電力が最小の場合、減衰量制御端子120
から、チョークコイル115,ダイオード102,抵抗114を通
して接地へ、ある程度の電流を流すことにより、ダイオ
ード102の内部抵抗値を下げ、減衰量を最小にしてお
く。逆に、入力信号電力が最大の場合、ダイオード102
に流れる電流を最小にして、ダイオードの内部抵抗を上
げ、減衰量を最大にする。通常は、これらの間の状態に
あり、入力信号電力に応じた減衰を行なう。また、入出
力インピーダンス整合は、インピーダンス制御端子119
の電圧を制御することにより、ダイオード103,104に流
れる電流量を変え、その内部抵抗を変化させることによ
り行なう。
以上のように、本実施例によれば、広帯域増幅器の入出
力インピーダンスを変化させることなく、増幅器の利得
の減衰を行なうことができる。
力インピーダンスを変化させることなく、増幅器の利得
の減衰を行なうことができる。
発明の効果 本発明によると、広帯域増幅器の前段に、ダイオードで
構成された高周波減衰器を挿入することにより、利得減
衰時の入出力整合と低歪を実現することができる優れた
広帯域増幅器を実現できるものである。
構成された高周波減衰器を挿入することにより、利得減
衰時の入出力整合と低歪を実現することができる優れた
広帯域増幅器を実現できるものである。
第１図は本発明実施例の広帯域増幅器の回路図、第２図
は従来の広帯域増幅器の回路図である。 101……FET、102〜104……ダイオード、105〜111……コ
ンデンサ、112〜114……抵抗、115,116……チョークコ
イル、117……高周波入力端子、118……高周波出力端
子、119……インピーダンス制御端子、120……減衰量制
御端子、121……ドレイン電源端子、122〜124……接
地。
は従来の広帯域増幅器の回路図である。 101……FET、102〜104……ダイオード、105〜111……コ
ンデンサ、112〜114……抵抗、115,116……チョークコ
イル、117……高周波入力端子、118……高周波出力端
子、119……インピーダンス制御端子、120……減衰量制
御端子、121……ドレイン電源端子、122〜124……接
地。
フロントページの続き (72)発明者 尾関 浩明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 神野 一平 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】電界効果トランジスタを用いて構成された
広帯域増幅器の前段に、ダイオードから成る減衰器を備
えるとともに、前記減衰器が、入力端子と前記電界効果
トランジスタのゲートとの間に接続された減衰量制御用
の第１のダイオードと、同第１のダイオードに並列に接
続端子インピーダンス制御用直列接続の第２と第３のダ
イオードと、前記第１のダイオードに減衰量を制御する
電圧を印加する第１のバイアス回路および前記第２と第
３のダイオードにインピーダンスを制御する電圧を印加
する第２のバイアス回路を備えたことを特徴とする増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62187142A JPH0744413B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62187142A JPH0744413B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6430312A JPS6430312A (en) | 1989-02-01 |
| JPH0744413B2 true JPH0744413B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16200856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62187142A Expired - Lifetime JPH0744413B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744413B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60044314D1 (de) | 1999-01-19 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | Verstärker und zugehörige Funkübertragungsvorrichtung |
| JP2011184843A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Hideo Kamiya | ポケット付手袋 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4873045A (ja) * | 1971-12-28 | 1973-10-02 | ||
| JPS50111969A (ja) * | 1974-02-09 | 1975-09-03 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49103351U (ja) * | 1972-12-27 | 1974-09-05 | ||
| JPS5429730Y2 (ja) * | 1974-09-20 | 1979-09-20 | ||
| JPS6064625U (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-08 | シャープ株式会社 | ゲインコントロ−ル回路 |
| JPS644122A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Nec Corp | Variable gain antenna |
-
1987
- 1987-07-27 JP JP62187142A patent/JPH0744413B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4873045A (ja) * | 1971-12-28 | 1973-10-02 | ||
| JPS50111969A (ja) * | 1974-02-09 | 1975-09-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6430312A (en) | 1989-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004274108A (ja) | 利得可変型増幅器 | |
| WO1999059243A1 (fr) | Circuit a semi-conducteur | |
| US20110130104A1 (en) | Vswr compensation circuits for rf transmit chain | |
| JP2002124842A (ja) | 可変利得増幅器 | |
| US5307026A (en) | Variable gain RF amplifier with linear gain control | |
| JP2003060456A (ja) | 利得可変増幅回路 | |
| WO1998048509A2 (en) | Power amplifier and method for temperature control therein | |
| JPH0744413B2 (ja) | 増幅器 | |
| GB2295287A (en) | Wideband constant impedance amplifiers | |
| JP2864195B2 (ja) | 分布増幅器 | |
| US6137359A (en) | Low-distortion high-frequency amplifier | |
| JPH0314818Y2 (ja) | ||
| US5498997A (en) | Transformerless audio amplifier | |
| JP2606165B2 (ja) | インピーダンス整合回路 | |
| US5600288A (en) | Synthetic inductor in integrated circuits for small signal processing | |
| US4087762A (en) | Cable equalization resonant amplifier circuit | |
| JP3000795B2 (ja) | 可変減衰器 | |
| JPH07231236A (ja) | 電子減衰回路 | |
| EP0025950A1 (en) | Amplifier device | |
| JPS6119133B2 (ja) | ||
| KR0142465B1 (ko) | 디씨 컨트롤이 가능한 앰플리파이어 | |
| JPS645371Y2 (ja) | ||
| JP3000794B2 (ja) | 可変減衰器 | |
| JPH01143515A (ja) | 高周波減衰器 | |
| JPH06283939A (ja) | 増幅器 |