JPH0744082Y2 - 低域通過フィルタ - Google Patents
低域通過フィルタInfo
- Publication number
- JPH0744082Y2 JPH0744082Y2 JP6303191U JP6303191U JPH0744082Y2 JP H0744082 Y2 JPH0744082 Y2 JP H0744082Y2 JP 6303191 U JP6303191 U JP 6303191U JP 6303191 U JP6303191 U JP 6303191U JP H0744082 Y2 JPH0744082 Y2 JP H0744082Y2
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- JP
- Japan
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- holes
- dielectric block
- conductor film
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、マイクロ波帯域などで
使用する有極形の低域通過フィルタに関するものであ
る。更に詳しく述べると、誘電体ブロックに形成した２
個の貫通孔内壁の導体膜と側面アース電極との間の接地
容量と、両貫通孔の導体膜間の対向容量と、コイルのイ
ンダクタンスとを組み合わせた低域通過フィルタに関す
るものである。
使用する有極形の低域通過フィルタに関するものであ
る。更に詳しく述べると、誘電体ブロックに形成した２
個の貫通孔内壁の導体膜と側面アース電極との間の接地
容量と、両貫通孔の導体膜間の対向容量と、コイルのイ
ンダクタンスとを組み合わせた低域通過フィルタに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波帯域で使用する従来の低域通
過フィルタとしてはストリップ線路フィルタが一般的で
ある。これはアルミナ等のセラミック基板の表面に複数
個の電極を形成すると共に裏面に全面アース電極を形成
し、表面の電極間をストリップ線路で接続した構成であ
る。基板の表裏両面の電極間で接地容量（Ｃ成分）を形
成し、表面電極間を接続するストリップ線路がインダク
タンス（Ｌ成分）となって、それらによるＬＣ回路網で
低域通過フィルタ特性を実現している。
過フィルタとしてはストリップ線路フィルタが一般的で
ある。これはアルミナ等のセラミック基板の表面に複数
個の電極を形成すると共に裏面に全面アース電極を形成
し、表面の電極間をストリップ線路で接続した構成であ
る。基板の表裏両面の電極間で接地容量（Ｃ成分）を形
成し、表面電極間を接続するストリップ線路がインダク
タンス（Ｌ成分）となって、それらによるＬＣ回路網で
低域通過フィルタ特性を実現している。
【０００３】接地容量はセラミック基板の誘電率と厚
み、及び電極面積により変化し、インダクタンスはスト
リップ線路（導体パターン）の幅や長さによって変化す
る。
み、及び電極面積により変化し、インダクタンスはスト
リップ線路（導体パターン）の幅や長さによって変化す
る。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】上記のような低域通過
フィルタを小型化するには、基板に誘電率の高い材料を
用いることが考えられる。高誘電率の基板を用いると接
地容量及びインダクタンス共に面積を小さく出来るが、
これらはスクリーン印刷によって作られるため印刷精度
によって特性のばらつきが決定され、電極面積を調整す
る煩瑣な作業が必要となる。
フィルタを小型化するには、基板に誘電率の高い材料を
用いることが考えられる。高誘電率の基板を用いると接
地容量及びインダクタンス共に面積を小さく出来るが、
これらはスクリーン印刷によって作られるため印刷精度
によって特性のばらつきが決定され、電極面積を調整す
る煩瑣な作業が必要となる。
【０００５】更にストリップ線路フィルタを有極化する
には、上記の表面電極とは別に有極帰還用の電極を設け
る必要が生じ、設計や製造において工数が多くなり高価
となるし、基板寸法も大きくなるなどの欠点が生じる。
には、上記の表面電極とは別に有極帰還用の電極を設け
る必要が生じ、設計や製造において工数が多くなり高価
となるし、基板寸法も大きくなるなどの欠点が生じる。
【０００６】本考案の目的は、上記のような従来技術の
欠点を解消し、有極帰還回路を有し且つ小型化できる低
域通過フィルタを提供することである。
欠点を解消し、有極帰還回路を有し且つ小型化できる低
域通過フィルタを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本考案に係る低域通過フ
ィルタでは、２個の貫通孔を平行に形成した誘電体ブロ
ックを使用する。その両貫通孔の内面に導体膜を形成す
ると共に、誘電体ブロックの側面に導体膜を形成してア
ース電極とする。そして両貫通孔内にそれぞれ金属端子
を挿入して貫通孔内面の導体膜に接続し、両金属端子間
にコイルを接続する。金属端子は、外部接続用のリード
部と貫通孔内に挿入する挿入部分とが一体になった構造
をなし、同じ向きで貫通孔内に挿入してその先端にコイ
ル端部を半田付けするのが望ましい。
ィルタでは、２個の貫通孔を平行に形成した誘電体ブロ
ックを使用する。その両貫通孔の内面に導体膜を形成す
ると共に、誘電体ブロックの側面に導体膜を形成してア
ース電極とする。そして両貫通孔内にそれぞれ金属端子
を挿入して貫通孔内面の導体膜に接続し、両金属端子間
にコイルを接続する。金属端子は、外部接続用のリード
部と貫通孔内に挿入する挿入部分とが一体になった構造
をなし、同じ向きで貫通孔内に挿入してその先端にコイ
ル端部を半田付けするのが望ましい。
【０００８】
【作用】貫通孔内の導体膜と誘電体ブロック側面のアー
ス電極との間で接地容量が形成され、コイルによってイ
ンダクタンスが生じる。インダクタンス素子の両端に並
列に接地容量を接続した４端子ＬＣ回路で基本的な低域
通過特性が得られる。また両貫通孔内面の導体膜間で対
向容量が生じ、それと前記コイルのインダクタンスとに
よって並列共振回路（有極帰還回路）ができ通過阻止の
減衰極を作る。この減衰極は通過域に近いところに形成
できるため通過域が急峻になりフィルタ特性が改善され
る。金属端子は外部回路との接続及び回路基板への固
定、並びにコイルの接続を容易にする機能を果たす。
ス電極との間で接地容量が形成され、コイルによってイ
ンダクタンスが生じる。インダクタンス素子の両端に並
列に接地容量を接続した４端子ＬＣ回路で基本的な低域
通過特性が得られる。また両貫通孔内面の導体膜間で対
向容量が生じ、それと前記コイルのインダクタンスとに
よって並列共振回路（有極帰還回路）ができ通過阻止の
減衰極を作る。この減衰極は通過域に近いところに形成
できるため通過域が急峻になりフィルタ特性が改善され
る。金属端子は外部回路との接続及び回路基板への固
定、並びにコイルの接続を容易にする機能を果たす。
【０００９】
【実施例】図１は本考案に係る低域通過フィルタの一実
施例を示す分解斜視図であり、図２はその組立断面図で
ある。本考案ではチタン酸バリウム等の高誘電率材料か
らなる誘電体ブロック１０を使用する。誘電体ブロック
１０は直方体状をなし、それに２個の同一穴径の貫通孔
１２を上下方向に平行に形成してある。両方の貫通孔１
２の内面には導体膜１４を形成し、また誘電体ブロック
１０の両側面にも導体膜を形成してアース電極１６とす
る。従って、この実施例では誘電体ブロック１０の上下
面及び両端面には導体膜は無い。なお図１では理解し易
くするため、導体膜が無く誘電体の素地がそのまま露出
している部分は細かな点々によって表示してある。この
ような誘電体ブロック１０は高誘電率材料の粉体を所定
形状にプレス成形し焼結することで製造する。また貫通
孔内面の導体膜１４やアース電極１６は、例えば銀ペー
ストの焼付けなどにより形成する。
施例を示す分解斜視図であり、図２はその組立断面図で
ある。本考案ではチタン酸バリウム等の高誘電率材料か
らなる誘電体ブロック１０を使用する。誘電体ブロック
１０は直方体状をなし、それに２個の同一穴径の貫通孔
１２を上下方向に平行に形成してある。両方の貫通孔１
２の内面には導体膜１４を形成し、また誘電体ブロック
１０の両側面にも導体膜を形成してアース電極１６とす
る。従って、この実施例では誘電体ブロック１０の上下
面及び両端面には導体膜は無い。なお図１では理解し易
くするため、導体膜が無く誘電体の素地がそのまま露出
している部分は細かな点々によって表示してある。この
ような誘電体ブロック１０は高誘電率材料の粉体を所定
形状にプレス成形し焼結することで製造する。また貫通
孔内面の導体膜１４やアース電極１６は、例えば銀ペー
ストの焼付けなどにより形成する。
【００１０】誘電体ブロック１０の両貫通孔１２内にそ
れぞれ金属端子２０を挿入して貫通孔内面の導体膜１４
に接続する。ここで金属端子２０は、細径のリード部２
２と中央のフランジ部２４と大径の挿入部分２６とが一
体になり、挿入部分２６の先端に細穴２８を形成した構
造である。両貫通孔１２内にそれぞれ金属端子２０の挿
入部分２６をフランジ部２４まで同じ方向から（ここで
は下方から）挿入し、リード部２２を誘電体ブロック１
０から突出させる。そして挿入部分２６を導体膜１４に
半田付けすることにより接続固定し、また前記挿入部分
２６の先端の細穴２８にコイル３０の端部を挿入して半
田付け接続する。
れぞれ金属端子２０を挿入して貫通孔内面の導体膜１４
に接続する。ここで金属端子２０は、細径のリード部２
２と中央のフランジ部２４と大径の挿入部分２６とが一
体になり、挿入部分２６の先端に細穴２８を形成した構
造である。両貫通孔１２内にそれぞれ金属端子２０の挿
入部分２６をフランジ部２４まで同じ方向から（ここで
は下方から）挿入し、リード部２２を誘電体ブロック１
０から突出させる。そして挿入部分２６を導体膜１４に
半田付けすることにより接続固定し、また前記挿入部分
２６の先端の細穴２８にコイル３０の端部を挿入して半
田付け接続する。
【００１１】更に必要に応じて誘電体ブロック１０にア
ース金具４０を取り付ける。このアース金具４０は金属
薄板を打抜き折曲げた成形加工品であり、両側板４２
と、それらを結合する底部連結板４４と、両側板下方に
突出する接続固定部４６とを備え、両側板４２にそれぞ
れ細長の半田付け用窓４８を形成した構造である。アー
ス金具４０に誘電体ブロック１０を嵌め込み、半田付け
用窓４８の部分で誘電体ブロック１０のアース電極１６
に半田付け固着する。アース金具４０の接続固定部４６
は、この低域通過フィルタを基板に固定する機能とアー
スに電気的に接続する機能の両方を果たす。
ース金具４０を取り付ける。このアース金具４０は金属
薄板を打抜き折曲げた成形加工品であり、両側板４２
と、それらを結合する底部連結板４４と、両側板下方に
突出する接続固定部４６とを備え、両側板４２にそれぞ
れ細長の半田付け用窓４８を形成した構造である。アー
ス金具４０に誘電体ブロック１０を嵌め込み、半田付け
用窓４８の部分で誘電体ブロック１０のアース電極１６
に半田付け固着する。アース金具４０の接続固定部４６
は、この低域通過フィルタを基板に固定する機能とアー
スに電気的に接続する機能の両方を果たす。
【００１２】図３は本考案の低域通過フィルタの等価回
路図を示している。図３においてＬはコイル３０のイン
ダクタンスを表しており、Ｃ1 ，Ｃ2 は貫通孔１２の内
面の導体膜１４とアース電極１６とによって形成される
接地容量を表している。これらの組み合わせによって基
本的な低域通過フィルタ特性が生じる。またＣ3 は両貫
通孔１２の内面の導体膜１４間で形成される対向容量を
表しており、この対向容量Ｃ3 とインダクタンスＬとで
並列共振回路（有極帰還回路）となり通過阻止の減衰極
を作る。Ｃ3 とＬの値を適当に選定することで有極の程
度（強く入れたり弱く入れる）を調節できる。
路図を示している。図３においてＬはコイル３０のイン
ダクタンスを表しており、Ｃ1 ，Ｃ2 は貫通孔１２の内
面の導体膜１４とアース電極１６とによって形成される
接地容量を表している。これらの組み合わせによって基
本的な低域通過フィルタ特性が生じる。またＣ3 は両貫
通孔１２の内面の導体膜１４間で形成される対向容量を
表しており、この対向容量Ｃ3 とインダクタンスＬとで
並列共振回路（有極帰還回路）となり通過阻止の減衰極
を作る。Ｃ3 とＬの値を適当に選定することで有極の程
度（強く入れたり弱く入れる）を調節できる。
【００１３】誘電体ブロックの側面に形成するアース電
極（導体膜）の形状は、フィルタ特性で必要な接地容量
などに応じて適宜変更してよい。上記の実施例では両側
面にアース電極を形成しているが、両側面と両端面全体
にわたってアース電極を設けてもよいし、一方の側面の
み、あるいは側面に部分的に形成してもよい。貫通孔内
の導体膜は、内面全体に形成するのが好ましいが、内面
の一部分であってもよい。
極（導体膜）の形状は、フィルタ特性で必要な接地容量
などに応じて適宜変更してよい。上記の実施例では両側
面にアース電極を形成しているが、両側面と両端面全体
にわたってアース電極を設けてもよいし、一方の側面の
み、あるいは側面に部分的に形成してもよい。貫通孔内
の導体膜は、内面全体に形成するのが好ましいが、内面
の一部分であってもよい。
【００１４】図４に金属端子の他の例を示す。Ａに示す
金属端子５０は、上記実施例と同様に、細径のリード部
と中央フランジ部と大径の貫通孔挿入部分とが一体にな
り、挿入部分の先端にコイル端末接続用の突出部を形成
した構造である。Ｂに示す金属端子５２は、リード部と
Ｕ型の貫通孔挿入部分とが一体になった構造であり、Ｃ
に示す金属端子５４はリード部とＸ状の貫通孔挿入部分
とが一体になった構造である。金属端子５２，５４は挿
入部分が弾性を有するから、貫通孔に挿入したときに拡
開しようとして内壁に密着し、仮固定できる。勿論、最
終的には半田付け等で接続固定する。
金属端子５０は、上記実施例と同様に、細径のリード部
と中央フランジ部と大径の貫通孔挿入部分とが一体にな
り、挿入部分の先端にコイル端末接続用の突出部を形成
した構造である。Ｂに示す金属端子５２は、リード部と
Ｕ型の貫通孔挿入部分とが一体になった構造であり、Ｃ
に示す金属端子５４はリード部とＸ状の貫通孔挿入部分
とが一体になった構造である。金属端子５２，５４は挿
入部分が弾性を有するから、貫通孔に挿入したときに拡
開しようとして内壁に密着し、仮固定できる。勿論、最
終的には半田付け等で接続固定する。
【００１５】図５は本考案の応用例を示している。これ
は本考案の低域通過フィルタ６０と帯域通過フィルタ６
２とを組み合わせた誘電体フィルタである。帯域通過フ
ィルタ６２は、直方体状の誘電体ブロックに複数の共振
子穴６６と結合子穴６８とを交互に設け、共振子穴６６
の内面と誘電体ブロックの外表面（共振子穴が開口して
いる面の一方を除く全面）に導体膜を形成した周知の構
造である。両フィルタ６０，６２を共通のアース金具６
４に搭載する。上記の誘電体帯域通過フィルタはλ／４
共振形同軸共振器構造であり、小型化でき製作し易く、
優れた帯域通過フィルタ特性を呈するが、高域側でスプ
リアス（高調波域、特に３倍波）が現れる。しかし本考
案の低域通過フィルタ６０と組み合わせることで３倍波
をカットでき、フィルタ全体として小型化し且つ良好な
フィルタ特性が発現する。
は本考案の低域通過フィルタ６０と帯域通過フィルタ６
２とを組み合わせた誘電体フィルタである。帯域通過フ
ィルタ６２は、直方体状の誘電体ブロックに複数の共振
子穴６６と結合子穴６８とを交互に設け、共振子穴６６
の内面と誘電体ブロックの外表面（共振子穴が開口して
いる面の一方を除く全面）に導体膜を形成した周知の構
造である。両フィルタ６０，６２を共通のアース金具６
４に搭載する。上記の誘電体帯域通過フィルタはλ／４
共振形同軸共振器構造であり、小型化でき製作し易く、
優れた帯域通過フィルタ特性を呈するが、高域側でスプ
リアス（高調波域、特に３倍波）が現れる。しかし本考
案の低域通過フィルタ６０と組み合わせることで３倍波
をカットでき、フィルタ全体として小型化し且つ良好な
フィルタ特性が発現する。
【００１６】
【考案の効果】本考案は上記のように、誘電体ブロック
に並設した２個の貫通孔に導体膜を形成して外側のアー
ス電極との間で接地容量をもたせ、両貫通孔内に金属端
子を挿入してコイルを接続した構造だから、それらによ
る４端子ＬＣ回路で所望の低域通過特性が得られる。ま
た両貫通孔内面の導体膜間で生じる対向容量とコイルの
インダクタンスとによって有極帰還回路が付加され、通
過阻止の減衰極を通過域の近くに形成できるため通過域
が急峻となりフィルタ特性が改善される。
に並設した２個の貫通孔に導体膜を形成して外側のアー
ス電極との間で接地容量をもたせ、両貫通孔内に金属端
子を挿入してコイルを接続した構造だから、それらによ
る４端子ＬＣ回路で所望の低域通過特性が得られる。ま
た両貫通孔内面の導体膜間で生じる対向容量とコイルの
インダクタンスとによって有極帰還回路が付加され、通
過阻止の減衰極を通過域の近くに形成できるため通過域
が急峻となりフィルタ特性が改善される。
【００１７】本考案のフィルタは従来の平板型と異なり
同軸型であり高誘電率の材料を使用でき、また有極帰還
用の電極を別に設ける必要がないため小型化できる。そ
のため取り付け面積が小さくなり、回路基板等への実装
密度が向上する。導体膜は貫通孔の内面と誘電体ブロッ
ク側面に設ければよいため、従来の同軸型の誘電体フィ
ルタの製造技術を応用でき、特性のばらつきも少なくな
り、設計や製造も容易となる。本考案の低域通過フィル
タは誘電体ブロック構造であるため同軸型の誘電体帯域
通過フィルタと並べてアース金具に搭載することがで
き、全体として小型で、フィルタ特性が良好で、使い易
い誘電体フィルタが得られる。
同軸型であり高誘電率の材料を使用でき、また有極帰還
用の電極を別に設ける必要がないため小型化できる。そ
のため取り付け面積が小さくなり、回路基板等への実装
密度が向上する。導体膜は貫通孔の内面と誘電体ブロッ
ク側面に設ければよいため、従来の同軸型の誘電体フィ
ルタの製造技術を応用でき、特性のばらつきも少なくな
り、設計や製造も容易となる。本考案の低域通過フィル
タは誘電体ブロック構造であるため同軸型の誘電体帯域
通過フィルタと並べてアース金具に搭載することがで
き、全体として小型で、フィルタ特性が良好で、使い易
い誘電体フィルタが得られる。
【図１】本考案に係る低域通過フィルタの一実施例を示
す分解斜視図。
す分解斜視図。
【図２】図１の低域通過フィルタの組立断面図。
【図３】図１の低域通過フィルタの等価回路図。
【図４】本考案で用いる金属端子の他の例を示す説明
図。
図。
【図５】本考案に係る低域通過フィルタの応用例を示す
説明図。
説明図。
１０ 誘電体ブロック １２ 貫通孔 １４ 導体膜 １６ アース電極 ２０ 金属端子 ３０ コイル ４０ アース金具
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体ブロックに２個の貫通孔を並設
し、両貫通孔の内面に導体膜を形成すると共に、前記誘
電体ブロックの側面に導体膜を形成してアース電極と
し、両貫通孔内にそれぞれ金属端子を挿入して貫通孔内
面の導体膜に接続し、両金属端子間にコイルを接続した
低域通過フィルタ。 - 【請求項２】 両貫通孔内にそれぞれ金属端子を同じ向
きで挿入し、金属端子のリード部を誘電体ブロックから
突出させ、挿入部分の先端にコイル端部を接続した請求
項１記載の低域通過フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6303191U JPH0744082Y2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 低域通過フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6303191U JPH0744082Y2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 低域通過フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059002U JPH059002U (ja) | 1993-02-05 |
| JPH0744082Y2 true JPH0744082Y2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=13217555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6303191U Expired - Fee Related JPH0744082Y2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 低域通過フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744082Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2504337A (en) * | 2012-07-26 | 2014-01-29 | Oxley Dev Co Ltd | A surface-mountable unitary in-line noise filter |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP6303191U patent/JPH0744082Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH059002U (ja) | 1993-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |