JPH0743779Y2 - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
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- JPH0743779Y2 JPH0743779Y2 JP1989015879U JP1587989U JPH0743779Y2 JP H0743779 Y2 JPH0743779 Y2 JP H0743779Y2 JP 1989015879 U JP1989015879 U JP 1989015879U JP 1587989 U JP1587989 U JP 1587989U JP H0743779 Y2 JPH0743779 Y2 JP H0743779Y2
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- polarized
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- polarized component
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Description
【考案の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 本考案は光ピツクアツプに関し、例えば光デイスク装置
に適用して好適なものである。
に適用して好適なものである。
Ｂ 考案の概要 本考案は、光ピツクアツプにおいて、Ｐ偏光成分とＳ偏
光成分とを選択的に受光する微小領域に分割したことに
より、簡易な構成で、小型形状の光ピツクアツプを得る
ことができる。
光成分とを選択的に受光する微小領域に分割したことに
より、簡易な構成で、小型形状の光ピツクアツプを得る
ことができる。
Ｃ 従来の技術 従来、この種の光デイスクにおいては、カー効果を利用
して、光磁気デイスク上に記録された情報を再生するよ
うになされたものがある。
して、光磁気デイスク上に記録された情報を再生するよ
うになされたものがある。
すなわち第７図において、１は全体として光磁気デイス
ク装置を示し、光磁気デイスク２が、スピンドルモータ
３で回転駆動されるようになされている。
ク装置を示し、光磁気デイスク２が、スピンドルモータ
３で回転駆動されるようになされている。
光磁気デイスク２は、ガラス等の透明基板に垂直磁気異
方性を有する磁化膜がスパツタリング等で形成されるよ
うになされ、当該磁化膜の配向が、所定間隔で記録情報
に応じて遷移するようになされている。
方性を有する磁化膜がスパツタリング等で形成されるよ
うになされ、当該磁化膜の配向が、所定間隔で記録情報
に応じて遷移するようになされている。
これに対して光ピツクアツプ４においては、レーザ光源
５から射出された光ビームLA1が、コリメータレンズ６
を介して平行光線に変換された後、第１の偏光ビームス
プリツタ７を透過して対物レンズ８で光磁気デイスク上
に集光されると共に、その反射光ビームが対物レンズ８
を介して第１の偏光ビームスプリツタ７で分離されるよ
うになされている。
５から射出された光ビームLA1が、コリメータレンズ６
を介して平行光線に変換された後、第１の偏光ビームス
プリツタ７を透過して対物レンズ８で光磁気デイスク上
に集光されると共に、その反射光ビームが対物レンズ８
を介して第１の偏光ビームスプリツタ７で分離されるよ
うになされている。
これにより第８図に示すように、第１の偏光ビームスプ
リツタ７を介して、光磁気デイスク４の磁化膜の配向方
向に応じて、偏光面が所定角度θだけ遷移した光ビーム
LA2を得ることができ、当該偏光面の変化を検出するこ
とにより、光磁気デイスク４上に記録された情報を検出
することができる。
リツタ７を介して、光磁気デイスク４の磁化膜の配向方
向に応じて、偏光面が所定角度θだけ遷移した光ビーム
LA2を得ることができ、当該偏光面の変化を検出するこ
とにより、光磁気デイスク４上に記録された情報を検出
することができる。
すなわち分離された光ビームLA2は、レンズ９等の光学
素子を介して第２の偏光ビームスプリツタ10に入射さ
れ、これにより当該光ビームLA2のＰ偏光成分とＳ偏光
成分とが分離され、それぞれフオトデイテクタ11及び12
に集光させるようになされている。
素子を介して第２の偏光ビームスプリツタ10に入射さ
れ、これにより当該光ビームLA2のＰ偏光成分とＳ偏光
成分とが分離され、それぞれフオトデイテクタ11及び12
に集光させるようになされている。
かくしてフオトデイテクタ11及び12を介して、それぞれ
光ビームLA2のＰ偏光成分及びＳ偏光成分を検出するよ
うになされ、フオトデイテクタ11及び12の出力信号S11
及びS12の差信号S1を差動増幅回路13を介して出力す
る。
光ビームLA2のＰ偏光成分及びＳ偏光成分を検出するよ
うになされ、フオトデイテクタ11及び12の出力信号S11
及びS12の差信号S1を差動増幅回路13を介して出力す
る。
従つて差信号S1の信号レベルに基づいて光ビームLA2の
偏光面の変化を検出し得、これにより光磁気デイスク２
上に記録された情報を検出し得るようになされている。
偏光面の変化を検出し得、これにより光磁気デイスク２
上に記録された情報を検出し得るようになされている。
Ｄ 考案が解決しようとする問題点 ところがこのように第２の偏光ビームスプリツタ10で、
光ビームLA2をＰ偏光成分及びＳ偏光成分に分離して検
出する場合においては、フオトデイテクタ11及び12を、
その受光面が直交するように配置しなければならず、そ
の分光ピツクアツプの構成が複雑になると共に全体の形
状が大型化する問題がある。
光ビームLA2をＰ偏光成分及びＳ偏光成分に分離して検
出する場合においては、フオトデイテクタ11及び12を、
その受光面が直交するように配置しなければならず、そ
の分光ピツクアツプの構成が複雑になると共に全体の形
状が大型化する問題がある。
この問題を解決するための１つの方法として、偏光ビー
ムスプリツタ10に代えてウオラストンプイリズムを用い
て、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分を分離する方法が考えら
れる。
ムスプリツタ10に代えてウオラストンプイリズムを用い
て、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分を分離する方法が考えら
れる。
この方法によればＰ偏光成分及びＳ偏光成分受光用のフ
オトデイテクタを同一平面上に配置し得、その分全体の
構成を簡略化し得ると考えられる。
オトデイテクタを同一平面上に配置し得、その分全体の
構成を簡略化し得ると考えられる。
ところがこの方法の場合、フオーカスエラー信号検出用
のフオトデイテクタ等を配置することが困難になり、結
局全体構成の大型化及び複雑化を避け得ず、解決策とし
ては実用上未だ不十分な問題があつた。
のフオトデイテクタ等を配置することが困難になり、結
局全体構成の大型化及び複雑化を避け得ず、解決策とし
ては実用上未だ不十分な問題があつた。
本考案は以上の点を考慮してなされたもので、全体とし
て簡易な構成で、小型化することができる光ピツクアツ
プを提案しようとするものである。
て簡易な構成で、小型化することができる光ピツクアツ
プを提案しようとするものである。
Ｅ 問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本考案においては、光デイ
スク２に光ビームLA1を照射し、その反射光ビームLA2に
基づいて、光デイスク２から記録情報をフオトデイテク
タ21で検出するようになされた光ピツクアツプにおい
て、フオトデイテクタ21上に、反射光ビームLA2のＰ偏
光成分とＳ偏光成分とを選択的に透過させる微小な第１
及び第２の透過領域AR1、AR2を均一な分布で配置すると
共に、フオトデイテクタ21を、第１及び第２の透過領域
AR1、AR2を透過した反射光ビームLA2のＰ偏光成分とＳ
偏光成分とを選択的に受光する微小領域AR1、AR2に分割
し、第１の透過領域AR1を透過した反射光ビームLA2のＰ
偏光成分を受光するフオトデイテクタ21の微小領域AR1
の和信号SPと、第２の透過領域AR2を透過した反射光ビ
ームLA2のＳ偏光成分を受光するフオトデイテクタ21の
微小領域AR2の和信号SSとの差信号S1に基づいて、記録
情報を検出するようにした。
スク２に光ビームLA1を照射し、その反射光ビームLA2に
基づいて、光デイスク２から記録情報をフオトデイテク
タ21で検出するようになされた光ピツクアツプにおい
て、フオトデイテクタ21上に、反射光ビームLA2のＰ偏
光成分とＳ偏光成分とを選択的に透過させる微小な第１
及び第２の透過領域AR1、AR2を均一な分布で配置すると
共に、フオトデイテクタ21を、第１及び第２の透過領域
AR1、AR2を透過した反射光ビームLA2のＰ偏光成分とＳ
偏光成分とを選択的に受光する微小領域AR1、AR2に分割
し、第１の透過領域AR1を透過した反射光ビームLA2のＰ
偏光成分を受光するフオトデイテクタ21の微小領域AR1
の和信号SPと、第２の透過領域AR2を透過した反射光ビ
ームLA2のＳ偏光成分を受光するフオトデイテクタ21の
微小領域AR2の和信号SSとの差信号S1に基づいて、記録
情報を検出するようにした。
Ｆ 作用 第１の透過領域AR1を透過した反射光ビームLA2のＰ偏光
成分を受光するフオトデイテクタ21の微小領域AR1の和
信号SPと、第２の透過領域AR2を透過した反射光ビームL
A2のＳ偏光成分を受光するフオトデイテクタ21の微小領
域AR2の和信号SSとの差信号S1に基づいて、記録情報を
検出するようにしたことにより、簡易な構成で記録情報
を検出することができる。
成分を受光するフオトデイテクタ21の微小領域AR1の和
信号SPと、第２の透過領域AR2を透過した反射光ビームL
A2のＳ偏光成分を受光するフオトデイテクタ21の微小領
域AR2の和信号SSとの差信号S1に基づいて、記録情報を
検出するようにしたことにより、簡易な構成で記録情報
を検出することができる。
Ｇ 実施例 以下図面について、本考案の一実施例を詳述する。
（G1） 第１の実施例 第７図との対応部分に同一符号を付して示す第１図にお
いて、20は全体として光磁気デイスク装置を示し、レン
ズ９から射出された光ビームIA2を、直接フオトデイテ
クタ21上に集光する。
いて、20は全体として光磁気デイスク装置を示し、レン
ズ９から射出された光ビームIA2を、直接フオトデイテ
クタ21上に集光する。
第２図に示すようにフオトデイテクタ21は、10〜20〔μ
ｍ〕の間隔で、その受光面Ｍが市松模様状に第１の受光
領域AR1と第２の受光領域AR2とに分割され、各受光領域
AR1及びAR2の和信号SP及びSSを、それぞれ差動増幅回路
22に出力するようになされている。
ｍ〕の間隔で、その受光面Ｍが市松模様状に第１の受光
領域AR1と第２の受光領域AR2とに分割され、各受光領域
AR1及びAR2の和信号SP及びSSを、それぞれ差動増幅回路
22に出力するようになされている。
さらにフオトデイテクタ21は、第１の受光領域AR1の受
光面上にＰ偏光成分のみを透過し得るようになされた偏
光フイルタを被着するようになさているのに対し、第２
の受光領域AR2の受光面上にＳ偏光成分のみを透過し得
るようになされた偏光フイルタを被着するようになされ
ている。
光面上にＰ偏光成分のみを透過し得るようになされた偏
光フイルタを被着するようになさているのに対し、第２
の受光領域AR2の受光面上にＳ偏光成分のみを透過し得
るようになされた偏光フイルタを被着するようになされ
ている。
従つて第１の受光領域AR1の和信号SPにおいては、光ビ
ームLA2のＰ偏光成分について検出することができるの
に対し、第２の受光領域AR2の和信号SSにおいては、Ｓ
偏光成分について検出することができ、これにより１つ
のフオトデイテクタ21で反射光ビームLA2の偏波面の変
化を検出することができる。
ームLA2のＰ偏光成分について検出することができるの
に対し、第２の受光領域AR2の和信号SSにおいては、Ｓ
偏光成分について検出することができ、これにより１つ
のフオトデイテクタ21で反射光ビームLA2の偏波面の変
化を検出することができる。
かくして偏光ビームスプリツタ等の光ビーム分離手段を
省略して、１つのフオトデイテクタ21で情報を検出し得
ることから、その分光ピツクアツプの構成を簡略化する
ことができる。
省略して、１つのフオトデイテクタ21で情報を検出し得
ることから、その分光ピツクアツプの構成を簡略化する
ことができる。
さらにフオーカスエラー信号検出用のフオトデイテクタ
等を所望の位置に自由に配置し得、その分全体の構成を
簡略化すると共に小型化することができる。
等を所望の位置に自由に配置し得、その分全体の構成を
簡略化すると共に小型化することができる。
以上の構成によれば、フオトデイテクタ21を微小領域に
分割して、Ｐ偏光成分のみを受光する第１の受光領域AR
1と、Ｓ偏光成分のみを受光する第２の受光領域とを形
成したことにより、偏光ビームスプリツタ等の光ビーム
分離手段を省略して１つのフオトデイテクタ21で情報を
検出し得、かくして全体として簡易な構成で小型形状の
光ピツクアツプを得ることができる。
分割して、Ｐ偏光成分のみを受光する第１の受光領域AR
1と、Ｓ偏光成分のみを受光する第２の受光領域とを形
成したことにより、偏光ビームスプリツタ等の光ビーム
分離手段を省略して１つのフオトデイテクタ21で情報を
検出し得、かくして全体として簡易な構成で小型形状の
光ピツクアツプを得ることができる。
（G2） 第２の実施例 第３図に示すようにこの実施例においては、フオトデイ
テクタ21に代えて、受光面Ｍをさらに第１〜第４の受光
領域ARA、ARB、ARC及びARDに４分割したフオトデイテク
タ31を用いるようにする。
テクタ21に代えて、受光面Ｍをさらに第１〜第４の受光
領域ARA、ARB、ARC及びARDに４分割したフオトデイテク
タ31を用いるようにする。
すなわちフオトデイテクタ31は、４分割した各受光領域
ARA、ARB、ARC及びARDから、それぞれ第１及び第２の受
光領域AR1及びAR2の和信号SAP及びSAS、SBP及びSBS、S
CP及びSCS、SDP及びSDSが得られるようになされ、当該
和信号SAP〜SDSを減算回路及び加算回路で構成された信
号処理回路に出力するようになされている。
ARA、ARB、ARC及びARDから、それぞれ第１及び第２の受
光領域AR1及びAR2の和信号SAP及びSAS、SBP及びSBS、S
CP及びSCS、SDP及びSDSが得られるようになされ、当該
和信号SAP〜SDSを減算回路及び加算回路で構成された信
号処理回路に出力するようになされている。
信号処理回路は、和信号SAP〜SDSを、次式 SFE＝（SAP＋SAS＋SCP＋SCS）−（SBP＋SBS＋SDP＋
SDS） ……（１） SRF＝（SAP＋SBP＋SCP＋SDP）−（SAS＋SBS＋SCS＋
SDS） ……（２） の関係式で表されるように加減算処理し、これによりフ
オーカスエラー信号SFE及び再生信号SRFを形成するよう
になされている。
SDS） ……（１） SRF＝（SAP＋SBP＋SCP＋SDP）−（SAS＋SBS＋SCS＋
SDS） ……（２） の関係式で表されるように加減算処理し、これによりフ
オーカスエラー信号SFE及び再生信号SRFを形成するよう
になされている。
従つて再生信号SRFにおいては、反射光ビームLA2の偏波
面の変化に応じて信号レベルが変化し、これにより記録
情報を検出することができるのに対し、フオーカスエラ
ー信号SFEにおいては、第１及び第３の受光領域ARA及び
ARCと第２及び第４の受光領域ARB及びARDの入射光量に
応じて信号レベルが変化するようになされ、これにより
フオーカスエラーを検出することができる。
面の変化に応じて信号レベルが変化し、これにより記録
情報を検出することができるのに対し、フオーカスエラ
ー信号SFEにおいては、第１及び第３の受光領域ARA及び
ARCと第２及び第４の受光領域ARB及びARDの入射光量に
応じて信号レベルが変化するようになされ、これにより
フオーカスエラーを検出することができる。
従つて、１つのフオトデイテクタ31で記録情報を検出し
得ると共に、フオーカスエラー信号を検出し得ることか
ら、さらに一段と光ピツクアツプの構成を簡略化すると
共に小型化することができる。
得ると共に、フオーカスエラー信号を検出し得ることか
ら、さらに一段と光ピツクアツプの構成を簡略化すると
共に小型化することができる。
第３図の構成によれば、受光面をさらに４分割して、分
割された領域をさらにＰ偏光成分及びＳ偏光成分のみを
受光する第１及び第２の受光領域AR1及びAR2に細分割し
たことにより、偏光ビームスプリツタ等の光ビーム分離
手段を省略して１つのフオトデイテクタ31で記録情報を
検出し得ると共にフオーカスエラー信号を検出し得、か
くして第１の実施例の効果に加えてさらに一段と簡易な
構成で小型形状の光ピツクアツプを得ることができる。
割された領域をさらにＰ偏光成分及びＳ偏光成分のみを
受光する第１及び第２の受光領域AR1及びAR2に細分割し
たことにより、偏光ビームスプリツタ等の光ビーム分離
手段を省略して１つのフオトデイテクタ31で記録情報を
検出し得ると共にフオーカスエラー信号を検出し得、か
くして第１の実施例の効果に加えてさらに一段と簡易な
構成で小型形状の光ピツクアツプを得ることができる。
（G3） 第３の実施例 第４図に示すようにこの実施例においては、フオトデイ
テクタの第１及び第２の受光領域AR1及びAR2上に偏光フ
イルタを配置する代わりに、ストライプSP1及びSP2を形
成する。
テクタの第１及び第２の受光領域AR1及びAR2上に偏光フ
イルタを配置する代わりに、ストライプSP1及びSP2を形
成する。
すなわち第１の受光領域AR1においては、レベル光源４
から射出される光ビームLA1の波長λに対して、間隔λ/
4のピツチで、横方向に延長するストライプSP1が形成さ
れ、当該領域AR1に入射する光ビームLA2を遮光するよう
になされている。
から射出される光ビームLA1の波長λに対して、間隔λ/
4のピツチで、横方向に延長するストライプSP1が形成さ
れ、当該領域AR1に入射する光ビームLA2を遮光するよう
になされている。
これに対して第２の受光領域AR2上においては、ストラ
イプSP1と同一ピツチで、縦方向に延長するストライプS
P2が形成されるようになされ、これにより光ビームLA2
を遮光するようになされている。
イプSP1と同一ピツチで、縦方向に延長するストライプS
P2が形成されるようになされ、これにより光ビームLA2
を遮光するようになされている。
従つて各領域AR1及びAR2に入射するする光ビームLA2に
おいては、ストライプSP1及びSP2に対して偏光面が一致
したＰ偏光成分及びＳ偏光成分のみが入射するようにな
され、これにより各領域AR1及びAR2でＰ偏光成分及びＳ
偏光成分を選択的に受光し得るようになされている。
おいては、ストライプSP1及びSP2に対して偏光面が一致
したＰ偏光成分及びＳ偏光成分のみが入射するようにな
され、これにより各領域AR1及びAR2でＰ偏光成分及びＳ
偏光成分を選択的に受光し得るようになされている。
実際上、このようなストライプSP1及びSP2は、フオトデ
イテクタを半導体製造工程で作成する際に、同一工程で
例えば電子ビーム露光法等で形成することができる。
イテクタを半導体製造工程で作成する際に、同一工程で
例えば電子ビーム露光法等で形成することができる。
従つて第１及び第２の実施例のように、各領域AR1及びA
R2上に偏光フイルタを配置する場合に比して、フオトデ
イテクタを格段的に容易に構成することができ、その分
光ピツクアツプを簡易に構成することができる。
R2上に偏光フイルタを配置する場合に比して、フオトデ
イテクタを格段的に容易に構成することができ、その分
光ピツクアツプを簡易に構成することができる。
第４図の構成によれば、ストライプSP1及びSP2を用い
て、各領域AR1及びAR2でＰ偏光成分及びＳ偏光成分を選
択的に受光し得るようにしたことにより、第１及び第２
の実施例の効果に加えて、一段と簡易に光ピツクアツプ
を構成することができる。
て、各領域AR1及びAR2でＰ偏光成分及びＳ偏光成分を選
択的に受光し得るようにしたことにより、第１及び第２
の実施例の効果に加えて、一段と簡易に光ピツクアツプ
を構成することができる。
（G4） 第４の実施例 第５図に示すようにこの実施例においては、光ビームLA
2の光軸に対してフオトデイテクタ51を傾けて配置す
る。
2の光軸に対してフオトデイテクタ51を傾けて配置す
る。
第６図に示すようにフオトデイテクタ51は、各領域AR1
及びAR2上に窒化シリコン、酸化シリコン等の誘電体多
層膜52が所定の膜厚で形成されるようになされ、これに
より各領域AR1及びAR2に入射する光ビームLA2につい
て、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分を選択的に透過し得るよ
うになされている。
及びAR2上に窒化シリコン、酸化シリコン等の誘電体多
層膜52が所定の膜厚で形成されるようになされ、これに
より各領域AR1及びAR2に入射する光ビームLA2につい
て、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分を選択的に透過し得るよ
うになされている。
実際上、窒化シリコン及び酸化シリコン等の誘電体多層
膜52においては、フオトデイテクタ51を半導体製造工程
で作成する際に、同一工程で例えば気相成長法等を用い
て簡易に形成することができる。
膜52においては、フオトデイテクタ51を半導体製造工程
で作成する際に、同一工程で例えば気相成長法等を用い
て簡易に形成することができる。
さらに第３の実施例のように、光ビームLA1の波長λに
対して、間隔λ/4のピツチの微少間隔のストライプSP1
及びSP2を形成する場合に比して、簡易に形成すること
ができる。
対して、間隔λ/4のピツチの微少間隔のストライプSP1
及びSP2を形成する場合に比して、簡易に形成すること
ができる。
従つてその分第３の実施例に比して、フオトデイテクタ
51を簡易に構成することができ、その分光ピツクアツプ
を簡易に構成することができる。
51を簡易に構成することができ、その分光ピツクアツプ
を簡易に構成することができる。
第６図の構成によれば、誘電体多層膜52を用いて、各領
域AR1及びAR2でＰ偏光成分及びＳ偏光成分を選択的に受
光し得るようにしたことにより、第３の実施例の効果に
加えて、さらに一段と簡易に光ピツクアツプを構成する
ことができる。
域AR1及びAR2でＰ偏光成分及びＳ偏光成分を選択的に受
光し得るようにしたことにより、第３の実施例の効果に
加えて、さらに一段と簡易に光ピツクアツプを構成する
ことができる。
（G5） 他の実施例 なお上述の第３及び第４の実施例においては、Ｐ偏光成
分及びＳ偏光成分を選択的に透過し得るストライプ又は
誘電体多層膜を、半導体製造工程でフオトデイテクタ上
に形成する場合について述べたが、本考案はこれに限ら
ず、別工程で作成してフオトデイテクタ上に配置するよ
うにしてもよい。
分及びＳ偏光成分を選択的に透過し得るストライプ又は
誘電体多層膜を、半導体製造工程でフオトデイテクタ上
に形成する場合について述べたが、本考案はこれに限ら
ず、別工程で作成してフオトデイテクタ上に配置するよ
うにしてもよい。
さらに上述の実施例においては、光磁気デイスク装置の
光ピツクアツプに本考案を適用した場合について述べた
が、本考案はこれに限らず、例えば光デイスク、さらに
はテープ状の光記録媒体に光情報を記録再生する光情報
処理装置等の光ピツクアツプに広く適用することができ
る。
光ピツクアツプに本考案を適用した場合について述べた
が、本考案はこれに限らず、例えば光デイスク、さらに
はテープ状の光記録媒体に光情報を記録再生する光情報
処理装置等の光ピツクアツプに広く適用することができ
る。
Ｈ 考案の効果 上述のように本考案によれば、光デイスクに光ビームを
照射し、その反射光ビームに基づいて、光デイスクから
記録情報をフオトデイテクタで検出するようになされた
光ピツクアツプにおいて、フオトデイテクタ上に反射光
ビームのＰ偏光成分とＳ偏光成分とを選択的に透過させ
る微小な第１及び第２の透過領域を均一な分布で配置す
ると共に、フオトデイテクタを、第１又は第２の透過領
域を透過した反射光ビームのＰ偏光成分とＳ偏光成分と
を選択的に受光する微小領域に分割し、第１の透過領域
を透過した反射光ビームのＰ偏光成分を受光するフオト
デイテクタの微小領域の和信号と、第２の透過領域を透
過した反射光ビームのＳ偏光成分を受光するフオトデイ
テクタの微小領域の和信号との差信号に基づいて、記録
情報を検出するようにしたことにより、簡易な構成で記
録情報を検出し得、かくして簡易な構成で、小型形状の
光ピツクアツプを得ることができる。
照射し、その反射光ビームに基づいて、光デイスクから
記録情報をフオトデイテクタで検出するようになされた
光ピツクアツプにおいて、フオトデイテクタ上に反射光
ビームのＰ偏光成分とＳ偏光成分とを選択的に透過させ
る微小な第１及び第２の透過領域を均一な分布で配置す
ると共に、フオトデイテクタを、第１又は第２の透過領
域を透過した反射光ビームのＰ偏光成分とＳ偏光成分と
を選択的に受光する微小領域に分割し、第１の透過領域
を透過した反射光ビームのＰ偏光成分を受光するフオト
デイテクタの微小領域の和信号と、第２の透過領域を透
過した反射光ビームのＳ偏光成分を受光するフオトデイ
テクタの微小領域の和信号との差信号に基づいて、記録
情報を検出するようにしたことにより、簡易な構成で記
録情報を検出し得、かくして簡易な構成で、小型形状の
光ピツクアツプを得ることができる。
第１図は本考案の一実施例による光磁気デイスク装置を
示す略線図、第２図はそのフオトデイテクタを示す略線
図、第３図は第２の実施例によるフオトデイテクタを示
す略線図、第４図は第３の実施例によるフオトデイテク
タを示す略線図、第５図は第４の実施例による光磁気デ
イスク装置を示す略線図、第６図はそのフオトデイテク
タ上の誘電体多層膜を示す略線図、第７図は従来の光磁
気デイスク装置を示す略線図、第８図はその動作に説明
に供する特性曲線図である。 １、20、50……光磁気デイスク装置、２……光磁気デイ
スク、５……レーザ光源、11、12、21、31、51……フオ
トデイテクタ。
示す略線図、第２図はそのフオトデイテクタを示す略線
図、第３図は第２の実施例によるフオトデイテクタを示
す略線図、第４図は第３の実施例によるフオトデイテク
タを示す略線図、第５図は第４の実施例による光磁気デ
イスク装置を示す略線図、第６図はそのフオトデイテク
タ上の誘電体多層膜を示す略線図、第７図は従来の光磁
気デイスク装置を示す略線図、第８図はその動作に説明
に供する特性曲線図である。 １、20、50……光磁気デイスク装置、２……光磁気デイ
スク、５……レーザ光源、11、12、21、31、51……フオ
トデイテクタ。
Claims (1)
- 【請求項１】光デイスクに光ビームを照射し、その反射
光ビームに基づいて、上記光デイスクから記録情報をフ
オトデイテクタで検出するようになされた光ピツクアツ
プにおいて、 上記フオトデイテクタ上に、上記反射光ビームのＰ偏光
成分とＳ偏光成分とを選択的に透過させる微小な第１及
び第２の透過領域を均一な分布で配置すると共に、上記
フオトデイテクタを、上記第１及び第２の透過領域を透
過した上記反射光ビームの上記Ｐ偏光成分と上記Ｓ偏光
成分とを選択的に受光する微小領域に分割し、 上記第１の透過領域を透過した上記反射光ビームの上記
Ｐ偏光成分を受光する上記フオトデイテクタの上記微小
領域の和信号と、上記第２の透過領域を透過した上記反
射光ビームの上記Ｓ偏光成分を受光する上記フオトデイ
テクタの上記微小領域の和信号との差信号に基づいて、
上記記録情報を検出するようにした ことを特徴とする光ピツクアツプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989015879U JPH0743779Y2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989015879U JPH0743779Y2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 光ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110024U JPH02110024U (ja) | 1990-09-03 |
| JPH0743779Y2 true JPH0743779Y2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=31228323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989015879U Expired - Lifetime JPH0743779Y2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743779Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281146A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Seiko Epson Corp | 光磁気信号検出方法 |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP1989015879U patent/JPH0743779Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02110024U (ja) | 1990-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |