JPH0738389B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0738389B2 JPH0738389B2 JP20378187A JP20378187A JPH0738389B2 JP H0738389 B2 JPH0738389 B2 JP H0738389B2 JP 20378187 A JP20378187 A JP 20378187A JP 20378187 A JP20378187 A JP 20378187A JP H0738389 B2 JPH0738389 B2 JP H0738389B2
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- Japan
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- film
- metal silicide
- resist
- etched
- semiconductor device
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に金属配
線の微細パターンを形成するのに好適な半導体装置の製
造方法に関するものである。
線の微細パターンを形成するのに好適な半導体装置の製
造方法に関するものである。
［従来の技術］ 第4a図〜第4f図は、従来の半導体装置の製造方法を説明
する縦断面図である（たとえば、特開昭58-122750
号）。
する縦断面図である（たとえば、特開昭58-122750
号）。
第4a図示するように、まず酸化膜１上に被エッチング膜
２をスパッタリングによってデポジットした後、真空中
で連続的にポリシリコン膜３（低反射膜）を薄く（1000
Å以下の厚さ）形成する。なお、ポリシリコン膜３の膜
厚はアルミニウム合金などの被エッチング膜２からの反
射率が最少となるような膜厚とする。その上にフォトレ
ジストやEBレジストまたはＸ線レジストなどのレジスト
４を１μｍ以上塗布するとともに、通常のパターン形成
法にて露光・現像することにより、第4b図のようにレジ
ストの微細パターンを形成する。その後、第4c図に示す
ように、レジスト４をエッチングマスクとして、ポリシ
リコン膜３をフッ素系ガスでドライエッチングする。さ
らに、第4d図に示すように、レジスト４とポリシリコン
膜３をエッチングマスクとして被エッチング膜２を塩素
系ガスでエッチングする。エッチング後、第4e図に示す
ように、レジスト４の除去をO2プラズマで行なう。その
後、第4f図に示すように、ポリシリコン膜３をフッ素系
ガスで除去する。
２をスパッタリングによってデポジットした後、真空中
で連続的にポリシリコン膜３（低反射膜）を薄く（1000
Å以下の厚さ）形成する。なお、ポリシリコン膜３の膜
厚はアルミニウム合金などの被エッチング膜２からの反
射率が最少となるような膜厚とする。その上にフォトレ
ジストやEBレジストまたはＸ線レジストなどのレジスト
４を１μｍ以上塗布するとともに、通常のパターン形成
法にて露光・現像することにより、第4b図のようにレジ
ストの微細パターンを形成する。その後、第4c図に示す
ように、レジスト４をエッチングマスクとして、ポリシ
リコン膜３をフッ素系ガスでドライエッチングする。さ
らに、第4d図に示すように、レジスト４とポリシリコン
膜３をエッチングマスクとして被エッチング膜２を塩素
系ガスでエッチングする。エッチング後、第4e図に示す
ように、レジスト４の除去をO2プラズマで行なう。その
後、第4f図に示すように、ポリシリコン膜３をフッ素系
ガスで除去する。
［発明が解決しようとする問題点］ 前記従来の方法では、レジストの除去工程に加えてポリ
シリコン膜（低反射膜）を除去する工程が必要で、しか
もその工程において下地の酸化膜が損傷される。また、
ポリシリコン膜を用いた低反射膜では、反射率を広い範
囲で選択できない。
シリコン膜（低反射膜）を除去する工程が必要で、しか
もその工程において下地の酸化膜が損傷される。また、
ポリシリコン膜を用いた低反射膜では、反射率を広い範
囲で選択できない。
この発明は、前記問題点を解決するためになされたもの
で、次のような事項を目的としている。
で、次のような事項を目的としている。
低反射膜の除去を別工程とせず、工程を減らす。
下地の基板などに損傷を与えることなしに、精度良
く微細パターンを形成することを可能とする。
く微細パターンを形成することを可能とする。
低反射膜の反射率を広い範囲で自由に選択できるよ
うにして、適切な反射率の設定を容易にする。
うにして、適切な反射率の設定を容易にする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置の製造方法は、次のような工
程を備えている。
程を備えている。
半導体基板上または酸化膜上に被エッチング膜を形
成し、その上に金属シリサイド窒化膜または金属シリサ
イド酸化窒化膜を形成する工程。
成し、その上に金属シリサイド窒化膜または金属シリサ
イド酸化窒化膜を形成する工程。
その上に、レジスト膜を形成して、所望の微細パタ
ーンを形成する工程。
ーンを形成する工程。
次に、前記レジスト膜をエッチングマスクとして、
前記金属シリサイド窒化膜または金属シリサイド酸化窒
化膜をエッチングする工程。
前記金属シリサイド窒化膜または金属シリサイド酸化窒
化膜をエッチングする工程。
前記レジスト膜と前記金属シリサイド窒化膜または
金属シリサイド酸化窒化膜とをエッチングマスクとし
て、前記被エッチング膜をエッチングする工程。
金属シリサイド酸化窒化膜とをエッチングマスクとし
て、前記被エッチング膜をエッチングする工程。
その後に、前記レジスト膜と前記金属シリサイド窒
化膜または金属シリサイド酸化窒化膜とを一度に除去す
る工程。
化膜または金属シリサイド酸化窒化膜とを一度に除去す
る工程。
なお、前記金属シリサイド窒化膜は、たとえば、窒素の
含有率を変えるとにより、反射率を10％から60％の範囲
で自由に選択できる低反射膜である。また、前記金属シ
リサイド酸化窒化膜は、たとえば、窒素と酸素の含有率
を変えることにより、反射率を自由に選択できる低反射
膜である。前記レジスト膜と前記金属シリサイド窒化膜
または金属シリサイド酸化窒化膜を一度に除去する際に
は、たとえば、O2プラズマを用いる。
含有率を変えるとにより、反射率を10％から60％の範囲
で自由に選択できる低反射膜である。また、前記金属シ
リサイド酸化窒化膜は、たとえば、窒素と酸素の含有率
を変えることにより、反射率を自由に選択できる低反射
膜である。前記レジスト膜と前記金属シリサイド窒化膜
または金属シリサイド酸化窒化膜を一度に除去する際に
は、たとえば、O2プラズマを用いる。
［作用］ この発明では、金属シリサイド窒化膜または金属シリサ
イド酸化窒化膜を被エッチング膜上に形成する。これに
より、アルミ合金などからなる被エッチング膜の高い反
射率を低減できる。しかも、金属シリサイド窒化膜の窒
素の含有率を変えることにより、または金属シリサイド
酸化窒化膜の酸素・窒素の含有率を変えることにより、
反射率を広い範囲で自由に選択できる。
イド酸化窒化膜を被エッチング膜上に形成する。これに
より、アルミ合金などからなる被エッチング膜の高い反
射率を低減できる。しかも、金属シリサイド窒化膜の窒
素の含有率を変えることにより、または金属シリサイド
酸化窒化膜の酸素・窒素の含有率を変えることにより、
反射率を広い範囲で自由に選択できる。
また、この発明では、レジストと金属シリサイド窒化膜
または金属シリサイド酸化窒化膜とを一度に除去する。
このため、低反射膜を除去するのに別工程が要らず、工
程が少なくて済む。このとき、従来のようにフッ素系ガ
スを用いず、O2プラズマでレジストと金属シリサイド窒
化膜または金属シリサイド酸化窒化膜とを除去すれば、
下地の基板などに損傷を与えることはない。
または金属シリサイド酸化窒化膜とを一度に除去する。
このため、低反射膜を除去するのに別工程が要らず、工
程が少なくて済む。このとき、従来のようにフッ素系ガ
スを用いず、O2プラズマでレジストと金属シリサイド窒
化膜または金属シリサイド酸化窒化膜とを除去すれば、
下地の基板などに損傷を与えることはない。
［実施例］ 第1a図〜第1e図は、この発明の一実施例を示している。
まず、図示しない真空室内に基板を配置し、第1a図に示
すように基板またはそれに形成された酸化膜11上に、ア
ルミ合金膜である被エッチング膜12を真空中でスパッタ
リングによりデポジットする。続いて、Arガスに加えて
N2ガスを同時にチャンバ内に流す。ターゲットとしてMo
Sixを用い、DCバイアスによる反応性スパッタ法によ
り、MoSixNy膜13（金属シリサイド窒化膜の一例）を100
0Å以下の厚さに形成する。
すように基板またはそれに形成された酸化膜11上に、ア
ルミ合金膜である被エッチング膜12を真空中でスパッタ
リングによりデポジットする。続いて、Arガスに加えて
N2ガスを同時にチャンバ内に流す。ターゲットとしてMo
Sixを用い、DCバイアスによる反応性スパッタ法によ
り、MoSixNy膜13（金属シリサイド窒化膜の一例）を100
0Å以下の厚さに形成する。
このとき、ArガスとN2ガスとの流量比を変化させること
により、x,yの値を種々設定できる。MoSixNy膜13の反射
率は、窒素の含有量または膜厚を種々設定することによ
って、10％から60％の範囲で自由に選択できる。波長43
6nmでの膜厚と反射率との関係を示す第２図で明らかな
ように、従来のポリシリコン膜に比べて、MoSixNy膜で
は反射率を幅広くかつ格段に低く設定できる。また、従
来のポリシリコン膜では、膜厚だけで反射率が決まるの
に対し、MoSixNy膜を用いると、膜厚だけでなく窒素含
有量の調整によっても反射率が変更できるので、適切な
反射率に調整することが容易である。MoSixNyのx,yとし
ては、種々の値を設定できる。ｘとしては、２程度が好
ましい。また、ｙとしては１〜３程度であり、１程度が
より好ましい。Mo以外の金属としてはCr,Wなどが使用さ
れ得るが、Moが最も好ましい。
により、x,yの値を種々設定できる。MoSixNy膜13の反射
率は、窒素の含有量または膜厚を種々設定することによ
って、10％から60％の範囲で自由に選択できる。波長43
6nmでの膜厚と反射率との関係を示す第２図で明らかな
ように、従来のポリシリコン膜に比べて、MoSixNy膜で
は反射率を幅広くかつ格段に低く設定できる。また、従
来のポリシリコン膜では、膜厚だけで反射率が決まるの
に対し、MoSixNy膜を用いると、膜厚だけでなく窒素含
有量の調整によっても反射率が変更できるので、適切な
反射率に調整することが容易である。MoSixNyのx,yとし
ては、種々の値を設定できる。ｘとしては、２程度が好
ましい。また、ｙとしては１〜３程度であり、１程度が
より好ましい。Mo以外の金属としてはCr,Wなどが使用さ
れ得るが、Moが最も好ましい。
次に、フォトレジストやEBレジストまたはＸ線レジスト
などのレジスト膜14を1.0μｍの厚さに塗布し、通常の
パターン形成法にてレジスト14を露光・現像することに
より、第1b図に示すようなレジスト14による所望の微細
パターンを形成する。
などのレジスト膜14を1.0μｍの厚さに塗布し、通常の
パターン形成法にてレジスト14を露光・現像することに
より、第1b図に示すようなレジスト14による所望の微細
パターンを形成する。
その後、第1c図に示すように、レジスト14をエッチング
マスクとして、MoSixNy膜13をフッ素系ガスでドライエ
ッチングする。
マスクとして、MoSixNy膜13をフッ素系ガスでドライエ
ッチングする。
次いで、第1d図に示すように、レジスト14とMoSixNy膜1
3をエッチングマスクとして、被エッチング膜12をエッ
チングする。このとき、被エッチング膜12がアルミ合金
であれば、エッチングガスとして塩素系ガスを用いるの
で、MoSixNy膜13とアルミ合金との選択性は十分であ
り、仮にレジスト14がなくなってもMoSixNy膜13は十分
にエッチングマスクとして機能し得る。
3をエッチングマスクとして、被エッチング膜12をエッ
チングする。このとき、被エッチング膜12がアルミ合金
であれば、エッチングガスとして塩素系ガスを用いるの
で、MoSixNy膜13とアルミ合金との選択性は十分であ
り、仮にレジスト14がなくなってもMoSixNy膜13は十分
にエッチングマスクとして機能し得る。
エッチング後に、O2プラズマ15でレジスト14の除去を行
なう、この際、MoSixNy膜13は、レジスト14の成分およ
び酸素と化合物を形成して揮発性物質となり、一度に除
去できる。このため、O2プラズマ15による一度の処理
で、基板または酸化膜11上に被エッチング膜12による所
望の微細パターンが形成された第1e図の状態を得ること
ができる。
なう、この際、MoSixNy膜13は、レジスト14の成分およ
び酸素と化合物を形成して揮発性物質となり、一度に除
去できる。このため、O2プラズマ15による一度の処理
で、基板または酸化膜11上に被エッチング膜12による所
望の微細パターンが形成された第1e図の状態を得ること
ができる。
［別の実施例］ （ａ）前記金属シリサイド窒化膜に代えて、金属シリサ
イド酸化窒化膜を使用することもできる。金属シリサイ
ド酸化窒化膜MoSixOyNzのx,y,zとしては種々の値を設定
できる。ｘとしては、２程度が好ましい。また、ｙとし
ては0.5〜２程度であり、１程度がより好ましい。ｚと
しては１〜３程度であり、１程度がより好ましい。Mo以
外の金属のとしてはCr,Wなどが使用されるが、Moが最も
好ましい。
イド酸化窒化膜を使用することもできる。金属シリサイ
ド酸化窒化膜MoSixOyNzのx,y,zとしては種々の値を設定
できる。ｘとしては、２程度が好ましい。また、ｙとし
ては0.5〜２程度であり、１程度がより好ましい。ｚと
しては１〜３程度であり、１程度がより好ましい。Mo以
外の金属のとしてはCr,Wなどが使用されるが、Moが最も
好ましい。
MoSixOyNzからなる膜の反射率は、酸素の含有量、窒素
の含有量または膜厚を種々設定することによって広い範
囲で自由に選択できる。この場合も、前記MoSixNy膜13
と同様の膜厚〜反射率特性を示すが、設定可能な反射率
の下限はさらに下がり、８％程度まで設定が可能とな
る。
の含有量または膜厚を種々設定することによって広い範
囲で自由に選択できる。この場合も、前記MoSixNy膜13
と同様の膜厚〜反射率特性を示すが、設定可能な反射率
の下限はさらに下がり、８％程度まで設定が可能とな
る。
（ｂ）第3a図〜第3e図に示すように、基板または酸化膜
11上にバリアメタル層16を形成し、さらにその上に被エ
ッチング膜12を形成する場合でも、本発明を同様に実施
することができる。なお、第3a図〜第3e図は、それぞれ
第1a図〜第1e図に対応しており、第3d図において被エッ
チング膜12とともにバリアメタル層16がエッチングされ
ることを除いては、同一の工程となっている。ここで、
バリアメタル16としては、たとえばTiNなどが使用され
る。
11上にバリアメタル層16を形成し、さらにその上に被エ
ッチング膜12を形成する場合でも、本発明を同様に実施
することができる。なお、第3a図〜第3e図は、それぞれ
第1a図〜第1e図に対応しており、第3d図において被エッ
チング膜12とともにバリアメタル層16がエッチングされ
ることを除いては、同一の工程となっている。ここで、
バリアメタル16としては、たとえばTiNなどが使用され
る。
［発明の効果］ この発明によれば、レジスト膜と低反射膜とを一度に除
去することができるため、工程数を減らすことができる
ようになる。また、下地の基板などに損傷を与えること
なしに、精度良く容易に微細パターンを形成することが
できるようになる。さらに、低反射膜の反射率を広い範
囲で自由に選択できるようになり、適切な反射率の設定
を容易に行なえるようになる。
去することができるため、工程数を減らすことができる
ようになる。また、下地の基板などに損傷を与えること
なしに、精度良く容易に微細パターンを形成することが
できるようになる。さらに、低反射膜の反射率を広い範
囲で自由に選択できるようになり、適切な反射率の設定
を容易に行なえるようになる。
第1a図〜第1e図は、この発明の一実施例を工程別に示す
縦断面図である。第２図は、膜厚〜反射率特性を示すグ
ラフである。第3a図〜第3e図は、別の実施例の第1a図〜
第1e図に相当する縦断面図である。第4a図〜第4f図は、
従来の製造方法を示す縦断面図である。 11は基板または酸化膜、12は被エッチング膜、13はMoSi
xNy膜、14はレジスト、15はO2プラズマである。
縦断面図である。第２図は、膜厚〜反射率特性を示すグ
ラフである。第3a図〜第3e図は、別の実施例の第1a図〜
第1e図に相当する縦断面図である。第4a図〜第4f図は、
従来の製造方法を示す縦断面図である。 11は基板または酸化膜、12は被エッチング膜、13はMoSi
xNy膜、14はレジスト、15はO2プラズマである。
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上または酸化膜上に被エッチン
グ膜を形成し、その上に金属シリサイド窒化膜または金
属シリサイド酸化窒化膜を形成する工程と、 その上に、レジスト膜を形成して、所望の微細パターン
を形成する工程と、 次に、前記レジスト膜をエッチングマスクとして、前記
金属シリサイド窒化膜または金属シリサイド酸化窒化膜
をエッチングする工程と、 前記レジスト膜と前記金属シリサイド窒化膜または金属
シリサイド酸化窒化膜とをエッチングマスクとして、前
記被エッチング膜をエッチングする工程と、 その後に、前記レジスト膜と前記金属シリサイド窒化膜
または金属シリサイド酸化窒化膜とを一度に除去する工
程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記金属シリサイド窒化膜は、窒素の含有
率を変えることにより、反射率を10％から60％の範囲で
自由に選択できる低反射膜である特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記金属シリサイド酸化窒化膜は、窒素と
酸素の含有率を変えることにより、反射率を選択できる
低反射膜である特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】前記レジスト膜と前記金属シリサイド窒化
膜または金属シリサイド酸化窒化膜とを一度に除去する
際に、O2プラズマを用いる特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20378187A JPH0738389B2 (ja) | 1987-08-17 | 1987-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20378187A JPH0738389B2 (ja) | 1987-08-17 | 1987-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6446932A JPS6446932A (en) | 1989-02-21 |
| JPH0738389B2 true JPH0738389B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=16479668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20378187A Expired - Lifetime JPH0738389B2 (ja) | 1987-08-17 | 1987-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738389B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479960B1 (ko) * | 2002-06-17 | 2005-03-30 | 동부아남반도체 주식회사 | 감광막 패턴의 미세 선폭 구현을 위한 난반사 방지막 제조방법 |
| JP4859145B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2012-01-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | エッチングレジスト |
| CN102199333A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | 苏州美克思科技发展有限公司 | 酚醛蜂窝芯增强先进复合材料的制造方法 |
-
1987
- 1987-08-17 JP JP20378187A patent/JPH0738389B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6446932A (en) | 1989-02-21 |
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