JPH0737512A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0737512A JPH0737512A JP5183751A JP18375193A JPH0737512A JP H0737512 A JPH0737512 A JP H0737512A JP 5183751 A JP5183751 A JP 5183751A JP 18375193 A JP18375193 A JP 18375193A JP H0737512 A JPH0737512 A JP H0737512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- substrates
- pdp
- display panel
- plasma display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
に関し、放電特性の安定化を図るとともに、所定の表示
画面を有するＰＤＰの小型化を可能にすることを目的と
する。 【構成】放電空間３０を介して対向する一対の基板１
１，２１の周囲が、例えばガスデポジション法により形
成される金属層３１によって、マロリー接着法を用いて
封止されて構成される。
に関し、放電特性の安定化を図るとともに、所定の表示
画面を有するＰＤＰの小型化を可能にすることを目的と
する。 【構成】放電空間３０を介して対向する一対の基板１
１，２１の周囲が、例えばガスデポジション法により形
成される金属層３１によって、マロリー接着法を用いて
封止されて構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関し、放電空間を
形成するための封止材料に特徴を有する。
パネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関し、放電空間を
形成するための封止材料に特徴を有する。
【０００２】ＰＤＰは、表示輝度の上で有利な自己発光
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ハイビジョン映像の分野にその用
途が拡大されつつある。
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ハイビジョン映像の分野にその用
途が拡大されつつある。
【０００３】
【従来の技術】ここでは、本発明の実施例を示す図２を
参照してＰＤＰの構造について説明する。
参照してＰＤＰの構造について説明する。
【０００４】ＰＤＰは、表示面Ｈ側のガラス基板１１と
背面側のガラス基板２１とを対向配置し、これらガラス
基板１１，２１の対向領域の周縁部を封止することによ
って、内部に数十〜百μｍ程度の間隙からなる放電空間
を形成した表示デバイスである。
背面側のガラス基板２１とを対向配置し、これらガラス
基板１１，２１の対向領域の周縁部を封止することによ
って、内部に数十〜百μｍ程度の間隙からなる放電空間
を形成した表示デバイスである。
【０００５】マトリクス表示方式のＰＤＰでは、各ガラ
ス基板１１，２１の内面上に電極が一定ピッチで配列さ
れ（図ではガラス基板２１上の電極２２が示されてい
る）、これら電極によって放電セルの画定される領域が
表示領域（表示画面）ＥＨとなる。
ス基板１１，２１の内面上に電極が一定ピッチで配列さ
れ（図ではガラス基板２１上の電極２２が示されてい
る）、これら電極によって放電セルの画定される領域が
表示領域（表示画面）ＥＨとなる。
【０００６】各電極は、放電空間からガラス基板１１，
２１の端部まで導出され、図示しないフレキシブルプリ
ント配線板などによって外部の駆動回路と接続される。
このような電気的接続を容易とするため、各ガラス基板
１１，２１は、それぞれの両端縁が他方のガラス基板の
端縁より外側に張り出すように、大きさ及び対向配置の
位置が選定されている。
２１の端部まで導出され、図示しないフレキシブルプリ
ント配線板などによって外部の駆動回路と接続される。
このような電気的接続を容易とするため、各ガラス基板
１１，２１は、それぞれの両端縁が他方のガラス基板の
端縁より外側に張り出すように、大きさ及び対向配置の
位置が選定されている。
【０００７】さて、従来においては、一対のガラス基板
１１，２１の周囲が低融点ガラスによって封止されてい
た。すなわち、従来の製造方法では、各ガラス基板１
１，２１について別個に電極及び誘電体層などの所定の
構成部材を設けた後、両ガラス基板１１，２１の対向配
置に先立って、一方のガラス基板上に放電空間の間隙寸
法の１．５〜２倍程度の高さを有した枠状の低融点ガラ
ス層（封止用部材）が設けられる。そして、両ガラス基
板１１，２１を重ね合わせて互いに押し当てた状態で、
４００℃程度の熱処理が行われる。これにより、低融点
ガラス層が軟化して基板間隙を埋める封止材となり、こ
の封止材による融着の形で放電空間が密閉される。
１１，２１の周囲が低融点ガラスによって封止されてい
た。すなわち、従来の製造方法では、各ガラス基板１
１，２１について別個に電極及び誘電体層などの所定の
構成部材を設けた後、両ガラス基板１１，２１の対向配
置に先立って、一方のガラス基板上に放電空間の間隙寸
法の１．５〜２倍程度の高さを有した枠状の低融点ガラ
ス層（封止用部材）が設けられる。そして、両ガラス基
板１１，２１を重ね合わせて互いに押し当てた状態で、
４００℃程度の熱処理が行われる。これにより、低融点
ガラス層が軟化して基板間隙を埋める封止材となり、こ
の封止材による融着の形で放電空間が密閉される。
【０００８】なお、低融点ガラス層は、枠状パターンを
有したスクリーンマスクを用いて低融点ガラスペースト
を印刷し、その後に仮焼成を行うことによって形成され
る。
有したスクリーンマスクを用いて低融点ガラスペースト
を印刷し、その後に仮焼成を行うことによって形成され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、ガラ
ス基板１１，２１の封止材が厚膜法による低融点ガラス
層であるので、封止時及び実際の使用時に低融点ガラス
層から有機溶剤などの残留不純物が湧き出る、いわゆる
ガス放出が避けられない。このため、誘電体層を被覆す
る保護膜（ＭｇＯ膜）が汚染されたり、放電ガスの組成
の経時変化が生じ、放電が不安定になるおそれがあると
いう問題があった。
ス基板１１，２１の封止材が厚膜法による低融点ガラス
層であるので、封止時及び実際の使用時に低融点ガラス
層から有機溶剤などの残留不純物が湧き出る、いわゆる
ガス放出が避けられない。このため、誘電体層を被覆す
る保護膜（ＭｇＯ膜）が汚染されたり、放電ガスの組成
の経時変化が生じ、放電が不安定になるおそれがあると
いう問題があった。
【００１０】また、表示の均一化を図るために、封止材
を設ける封止領域ＥＳの近傍を避けるように表示領域Ｅ
Ｈを設ける必要がある。つまり、表示領域ＥＨの周囲に
一定幅の非表示領域を設けるようにガラス基板１１，２
１の大きさが選定されるので、必然的にＰＤＰの外形が
大型になるという問題もあった。
を設ける封止領域ＥＳの近傍を避けるように表示領域Ｅ
Ｈを設ける必要がある。つまり、表示領域ＥＨの周囲に
一定幅の非表示領域を設けるようにガラス基板１１，２
１の大きさが選定されるので、必然的にＰＤＰの外形が
大型になるという問題もあった。
【００１１】本発明は、上述の問題に鑑み、放電特性の
安定化を図るとともに、所定の表示画面を有するＰＤＰ
の小型化を可能にすることを目的としている。
安定化を図るとともに、所定の表示画面を有するＰＤＰ
の小型化を可能にすることを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るＰ
ＤＰは、上述の課題を解決するため、図１に示すよう
に、放電空間３０を介して対向する一対の基板１１，２
１の周囲が、金属層３１によって封止されて構成され
る。
ＤＰは、上述の課題を解決するため、図１に示すよう
に、放電空間３０を介して対向する一対の基板１１，２
１の周囲が、金属層３１によって封止されて構成され
る。
【００１３】請求項２の発明に係る方法は、少なくとも
一方の基板１１の周囲に封止用の金属層３１を形成する
工程と、前記金属層３１を挟むように前記一対の基板１
１，２１を対向配置して互いに押し当てた状態で、前記
各基板１１，２１と前記金属層３１との間に、前記各基
板１１，２１を負極側とし且つ金属層３１を正極側とし
て直流電圧を印加することにより、前記各基板１１，２
１の周囲を封止する工程とを含む製造方法である。
一方の基板１１の周囲に封止用の金属層３１を形成する
工程と、前記金属層３１を挟むように前記一対の基板１
１，２１を対向配置して互いに押し当てた状態で、前記
各基板１１，２１と前記金属層３１との間に、前記各基
板１１，２１を負極側とし且つ金属層３１を正極側とし
て直流電圧を印加することにより、前記各基板１１，２
１の周囲を封止する工程とを含む製造方法である。
【００１４】請求項３の発明に係る方法は、前記金属層
３１をガスデポジション法によって形成する製造方法で
ある。請求項４の発明に係る方法は、前記各基板１１，
２１の周囲の封止を不活性雰囲気中で行う製造方法であ
る。
３１をガスデポジション法によって形成する製造方法で
ある。請求項４の発明に係る方法は、前記各基板１１，
２１の周囲の封止を不活性雰囲気中で行う製造方法であ
る。
【００１５】
【作用】基板１１，２１の封止材として、一方の基板１
１上に例えばガスデポジション法により不純物をほとん
ど含まない金属層３１が形成される。そして、金属層３
１と基板１１，２１との間に直流電圧を印加する接着法
（マロリー法と呼称される方法）によって、基板１１，
２１の周囲が封止される。
１上に例えばガスデポジション法により不純物をほとん
ど含まない金属層３１が形成される。そして、金属層３
１と基板１１，２１との間に直流電圧を印加する接着法
（マロリー法と呼称される方法）によって、基板１１，
２１の周囲が封止される。
【００１６】
【実施例】図１は本発明に係るＰＤＰ１の構造を模式的
に示す断面図、図２は図１のＰＤＰ１の外形を示す平面
図である。
に示す断面図、図２は図１のＰＤＰ１の外形を示す平面
図である。
【００１７】ＰＤＰ１は、対向放電形式のＡＣ型のＰＤ
Ｐであり、表示面Ｈ側のガラス基板１１、背面側のガラ
ス基板２１、各ガラス基板１１，２１の内面上に形成さ
れた電極１２，２２、誘電体層１５，２５、保護膜１
７，２７、及びガラス基板１１，２１の周囲を封止する
金属層３１などから構成されている。
Ｐであり、表示面Ｈ側のガラス基板１１、背面側のガラ
ス基板２１、各ガラス基板１１，２１の内面上に形成さ
れた電極１２，２２、誘電体層１５，２５、保護膜１
７，２７、及びガラス基板１１，２１の周囲を封止する
金属層３１などから構成されている。
【００１８】内部の放電空間３０は図示しないスペーサ
によって間隙寸法が１００μｍ程度に規定されており、
この放電空間３０にはキセノンとネオンとを混合した放
電ガスが封入されている。
によって間隙寸法が１００μｍ程度に規定されており、
この放電空間３０にはキセノンとネオンとを混合した放
電ガスが封入されている。
【００１９】電極１２，２２は例えばクロム−銅−クロ
ムの三層構造の金属薄膜からなる。誘電体層１５，２５
は数十μｍ程度の厚さの低融点ガラスからなり、保護膜
１７，２７は５０００Å程度の厚さのＭｇＯの薄膜から
なる。
ムの三層構造の金属薄膜からなる。誘電体層１５，２５
は数十μｍ程度の厚さの低融点ガラスからなり、保護膜
１７，２７は５０００Å程度の厚さのＭｇＯの薄膜から
なる。
【００２０】そして、金属層３１は、熱膨張係数Ｋがガ
ラス基板１１，２１及び誘電体層１５，２５のそれに近
い金属、例えばチタン（Ｔｉ，Ｋ＝９×１０-6／℃）、
タンタル（Ｔａ，Ｋ＝６×１０-6／℃）、又はゲルマニ
ウム（Ｇｅ，Ｋ＝６×１０-6／℃）などからなる。
ラス基板１１，２１及び誘電体層１５，２５のそれに近
い金属、例えばチタン（Ｔｉ，Ｋ＝９×１０-6／℃）、
タンタル（Ｔａ，Ｋ＝６×１０-6／℃）、又はゲルマニ
ウム（Ｇｅ，Ｋ＝６×１０-6／℃）などからなる。
【００２１】次に、以上の構成のＰＤＰ１の製造方法に
ついて説明する。ＰＤＰ１の製造に際しては、ガラス基
板１１，２１について別個に電極１２，２２及び誘電体
層１５，２５を設けた後に、一方のガラス基板（例えば
ガラス基板２１）の周縁部の誘電体層２５上に枠状の金
属層３１を形成する。
ついて説明する。ＰＤＰ１の製造に際しては、ガラス基
板１１，２１について別個に電極１２，２２及び誘電体
層１５，２５を設けた後に、一方のガラス基板（例えば
ガラス基板２１）の周縁部の誘電体層２５上に枠状の金
属層３１を形成する。
【００２２】金属層３１の形成にはガスデポジション法
を用いる。すなわち、ヘリウムなどの稀ガスを導入して
内部圧力を２ａｔｍ程度とした高圧側のチャンバ内で、
封止用の金属を蒸発させて金属微粒子を生成し、内部圧
力を大気圧程度とした低圧側のチャンバ内へ圧力差を利
用して金属微粒子を噴出させる。その際、予め低圧側の
チャンバ内に配置しておいたガラス基板２１を噴出ノズ
ルに対して相対的に移動させる。これにより、厚さ（高
さ）が１００μｍ程度であり且つ幅が５ｍｍ程度の所定
パターンの金属層３１が容易に得られる。
を用いる。すなわち、ヘリウムなどの稀ガスを導入して
内部圧力を２ａｔｍ程度とした高圧側のチャンバ内で、
封止用の金属を蒸発させて金属微粒子を生成し、内部圧
力を大気圧程度とした低圧側のチャンバ内へ圧力差を利
用して金属微粒子を噴出させる。その際、予め低圧側の
チャンバ内に配置しておいたガラス基板２１を噴出ノズ
ルに対して相対的に移動させる。これにより、厚さ（高
さ）が１００μｍ程度であり且つ幅が５ｍｍ程度の所定
パターンの金属層３１が容易に得られる。
【００２３】続いて、金属層３１の上面の平滑度を０．
０５〜０．１μｍ程度とする表面研磨処理を行う。この
処理は後述の封止に際してガラス基板１１側との密着性
を高めるために行われる。
０５〜０．１μｍ程度とする表面研磨処理を行う。この
処理は後述の封止に際してガラス基板１１側との密着性
を高めるために行われる。
【００２４】その後、誘電体層２５の所定部位を被覆す
る保護膜２７を蒸着などにより設けたガラス基板２１
と、同様に保護膜１７を設けたガラス基板１１とを電極
１２，２２が互いに直交するように重ね合わせる。すな
わち、金属層３１を挟むように一対のガラス基板１１，
２１を対向配置する。
る保護膜２７を蒸着などにより設けたガラス基板２１
と、同様に保護膜１７を設けたガラス基板１１とを電極
１２，２２が互いに直交するように重ね合わせる。すな
わち、金属層３１を挟むように一対のガラス基板１１，
２１を対向配置する。
【００２５】そして、適当な押圧力を加えてガラス基板
１１，２１を互いに押し当て、図３に示すように、各基
板１１，２１を負極側とし且つ金属層３１を正極側とし
て、各ガラス基板１１，２１（厳密には誘電体層１５，
２５）と金属層３１との間に直流電圧を印加し、その状
態でガラス基板１１，２１及び金属層３１を熱する。こ
のとき、直流電圧は１００〜１０００Ｖ程度とし、加熱
温度は誘電体層（低融点ガラス）１５，２５の軟化点よ
り低い３００〜５００℃程度とする。なお、図３では、
保護膜１７，２７の図示を省略してある。
１１，２１を互いに押し当て、図３に示すように、各基
板１１，２１を負極側とし且つ金属層３１を正極側とし
て、各ガラス基板１１，２１（厳密には誘電体層１５，
２５）と金属層３１との間に直流電圧を印加し、その状
態でガラス基板１１，２１及び金属層３１を熱する。こ
のとき、直流電圧は１００〜１０００Ｖ程度とし、加熱
温度は誘電体層（低融点ガラス）１５，２５の軟化点よ
り低い３００〜５００℃程度とする。なお、図３では、
保護膜１７，２７の図示を省略してある。
【００２６】温度上昇にともなって、絶縁体である誘電
体層１５，２５において、プラスイオンとマイナスイオ
ンとが生じる。これらイオンの内、プラスイオンは電源
の負極側に引き寄せられて中和する。しかし、マイナス
イオンは金属層３１の近傍に蓄積する。
体層１５，２５において、プラスイオンとマイナスイオ
ンとが生じる。これらイオンの内、プラスイオンは電源
の負極側に引き寄せられて中和する。しかし、マイナス
イオンは金属層３１の近傍に蓄積する。
【００２７】このため、各誘電体層１５，２５と金属層
３１との境目に強い電界が生じ、静電引力によって誘電
体層１５，２５の表層面と金属層３１の表層面とが密接
し、さらにイオン結合反応が生じて誘電体層１５，２５
と金属層３１とが密着する。
３１との境目に強い電界が生じ、静電引力によって誘電
体層１５，２５の表層面と金属層３１の表層面とが密接
し、さらにイオン結合反応が生じて誘電体層１５，２５
と金属層３１とが密着する。
【００２８】これにより、ガラス基板１１，２１の周囲
が封止され、放電空間３０が形成される。なお、このよ
うな封止は、保護膜１７，２７を設けた後に、ガラス基
板１１，２１を大気に晒すことなく加熱手段を有したチ
ャンバ内に搬送し、窒素雰囲気中又は真空中などの不活
性雰囲気中で行う。
が封止され、放電空間３０が形成される。なお、このよ
うな封止は、保護膜１７，２７を設けた後に、ガラス基
板１１，２１を大気に晒すことなく加熱手段を有したチ
ャンバ内に搬送し、窒素雰囲気中又は真空中などの不活
性雰囲気中で行う。
【００２９】以降においては、図示しない通気管を介し
て放電空間３０の排気及び放電ガスの充填を行い、金属
層３１の外側の余分の誘電体層１５，２５をエッチング
により除去して電極１２，２２を露出させてＰＤＰ１を
完成する。
て放電空間３０の排気及び放電ガスの充填を行い、金属
層３１の外側の余分の誘電体層１５，２５をエッチング
により除去して電極１２，２２を露出させてＰＤＰ１を
完成する。
【００３０】上述の実施例によれば、ガスデポジション
法を用いて金属層３１を封止材として形成したので、厚
膜法による場合に避けることが困難であるバインダなど
の不純物の混入がなく、且つ１００μｍ程度の比較的に
厚い枠状の金属層３１が得られる。このため、封止材の
ガス放出がないので、長期にわたって安定した放電特性
が得られるとともに、表示領域を封止材から大きく離す
必要がないことから、ＰＤＰ１の小型化を図ることがで
きる。
法を用いて金属層３１を封止材として形成したので、厚
膜法による場合に避けることが困難であるバインダなど
の不純物の混入がなく、且つ１００μｍ程度の比較的に
厚い枠状の金属層３１が得られる。このため、封止材の
ガス放出がないので、長期にわたって安定した放電特性
が得られるとともに、表示領域を封止材から大きく離す
必要がないことから、ＰＤＰ１の小型化を図ることがで
きる。
【００３１】また、ガラス基板１１，２１の封止に際し
て熱処理を加えてもガス放出による雰囲気の変質が起こ
らないので、封止を不活性雰囲気中で行うことができ
る。つまり、水分などの付着し易い保護膜１７，２７を
大気に晒すことなく封止を終えることができるので、保
護膜１７，２７の汚染に起因する放電開始電圧の上昇や
焼付きなどを防止することができる。
て熱処理を加えてもガス放出による雰囲気の変質が起こ
らないので、封止を不活性雰囲気中で行うことができ
る。つまり、水分などの付着し易い保護膜１７，２７を
大気に晒すことなく封止を終えることができるので、保
護膜１７，２７の汚染に起因する放電開始電圧の上昇や
焼付きなどを防止することができる。
【００３２】上述の実施例において、ガラス基板１１，
２１の封止条件、すなわち基板の押圧力、印加電圧、及
び温度などは、ＰＤＰ１の大きさや封止用金属の種類な
どに応じて適宜選定することができる。
２１の封止条件、すなわち基板の押圧力、印加電圧、及
び温度などは、ＰＤＰ１の大きさや封止用金属の種類な
どに応じて適宜選定することができる。
【００３３】上述の実施例においては、マトリクス表示
方式の対向放電型のＰＤＰ１を例示したが、表示方式及
び放電形態は限定されず、例えばセグメント表示方式又
はマトリクス表示方式の面放電型ＰＤＰにも本発明を適
用することができる。
方式の対向放電型のＰＤＰ１を例示したが、表示方式及
び放電形態は限定されず、例えばセグメント表示方式又
はマトリクス表示方式の面放電型ＰＤＰにも本発明を適
用することができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、放電特性の安定化を図
ることができ、所定の表示画面を有するＰＤＰの小型化
を可能にすることができる。
ることができ、所定の表示画面を有するＰＤＰの小型化
を可能にすることができる。
【００３５】請求項４の発明によれば、製造に際して放
電空間の汚染を可及的に抑えることができる。
電空間の汚染を可及的に抑えることができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの構造を模式的に示す断面
図である。
図である。
【図２】図１のＰＤＰの外形を示す平面図である。
【図３】封止工程の内容を示す断面図である。
１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル） １１，２１ ガラス基板（基板） ３１ 金属層
Claims (4)
- 【請求項１】放電空間（３０）を介して対向する一対の
基板（１１）（２１）の周囲が、金属層（３１）によっ
て封止されてなることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネル。 - 【請求項２】放電空間（３０）を介して対向する一対の
基板（１１）（２１）からなるプラズマディスプレイパ
ネル（１）の製造方法であって、 少なくとも前記一方の基板（１１）の周囲に、封止用の
金属層（３１）を形成する工程と、 前記金属層（３１）を挟むように前記一対の基板（１
１）（２１）を対向配置して互いに押し当てた状態で、
前記各基板（１１）（２１）と前記金属層（３１）との
間に、前記各基板（１１）（２１）を負極側とし且つ金
属層（３１）を正極側として直流電圧を印加することに
より、前記各基板（１１）（２１）の周囲を封止する工
程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項３】前記金属層（３１）をガスデポジション法
によって形成することを特徴とする請求項２記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】前記各基板（１１）（２１）の周囲の封止
を、不活性雰囲気中で行うことを特徴とする請求項２又
は請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5183751A JPH0737512A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5183751A JPH0737512A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737512A true JPH0737512A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16141343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5183751A Withdrawn JPH0737512A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737512A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005047B2 (en) | 2002-04-24 | 2006-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Film deposition apparatus and film deposition method |
| WO2007108116A1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2012073333A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Panasonic Corp | 気密封止構造の形成方法及び気密封止構造を有する電子デバイス |
-
1993
- 1993-07-26 JP JP5183751A patent/JPH0737512A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005047B2 (en) | 2002-04-24 | 2006-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Film deposition apparatus and film deposition method |
| US7462380B2 (en) | 2002-04-24 | 2008-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming method employing sub-electrodes aligned toward target |
| WO2007108116A1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2012073333A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Panasonic Corp | 気密封止構造の形成方法及び気密封止構造を有する電子デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6242859B1 (en) | Plasma display panel and method of manufacturing same | |
| US6414434B1 (en) | Plasma display panel having first and second partition walls | |
| JPH0737512A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| US4428764A (en) | Method of making fusible spacer for display panel | |
| WO1981001910A1 (en) | Fusible spacer for plasma display panel | |
| JP2000030618A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP2002231138A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造工程 | |
| JP5517355B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3361161B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3840750B2 (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
| JPH10302645A (ja) | ガス放電パネル | |
| WO2009081471A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JPH09129143A (ja) | 放電型表示装置の構造 | |
| JPH0337933A (ja) | ガス放電型表示パネルの製造方法 | |
| JP3409763B2 (ja) | ガス放電パネル及びガス放電パネルの製造方法 | |
| JP3430905B2 (ja) | チップ型サージアブソーバの製造方法 | |
| JP2871496B2 (ja) | 平面型蛍光ランプの製造方法 | |
| EP1548792B1 (en) | Plasma display panel | |
| JP2000019497A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2005158336A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| US5917463A (en) | Plasma addressed liquid crystal display panel with thinned cover sheet | |
| JP4177917B2 (ja) | ガス放電型表示装置の製造方法 | |
| WO2004066340A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| KR100212732B1 (ko) | 평판소자의 필름형 기능막 부착방법 | |
| JP3430666B2 (ja) | プラズマアドレス表示装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |