JP3430905B2 - チップ型サージアブソーバの製造方法 - Google Patents
チップ型サージアブソーバの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はサージ電圧を吸収す
るサージアブソーバの製造方法に係るものであり、詳し
くは対面配置された２枚の絶縁性基板間に、１対の放電
電極と、この放電電極間の放電間隙に臨む密閉された放
電室とを有するチップ型サージアブソーバを製造する方
法に関する。
るサージアブソーバの製造方法に係るものであり、詳し
くは対面配置された２枚の絶縁性基板間に、１対の放電
電極と、この放電電極間の放電間隙に臨む密閉された放
電室とを有するチップ型サージアブソーバを製造する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップ型サージアブソーバとして
は、図２に示す如く、アルミナ基板２１の一方の板面に
放電電極２１Ａ，２１Ｂと端子電極２２Ａ，２２Ｂを印
刷し、大気中で放電させる形態のものがあるが、このよ
うなチップ型サージアブソーバでは、放電電極及び絶縁
を確保するための絶縁部が大気中にさらされているため
に、大気圧、湿度、埃の影響で放電開始電圧が安定しな
いという欠点がある。
は、図２に示す如く、アルミナ基板２１の一方の板面に
放電電極２１Ａ，２１Ｂと端子電極２２Ａ，２２Ｂを印
刷し、大気中で放電させる形態のものがあるが、このよ
うなチップ型サージアブソーバでは、放電電極及び絶縁
を確保するための絶縁部が大気中にさらされているため
に、大気圧、湿度、埃の影響で放電開始電圧が安定しな
いという欠点がある。
【０００３】この問題を解決するものとして、図３に示
す如く、放電間隙をあけて１対の放電電極３１Ａ，３１
Ｂを板面に形成したアルミナ基板３１と、放電室形成用
の開孔３２Ａが板央部に形成されたアルミナ基板３２と
開孔のないアルミナ基板３３とを（図３（ａ））、この
順で、ガラスペーストを用いて積層一体化してサージア
ブソーバ素体３４とし（図３（ｂ））、その両端面に端
子電極３５Ａ，３５Ｂを形成したものがある（図３
（ｃ））。
す如く、放電間隙をあけて１対の放電電極３１Ａ，３１
Ｂを板面に形成したアルミナ基板３１と、放電室形成用
の開孔３２Ａが板央部に形成されたアルミナ基板３２と
開孔のないアルミナ基板３３とを（図３（ａ））、この
順で、ガラスペーストを用いて積層一体化してサージア
ブソーバ素体３４とし（図３（ｂ））、その両端面に端
子電極３５Ａ，３５Ｂを形成したものがある（図３
（ｃ））。
【０００４】このチップ型サージアブソーバでは、放電
電極３１Ａ，３１Ｂの放電間隙が開孔３２Ａ部分に臨む
ように配置され、開孔３２Ａ部分が密閉した放電室とな
る。
電極３１Ａ，３１Ｂの放電間隙が開孔３２Ａ部分に臨む
ように配置され、開孔３２Ａ部分が密閉した放電室とな
る。
【０００５】更に、放電電極が形成されたアルミナ基板
上にガラス製の円筒状のリブ材を載せ、その上に低軟化
点のガラスシートを被せ、加熱一体化させることによ
り、該リブ材の部分に放電室を形成したチップ型サージ
アブソーバの製造方法もある。
上にガラス製の円筒状のリブ材を載せ、その上に低軟化
点のガラスシートを被せ、加熱一体化させることによ
り、該リブ材の部分に放電室を形成したチップ型サージ
アブソーバの製造方法もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】放電室を有するチップ
型サージアブソーバであれば、大気圧、湿度、埃等の問
題は解消され、放電開始電圧の安定したチップ型サージ
アブソーバが提供されるが、その製造工程上、次のよう
な欠点がある。
型サージアブソーバであれば、大気圧、湿度、埃等の問
題は解消され、放電開始電圧の安定したチップ型サージ
アブソーバが提供されるが、その製造工程上、次のよう
な欠点がある。
【０００７】 図３に示す如く、３枚のアルミナ基板
を積層して一体化したり、アルミナ基板とリブ材とをガ
ラスシートを用いて一体化したりする場合、基板の位置
すれが起こり易く、製品寸法のバラツキが大きい上に、
著しい場合には、放電室への封入ガスの封止が不可能に
なる。
を積層して一体化したり、アルミナ基板とリブ材とをガ
ラスシートを用いて一体化したりする場合、基板の位置
すれが起こり易く、製品寸法のバラツキが大きい上に、
著しい場合には、放電室への封入ガスの封止が不可能に
なる。
【０００８】 バインダを含む融着用ガラスやガラス
シートを用いる場合には、脱バインダ処理が必要となる
が、この脱バインダ処理が不完全であるために、良好な
封止が行えない場合がある。
シートを用いる場合には、脱バインダ処理が必要となる
が、この脱バインダ処理が不完全であるために、良好な
封止が行えない場合がある。
【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決し、封入
ガス雰囲気の放電室を有するチップ型サージアブソーバ
であって、封止に当り脱バインダ処理が不要で、製品寸
法のバラツキを防止して、容易に封止を行うことが可能
なチップ型サージアブソーバを製造する方法を提供する
ことを目的とする。
ガス雰囲気の放電室を有するチップ型サージアブソーバ
であって、封止に当り脱バインダ処理が不要で、製品寸
法のバラツキを防止して、容易に封止を行うことが可能
なチップ型サージアブソーバを製造する方法を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型サージ
アブソーバの製造方法は、対面配置された第１及び第２
の絶縁性基板と、該第１の絶縁性基板の板面のうち、該
第２の絶縁性基板に対面する板面に、放電間隙をあけて
設けられた１対の放電電極と、該放電間隙に臨む密閉さ
れた放電室とを有するチップ型サージアブソーバを製造
する方法であって、該第１の絶縁性基板の一方の板面に
放電間隙をあけて１対の放電電極を形成する工程と、該
第２の絶縁性基板の一方の板面に電着法によりガラス粉
末を付着、堆積させて放電室を囲むための壁状部を形成
する工程と、該第１の絶縁性基板と該第２の絶縁性基板
とを、前記一方の板面同士を対面させて、かつ、前記放
電間隙が前記壁状部に囲まれるように当接し、加熱して
該壁状部を軟化させ、該第１の絶縁性基板と該第２の絶
縁性基板とを接合一体化する工程とを備えてなることを
特徴とする。
アブソーバの製造方法は、対面配置された第１及び第２
の絶縁性基板と、該第１の絶縁性基板の板面のうち、該
第２の絶縁性基板に対面する板面に、放電間隙をあけて
設けられた１対の放電電極と、該放電間隙に臨む密閉さ
れた放電室とを有するチップ型サージアブソーバを製造
する方法であって、該第１の絶縁性基板の一方の板面に
放電間隙をあけて１対の放電電極を形成する工程と、該
第２の絶縁性基板の一方の板面に電着法によりガラス粉
末を付着、堆積させて放電室を囲むための壁状部を形成
する工程と、該第１の絶縁性基板と該第２の絶縁性基板
とを、前記一方の板面同士を対面させて、かつ、前記放
電間隙が前記壁状部に囲まれるように当接し、加熱して
該壁状部を軟化させ、該第１の絶縁性基板と該第２の絶
縁性基板とを接合一体化する工程とを備えてなることを
特徴とする。
【００１１】電着法によれば、バインダを用いることな
く、ガラス粉末の付着、堆積で、放電室の壁状部を精度
良く形成することができる。このため、脱バインダ処理
が不要であり、寸法等のバラツキも大幅に低減され、容
易かつ確実に封止を行うことができる。
く、ガラス粉末の付着、堆積で、放電室の壁状部を精度
良く形成することができる。このため、脱バインダ処理
が不要であり、寸法等のバラツキも大幅に低減され、容
易かつ確実に封止を行うことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１３】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明のチップ型サ
ージアブソーバの製造方法の実施の形態を示す系統図で
ある。
ージアブソーバの製造方法の実施の形態を示す系統図で
ある。
【００１４】まず、第１の絶縁性基板となるアルミナ基
板１に、導電性ペーストの印刷、焼成で放電電極１Ａ，
１Ｂと端子電極２Ａ，２Ｂを形成する（図１（ａ））。
板１に、導電性ペーストの印刷、焼成で放電電極１Ａ，
１Ｂと端子電極２Ａ，２Ｂを形成する（図１（ａ））。
【００１５】放電電極１Ａ，１Ｂは、放電間隙をあけて
対向するようにアルミナ基板１の板面に形成される。端
子電極２Ａ，２Ｂは、それぞれ放電電極１Ａ，１Ｂに連
続して、アルミナ基板１の両端面と、放電電極１Ａ，１
Ｂ形成面と反対側の面の端縁側に形成される。
対向するようにアルミナ基板１の板面に形成される。端
子電極２Ａ，２Ｂは、それぞれ放電電極１Ａ，１Ｂに連
続して、アルミナ基板１の両端面と、放電電極１Ａ，１
Ｂ形成面と反対側の面の端縁側に形成される。
【００１６】この放電電極１Ａ，１Ｂ及び端子電極２
Ａ，２Ｂは、一般に１〜１００μｍ程度の厚さに形成さ
れ、放電電極１Ａ，１Ｂの放電間隙は、要求される放電
特性に応じて０．００５〜０．６ｍｍ程度に設けられ
る。
Ａ，２Ｂは、一般に１〜１００μｍ程度の厚さに形成さ
れ、放電電極１Ａ，１Ｂの放電間隙は、要求される放電
特性に応じて０．００５〜０．６ｍｍ程度に設けられ
る。
【００１７】別に、第２の絶縁性基板となるアルミナ基
板３の板面に、導電性ペーストを印刷、焼成することに
より、電着時の電極となる導電性膜４を形成する（図２
（ｂ））。この導電性膜４は、密閉された放電室の壁状
部を形成するために、円形、四角形等の枠状に形成され
る。図１（ｂ）においては、長方形状の枠状部４Ａと電
着時の電極取出部４Ｂとが形成されている。
板３の板面に、導電性ペーストを印刷、焼成することに
より、電着時の電極となる導電性膜４を形成する（図２
（ｂ））。この導電性膜４は、密閉された放電室の壁状
部を形成するために、円形、四角形等の枠状に形成され
る。図１（ｂ）においては、長方形状の枠状部４Ａと電
着時の電極取出部４Ｂとが形成されている。
【００１８】なお、この導電性膜４は１〜１０μｍ程度
の厚さに形成するのが好ましく、その幅は、形成される
放電室の壁状部の厚さに応じて、０．１〜１ｍｍの範囲
とされる。
の厚さに形成するのが好ましく、その幅は、形成される
放電室の壁状部の厚さに応じて、０．１〜１ｍｍの範囲
とされる。
【００１９】次いで、この導電性膜４を形成したアルミ
ナ基板３を、対向電極と共に、電着液に浸漬し、電着を
行う。
ナ基板３を、対向電極と共に、電着液に浸漬し、電着を
行う。
【００２０】電着は、アルミナ基板３の導電性膜４と対
向電極との間に、１００〜６００Ｖの直流電圧を印加し
て（導電性膜４側を正とする。）行われる。このように
電圧を印加することにより、水等の電離で発生したＨ+
やＯＨ-等のイオンがガラス粉末をカップリングし、導
電性膜４側にガラス粉末が電気泳動し、導電性膜４上に
ガラス粉末が付着、堆積することで導電性膜４上にガラ
スの電着膜５が形成される（図１（ｃ））。
向電極との間に、１００〜６００Ｖの直流電圧を印加し
て（導電性膜４側を正とする。）行われる。このように
電圧を印加することにより、水等の電離で発生したＨ+
やＯＨ-等のイオンがガラス粉末をカップリングし、導
電性膜４側にガラス粉末が電気泳動し、導電性膜４上に
ガラス粉末が付着、堆積することで導電性膜４上にガラ
スの電着膜５が形成される（図１（ｃ））。
【００２１】この電着膜５の高さ寸法は、得られるチッ
プ型サージアブソーバを過度に大きくすることなく、十
分な放電室を確保する上で、０．１〜１．０ｍｍ程度と
するのが好ましい。この電着膜５の高さは、印加電圧や
電圧印加時間を制御することにより容易に調節すること
ができる。
プ型サージアブソーバを過度に大きくすることなく、十
分な放電室を確保する上で、０．１〜１．０ｍｍ程度と
するのが好ましい。この電着膜５の高さは、印加電圧や
電圧印加時間を制御することにより容易に調節すること
ができる。
【００２２】このような電着法によれば、バインダを含
まない、従って脱バインダ処理が不要なガラス壁を所望
の位置に、所望の寸法で精度良く、容易に形成すること
ができる。
まない、従って脱バインダ処理が不要なガラス壁を所望
の位置に、所望の寸法で精度良く、容易に形成すること
ができる。
【００２３】電着膜５が形成されたアルミナ基板３は電
着液から引き上げ、必要に応じて乾燥した後、この上に
放電電極１Ａ，１Ｂと端子電極２Ａ，２Ｂを形成したア
ルミナ基板１を、電着膜５形成面と放電電極１Ａ,１Ｂ
形成面とが対面するように載せ、電着膜５で囲まれた放
電室内を封入ガスで置換した後、６００〜８００℃程度
で焼成することにより、アルミナ基板３とアルミナ基板
１とを接合一体化する（図１（ｄ））。
着液から引き上げ、必要に応じて乾燥した後、この上に
放電電極１Ａ，１Ｂと端子電極２Ａ，２Ｂを形成したア
ルミナ基板１を、電着膜５形成面と放電電極１Ａ,１Ｂ
形成面とが対面するように載せ、電着膜５で囲まれた放
電室内を封入ガスで置換した後、６００〜８００℃程度
で焼成することにより、アルミナ基板３とアルミナ基板
１とを接合一体化する（図１（ｄ））。
【００２４】このアルミナ基板１とアルミナ基板３との
接合に当っては、アルミナ基板１の放電電極１Ａ，１Ｂ
の放電間隙が電着膜５で包囲される領域内に位置するよ
うに位置合わせをする。
接合に当っては、アルミナ基板１の放電電極１Ａ，１Ｂ
の放電間隙が電着膜５で包囲される領域内に位置するよ
うに位置合わせをする。
【００２５】この位置合わせ及びアルミナ基板１とアル
ミナ基板３との接合に当っては、予め電極や電着膜が形
成された２枚のアルミナ基板を重ね合わせるのみである
ため、３枚のアルミナ基板を重ね合わせたり、リブ材を
介在させて重ね合わせたりする従来法に比べて極めて容
易に接合作業を行うことができ、製品寸法のバラツキや
封止不良の問題は殆どない。
ミナ基板３との接合に当っては、予め電極や電着膜が形
成された２枚のアルミナ基板を重ね合わせるのみである
ため、３枚のアルミナ基板を重ね合わせたり、リブ材を
介在させて重ね合わせたりする従来法に比べて極めて容
易に接合作業を行うことができ、製品寸法のバラツキや
封止不良の問題は殆どない。
【００２６】なお、封入ガスとしては、Ｈｅ，Ｎ2，Ａ
ｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＳＦ6，ＣＯ2，Ｈ2等の１種を単独
で、或いは２種以上を混合して使用することができる。
また、この封入ガスの圧力は、通常の場合、１００〜１
０００Ｔｏｒｒ程度とされる。
ｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＳＦ6，ＣＯ2，Ｈ2等の１種を単独
で、或いは２種以上を混合して使用することができる。
また、この封入ガスの圧力は、通常の場合、１００〜１
０００Ｔｏｒｒ程度とされる。
【００２７】これにより、アルミナ基板１，３間に、電
着膜５の焼成で形成されたガラス壁状部６により、放電
電極１Ａ，１Ｂの放電間隙に臨む密閉された放電室７が
形成されたチップ型サージアブソーバ８が得られる（図
１（ｅ））。
着膜５の焼成で形成されたガラス壁状部６により、放電
電極１Ａ，１Ｂの放電間隙に臨む密閉された放電室７が
形成されたチップ型サージアブソーバ８が得られる（図
１（ｅ））。
【００２８】なお、図１の説明では、絶縁性基板として
アルミナ基板を用いたが、アルミナ基板以外の絶縁性基
板であっても良い。この絶縁性基板としては、通常の場
合、２．０〜３．２ｍｍ×１．２５〜１．６ｍｍ×１．
０〜１．５ｍｍ厚さ程度の大きさのものが使用される。
アルミナ基板を用いたが、アルミナ基板以外の絶縁性基
板であっても良い。この絶縁性基板としては、通常の場
合、２．０〜３．２ｍｍ×１．２５〜１．６ｍｍ×１．
０〜１．５ｍｍ厚さ程度の大きさのものが使用される。
【００２９】また、放電電極や端子電極或いは、電着用
の導電性膜を形成するための導電性材料としては、Ａｇ
が一般的に使用されるが、その他、Ａｇ−Ｐｔ、Ｔｉ等
であっても良い。
の導電性膜を形成するための導電性材料としては、Ａｇ
が一般的に使用されるが、その他、Ａｇ−Ｐｔ、Ｔｉ等
であっても良い。
【００３０】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３１】実施例１
図１（ａ）〜（ｅ）に示す本発明方法に従って、チップ
型サージアブソーバを製造した。
型サージアブソーバを製造した。
【００３２】１．６ｍｍ×３．２ｍｍ×０．５ｍｍ厚さ
のアルミナ基板１の一方の板面に、Ａｇ厚膜ペーストを
印刷、焼成することにより、膜厚１０μｍ，幅１．０ｍ
ｍの帯状の１対の放電電極１Ａ，１Ｂを形成し、次いで
同様にして端子電極２Ａ，２Ｂを形成した。なお、端子
電極２Ａ，２Ｂは、放電電極１Ａ，１Ｂに連続してアル
ミナ基板１の両端面と、放電電極１Ａ，１Ｂ形成面と反
対側の面にまたがって形成し、該反対側面の端子電極の
幅は０．５ｍｍとした。また、放電電極１Ａ，１Ｂ間の
間隙は０．１ｍｍとした（図１（ａ））。
のアルミナ基板１の一方の板面に、Ａｇ厚膜ペーストを
印刷、焼成することにより、膜厚１０μｍ，幅１．０ｍ
ｍの帯状の１対の放電電極１Ａ，１Ｂを形成し、次いで
同様にして端子電極２Ａ，２Ｂを形成した。なお、端子
電極２Ａ，２Ｂは、放電電極１Ａ，１Ｂに連続してアル
ミナ基板１の両端面と、放電電極１Ａ，１Ｂ形成面と反
対側の面にまたがって形成し、該反対側面の端子電極の
幅は０．５ｍｍとした。また、放電電極１Ａ，１Ｂ間の
間隙は０．１ｍｍとした（図１（ａ））。
【００３３】別に、１．６ｍｍ×３．２ｍｍ×０．５ｍ
ｍ厚さのアルミナ基板３の一方の板面にＡｇ厚膜ペース
トを印刷、焼成することにより、膜厚１０μｍ，幅１ｍ
ｍで２ｍｍ×１ｍｍの長方形の枠状のＡｇ導電性膜４を
形成した（図１（ｂ））。
ｍ厚さのアルミナ基板３の一方の板面にＡｇ厚膜ペース
トを印刷、焼成することにより、膜厚１０μｍ，幅１ｍ
ｍで２ｍｍ×１ｍｍの長方形の枠状のＡｇ導電性膜４を
形成した（図１（ｂ））。
【００３４】電着液として、ガラス粉末を、水に分散さ
せたものを用い、この電着液中に、上記Ａｇ導電性膜４
を形成したアルミナ基板３と対向電極（ダミー電極）と
を対面させて浸漬し、対向電極とＡｇ導電性膜４との間
に直流６００Ｖを１０分間印加して電着を行った。その
結果、Ａｇ膜４上に、高さ０．５ｍｍのガラス電着膜５
が形成された（図１（ｃ））。
せたものを用い、この電着液中に、上記Ａｇ導電性膜４
を形成したアルミナ基板３と対向電極（ダミー電極）と
を対面させて浸漬し、対向電極とＡｇ導電性膜４との間
に直流６００Ｖを１０分間印加して電着を行った。その
結果、Ａｇ膜４上に、高さ０．５ｍｍのガラス電着膜５
が形成された（図１（ｃ））。
【００３５】電極１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂを形成したア
ルミナ基板１を、ガラス電着膜５を形成したアルミナ基
板３の上に載せ、電着膜５で囲まれた放電室内の雰囲気
をＡｒガス（２００Ｔｏｒｒ）に置換し、８００℃で焼
成することによりアルミナ基板１，３同士を接合して一
体化した。
ルミナ基板１を、ガラス電着膜５を形成したアルミナ基
板３の上に載せ、電着膜５で囲まれた放電室内の雰囲気
をＡｒガス（２００Ｔｏｒｒ）に置換し、８００℃で焼
成することによりアルミナ基板１，３同士を接合して一
体化した。
【００３６】得られたチップ型サージアブソーバ８の放
電特性及び外形寸法のバラツキ等を調べ、結果を表１に
示した。なお、放電開始電圧はＤＣ電圧を印加し放電電
流が１ｍＡになった時点の電圧を求めた。
電特性及び外形寸法のバラツキ等を調べ、結果を表１に
示した。なお、放電開始電圧はＤＣ電圧を印加し放電電
流が１ｍＡになった時点の電圧を求めた。
【００３７】比較例１
実施例１において、端子電極と放電電極を形成したアル
ミナ基板のみで図２に示すような放電室を有しないチッ
プ型サージアブソーバとし、実施例１と同様にしてこの
チップ型サージアブソーバの放電特性及び外形寸法のバ
ラツキ等を調べ、結果を表１に示した。
ミナ基板のみで図２に示すような放電室を有しないチッ
プ型サージアブソーバとし、実施例１と同様にしてこの
チップ型サージアブソーバの放電特性及び外形寸法のバ
ラツキ等を調べ、結果を表１に示した。
【００３８】比較例２
図３（ａ）〜（ｃ）に示す方法でチップ型サージアブソ
ーバを製造した。
ーバを製造した。
【００３９】実施例１と同寸法の放電電極を形成したア
ルミナ基板と、板央に直径１ｍｍの開孔を有するアルミ
ナ基板と、平板状のアルミナ基板（アルミナ基板の寸法
はいずれも１．６ｍｍ×３．２ｍｍ×０．５ｍｍ厚さ）
を用意し、板面にバインダを含むガラスペーストを印刷
し、４００℃で脱バインダ処理した後、放電室内の雰囲
気をＡｒガス（２００Ｔｏｒｒ）に置換し、８００℃で
焼成して積層一体化し、更に端子電極を形成することに
より、チップ型サージアブソーバとした。
ルミナ基板と、板央に直径１ｍｍの開孔を有するアルミ
ナ基板と、平板状のアルミナ基板（アルミナ基板の寸法
はいずれも１．６ｍｍ×３．２ｍｍ×０．５ｍｍ厚さ）
を用意し、板面にバインダを含むガラスペーストを印刷
し、４００℃で脱バインダ処理した後、放電室内の雰囲
気をＡｒガス（２００Ｔｏｒｒ）に置換し、８００℃で
焼成して積層一体化し、更に端子電極を形成することに
より、チップ型サージアブソーバとした。
【００４０】このチップ型サージアブソーバについて、
実施例１と同様にして放電特性及び外形寸法のバラツキ
等を調べ、結果を表１に示した。
実施例１と同様にして放電特性及び外形寸法のバラツキ
等を調べ、結果を表１に示した。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型サ
ージアブソーバの製造方法によれば、封入ガス雰囲気の
放電室を有するチップ型サージアブソーバを、脱バイン
ダ処理を必要とすることなく、また、外形寸法のバラツ
キの問題もなく、容易かつ効率的に製造することができ
る。従って、本発明によれば、放電開始電圧の安定した
高品質チップ型サージアブソーバを歩留り良く製造する
ことができる。
ージアブソーバの製造方法によれば、封入ガス雰囲気の
放電室を有するチップ型サージアブソーバを、脱バイン
ダ処理を必要とすることなく、また、外形寸法のバラツ
キの問題もなく、容易かつ効率的に製造することができ
る。従って、本発明によれば、放電開始電圧の安定した
高品質チップ型サージアブソーバを歩留り良く製造する
ことができる。
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明のチップ型サージ
アブソーバの製造方法の実施の形態を示す斜視図であ
る。
アブソーバの製造方法の実施の形態を示す斜視図であ
る。
【図２】従来のチップ型サージアブソーバを示す斜視図
である。
である。
【図３】従来のチップ型サージアブソーバを示す斜視図
である。
である。
１．３ アルミナ基板
１Ａ，１Ｂ 放電電極
２Ａ，２Ｂ 端子電極
４ 導電性膜
５ ガラス電着膜
６ ガラス壁状部
７ 放電室
８ チップ型サージアブソーバ
フロントページの続き
(72)発明者 広瀬 英一郎
埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地
三菱マテリアル株式会社 電子技術研究
所内
(72)発明者 猿渡 暢也
埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地
三菱マテリアル株式会社 電子技術研究
所内
(56)参考文献 特開 平９−223566（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−64336（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−175191（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−175190（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−213223（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−171769（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01T 21/00
H01T 14/00
H01T 4/10 - 4/12
Claims (2)
- 【請求項１】 対面配置された第１及び第２の絶縁性基
板と、該第１の絶縁性基板の板面のうち、該第２の絶縁
性基板に対面する板面に、放電間隙をあけて設けられた
１対の放電電極と、該放電間隙に臨む密閉された放電室
とを有するチップ型サージアブソーバを製造する方法で
あって、 該第１の絶縁性基板の一方の板面に放電間隙をあけて１
対の放電電極を形成する工程と、 該第２の絶縁性基板の一方の板面に電着法によりガラス
粉末を付着、堆積させて放電室を囲むための壁状部を形
成する工程と、 該第１の絶縁性基板と該第２の絶縁性基板とを、前記一
方の板面同士を対面させて、かつ、前記放電間隙が前記
壁状部に囲まれるように当接し、加熱して該壁状部を軟
化させ、該第１の絶縁性基板と該第２の絶縁性基板とを
接合一体化する工程とを備えてなることを特徴とするチ
ップ型サージアブソーバの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、該放電室内を封入ガ
ス雰囲気とする工程を有することを特徴とするチップ型
サージアブソーバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04531198A JP3430905B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | チップ型サージアブソーバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04531198A JP3430905B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | チップ型サージアブソーバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251034A JPH11251034A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3430905B2 true JP3430905B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=12715776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04531198A Expired - Lifetime JP3430905B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | チップ型サージアブソーバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3430905B2 (ja) |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04531198A patent/JP3430905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11251034A (ja) | 1999-09-17 |
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