JPH0735386Y2 - プラズマ反応処理装置 - Google Patents
プラズマ反応処理装置Info
- Publication number
- JPH0735386Y2 JPH0735386Y2 JP1986095748U JP9574886U JPH0735386Y2 JP H0735386 Y2 JPH0735386 Y2 JP H0735386Y2 JP 1986095748 U JP1986095748 U JP 1986095748U JP 9574886 U JP9574886 U JP 9574886U JP H0735386 Y2 JPH0735386 Y2 JP H0735386Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- upper electrode
- metal block
- electrode
- chamber
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は例えば、半導体ウェハーにエッチング処理を施
すプラズマ反応処理装置に関する。
すプラズマ反応処理装置に関する。
（従来の技術） 半導体ウェハーのエッチング処理等に用いるプラズマ処
理装置として、第３図に示すような枚葉処理式の装置が
実開昭58−180631号として知られている。
理装置として、第３図に示すような枚葉処理式の装置が
実開昭58−180631号として知られている。
この枚葉処理式プラズマ処理装置は、装置本体（100）
に形成した開口部（101）の上方をチャンバー（102）で
覆い、このチャンバー（102）内に上部電極（103）を臨
ませ、チャンバー（102）下方に下部電極（104）を設
け、更に装置本体（100）にはチャンバー（102）内を真
空引きするための排気通路（105）を形成している。
に形成した開口部（101）の上方をチャンバー（102）で
覆い、このチャンバー（102）内に上部電極（103）を臨
ませ、チャンバー（102）下方に下部電極（104）を設
け、更に装置本体（100）にはチャンバー（102）内を真
空引きするための排気通路（105）を形成している。
そして、半導体ウェハー（Ｗ）をプラズマ処理する場合
には、図で示す位置よりも下部電極（104）を下降さ
せ、この状態で下部電極（104）上にウェハー（Ｗ）を
載置した後、下部電極（104）を上昇させて開口部（10
1）を閉塞し、排気通路（105）を介してチャンバー（10
2）内を真空引きするとともに反応ガス通路（106）から
チャンバー（102）内に反応ガスを供給し、上部電極（1
03）と下部電極（104）間に高周波電圧を印加して放電
せしめ、プラズマを発生させて該プラズマの作用によ
り、ウェハー（Ｗ）表面にエッチング処理等を施すよう
にしている。
には、図で示す位置よりも下部電極（104）を下降さ
せ、この状態で下部電極（104）上にウェハー（Ｗ）を
載置した後、下部電極（104）を上昇させて開口部（10
1）を閉塞し、排気通路（105）を介してチャンバー（10
2）内を真空引きするとともに反応ガス通路（106）から
チャンバー（102）内に反応ガスを供給し、上部電極（1
03）と下部電極（104）間に高周波電圧を印加して放電
せしめ、プラズマを発生させて該プラズマの作用によ
り、ウェハー（Ｗ）表面にエッチング処理等を施すよう
にしている。
（考案が解決しようとする問題点） 上述した従来のプラズマ処理装置にあっては、上部電極
と下部電極間に生じる放電が均一とならず、周辺部にお
いて放電が強くなる傾向がある。このため、ウェハーを
エッチング処理する場合にはウェハーの周縁部が中央部
よりも早くしかも深くエッチングされ、均一なる処理を
施せないという問題があり、この問題は半導体集積回路
素子がますます微細化している現在では大きな問題とな
っている。
と下部電極間に生じる放電が均一とならず、周辺部にお
いて放電が強くなる傾向がある。このため、ウェハーを
エッチング処理する場合にはウェハーの周縁部が中央部
よりも早くしかも深くエッチングされ、均一なる処理を
施せないという問題があり、この問題は半導体集積回路
素子がますます微細化している現在では大きな問題とな
っている。
（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決すべく本考案は、上部電極を設けた金
属ブロックを絶縁体を介してケースに取り付け、この絶
縁体により金属ブロック側方を覆うようにし、さらに金
属ブロックと絶縁体との間に隙間を形成した。
属ブロックを絶縁体を介してケースに取り付け、この絶
縁体により金属ブロック側方を覆うようにし、さらに金
属ブロックと絶縁体との間に隙間を形成した。
また、反応ガスの供給手段についても、上部電極を多孔
質焼結体で形成し、この上部電極の裏面中央に、金属ブ
ロックを貫通して反応ガス供給通路が当接するようにし
た。
質焼結体で形成し、この上部電極の裏面中央に、金属ブ
ロックを貫通して反応ガス供給通路が当接するようにし
た。
（作用） 上部電極を取り付けた金属ブロックの側方は絶縁体によ
っており、さらに金属ブロックと絶縁体との間に隙間を
形成したため絶縁効果が一層高まり、ウェハー等の被処
理物の周縁に異常放電を確実に阻止し、均一なる処理を
施すことができる。
っており、さらに金属ブロックと絶縁体との間に隙間を
形成したため絶縁効果が一層高まり、ウェハー等の被処
理物の周縁に異常放電を確実に阻止し、均一なる処理を
施すことができる。
また、反応ガスは、多孔質焼結体で形成された上部電極
の裏面中央からシャワー状に均一に供給することができ
る。
の裏面中央からシャワー状に均一に供給することができ
る。
（実施例） 以下に本考案の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本考案に係るプラズマ反応処理装置のチャンバ
ーの斜視図、第２図は同プラズマ反応処理装置のチャン
バー部分の縦断面図であり、チャンバー（１）は装置本
体（２）に形成した開口（３）を覆うように装置本体
（２）上面に固定され、この装置本体（２）には排気通
路（４）が形成されている。
ーの斜視図、第２図は同プラズマ反応処理装置のチャン
バー部分の縦断面図であり、チャンバー（１）は装置本
体（２）に形成した開口（３）を覆うように装置本体
（２）上面に固定され、この装置本体（２）には排気通
路（４）が形成されている。
チャンバー（１）は監視窓（5a）を一部に設けたアルミ
ニウム製の筒状ケース（５）の内側に第２図に示すよう
に絶縁体（６）を設け、この絶縁体（６）にステンレス
製の金属ブロック（７）を取り付け、この金属ブロック
（７）の下面にアルミニウム粉等を焼結してなる多孔質
状の上部電極（８）を固着している。
ニウム製の筒状ケース（５）の内側に第２図に示すよう
に絶縁体（６）を設け、この絶縁体（６）にステンレス
製の金属ブロック（７）を取り付け、この金属ブロック
（７）の下面にアルミニウム粉等を焼結してなる多孔質
状の上部電極（８）を固着している。
ここで、絶縁体（６）はZrO2，Si3N4等のセラミックス
からなる絶縁体（60）とテフロン等の樹脂からなる絶縁
体（61）から構成され、絶縁体（60）はリング状締具
（62）によってケース（５）に固着され、絶縁体（60）
内周面と金属ブロック（７）との間には隙間（ｇ）を形
成している。また絶縁体（61）は上半体（63）及び下半
体（64）に分割され、上半体（63）は前記セラミックス
製絶縁体（60）とケース（５）との間に保持され、下半
体（64）は装置本体（２）と上半体（63）との間に保持
されている。そして、上半体（63）には下方に開口する
凹部（65）が形成され、内側下端部は内方に折曲して上
部電極（８）周縁部に接触し、下半体（64）には起立部
（66）及び垂下部（67）が形成され、起立部（66）を前
記凹部（65）内に臨ませ、この部分に立ち上った後に下
方に向って前記排気通路（４）と連通するトラップ状排
気通路（68）を形成し、更に垂下部（67）は装置本体
（２）の開口（３）内周に嵌着している。
からなる絶縁体（60）とテフロン等の樹脂からなる絶縁
体（61）から構成され、絶縁体（60）はリング状締具
（62）によってケース（５）に固着され、絶縁体（60）
内周面と金属ブロック（７）との間には隙間（ｇ）を形
成している。また絶縁体（61）は上半体（63）及び下半
体（64）に分割され、上半体（63）は前記セラミックス
製絶縁体（60）とケース（５）との間に保持され、下半
体（64）は装置本体（２）と上半体（63）との間に保持
されている。そして、上半体（63）には下方に開口する
凹部（65）が形成され、内側下端部は内方に折曲して上
部電極（８）周縁部に接触し、下半体（64）には起立部
（66）及び垂下部（67）が形成され、起立部（66）を前
記凹部（65）内に臨ませ、この部分に立ち上った後に下
方に向って前記排気通路（４）と連通するトラップ状排
気通路（68）を形成し、更に垂下部（67）は装置本体
（２）の開口（３）内周に嵌着している。
また前記金属ブロック（７）はボルト（70）によって絶
縁体（60）に取り付けられ、金属ブロック（７）には冷
却水通路（71）及び反応ガス供給通路（72）が形成さ
れ、冷却水通路（71）には冷却水供給パイプ（73）及び
冷却水排出パイプ（74）が、反応ガス供給通路（72）に
は反応ガス供給パイプ（75）がそれぞれ連結される。
縁体（60）に取り付けられ、金属ブロック（７）には冷
却水通路（71）及び反応ガス供給通路（72）が形成さ
れ、冷却水通路（71）には冷却水供給パイプ（73）及び
冷却水排出パイプ（74）が、反応ガス供給通路（72）に
は反応ガス供給パイプ（75）がそれぞれ連結される。
一方、上部電極（８）の下方には下部電極（９）を配置
し、これら電極（８），（９）間に反応処理室（Ｓ）を
形成するようにしている。この下部電極（９）は上面を
フラットとし、この上面に開口する吸着用通路（91）を
中心部に形成するとともに、冷却水通路（92）を内部に
形成し、更に下部電極（９）の周囲にはヘッド（93）を
固着している。而して図示しないシリンダシユニットの
作動で下部電極（９）を第２図の状態から下降せしめる
ことで、装置本体（２）下方のウェハー搬送通路（Ｐ）
と反応処理室（Ｓ）とが連通し、また、下部電極（９）
を上昇せしめることで、第２図に示すように、下部電極
（９）及びヘッド（93）が装置本体（２）の開口（３）
内に進入し、ヘッド（93）の外周上面が装置本体（２）
下面に取り付けたシール部材（20）に当接し、反応処理
室（Ｓ）を気密に隔離する。
し、これら電極（８），（９）間に反応処理室（Ｓ）を
形成するようにしている。この下部電極（９）は上面を
フラットとし、この上面に開口する吸着用通路（91）を
中心部に形成するとともに、冷却水通路（92）を内部に
形成し、更に下部電極（９）の周囲にはヘッド（93）を
固着している。而して図示しないシリンダシユニットの
作動で下部電極（９）を第２図の状態から下降せしめる
ことで、装置本体（２）下方のウェハー搬送通路（Ｐ）
と反応処理室（Ｓ）とが連通し、また、下部電極（９）
を上昇せしめることで、第２図に示すように、下部電極
（９）及びヘッド（93）が装置本体（２）の開口（３）
内に進入し、ヘッド（93）の外周上面が装置本体（２）
下面に取り付けたシール部材（20）に当接し、反応処理
室（Ｓ）を気密に隔離する。
尚、反応処理室（Ｓ）内にはチャック（10）を設け、こ
のチャック（10）によってウェハー（Ｗ）を下部電極
（９）上面に押付け保持する。
のチャック（10）によってウェハー（Ｗ）を下部電極
（９）上面に押付け保持する。
以上において、下部電極（９）を上昇し、ヘッド（93）
によって反応処理室（Ｓ）を隔離し、反応処理室（Ｓ）
内を排気通路（68），（４）を介して真空引きするとと
もに、反応ガス供給通路（72）から、CF4，CHF3及びHe
の混合ガス等を供給して反応処理室（Ｓ）内の圧力を1.
5Torr程度に調整し、次いで上部電極（８）及び下部電
極（９）間に高周波電圧を例えば400kHzの発振器を用い
て印加する。
によって反応処理室（Ｓ）を隔離し、反応処理室（Ｓ）
内を排気通路（68），（４）を介して真空引きするとと
もに、反応ガス供給通路（72）から、CF4，CHF3及びHe
の混合ガス等を供給して反応処理室（Ｓ）内の圧力を1.
5Torr程度に調整し、次いで上部電極（８）及び下部電
極（９）間に高周波電圧を例えば400kHzの発振器を用い
て印加する。
すると、反応ガスは上部電極（８）が多孔質状となって
いるため、シャワー状に均一に反応処理室（Ｓ）内に供
給され、また、上部電極（８）の周囲は絶縁体（６）に
よって包囲され、金属ブロック（７）と絶縁体（６）と
の間に隙間（ｇ）を設けているため絶縁性はさらに高ま
り、上部電極（８）と装置本体（２）との間に生ずる異
常放電を確実に阻止することができ、プラズマも均一に
生じ、ウェハー（Ｗ）表面は均一にエッチングされる。
いるため、シャワー状に均一に反応処理室（Ｓ）内に供
給され、また、上部電極（８）の周囲は絶縁体（６）に
よって包囲され、金属ブロック（７）と絶縁体（６）と
の間に隙間（ｇ）を設けているため絶縁性はさらに高ま
り、上部電極（８）と装置本体（２）との間に生ずる異
常放電を確実に阻止することができ、プラズマも均一に
生じ、ウェハー（Ｗ）表面は均一にエッチングされる。
（考案の効果） 以上に説明した如く本考案によれば、上部電極が多孔質
焼結体で形成され、この上部電極の裏面中央には、反応
ガス供給通路が金属ブロックを貫通して当接されている
ため、反応ガスはシャワー状に均一に供給される。
焼結体で形成され、この上部電極の裏面中央には、反応
ガス供給通路が金属ブロックを貫通して当接されている
ため、反応ガスはシャワー状に均一に供給される。
また、絶縁体と金属ブロックとの間には隙間が形成され
ているため、絶縁効果がさらに高まり、上部電極と装置
本体との間に生じる異常放電を確実に阻止することがで
きる。
ているため、絶縁効果がさらに高まり、上部電極と装置
本体との間に生じる異常放電を確実に阻止することがで
きる。
従って、これら反応ガスの均一な供給及び隙間による絶
縁効果の向上の相乗効果によって、プラズマは均一に発
生し、その結果エッチング等の処理も均一になされる。
縁効果の向上の相乗効果によって、プラズマは均一に発
生し、その結果エッチング等の処理も均一になされる。
第１図は本考案に係るプラズマ反応処理装置のチャンバ
ーの斜視図、第２図は同プラズマ反応処理装置のチャン
バー部分の縦断面図、第３図は従来のプラズマ反応処理
装置の縦断面図である。 尚、図面中（１）はチャンバー、（２）は装置本体、
（４），（68）は排気通路、（５）はケース、（６）は
絶縁体、（７）は金属ブロック、（８）は上部電極、
（９）は下部電極、（66）は起立部、（ｇ）は隙間、
（Ｓ）は反応処理室、（Ｗ）は被処理物である。
ーの斜視図、第２図は同プラズマ反応処理装置のチャン
バー部分の縦断面図、第３図は従来のプラズマ反応処理
装置の縦断面図である。 尚、図面中（１）はチャンバー、（２）は装置本体、
（４），（68）は排気通路、（５）はケース、（６）は
絶縁体、（７）は金属ブロック、（８）は上部電極、
（９）は下部電極、（66）は起立部、（ｇ）は隙間、
（Ｓ）は反応処理室、（Ｗ）は被処理物である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 中山 宗雄 東京都世田谷区代田４丁目２番28号 (56)参考文献 特開 昭61−8927（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】金属製または石英製のケース（５）内側
に、絶縁体（６）を介して金属ブロック（７）を取り付
け、この金属ブロック（７）の下面に、上部電極（８）
を固着し、この上部電極（８）と下部電極（９）との間
に被処理物（Ｗ）をセットして減圧下でプラズマ反応処
理する装置において、 前記上部電極（８）は、上から下向きに供給される反応
ガスを分散させる多孔質焼結体であり、且つその周縁部
及び周縁部下面が絶縁体（６）で覆われ、 更に前記絶縁体（６）はセラミックスからなる絶縁体
（60）と樹脂からなる絶縁体（61）とで構成され、セラ
ミックスからなる絶縁体（60）には金属ブロック（７）
が固着され、樹脂からなる絶縁体（61）は上半体（63）
と下半体（64）から構成され、上半体（63）には下方に
開口する凹部（65）が形成され、下半体（64）には該凹
部（65）内に臨む起立部（66）が設けられ、この起立部
（66）と凹部（65）によって上部電極（８）と下部電極
（９）との間の被処空間と排気通路（４）とを連通する
トラップ状排気通路（68）が形成され、この排気通路
（68）の断面形状は逆Ｕ字状をなすこと特徴とするプラ
ズマ反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986095748U JPH0735386Y2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | プラズマ反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986095748U JPH0735386Y2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | プラズマ反応処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633138U JPS633138U (ja) | 1988-01-11 |
| JPH0735386Y2 true JPH0735386Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=30960680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986095748U Expired - Lifetime JPH0735386Y2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | プラズマ反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735386Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2657568B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1997-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4534816A (en) * | 1984-06-22 | 1985-08-13 | International Business Machines Corporation | Single wafer plasma etch reactor |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP1986095748U patent/JPH0735386Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633138U (ja) | 1988-01-11 |
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