JPH0613345A - プラズマ反応処理装置 - Google Patents
プラズマ反応処理装置Info
- Publication number
- JPH0613345A JPH0613345A JP27536392A JP27536392A JPH0613345A JP H0613345 A JPH0613345 A JP H0613345A JP 27536392 A JP27536392 A JP 27536392A JP 27536392 A JP27536392 A JP 27536392A JP H0613345 A JPH0613345 A JP H0613345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upper electrode
- processing apparatus
- reaction processing
- chamber
- insulator
- Prior art date
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマエッチング装置の異常放電を防止す
る。 【構成】 チャンバー(1)は筒状ケース(5)の内側に絶縁
体(6)を設け、この絶縁体(6)はセラミックスからなる絶
縁体(60)とテフロン等の樹脂或いは上記セラミックスか
らなる絶縁体(61)とから構成され、リング状締具(62)に
よってケース(5)に固着されている。また絶縁体(61)は
上半体(63)及び下半体(64)に分割され、上半体(63)は前
記セラミックス製絶縁体(60)とケース(5)との間に保持
され、下半体(64)は装置本体(2)と上半体(63)との間に
保持されている。そして、下半体(64)には起立部(66)が
形成され、この起立部(66)で囲まれる空間に前記上部電
極が位置している。
る。 【構成】 チャンバー(1)は筒状ケース(5)の内側に絶縁
体(6)を設け、この絶縁体(6)はセラミックスからなる絶
縁体(60)とテフロン等の樹脂或いは上記セラミックスか
らなる絶縁体(61)とから構成され、リング状締具(62)に
よってケース(5)に固着されている。また絶縁体(61)は
上半体(63)及び下半体(64)に分割され、上半体(63)は前
記セラミックス製絶縁体(60)とケース(5)との間に保持
され、下半体(64)は装置本体(2)と上半体(63)との間に
保持されている。そして、下半体(64)には起立部(66)が
形成され、この起立部(66)で囲まれる空間に前記上部電
極が位置している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば、半導体ウェハー
にエッチング処理を施すプラズマ反応処理装置に関す
る。
にエッチング処理を施すプラズマ反応処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハーのエッチング処理等に用
いるプラズマ反応処理装置として、図３に示すような枚
葉処理式の装置が実開昭５８−１８０６３１号として知
られている。
いるプラズマ反応処理装置として、図３に示すような枚
葉処理式の装置が実開昭５８−１８０６３１号として知
られている。
【０００３】この枚葉処理式プラズマ反応処理装置は、
装置本体(100)に形成した開口部(101)の上方をチャンバ
ー(102)で覆い、このチャンバー(102)内に上部電極(10
3)を臨ませ、チャンバー(102)下方に下部電極(104)を設
け、更に装置本体(100)にはチャンバー(102)内を真空に
するための排気通路(105)を形成している。
装置本体(100)に形成した開口部(101)の上方をチャンバ
ー(102)で覆い、このチャンバー(102)内に上部電極(10
3)を臨ませ、チャンバー(102)下方に下部電極(104)を設
け、更に装置本体(100)にはチャンバー(102)内を真空に
するための排気通路(105)を形成している。
【０００４】そして、半導体ウェハー(W)をプラズマ処
理する場合には、図で示す位置よりも下部電極(104)を
下降させ、この状態で下部電極(104)上にウェハー(W)を
載置した後、下部電極(104)を上昇させて開口部(101)を
閉塞し、排気通路(105)を介してチャンバー(102)内を真
空引きするとともに反応ガス通路(106)からチャンバー
(102)内に反応ガスを供給し、上部電極(103)と下部電極
(104)間に高周波電圧を印加して放電せしめ、プラズマ
を発生させて該プラズマの作用により、ウェハー(W)表
面にエッチング処理等を施すようにしている。
理する場合には、図で示す位置よりも下部電極(104)を
下降させ、この状態で下部電極(104)上にウェハー(W)を
載置した後、下部電極(104)を上昇させて開口部(101)を
閉塞し、排気通路(105)を介してチャンバー(102)内を真
空引きするとともに反応ガス通路(106)からチャンバー
(102)内に反応ガスを供給し、上部電極(103)と下部電極
(104)間に高周波電圧を印加して放電せしめ、プラズマ
を発生させて該プラズマの作用により、ウェハー(W)表
面にエッチング処理等を施すようにしている。
【０００５】一方、上部電極と下部電極間で被処理物を
エッチング処理する装置として特開昭６１−８９２７号
公報がある。
エッチング処理する装置として特開昭６１−８９２７号
公報がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した実開昭５８−
１８０６３１号公報に記載のプラズマ反応処理装置によ
って、例えばＳiＯ2の酸化膜を効率良くエッチングする
には、ウェハーと上部電極との間を数ｍｍと極めて狭く
しなければならない。一方、特開昭６１−８９２７号公
報のようにウェハーと上部電極との間を狭くすると、エ
ッチング条件が変化しやすく、コントロールが困難とな
り、微細パターンのエッチングができないという課題が
ある。更にこの特開昭６１−８９２７号公報の上部電極
をＳiＯ2のエッチングが可能な範囲で上方に上げると異
常放電が生じてしまう。
１８０６３１号公報に記載のプラズマ反応処理装置によ
って、例えばＳiＯ2の酸化膜を効率良くエッチングする
には、ウェハーと上部電極との間を数ｍｍと極めて狭く
しなければならない。一方、特開昭６１−８９２７号公
報のようにウェハーと上部電極との間を狭くすると、エ
ッチング条件が変化しやすく、コントロールが困難とな
り、微細パターンのエッチングができないという課題が
ある。更にこの特開昭６１−８９２７号公報の上部電極
をＳiＯ2のエッチングが可能な範囲で上方に上げると異
常放電が生じてしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、プラズマ反応処理装置本体の開口周囲に異常放
電を防止するための絶縁体からなる筒状起立部を設け、
この筒状起立部で囲まれる空間内に前記上部電極を位置
せしめた。
発明は、プラズマ反応処理装置本体の開口周囲に異常放
電を防止するための絶縁体からなる筒状起立部を設け、
この筒状起立部で囲まれる空間内に前記上部電極を位置
せしめた。
【０００８】
【作用】上部電極とプラズマ反応処理装置装置本体との
間には絶縁体からなる筒状起立部が介在することとなる
ので、これらの間に生じる異常放電が防止される。
間には絶縁体からなる筒状起立部が介在することとなる
ので、これらの間に生じる異常放電が防止される。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。図１は本発明に係るプラズマ反応処理装置の
チャンバーの斜視図、図２は同プラズマ反応処理装置の
チャンバー部分の縦断面図であり、チャンバー(1)は装
置本体(2)に形成した開口(3)を覆うように装置本体(2)
上面に固定され、この装置本体(2)には排気通路(4)が形
成されている。
説明する。図１は本発明に係るプラズマ反応処理装置の
チャンバーの斜視図、図２は同プラズマ反応処理装置の
チャンバー部分の縦断面図であり、チャンバー(1)は装
置本体(2)に形成した開口(3)を覆うように装置本体(2)
上面に固定され、この装置本体(2)には排気通路(4)が形
成されている。
【００１０】チャンバー(1)は監視窓(5a)を一部に設け
たアルミニウム製の筒状ケース(5)の内側に図２に示す
ように絶縁体(6)を設け、この絶縁体(6)にステンレス製
の金属ブロック(7)を取り付け、この金属ブロック(7)の
下面にアルミニウム粉等を焼結してなる多孔質状の上部
電極(8)を固着している。
たアルミニウム製の筒状ケース(5)の内側に図２に示す
ように絶縁体(6)を設け、この絶縁体(6)にステンレス製
の金属ブロック(7)を取り付け、この金属ブロック(7)の
下面にアルミニウム粉等を焼結してなる多孔質状の上部
電極(8)を固着している。
【００１１】ここで、絶縁体(6)はＺrＯ2、Ｓi3Ｎ4等の
セラミックスからなる絶縁体(60)とテフロン等の樹脂或
いは上記セラミックスからなる絶縁体(61)とから構成さ
れ、絶縁体(60)はリング状締具(62)によってケース(5)
に固着され、絶縁体(60)内周面と金属ブロック(7)との
間に隙間(g)を形成している。また絶縁体(61)は上半体
(63)及び下半体(64)に分割され、上半体(63)は前記セラ
ミックス製絶縁体(60)とケース(5)との間に保持され、
下半体(64)は装置本体(2)と上半体(63)との間に保持さ
れている。そして、上半体(63)には下方に開口する凹部
(65)が形成され、内側下端部は内方に折曲して上部電極
(8)周縁部に接触し、下半体(64)には起立部(66)及び垂
下部(67)が形成され、図２にも示すように、起立部(66)
で囲まれる空間に前記上部電極が位置している。更にこ
の起立部(66)を前記凹部(65)内に臨ませ、この部分に立
ち上がった後に下方に向かって前記排気通路(4)と連通
するトラップ状排気通路(68)を形成し、更に垂下部(67)
は装置本体(2)の開口(3)内周に嵌着している。
セラミックスからなる絶縁体(60)とテフロン等の樹脂或
いは上記セラミックスからなる絶縁体(61)とから構成さ
れ、絶縁体(60)はリング状締具(62)によってケース(5)
に固着され、絶縁体(60)内周面と金属ブロック(7)との
間に隙間(g)を形成している。また絶縁体(61)は上半体
(63)及び下半体(64)に分割され、上半体(63)は前記セラ
ミックス製絶縁体(60)とケース(5)との間に保持され、
下半体(64)は装置本体(2)と上半体(63)との間に保持さ
れている。そして、上半体(63)には下方に開口する凹部
(65)が形成され、内側下端部は内方に折曲して上部電極
(8)周縁部に接触し、下半体(64)には起立部(66)及び垂
下部(67)が形成され、図２にも示すように、起立部(66)
で囲まれる空間に前記上部電極が位置している。更にこ
の起立部(66)を前記凹部(65)内に臨ませ、この部分に立
ち上がった後に下方に向かって前記排気通路(4)と連通
するトラップ状排気通路(68)を形成し、更に垂下部(67)
は装置本体(2)の開口(3)内周に嵌着している。
【００１２】また前記金属ブロック(7)はボルト(70)に
よって絶縁体(60)に取り付けられ、金属ブロック(7)に
は冷却水通路(71)及び反応ガス供給通路(72)が形成さ
れ、冷却水通路(71)には冷却水供給パイプ(73)及び冷却
水排出パイプ(74)が、反応ガス供給通路(72)には反応ガ
ス供給パイプ(75)がそれぞれ連結される。
よって絶縁体(60)に取り付けられ、金属ブロック(7)に
は冷却水通路(71)及び反応ガス供給通路(72)が形成さ
れ、冷却水通路(71)には冷却水供給パイプ(73)及び冷却
水排出パイプ(74)が、反応ガス供給通路(72)には反応ガ
ス供給パイプ(75)がそれぞれ連結される。
【００１３】一方、上部電極(8)の下方には下部電極(9)
を配置し、これら電極(8)、(9)間に反応処理室(S)を形
成するようにしている。この下部電極(9)は上面をフラ
ットとし、この上面に開口する吸着用通路(91)を中心部
に形成するとともに、冷却水通路(92)を内部に形成し、
更に下部電極(9)の周囲にはヘッド(93)を固着してい
る。而して図示しないシリンダユニットの作動で下部電
極(9)を図２の状態から下降せしめることで、装置本体
(2)下方のウェハー搬送通路(P)と反応処理室(S)とが連
通し、また、下部電極(9)を上昇せしめることで、図２
に示すように下部電極(9)及びヘッド(93)が装置本体(2)
の開口(3)内に進入し、ヘッド(93)の外周上面が装置本
体(2)下面に取り付けたシール部材(20)に当接し、反応
処理室(S)を気密に隔離する。
を配置し、これら電極(8)、(9)間に反応処理室(S)を形
成するようにしている。この下部電極(9)は上面をフラ
ットとし、この上面に開口する吸着用通路(91)を中心部
に形成するとともに、冷却水通路(92)を内部に形成し、
更に下部電極(9)の周囲にはヘッド(93)を固着してい
る。而して図示しないシリンダユニットの作動で下部電
極(9)を図２の状態から下降せしめることで、装置本体
(2)下方のウェハー搬送通路(P)と反応処理室(S)とが連
通し、また、下部電極(9)を上昇せしめることで、図２
に示すように下部電極(9)及びヘッド(93)が装置本体(2)
の開口(3)内に進入し、ヘッド(93)の外周上面が装置本
体(2)下面に取り付けたシール部材(20)に当接し、反応
処理室(S)を気密に隔離する。
【００１４】尚、下部電極(9)に代えて、接地させたウ
ェハー載置台を用いてもよい。また、反応処理室(S)内
にはチャック(10)を設け、このチャック(10)によってウ
ェハー(W)を下部電極(9)上面に押し付け保持する。
ェハー載置台を用いてもよい。また、反応処理室(S)内
にはチャック(10)を設け、このチャック(10)によってウ
ェハー(W)を下部電極(9)上面に押し付け保持する。
【００１５】以上において、下部電極(9)を上昇し、ヘ
ッド(93)によって反応処理室(S)を隔離し、反応処理室
(S)内を排気通路(68)、(4)を介して真空引きするととも
に、反応ガス供給通路(72)から、ＣＦ4、ＣＨＦ3及びＨ
ｅの混合ガス等を供給して反応処理室(S)内の圧力を1.5
Torr程度に調整し、次いで上部電極(8)及び下部電極(9)
間に高周波電圧を例えば400kHzの発振器を用いて印加す
る。
ッド(93)によって反応処理室(S)を隔離し、反応処理室
(S)内を排気通路(68)、(4)を介して真空引きするととも
に、反応ガス供給通路(72)から、ＣＦ4、ＣＨＦ3及びＨ
ｅの混合ガス等を供給して反応処理室(S)内の圧力を1.5
Torr程度に調整し、次いで上部電極(8)及び下部電極(9)
間に高周波電圧を例えば400kHzの発振器を用いて印加す
る。
【００１６】すると、反応ガスは上部電極(8)が多孔質
状となっているため、シャワー状に均一に反応処理室
(S)内に供給され、また、筒状起立部(66)で囲まれる空
間内に上部電極(8)を置いているため、電極(8)、(9)及
び金属ブロック(7)の周辺部において、上部電極(8)と装
置本体(2)、上部電極(8)と被処理物(W)の載置テーブル
周縁部等との間に生ずる異常放電を確実に阻止すること
ができ、プラズマも均一に生じ、ウェハー(W)表面は均
一にエッチングされる。
状となっているため、シャワー状に均一に反応処理室
(S)内に供給され、また、筒状起立部(66)で囲まれる空
間内に上部電極(8)を置いているため、電極(8)、(9)及
び金属ブロック(7)の周辺部において、上部電極(8)と装
置本体(2)、上部電極(8)と被処理物(W)の載置テーブル
周縁部等との間に生ずる異常放電を確実に阻止すること
ができ、プラズマも均一に生じ、ウェハー(W)表面は均
一にエッチングされる。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
プラズマ反応処理装置本体の開口周囲に絶縁体からなる
筒状起立部を設け、この筒状起立部で囲まれる空間内に
上部電極を位置せしめたので、上部電極とプラズマ反応
処理装置装置本体或いは筒状ケースとの間に生じる異常
放電を確実に防止できる。
プラズマ反応処理装置本体の開口周囲に絶縁体からなる
筒状起立部を設け、この筒状起立部で囲まれる空間内に
上部電極を位置せしめたので、上部電極とプラズマ反応
処理装置装置本体或いは筒状ケースとの間に生じる異常
放電を確実に防止できる。
【図１】本発明に係るプラズマ反応処理装置のチャンバ
ーの斜視図
ーの斜視図
【図２】同プラズ反応処理装置のチャンバー部分の縦断
面図
面図
【図３】従来のプラズマ反応処理装置の縦断面図
１…チャンバー、２…装置本体、４、６８…排気通路、
５…ケース、６…絶縁体、７…金属ブロック、８…上部
電極、９…下部電極、６６…起立部、g…隙間、S…反応
処理室、W…被処理物。
５…ケース、６…絶縁体、７…金属ブロック、８…上部
電極、９…下部電極、６６…起立部、g…隙間、S…反応
処理室、W…被処理物。
Claims (1)
- 【請求項１】 装置本体に設けた開口をチャンバーで覆
うとともに、該開口に下方から下部電極を臨ませ、チャ
ンバー内に配置した上部電極と下部電極間にセットした
被処理物を減圧下でプラズマ反応処理する装置におい
て、前記装置本体の開口周囲には絶縁体からなる筒状起
立部を設け、この筒状起立部で囲まれる空間内に前記上
部電極を位置せしめたことを特徴とするプラズマ反応処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27536392A JPH0613345A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | プラズマ反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27536392A JPH0613345A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | プラズマ反応処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613345A true JPH0613345A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=17554439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27536392A Pending JPH0613345A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | プラズマ反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613345A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0514507U (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-26 | 三菱重工業株式会社 | 液面センサ |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP27536392A patent/JPH0613345A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0514507U (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-26 | 三菱重工業株式会社 | 液面センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19951024 |