TW202213504A - 等離子體處理裝置及其等離子體處理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 73
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 71
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 57
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
本發明公開了一種等離子體處理裝置及其等離子體處理方法，該裝置包含：真空反應腔，其內具有下電極元件和可移動上電極元件；複數個升降裝置與可移動上電極元件連接以使其升降，升降裝置包含支撐柱和驅動裝置，驅動裝置用於驅動支撐柱以使可移動上電極元件升降；複數個氣體通道，分別由真空反應腔外部延伸經過真空反應腔底部、支撐柱內部、可移動上電極元件以將製程氣體注入真空反應腔內；複數個導電可伸縮的密封結構，分別設置於支撐柱內且環繞氣體通道的周圍。其優點是：將升降裝置、氣體通道和密封結構相結合，真空反應腔頂部多次開關也不會影響可移動上電極元件，更容易保持所述可移動上電極元件和待處理晶圓、下電極元件之間的同心度，保證了斜邊蝕刻的製程效果。
Description
本發明涉及半導體設備的技術領域，具體涉及一種等離子體處理裝置及其等離子體處理方法。
在晶圓處理過程中，往往通過等離子（又稱電漿）氣體來對晶圓或沉積在晶圓上的膜進行蝕刻。整個製程過程中，等離子體處理裝置的上電極元件和晶圓的對中性對晶圓的蝕刻效果影響巨大。
習知的等離子體處理裝置中較多為可移動上電極元件設計，其廣泛應用於晶圓蝕刻尤其是晶圓邊緣蝕刻（wafer edge etching）領域。在傳送晶圓進出真空反應腔時，上電極元件抬起；對晶圓進行處理時，上電極元件下降並與晶圓之間留下微小的間距。因此，上電極元件在下降到晶圓附近時，需要與晶圓、下電極元件保持極高的同心度，使得晶圓邊緣暴露在等離子體中的部分在圓周方向對稱，才能得到均勻的蝕刻，以保證斜邊蝕刻（bevel etch）的效果。
在等離子體處理裝置中上電極元件通常與真空反應腔的腔體端蓋連接，日常運維工作時，需要經常打開腔體端蓋對腔內結構進行調整，腔體端蓋每次翻轉開關後都需要重新對其進行對中調整以及與上電極元件的聯動，以使上電極元件與晶圓保持較高的同心度，但其花費時間較久可能會影響等離子體處理裝置的工作時長。另外，腔體端蓋多次翻轉開關後與之連接的上電極元件可能會發生偏移，即使腔體端蓋完成對中調整後，晶圓邊緣蝕刻區域也會出現偏差，影響蝕刻效果。
本發明的目的在於提供一種等離子體處理裝置及其等離子體處理方法，該等離子體處理裝置通過升降裝置實現可移動上電極元件的支撐與升降，使可移動上電極元件的氣體通道經由升降裝置的支撐柱將製程氣體輸送至真空反應腔，並設置有密封結構保證真空反應腔的氣體環境，所述可移動上電極元件與真空反應腔的頂部無連接，使得在裝置使用過程中更容易保持所述可移動上電極元件、待處理晶圓和下電極元件之間的同心度，保證了斜邊蝕刻的製程效果，也減少了工作人員精力與時間的損耗，有利於晶圓蝕刻製程的開展。
為了達到上述目的，本發明通過以下技術方案實現：
一種等離子體處理裝置，包含：
真空反應腔，所述真空反應腔內具有下電極元件和可移動上電極元件，所述下電極元件設置有承載面，用於承載待處理晶圓；
複數個升降裝置，與所述可移動上電極元件連接以使所述可移動上電極元件升降，所述升降裝置包含支撐柱和驅動裝置，所述支撐柱的一端與所述可移動上電極元件連接，所述支撐柱的另一端與所述驅動裝置連接，所述驅動裝置用於驅動所述支撐柱以使得所述可移動上電極元件升降；
複數個氣體通道，分別由所述真空反應腔的外部延伸經過所述真空反應腔的底部、所述支撐柱的內部、所述可移動上電極元件，所述氣體通道用於將製程氣體注入所述真空反應腔內；
複數個導電可伸縮的密封結構，分別設置於所述支撐柱內，所述密封結構環繞設置於所述氣體通道的周圍，所述密封結構的一端與所述可移動上電極元件的底部連接，所述密封結構的另一端與所述真空反應腔的底部連接。
較佳的，所述真空反應腔的底部開設有複數個凹槽結構，所述驅動裝置驅動所述支撐柱升降以帶動所述可移動上電極元件升降，所述可移動上電極元件處於低位元時所述支撐柱的底部位於所述凹槽結構內，以使所述可移動上電極元件和待處理晶圓的中心對齊。
較佳的，所述可移動上電極元件包含：
絕緣隔離部，設置於所述可移動上電極元件的底部，與待處理晶圓的中央區域相對設置；
上電極環，環繞設置於所述絕緣隔離部的外側，所述上電極環與待處理晶圓的邊緣區域相對設置；
所述下電極元件包含：
下電極環，環繞設置於待處理晶圓的邊緣區域，所述下電極環和所述上電極環相對設置。
較佳的，所述氣體通道為邊緣進氣通道或中央進氣通道，所述邊緣進氣通道包含邊緣噴淋口以將第一氣體注入待處理晶圓的邊緣區域的上方，所述中央進氣通道包含中央噴淋口以將第二氣體注入待處理晶圓的中央區域的上方。
較佳的，所述邊緣進氣通道內的第一氣體包括含F、Cl的蝕刻氣體和/或清潔氣體；
所述中央進氣通道內的第二氣體包括清潔氣體和/或緩衝氣體。
較佳的，所述邊緣進氣通道在所述可移動上電極元件內採用多路徑分佈結構，其包含多個邊緣噴淋口，所述邊緣噴淋口沿所述待處理晶圓的邊緣區域均勻分佈，以便將第一氣體均勻注入待處理晶圓的邊緣區域。
較佳的，所述氣體通道內表面設有耐腐蝕性材料的鍍層。
較佳的，所述升降裝置、所述氣體通道和所述密封結構均為三個，各個所述升降裝置沿所述可移動上電極元件周向均勻分佈，各個所述氣體通道分別穿過各個所述升降裝置的支撐柱的內部，各個所述密封結構分別包圍在各個所述氣體通道周圍。
較佳的，所述支撐柱為陶瓷空心柱；
和/或，所述驅動裝置為步進馬達或氣缸；
和/或，所述密封結構為金屬波紋管；
和/或，所述密封結構包含波紋管和金屬件，所述波紋管的一端與所述可移動上電極元件的底部連接，所述波紋管的另一端與所述真空反應腔的底部連接，所述金屬件的一端與所述可移動上電極元件的底部連接，所述金屬件的另一端與所述真空反應腔的底部連接。
較佳的，所述真空反應腔的頂部為腔體端蓋，所述腔體端蓋由透明材料製成，複數個光學處理裝置設置於所述真空反應腔的上方以監控所述可移動上電極元件的同心度。
較佳的，所述真空反應腔的頂部為腔體端蓋，所述腔體端蓋設置有金屬遮罩網結構。
較佳的，所述可移動上電極元件的邊緣側面和所述真空反應腔的側壁之間的距離小於1cm。
較佳的，一種等離子體處理方法，包含下列步驟：
提供上述的等離子體處理裝置；
由氣體通道將製程氣體注入真空反應腔內；
採用驅動裝置驅動支撐柱使可移動上電極元件升降，以便在可移動上電極元件和下電極元件之間產生等離子體環境進行待處理晶圓的邊緣區域的蝕刻。
本發明與習知技術相比具有以下優點：
本發明提供的等離子體處理裝置及其等離子體處理方法中，該等離子體處理裝置通過升降裝置實現可移動上電極元件的支撐與升降，使可移動上電極元件的氣體通道經由升降裝置的支撐柱將製程氣體輸送至真空反應腔，並設置有密封結構以保證真空反應腔的氣體環境，所述可移動上電極元件與真空反應腔的頂部無連接，真空反應腔的頂部多次開關也不會影響可移動上電極元件，使得在裝置使用過程中更容易保持所述可移動上電極元件和待處理晶圓、下電極元件之間的同心度，保證了斜邊蝕刻的製程效果，也減少了工作人員精力與時間的損耗，有利於晶圓蝕刻製程的開展。
進一步的，其密封結構設置在支撐柱的內部，使密封結構免受等離子體環境的干擾，避免了發生點火現象。
進一步的，其真空反應腔的底部開設有凹槽結構，只需在可移動上電極元件處於低位元時將支撐柱卡進凹槽結構內，即可保證可移動上電極元件、待處理晶圓和下電極元件之間的同心度。
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域具有通常知識者在沒有做出具進步性改變前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
需要說明的是，在本文中，術語“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括……”或“包含……”限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設備中還存在另外的要素。
需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明一實施例的目的。
如圖1所示，其為本發明的一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置包含：一真空反應腔100，其由反應腔腔體101和腔體端蓋102包圍而成，所述反應腔腔體101上設置一晶圓傳輸口（圖中未示出），該晶圓傳輸口用於實現待處理晶圓W在真空反應腔100內外之間傳輸。所述真空反應腔100內包含一下電極元件110，其設置於所述真空反應腔100內底部，所述下電極元件110設置有承載面，傳入所述真空反應腔100內的待處理晶圓W放置在所述承載面上。所述真空反應腔100內還包含與所述下電極元件110相對設置的可移動上電極元件120，至少一射頻電源130通過匹配網路施加到所述下電極元件110，以將製程氣體解離為等離子體，使所述可移動上電極元件120和所述下電極元件110的邊緣區域之間為等離子體環境，該等離子體環境中含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待處理晶圓W的表面發生多種物理和/或化學反應，使得待處理晶圓W的邊緣的形貌發生改變，從而完成對待處理晶圓W的邊緣處理。
在本實施例中，所述等離子體處理裝置適用於待處理晶圓W的邊緣蝕刻領域。在待處理晶圓W經等離子體蝕刻加工出設計圖案的過程中，待處理晶圓W的外邊緣區域及背面的外邊緣區域會堆積一些多餘膜層，如多晶矽層、氮化物層、金屬層等，而這些多餘膜層可能會對後續製程和設備造成污染，因此需要通過斜邊蝕刻製程將其去除。
如圖1所示，為本實施例中的一種處理晶圓邊緣的等離子體處理裝置，其包含複數個升降裝置，各個所述升降裝置與所述可移動上電極元件120連接以使所述可移動上電極元件120升降。
具體地，所述升降裝置包含支撐柱140和驅動裝置170，所述支撐柱140的一端與所述可移動上電極元件120連接，所述支撐柱140的另一端通過一傳遞元件與所述驅動裝置170連接，所述傳遞元件傳遞所述驅動裝置170的驅動力，所述驅動裝置170驅動所述傳遞組件進而驅動所述支撐柱140以使得所述可移動上電極元件120升降。
較佳的，所述支撐柱140為空心結構，以便容納其餘部件。在本實施例中，所述支撐柱140為陶瓷空心柱。所述驅動裝置170設置於所述真空反應腔100的外部，所述傳遞元件與各個部件的連接處均設置有複數個密封件141（如波紋管）以保護所述真空反應腔100內的氣體環境。較佳的，所述驅動裝置170為步進馬達或氣缸，當然，所述驅動結構的類型與結構不僅限於上述兩種，其還可以為其他的類型或結構，只要其可實現對所述支撐柱140的驅動完成所述支撐柱140的升降即可。
所述可移動上電極元件120內包含複數個氣體通道150，各個所述氣體通道150分別由所述真空反應腔100的外部延伸經過所述真空反應腔100的底部、所述支撐柱140的內部、所述可移動上電極元件120，所述氣體通道150用於將複數種製程氣體注入所述真空反應腔100內。進一步的，所述氣體通道150內表面設有耐等離子體腐蝕性的鍍層，以保護所述氣體通道150的內表面，避免其發生顆粒脫落進而污染所述真空反應腔100的腔體環境。較佳的，所述耐等離子體腐蝕的鍍層材料為特氟龍鍍層或氧化釔膜層或陽極氧化鋁層。
另外，該等離子體處理裝置還包含複數個導電可伸縮的密封結構160，各個所述密封結構160分別設置於所述支撐柱140內，所述密封結構160環繞設置於所述氣體通道150的周圍，所述密封結構160的一端與所述可移動上電極元件120的底部連接，所述密封結構160的另一端與所述真空反應腔100的底部連接以保護所述真空反應腔100的氣體環境以及實現所述可移動上電極元件120的接地。在本實施例中，所述密封結構160為金屬波紋管，其結構簡單，安裝方便，可較好地保護所述真空反應腔100內的氣體環境以及實現所述可移動上電極元件120的接地。
當然，所述密封結構160的組成與結構不僅限於此，只要其可實現所述真空反應腔100的密封以及可移動上電極元件120的接地即可。例如，在另一實施例中，所述密封結構160包含普通材料製備的波紋管和金屬件，所述波紋管的一端與所述可移動上電極元件120的底部連接，所述波紋管的另一端與所述真空反應腔100的底部連接，所述金屬件的一端與所述可移動上電極元件120的底部連接，所述金屬件的另一端與所述真空反應腔100的底部連接。
在本實施例中，所述升降裝置、所述氣體通道150和所述密封結構160均設置有三個，各個所述升降裝置沿所述可移動上電極元件120周向均勻分佈，各個所述氣體通道150分別穿過各個所述升降裝置的支撐柱140內部，各個所述密封結構160分別包圍在各個所述氣體通道150周圍。
在本實施例中，所述支撐柱140與所述驅動裝置170連接，所述氣體通道150經由所述支撐柱140結構，且所述密封結構160設置於所述支撐柱140內，所述支撐柱140既可以起到對所述可移動上電極元件120的支撐作用，又使密封結構160不會暴露在等離子體環境中，防止等離子體腐蝕所述密封結構160，避免了可導電的密封結構160在等離子體或射頻影響下發生點火現象。另外，在本實施例中，所述可移動上電極元件120與所述腔體端蓋102之間無連接關係，在等離子體處理裝置初次安裝調整後，所述可移動上電極元件120只有上下移動過程，即使多次翻轉開關所述腔體端蓋102，也無需對所述可移動上電極元件120重新對中，較大程度上節省了人力物力，減少了時間損耗。腔體端蓋102與可移動上電極元件120之間無連接避免了多次翻轉開關所述腔體端蓋102造成的所述可移動上電極元件120的偏移問題，更容易保持所述可移動上電極元件120和待處理晶圓W、下電極元件110之間的同心度，保證了斜邊蝕刻的製程效果，也減少了工作人員精力與時間的損耗，有利於待處理晶圓W蝕刻製程的開展。
進一步的，所述真空反應腔100的底部開設有複數個凹槽結構103，所述驅動裝置170驅動所述支撐柱140升降以帶動所述可移動上電極元件120升降，所述可移動上電極元件120處於低位元時所述支撐柱140的底部位於所述凹槽結構103內，以使所述可移動上電極元件120和待處理晶圓W的中心對齊。所述凹槽結構103的定位作用，便於所述可移動上電極元件120和晶圓W中心對齊，所述可移動上電極元件120的上下位移過程中，只要使所述支撐柱140在低位時卡進所述凹槽結構103內，即可保證所述可移動上電極元件120和待處理晶圓W、下電極元件110之間的同心度，其結構簡單，操作方便。另外，所述真空反應腔100內空間有限，所述凹槽結構103使得無需在真空反應腔100內額外安裝對中工具，較大的節省了所述真空反應腔100的空間結構，增大了其空間結構的利用率。
在本實施例中，所述可移動上電極元件120包含：絕緣隔離部121和上電極環122。所述絕緣隔離部121設置於所述可移動上電極元件120的底部，與待處理晶圓W的中央區域相對設置，所述絕緣隔離部121既可以是層結構，也可以是體結構。所述上電極環122環繞設置於所述絕緣隔離部121的外側，所述上電極環122與待處理晶圓W的邊緣區域相對設置。所述下電極元件110包括基座和下電極環111，所述基座的上表面為經過陽極氧化形成的介質層，其內部設有複數個用於傳送待處理晶圓W的升降頂針，所述下電極環111設置於所述基座上（在一個實施例中，所述基座具有一台部，所述下電極環111設置在該台部上）且所述基座與所述下電極環111之間射頻導通，所述下電極環111環繞設置於待處理晶圓W的邊緣區域的下方（所述下電極環111也可與待處理晶圓W持平），所述下電極環111和所述上電極環122相對設置。具體地，所述上電極環122和所述下電極環111可採用石墨或其他碳基材料。在製程過程中，所述上電極環122和所述下電極環111之間產生等離子體以進行待處理晶圓W的邊緣蝕刻。
另外，該等離子體處理裝置還包含環繞所述下電極元件110設置的冷水機組件和加熱器，以便在製程過程中實現對待處理晶圓W的邊緣的溫度的控制。所述下電極元件110的外側還環繞設置有絕緣環112，所述絕緣環112用於隔離所述下電極元件110的射頻電流。所述反應腔腔體101和所述下電極元件110之間還設置有等離子體約束元件113，所述等離子體約束組件113設置有複數個孔狀結構或槽結構，以保證真空反應腔100內氣體的導通率，從而防止等離子體擴散，並有效地控制泵導電現象。所述等離子體約束元件113一般為帶有介質鍍層的金屬材料，如陽極氧化材料或含Y
2O
3鍍層的鋁。
進一步的，在本實施例中，所述可移動上電極元件120內的氣體通道150為邊緣進氣通道151或中央進氣通道152。所述邊緣進氣通道151在所述可移動上電極元件120內採用多路徑分佈結構，其包含設置在上電極環122中的多個邊緣噴淋口，各個所述邊緣噴淋口沿待處理晶圓W的邊緣區域均勻分佈（類似於花灑頭結構），以便將第一氣體均勻注入所述待處理晶圓W的邊緣區域的上方。所述中央進氣通道152包含複數個中央進氣口，所述中央進氣口位於待處理晶圓W的中央區域的上方，以便將第二氣體注入所述待處理晶圓W的中央區域的上方。通常情況下，在邊緣蝕刻製程中，所述邊緣進氣通道151通入的第一氣體包含含F、Cl等的蝕刻氣體和O
2等清潔氣體以及其他的輔助蝕刻氣體，以便進行邊緣蝕刻製程。所述中央進氣通道152通入的第二氣體包含緩衝氣體或清潔氣體，所述緩衝氣體用於在待處理晶圓W的邊緣處理時保持待處理晶圓W的上方的高氣壓，以使待處理晶圓W的中央區域免受等離子體環境的蝕刻，所述清潔氣體用於在所述真空反應腔100內無待處理晶圓W時的真空反應腔100的清潔。
在斜邊蝕刻製程中，第一氣體（如Ar、CF
4、O
2等）經邊緣進氣通道151進入所述真空反應腔100內的待處理晶圓W的邊緣區域的上方，在射頻的激勵作用下形成等離子體。這些等離子體經過所述可移動上電極元件120和下電極元件110之間的電場作用（電容耦合）後與待處理晶圓W的邊緣聚集的多餘膜層發生化學反應，從而去除在其他製程過程中產生的多餘膜層。與此同時，第二氣體經中央進氣通道152進入所述真空反應腔100內的待處理晶圓W的中央區域的上方，即所述可移動上電極元件120的絕緣隔離部121的下方，可調節第二氣體的流速或壓強以保護待處理晶圓W的中央區域不受等離子體環境的影響。
在製程過程中，第一氣體和第二氣體分別通過邊緣進氣通道151和中央進氣通道152進入所述真空反應腔100內，當所述真空反應腔100內保持一定的氣體和壓力（通常為幾百mT到幾T之間）時，由射頻電源130向所述下電極元件110輸入射頻能量，通過所述下電極環111和所述上電極環122之間的電容耦合形成等離子體。
另外，在本實施例中，所述腔體端蓋102的頂部設置有金屬遮罩網結構104，以實現所述真空反應腔100的內部電場的遮罩。較佳的，所述真空反應腔100的頂部的腔體端蓋102與所述反應腔腔體101的材質相同，以便該等離子體處理裝置的加工與組裝。當然，所述腔體端蓋102的材質不僅限於此，其也可為其他介質材料。在另一實施例中，所述腔體端蓋102的材料由透明材料製成，複數個光學處理裝置設置於所述真空反應腔100的上方，即所述腔體端蓋102的上方，以監控所述可移動上電極元件120和待處理晶圓W之間的同心度。
在另一實施例中，所述可移動上電極元件120的邊緣側面和所述真空反應腔100的側壁之間的間距非常小（請見圖2），例如兩者之間的間距小於1cm，該間距可保證所述可移動上電極元件120的上下移動過程中不發生摩擦，同時，製程過程中產生的等離子體被束縛在所述可移動上電極元件120和所述下電極元件110之間，而不會擴散到所述可移動上電極元件120和所述腔體端蓋102之間的空間，無需額外設置金屬遮罩網結構104。
本發明還提供了一種所述等離子體處理裝置的等離子體處理方法，該方法具體包含下列步驟：由氣體通道150將製程氣體注入真空反應腔100內；採用驅動裝置170驅動支撐柱140使可移動上電極元件120升降，以便在可移動上電極元件120和下電極元件110之間產生等離子體環境進行待處理晶圓W的邊緣區域的蝕刻。
綜上所述，本發明的一種等離子體處理裝置及其等離子體處理方法，該等離子體處理裝置通過升降裝置的支撐柱140和驅動裝置170實現可移動上電極元件120的支撐與升降，使可移動上電極元件120的氣體通道150經由支撐柱140將製程氣體輸送至真空反應腔100，並設置有密封結構160以保證真空反應腔100的氣體環境，所述可移動上電極元件120與真空反應腔100的頂部無連接，真空反應腔100的頂部多次開關也不會影響可移動上電極元件120的位置，在裝置使用過程中更容易保持所述可移動上電極元件120和待處理晶圓W、下電極元件110之間的同心度，保證了斜邊蝕刻的製程效果，也減少了工作人員精力與時間的損耗，有利於待處理晶圓W蝕刻製程的開展。
進一步的，其密封結構160設置在支撐柱140內部，使密封結構160免受等離子體環境的干擾，避免了發生點火現象。
進一步的，其真空反應腔100的底部開設有凹槽結構103，只需在可移動上電極元件120處於低位元時將支撐柱140卡進凹槽結構103內，即可保證可移動上電極元件120、待處理晶圓W和下電極元件110之間的同心度。
儘管本發明的內容已經通過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
100:真空反應腔
101:反應腔腔體
102:腔體端蓋
103:凹槽結構
104:金屬遮罩網結構
110:下電極元件
111:下電極環
112:絕緣環
113:等離子體約束元件
120:可移動上電極元件
121:絕緣隔離部
122:上電極環
130:射頻電源
140:支撑柱
141:密封件
150:氣體通道
151:邊緣進氣通道
152:中央進氣通道
160:密封結構
170:驅動裝置
W:待處理晶圓
為了更清楚地說明本發明技術方案，下面將對描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一個實施例，對於本領域具有通常知識者來講，在不付出具進步性改變的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖：
圖1為本發明的一種等離子體處理裝置；以及
圖2為本發明的另一種等離子體處理裝置。
100:真空反應腔
101:反應腔腔體
102:腔體端蓋
103:凹槽結構
104:金屬遮罩網結構
110:下電極元件
111:下電極環
112:絕緣環
113:等離子體約束元件
120:可移動上電極元件
121:絕緣隔離部
122:上電極環
130:射頻電源
140:支撐柱
141:密封件
150:氣體通道
151:邊緣進氣通道
152:中央進氣通道
160:密封結構
170:驅動裝置
W:待處理晶圓
Claims (13)
- 一種等離子體處理裝置，其中，包含： 一真空反應腔，該真空反應腔內具有一下電極元件和一可移動上電極元件，該下電極元件設置有一承載面，用於承載一待處理晶圓； 複數個升降裝置，與該可移動上電極元件連接以使該可移動上電極元件升降，該升降裝置包含一支撐柱和一驅動裝置，該支撐柱的一端與該可移動上電極元件連接，該支撐柱的另一端與該驅動裝置連接，該驅動裝置用於驅動該支撐柱以使得該可移動上電極元件升降； 複數個氣體通道，分別由該真空反應腔外部延伸經過該真空反應腔的底部、該支撐柱的內部、該可移動上電極元件，該氣體通道用於將製程氣體注入該真空反應腔內； 複數個導電可伸縮的密封結構，分別設置於該支撐柱內，該密封結構環繞設置於該氣體通道的周圍，該密封結構的一端與該可移動上電極元件的底部連接，該密封結構的另一端與該真空反應腔的底部連接。
- 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該真空反應腔的底部開設有複數個凹槽結構，該驅動裝置驅動該支撐柱升降以帶動該可移動上電極元件升降，該可移動上電極元件處於一低位元時該支撐柱的底部位於該凹槽結構內，以使該可移動上電極元件和該待處理晶圓的中心對齊。
- 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該可移動上電極元件包含： 一絕緣隔離部，設置於該可移動上電極元件的底部，與該待處理晶圓的中央區域相對設置； 一上電極環，環繞設置於該絕緣隔離部的外側，該上電極環與該待處理晶圓的邊緣區域相對設置； 該下電極元件包含： 一下電極環，環繞設置於該待處理晶圓的邊緣區域，該下電極環和該上電極環相對設置。
- 如請求項1或3所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣體通道為一邊緣進氣通道或一中央進氣通道，該邊緣進氣通道包含一邊緣噴淋口以將一第一氣體注入該待處理晶圓的邊緣區域的上方，該中央進氣通道包含一中央噴淋口以將一第二氣體注入該待處理晶圓的中央區域的上方。
- 如請求項4所述的等離子體處理裝置，其中， 該邊緣進氣通道內的該第一氣體包括含F、Cl的蝕刻氣體和/或清潔氣體； 該中央進氣通道內的該第二氣體包括清潔氣體和/或緩衝氣體。
- 如請求項4所述的等離子體處理裝置，其中， 該邊緣進氣通道在該可移動上電極元件內採用多路徑分佈結構，其包含多個邊緣噴淋口，該邊緣噴淋口沿該待處理晶圓的邊緣區域均勻分佈，以便將該第一氣體均勻注入該待處理晶圓的邊緣區域。
- 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣體通道內表面設有耐腐蝕性材料的鍍層。
- 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該升降裝置、該氣體通道和該密封結構均為三個，各個該升降裝置沿該可移動上電極元件周向均勻分佈，各個該氣體通道分別穿過各個該升降裝置的該支撐柱的內部，各個該密封結構分別包圍在各個該氣體通道的周圍。
- 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該支撐柱為陶瓷空心柱； 和/或，該驅動裝置為步進馬達或氣缸； 和/或，該密封結構為金屬波紋管； 和/或，該密封結構包含波紋管和金屬件，該波紋管的一端與該可移動上電極元件的底部連接，該波紋管的另一端與該真空反應腔的底部連接，該金屬件的一端與該可移動上電極元件的底部連接，該金屬件的另一端與該真空反應腔的底部連接。
- 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該真空反應腔的頂部為腔體端蓋，所述腔體端蓋由透明材料製成，複數個光學處理裝置設置於該真空反應腔上方以監控該可移動上電極元件的同心度。
- 如請求項1或10所述的等離子體處理裝置，其中， 該真空反應腔的頂部為腔體端蓋，所述腔體端蓋設置有金屬遮罩網結構。
- 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該可移動上電極元件的邊緣側面和該真空反應腔的側壁之間的距離小於1cm。
- 一種等離子體處理方法，其中，包含下列步驟： 提供如請求項1至請求項12中任一項所述的等離子體處理裝置； 由一氣體通道將製程氣體注入一真空反應腔內；以及 採用一驅動裝置驅動一支撐柱使一可移動上電極元件升降，以便在該可移動上電極元件和一下電極元件之間產生等離子體環境，以進行待處理晶圓的邊緣區域的蝕刻。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010987374.2 | 2020-09-18 | ||
| CN202010987374.2A CN114203506B (zh) | 2020-09-18 | 2020-09-18 | 一种等离子体处理装置及其方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202213504A true TW202213504A (zh) | 2022-04-01 |
| TWI817174B TWI817174B (zh) | 2023-10-01 |
Family
ID=80645033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110129054A TWI817174B (zh) | 2020-09-18 | 2021-08-06 | 等離子體處理裝置及其等離子體處理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114203506B (zh) |
| TW (1) | TWI817174B (zh) |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07118469B2 (ja) * | 1989-05-08 | 1995-12-18 | 富士電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH1126190A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH1154496A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びガス処理装置 |
| JP3161392B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2001-04-25 | 日本電気株式会社 | プラズマｃｖｄ装置とそのドライクリーニング方法 |
| US7156787B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-01-02 | Nike, Inc. | Inflatable structure and method of manufacture |
| KR100532354B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법 |
| US7972470B2 (en) * | 2007-05-03 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Asymmetric grounding of rectangular susceptor |
| KR101625516B1 (ko) * | 2008-02-08 | 2016-05-30 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 장치 및 플라즈마 프로세싱 장치에서 반도체 기판을 처리하는 방법 |
| JP4547443B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2010-09-22 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 |
| JP5292160B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス流路構造体及び基板処理装置 |
| JP5432686B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2014-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5606063B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US9171702B2 (en) * | 2010-06-30 | 2015-10-27 | Lam Research Corporation | Consumable isolation ring for movable substrate support assembly of a plasma processing chamber |
| CN103866282B (zh) * | 2012-12-14 | 2016-12-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Pecvd设备 |
| CN111627843A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-09-04 | 上海邦芯半导体设备有限公司 | 新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法 |
-
2020
- 2020-09-18 CN CN202010987374.2A patent/CN114203506B/zh active Active
-
2021
- 2021-08-06 TW TW110129054A patent/TWI817174B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI817174B (zh) | 2023-10-01 |
| CN114203506B (zh) | 2024-03-12 |
| CN114203506A (zh) | 2022-03-18 |
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