JPS633138U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS633138U JPS633138U JP9574886U JP9574886U JPS633138U JP S633138 U JPS633138 U JP S633138U JP 9574886 U JP9574886 U JP 9574886U JP 9574886 U JP9574886 U JP 9574886U JP S633138 U JPS633138 U JP S633138U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma reaction
- metal block
- processing apparatus
- insulator
- upper electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案に係るプラズマ反応処理装置の
チヤンバーの斜視図、第２図は同プラズマ反応処
理装置のチヤンバー部分の縦断面図、第３図は従
来のプラズマ反応処理装置の縦断面図である。 尚、図面中１はチヤンバー、２は装置本体、４
，６８は排気通路、５はケース、６は絶縁体、７
は金属ブロツク、８は上部電極、９は下部電極、
６６は起立部、ｇは隙間、Ｓは反応処理室である
。
チヤンバーの斜視図、第２図は同プラズマ反応処
理装置のチヤンバー部分の縦断面図、第３図は従
来のプラズマ反応処理装置の縦断面図である。 尚、図面中１はチヤンバー、２は装置本体、４
，６８は排気通路、５はケース、６は絶縁体、７
は金属ブロツク、８は上部電極、９は下部電極、
６６は起立部、ｇは隙間、Ｓは反応処理室である
。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 上部電極と下部電極間にセツトした被処理
物を減圧下でプラズマ反応処理する装置において
、前記上部電極は金属ブロツクに取り付けられ、
この金属ブロツクは絶縁体を介して金属または石
英ケース内に固定されていることを特徴とするプ
ラズマ反応処理装置。 (2) 前記金属ブロツクと絶縁体との間には隙間
が形成されていることを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第１項記載のプラズマ反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986095748U JPH0735386Y2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | プラズマ反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986095748U JPH0735386Y2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | プラズマ反応処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633138U true JPS633138U (ja) | 1988-01-11 |
| JPH0735386Y2 JPH0735386Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=30960680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986095748U Expired - Lifetime JPH0735386Y2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | プラズマ反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735386Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348422A (ja) * | 1989-04-25 | 1991-03-01 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618927A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体ウエハのプラズマ食刻装置 |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP1986095748U patent/JPH0735386Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618927A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体ウエハのプラズマ食刻装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348422A (ja) * | 1989-04-25 | 1991-03-01 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0735386Y2 (ja) | 1995-08-09 |