JPH0735361Y2 - 合成正特性サ−ミスタ - Google Patents
合成正特性サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPH0735361Y2 JPH0735361Y2 JP1987129804U JP12980487U JPH0735361Y2 JP H0735361 Y2 JPH0735361 Y2 JP H0735361Y2 JP 1987129804 U JP1987129804 U JP 1987129804U JP 12980487 U JP12980487 U JP 12980487U JP H0735361 Y2 JPH0735361 Y2 JP H0735361Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- temperature
- positive temperature
- coefficient thermistor
- positive
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （ａ）産業上の利用分野 この考案は低抵抗領域における抵抗温度特性を改善した
正特性サーミスタに関する。
正特性サーミスタに関する。
（ｂ）従来の技術 正特性サーミスタは、その特異な抵抗温度特性を利用し
てさまざまな用途に用いられている。正特性サーミスタ
の応用を大別すると次のようになる。
てさまざまな用途に用いられている。正特性サーミスタ
の応用を大別すると次のようになる。
抵抗温度特性の利用 電流電圧特性の利用 電流時間特性の利用 は電子機器などの温度制御、たとえばトランジスタの
過熱防止など、は定温発熱体としての温度制御、は
タイマ的応用であり、たとえばカラーブラウン管の自動
消磁やモータの低速起動補償などに用いられる。
過熱防止など、は定温発熱体としての温度制御、は
タイマ的応用であり、たとえばカラーブラウン管の自動
消磁やモータの低速起動補償などに用いられる。
（ｃ）考案が解決しようとする問題点 前述の種々の応用例はいずれも、キュリー温度以下にお
いて低抵抗を示し、これを超える温度で急激な抵抗増加
を示す、正特性サーミスタ特有の抵抗温度特性を利用し
ている。しかしながら、一般的な正特性サーミスタの抵
抗温度特性は第２図に示すように、厳密にはキュリー温
度To以下の低抵抗領域において約−0.16〜−５％／℃な
どの負の温度係数を示す。そのため通電前など低温（キ
ュリー温度以下）において初期抵抗が高く、十分な低抵
抗体として用いることができず、正特性サーミスタのス
イッチング機能を十分に活用することがきない。このよ
うに低抵抗領域における負の温度係数は電流値の微妙な
調整を困難にしている。また、種々の組成が検討されて
いるが、低抵抗領域の温度係数が０に近いものを得るこ
と、または温度係数を任意に制御することは実用上ほと
んど困難であった。このため、正特性サーミスタの利用
範囲は限られていた。
いて低抵抗を示し、これを超える温度で急激な抵抗増加
を示す、正特性サーミスタ特有の抵抗温度特性を利用し
ている。しかしながら、一般的な正特性サーミスタの抵
抗温度特性は第２図に示すように、厳密にはキュリー温
度To以下の低抵抗領域において約−0.16〜−５％／℃な
どの負の温度係数を示す。そのため通電前など低温（キ
ュリー温度以下）において初期抵抗が高く、十分な低抵
抗体として用いることができず、正特性サーミスタのス
イッチング機能を十分に活用することがきない。このよ
うに低抵抗領域における負の温度係数は電流値の微妙な
調整を困難にしている。また、種々の組成が検討されて
いるが、低抵抗領域の温度係数が０に近いものを得るこ
と、または温度係数を任意に制御することは実用上ほと
んど困難であった。このため、正特性サーミスタの利用
範囲は限られていた。
この考案の目的は、低抵抗領域の温度係数を容易に制御
できるようにし、温度係数をほぼ０とした正特性サーミ
スタを提供することにある。
できるようにし、温度係数をほぼ０とした正特性サーミ
スタを提供することにある。
（ｄ）問題点を解決するための手段 この考案の合成正特性サーミスタは、キュリー温度以下
の低抵抗領域において負の温度係数を有し、キュリー温
度を超える温度領域において正の温度係数を有する第１
の正特性サーミスタと、前記低抵抗領域および前記キュ
リー温度を超える温度領域の全温度領域においてリニア
で、かつ、前記第１の正特性サーミスタの低抵抗領域に
おける負の温度係数の絶対値とほぼ等しい正の温度係数
を有する第２の正特性サーミスタと、を直列接続したこ
とを特徴としている。
の低抵抗領域において負の温度係数を有し、キュリー温
度を超える温度領域において正の温度係数を有する第１
の正特性サーミスタと、前記低抵抗領域および前記キュ
リー温度を超える温度領域の全温度領域においてリニア
で、かつ、前記第１の正特性サーミスタの低抵抗領域に
おける負の温度係数の絶対値とほぼ等しい正の温度係数
を有する第２の正特性サーミスタと、を直列接続したこ
とを特徴としている。
（ｅ）作用 この考案の合成正特性サーミスタにおいては、第１の正
特性サーミスタはキュリー温度以下の低抵抗領域におい
て負の温度係数を有し、第２の正特性サーミスタは前記
低抵抗領域の温度範囲において、前記負の温度係数に絶
対値がほぼ等しく正の温度係数を有している。この第１
の正特性サーミスタと第２の正特性サーミスタを直列接
続したことにより、キュリー温度以下の低抵抗領域にお
いて、第１の正特性サーミスタの負の温度係数と第２の
正特性サーミスタの正の温度係数が打ち消されて合成温
度係数はほぼ０となる。したがってキュリー温度以下の
低抵抗領域では温度に関わらずほぼ一定の抵抗値を示
し、キュリー温度を超える温度領域では第１の正特性サ
ーミスタ本来の大きな正の温度係数を示す。
特性サーミスタはキュリー温度以下の低抵抗領域におい
て負の温度係数を有し、第２の正特性サーミスタは前記
低抵抗領域の温度範囲において、前記負の温度係数に絶
対値がほぼ等しく正の温度係数を有している。この第１
の正特性サーミスタと第２の正特性サーミスタを直列接
続したことにより、キュリー温度以下の低抵抗領域にお
いて、第１の正特性サーミスタの負の温度係数と第２の
正特性サーミスタの正の温度係数が打ち消されて合成温
度係数はほぼ０となる。したがってキュリー温度以下の
低抵抗領域では温度に関わらずほぼ一定の抵抗値を示
し、キュリー温度を超える温度領域では第１の正特性サ
ーミスタ本来の大きな正の温度係数を示す。
（ｆ）実施例 この考案の実施例である合成正特性サーミスタを構成す
る第１の正特性サーミスタの抵抗温度特性を第１図
（Ａ）に、また第２の正特性サーミスタの抵抗温度特性
を第１図（Ｂ）に示す。第１の正特性サーミスタとし
て、BaTiO3を主成分として構成する。この場合、第１図
（Ａ）に示したキュリー温度Toは50℃〜130℃となり、
キュリー温度以下の温度領域である低抵抗領域の温度係
数は−0.16％／℃〜−５％／℃の抵抗温度特性が得られ
る。第２の正特性サーミスタとしてはたとえばZnO−TiO
2系半導体セラミクスを用いれば0.16％／℃〜５％／℃
の温度係数が得られる。
る第１の正特性サーミスタの抵抗温度特性を第１図
（Ａ）に、また第２の正特性サーミスタの抵抗温度特性
を第１図（Ｂ）に示す。第１の正特性サーミスタとし
て、BaTiO3を主成分として構成する。この場合、第１図
（Ａ）に示したキュリー温度Toは50℃〜130℃となり、
キュリー温度以下の温度領域である低抵抗領域の温度係
数は−0.16％／℃〜−５％／℃の抵抗温度特性が得られ
る。第２の正特性サーミスタとしてはたとえばZnO−TiO
2系半導体セラミクスを用いれば0.16％／℃〜５％／℃
の温度係数が得られる。
このように第１図（Ａ），（Ｂ）に示した第１・第２の
正特性サーミスタを直列接続することによって第１図
（Ｃ）に示す合成温度特性が得られる。すなわち、キュ
リー温度To以下の温度領域では、第１の正特性サーミス
タの低抵抗領域の温度係数と第２の正特性サーミスタの
温度係数とが打ち消されて合成温度係数がほぼ０とな
る。第２の正特性サーミスタの抵抗温度特性は比較的広
い温度範囲にわたってリニアであり、第１の正特性サー
ミスタのキュリー温度以下の温度領域においても前記正
の温度係数を維持する。これに対して第１の正特性サー
ミスタはキュリー温度以上の温度領域において非常に大
きな正の温度係数を有しているため、キュリー温度以上
の温度領域においては第１図（Ｃ）に示すように第１の
正特性サーミスタの特性がほぼそのまま現れる。
正特性サーミスタを直列接続することによって第１図
（Ｃ）に示す合成温度特性が得られる。すなわち、キュ
リー温度To以下の温度領域では、第１の正特性サーミス
タの低抵抗領域の温度係数と第２の正特性サーミスタの
温度係数とが打ち消されて合成温度係数がほぼ０とな
る。第２の正特性サーミスタの抵抗温度特性は比較的広
い温度範囲にわたってリニアであり、第１の正特性サー
ミスタのキュリー温度以下の温度領域においても前記正
の温度係数を維持する。これに対して第１の正特性サー
ミスタはキュリー温度以上の温度領域において非常に大
きな正の温度係数を有しているため、キュリー温度以上
の温度領域においては第１図（Ｃ）に示すように第１の
正特性サーミスタの特性がほぼそのまま現れる。
第２の正特性サーミスタの温度係数は、主成分系に若干
の添加物を添加することによって、その温度係数を制御
することができるため、この第２の正特性サーミスタの
温度係数を設定することによって、合成正特性サーミス
タの低抵抗領域における温度係数を任意にしかも精密に
設定することが可能となる。
の添加物を添加することによって、その温度係数を制御
することができるため、この第２の正特性サーミスタの
温度係数を設定することによって、合成正特性サーミス
タの低抵抗領域における温度係数を任意にしかも精密に
設定することが可能となる。
（ｇ）考案の効果 以上のようにこの考案によれば、キュリー温度以下の低
抵抗領域の温度係数がほぼ０になるため、通常動作領域
で的確な電流量の制御が可能となる。これに伴い、異常
電流の検知や温度検知など正特性サーミスタの応用領域
を拡大することができる。
抵抗領域の温度係数がほぼ０になるため、通常動作領域
で的確な電流量の制御が可能となる。これに伴い、異常
電流の検知や温度検知など正特性サーミスタの応用領域
を拡大することができる。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）はこの考案の実施例である合成正
特性サーミスタの抵抗温度特性を説明するための図であ
り、（Ａ）と（Ｂ）はそれぞれ第１の正特性サーミスタ
と第２の正特性サーミスタの抵抗温度特性、（Ｃ）は合
成正特性サーミスタの抵抗温度特性を表している。第２
図は従来の一般的な正特性サーミスタの抵抗温度特性を
表す図である。
特性サーミスタの抵抗温度特性を説明するための図であ
り、（Ａ）と（Ｂ）はそれぞれ第１の正特性サーミスタ
と第２の正特性サーミスタの抵抗温度特性、（Ｃ）は合
成正特性サーミスタの抵抗温度特性を表している。第２
図は従来の一般的な正特性サーミスタの抵抗温度特性を
表す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】キュリー温度以下の低抵抗領域において負
の温度係数を有し、キュリー温度を超える温度領域にお
いて正の温度係数を有する第１の正特性サーミスタと、
前記低抵抗領域および前記キュリー温度を超える温度領
域の全温度領域においてリニアで、かつ、前記第１の正
特性サーミスタの低抵抗領域における負の温度係数の絶
対値とほぼ等しい正の温度係数を有する第２の正特性サ
ーミスタと、を直列接続したことを特徴とする合成正特
性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987129804U JPH0735361Y2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 合成正特性サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987129804U JPH0735361Y2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 合成正特性サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435701U JPS6435701U (ja) | 1989-03-03 |
| JPH0735361Y2 true JPH0735361Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=31384417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987129804U Expired - Lifetime JPH0735361Y2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 合成正特性サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735361Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5714406U (ja) * | 1980-06-30 | 1982-01-25 |
-
1987
- 1987-08-26 JP JP1987129804U patent/JPH0735361Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6435701U (ja) | 1989-03-03 |
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