JPS6053882B2 - 温度制御装置 - Google Patents
温度制御装置Info
- Publication number
- JPS6053882B2 JPS6053882B2 JP8263778A JP8263778A JPS6053882B2 JP S6053882 B2 JPS6053882 B2 JP S6053882B2 JP 8263778 A JP8263778 A JP 8263778A JP 8263778 A JP8263778 A JP 8263778A JP S6053882 B2 JPS6053882 B2 JP S6053882B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- thermistor
- point
- transistor
- thyristor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Control Of Temperature (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感温素子としてサーミスタを用い、昇温特性
を改善した温度制御装置に関するものである。
を改善した温度制御装置に関するものである。
保温容器を取り出しやすくするために、保温容器の外
側にヒータ取付枠を設け、その枠にヒータおよびサーミ
スタを取り付け、そのサーミスタの抵抗変化によりヒー
タ制御用サイリスタのゲートに信号を供給するスイッチ
ング回路を構成した温度制御装置において、サーミスタ
温度を一定温度でのみ制御する従来の方式では、保温す
べき物質の温度が低いとき、サーミスタが温度を検知し
て スイッチング回路が働き、ヒータが導通し、ヒータ
熱によりヒータ取付枠の温度が上昇してサーミスタが目
的の制御温度になり、サイリスタがOFFしても、ヒー
タの熱は熱伝導の悪い空気層等を通じて保温容器に伝わ
るため、保温容器温度とヒータ取付枠温度の間には時間
遅れが生じ、保温容器の温度は目的の温度に達していな
いという欠点があつた。
側にヒータ取付枠を設け、その枠にヒータおよびサーミ
スタを取り付け、そのサーミスタの抵抗変化によりヒー
タ制御用サイリスタのゲートに信号を供給するスイッチ
ング回路を構成した温度制御装置において、サーミスタ
温度を一定温度でのみ制御する従来の方式では、保温す
べき物質の温度が低いとき、サーミスタが温度を検知し
て スイッチング回路が働き、ヒータが導通し、ヒータ
熱によりヒータ取付枠の温度が上昇してサーミスタが目
的の制御温度になり、サイリスタがOFFしても、ヒー
タの熱は熱伝導の悪い空気層等を通じて保温容器に伝わ
るため、保温容器温度とヒータ取付枠温度の間には時間
遅れが生じ、保温容器の温度は目的の温度に達していな
いという欠点があつた。
しかも、サーミスタはヒータ取付枠の温度を一定に保つ
ためにON、OFFするので保温容器の温度が目的の温
度に達するのに時間がかかる欠点があつた。 本発明は
上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、以下本発明の
一実施例を添付図面を参照して説明する。
ためにON、OFFするので保温容器の温度が目的の温
度に達するのに時間がかかる欠点があつた。 本発明は
上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、以下本発明の
一実施例を添付図面を参照して説明する。
第1図において、Aはヒータ、BはヒータAに直列接続
したサイリスタ、Cはコンデンサ1、抵抗2、定電圧ダ
イオード3よりなる電源部、Dはサーミスタ、Eは抵抗
4、5、6、8、9、12、13、15、16、17、
18、トランジスタ7、 11、14、コンデンサ10
、19’よりなる温度設定回路部てある。 次に動作を
説明する。
したサイリスタ、Cはコンデンサ1、抵抗2、定電圧ダ
イオード3よりなる電源部、Dはサーミスタ、Eは抵抗
4、5、6、8、9、12、13、15、16、17、
18、トランジスタ7、 11、14、コンデンサ10
、19’よりなる温度設定回路部てある。 次に動作を
説明する。
第2図aに示す電源電圧はコンデンサ1により位相が進
み、定電圧ダイオード3によつてを点の電位は第2図を
に示す波形となる。さらに、サーミスタDおよび温度設
定回、路部Eに加えられる。抵抗15の抵抗値を抵抗1
7、18の抵抗値よりも十分小さい値にし、コンデンサ
19、抵抗16,17,18によつてきまる充放電時定
数を商用電源周波数の周期よりも十分大きい値に選定し
、温度設定回路部Eにおいて、サーミスタDの温度が高
く、サーミスタDの抵抗値が小さく、第2図bに示す電
圧波形の正の半サイクル時にc点電位がd点電位よりも
常に高い場合には、トランジスタ7は常に0FF状態で
あり、サイリスタBのゲートに電流は流れない。このた
めサイリスタBは点弧せず、ヒータAには通電が行われ
ない。この場合、他方のトランジスタ11は常に0N状
態となり、抵抗12を通じてトランジスタ14にベース
電流が流れてトランジスタ14は0Nし抵抗15により
コンデンサ19の電荷は放電される。ここで、抵抗17
,18の抵抗値は抵抗15の抵抗値よりも十分に大きい
値であるため、コンデンサ19の端子間電圧は、ほぼト
ランジスタ14のコレクターエミッタ飽和電圧VcE(
Sat)に保たれる。なお、電源からも抵抗4によりト
ランジスタ7がバイアスされているため、c点の電位は
第2図cの電圧波形となり、サーミスタDの抵抗値があ
る程度大きくなりc点とd点の電位が第2図bの正の半
サイクルで一致する時点があると、トランジスタ7はそ
の時点まで0Nし、トランジスタ11はc点とd点の電
位が一致した以後QNする(第2図のe)。ここで、ト
ランジスタ7の0Nが第2図aの立上りのO電圧以後で
あれば、0電圧の時点でサイリスタBは点弧し、ヒータ
Aは半サイクル導通する。なお、第3図においてROは
トランジスタ7が電源電圧の0Vのしきい値におけるサ
ーミスタDの抵抗!値、すなわち、目的の制御温度にお
けるサーミスタDの抵抗値である。一方温度が低くてサ
ーミスタDの抵抗値がRu以上の場合、c点の電位はd
点の電位より常に低くなつており、トランジスタ7は常
に0N1トランジスタ11は常に0FF状態ことなつて
いる。この状態ではトランジスタ14のベース電流が流
れず、トランジスタ14も0FFとなり、コンデンサ1
9は、抵抗16,17を通じて充電されf点の電位は高
レベルになる。この結果サーミスタDの温度が上昇し、
サーミスタD4が目的の制御温度における抵抗値ROと
なつても、まだd点の電位がc点の電位よりも高く、ト
ランジスタ7は0Nしたままである。さらにサーミスタ
Dの温度が上昇し、このためサーミスタDの抵抗値が小
さくなつて、第2図bの正の半サイクルの中で、少しで
もc点の電位がd点の電位よりも高くなれば、トランジ
スタ11はその間ONする。その結果、トランジスタ1
4が0Nし、f点の電位が低下するので同様d点の電位
が低下する。この結果トランジスタ11が0Nし、e点
の電位が上昇し、c点の電位が上昇するのでトランジス
タ7が0FFとなる。この時点でサーミスタDの抵抗値
は目的の制御温度における抵抗値ROフ以下のため、ト
ランジスタ7が0FFする時点は、電源電圧の立上りの
0Vよりも以前となり、サイリスタBは点弧せずヒータ
Aは不導通となる。そして、サーミスタDの温度は下が
り、サーミスタDの抵抗値が増大し、抵抗がR。になる
・と、c点の電位とd点の電位が電源電圧の0Vで一致
する。サーミスタDの抵抗値がRO以上になると、電源
電圧のO■以後の時点でd点の電圧とe点の電圧が一致
し、トランジスタ7はその時点まで0Nするため、サイ
リスタBのゲートに電流が流れ、サイリスタBは電源電
圧の立上りの0Vで点弧する。そしてヒータAは導通す
る。次にヒータAの熱によりサーミスタDの温度が上昇
すれば、サーミスタDの抵抗値が減少し、サーミスタD
の抵抗値がRO以下になると、c点の電位とd点の電位
が電源電圧の0V以前の時点で一致し、それ以後はトラ
ンジスタ7は0FFするため、サイリスタBのゲート電
流が流れなくなり、サイリスタBは点弧せず、ヒータA
は不導通となる。このようにして、サーミスタDの低抗
値が上限値ROよりも小さい時は、サーミスタDは、目
的の制御温度における抵抗値ROになるように制御され
るが、サーミスタ温度が低く、抵抗値が上限値ROより
も大きいときは、目的の制御温度における抵抗値ROよ
りも小さい下限値RLまで小さくなつたのち目的の制御
温度における抵抗値ROになる。また、c点とd点の電
位が電源電圧の立上りの0Vで一致する時のサーミスタ
Dの抵抗値がROであり、サーミスタDの抵抗値が大き
くなり、c点の電位がd点の電位より低くなる時点のサ
ーミスタDの抵抗値がR。でありc点の電圧は電源から
のバイアス抵抗4によつて変化するため、抵抗値Ru<
!:.ROの巾は抵抗4を変化することにより、任意に
設定できる。さらに、抵抗値ROとRしの巾は抵抗16
,17の抵抗値に対して抵抗18の抵抗値を変えること
により、トランジスタ14のONと0FF時のd点の電
位変化巾が決定されるので、任意に設定できる。また、
パルス性雑音が抵抗4によりトランジスタ7のベースの
みに加わると、トランジスタ7が電源電圧の正の半サイ
クルの途中てONし、サイリスタBがヒータAを移相制
御してしまうが、これを防止するために、コンデンサ1
0を接続し、パルス性雑音がトランジスタ7とトランジ
スタ11のベースに同様に加わるようにしてある。
み、定電圧ダイオード3によつてを点の電位は第2図を
に示す波形となる。さらに、サーミスタDおよび温度設
定回、路部Eに加えられる。抵抗15の抵抗値を抵抗1
7、18の抵抗値よりも十分小さい値にし、コンデンサ
19、抵抗16,17,18によつてきまる充放電時定
数を商用電源周波数の周期よりも十分大きい値に選定し
、温度設定回路部Eにおいて、サーミスタDの温度が高
く、サーミスタDの抵抗値が小さく、第2図bに示す電
圧波形の正の半サイクル時にc点電位がd点電位よりも
常に高い場合には、トランジスタ7は常に0FF状態で
あり、サイリスタBのゲートに電流は流れない。このた
めサイリスタBは点弧せず、ヒータAには通電が行われ
ない。この場合、他方のトランジスタ11は常に0N状
態となり、抵抗12を通じてトランジスタ14にベース
電流が流れてトランジスタ14は0Nし抵抗15により
コンデンサ19の電荷は放電される。ここで、抵抗17
,18の抵抗値は抵抗15の抵抗値よりも十分に大きい
値であるため、コンデンサ19の端子間電圧は、ほぼト
ランジスタ14のコレクターエミッタ飽和電圧VcE(
Sat)に保たれる。なお、電源からも抵抗4によりト
ランジスタ7がバイアスされているため、c点の電位は
第2図cの電圧波形となり、サーミスタDの抵抗値があ
る程度大きくなりc点とd点の電位が第2図bの正の半
サイクルで一致する時点があると、トランジスタ7はそ
の時点まで0Nし、トランジスタ11はc点とd点の電
位が一致した以後QNする(第2図のe)。ここで、ト
ランジスタ7の0Nが第2図aの立上りのO電圧以後で
あれば、0電圧の時点でサイリスタBは点弧し、ヒータ
Aは半サイクル導通する。なお、第3図においてROは
トランジスタ7が電源電圧の0Vのしきい値におけるサ
ーミスタDの抵抗!値、すなわち、目的の制御温度にお
けるサーミスタDの抵抗値である。一方温度が低くてサ
ーミスタDの抵抗値がRu以上の場合、c点の電位はd
点の電位より常に低くなつており、トランジスタ7は常
に0N1トランジスタ11は常に0FF状態ことなつて
いる。この状態ではトランジスタ14のベース電流が流
れず、トランジスタ14も0FFとなり、コンデンサ1
9は、抵抗16,17を通じて充電されf点の電位は高
レベルになる。この結果サーミスタDの温度が上昇し、
サーミスタD4が目的の制御温度における抵抗値ROと
なつても、まだd点の電位がc点の電位よりも高く、ト
ランジスタ7は0Nしたままである。さらにサーミスタ
Dの温度が上昇し、このためサーミスタDの抵抗値が小
さくなつて、第2図bの正の半サイクルの中で、少しで
もc点の電位がd点の電位よりも高くなれば、トランジ
スタ11はその間ONする。その結果、トランジスタ1
4が0Nし、f点の電位が低下するので同様d点の電位
が低下する。この結果トランジスタ11が0Nし、e点
の電位が上昇し、c点の電位が上昇するのでトランジス
タ7が0FFとなる。この時点でサーミスタDの抵抗値
は目的の制御温度における抵抗値ROフ以下のため、ト
ランジスタ7が0FFする時点は、電源電圧の立上りの
0Vよりも以前となり、サイリスタBは点弧せずヒータ
Aは不導通となる。そして、サーミスタDの温度は下が
り、サーミスタDの抵抗値が増大し、抵抗がR。になる
・と、c点の電位とd点の電位が電源電圧の0Vで一致
する。サーミスタDの抵抗値がRO以上になると、電源
電圧のO■以後の時点でd点の電圧とe点の電圧が一致
し、トランジスタ7はその時点まで0Nするため、サイ
リスタBのゲートに電流が流れ、サイリスタBは電源電
圧の立上りの0Vで点弧する。そしてヒータAは導通す
る。次にヒータAの熱によりサーミスタDの温度が上昇
すれば、サーミスタDの抵抗値が減少し、サーミスタD
の抵抗値がRO以下になると、c点の電位とd点の電位
が電源電圧の0V以前の時点で一致し、それ以後はトラ
ンジスタ7は0FFするため、サイリスタBのゲート電
流が流れなくなり、サイリスタBは点弧せず、ヒータA
は不導通となる。このようにして、サーミスタDの低抗
値が上限値ROよりも小さい時は、サーミスタDは、目
的の制御温度における抵抗値ROになるように制御され
るが、サーミスタ温度が低く、抵抗値が上限値ROより
も大きいときは、目的の制御温度における抵抗値ROよ
りも小さい下限値RLまで小さくなつたのち目的の制御
温度における抵抗値ROになる。また、c点とd点の電
位が電源電圧の立上りの0Vで一致する時のサーミスタ
Dの抵抗値がROであり、サーミスタDの抵抗値が大き
くなり、c点の電位がd点の電位より低くなる時点のサ
ーミスタDの抵抗値がR。でありc点の電圧は電源から
のバイアス抵抗4によつて変化するため、抵抗値Ru<
!:.ROの巾は抵抗4を変化することにより、任意に
設定できる。さらに、抵抗値ROとRしの巾は抵抗16
,17の抵抗値に対して抵抗18の抵抗値を変えること
により、トランジスタ14のONと0FF時のd点の電
位変化巾が決定されるので、任意に設定できる。また、
パルス性雑音が抵抗4によりトランジスタ7のベースの
みに加わると、トランジスタ7が電源電圧の正の半サイ
クルの途中てONし、サイリスタBがヒータAを移相制
御してしまうが、これを防止するために、コンデンサ1
0を接続し、パルス性雑音がトランジスタ7とトランジ
スタ11のベースに同様に加わるようにしてある。
なお、停電等で電源が一時ストップしても、サーミスタ
の抵抗値がRu以下である時には、ただちにROになる
ように制御を行なう。以上のように、本発明によれば、
保温容器にある時間遅れを持つてヒータの熱が伝わり、
しかもヒータの熱が伝わり易い場所にサーミスタを取付
け、サーミスタが保温容器温度を直接検知しない構造の
温度制御装置において、サーミスタ温度を任意温度だけ
目的の制御温度よりもオーバーシュートさせることによ
り、保温容器の温度を早く目的の温度に保つことができ
る。
の抵抗値がRu以下である時には、ただちにROになる
ように制御を行なう。以上のように、本発明によれば、
保温容器にある時間遅れを持つてヒータの熱が伝わり、
しかもヒータの熱が伝わり易い場所にサーミスタを取付
け、サーミスタが保温容器温度を直接検知しない構造の
温度制御装置において、サーミスタ温度を任意温度だけ
目的の制御温度よりもオーバーシュートさせることによ
り、保温容器の温度を早く目的の温度に保つことができ
る。
又サーミスタの目的の制御温度に対してサーミスタの低
下温度巾が小さい場合には、オーバーシュートなしの制
御を行なうため、温度変動の少ない温度制御が可能であ
る等工業的価値の大なるものである。
下温度巾が小さい場合には、オーバーシュートなしの制
御を行なうため、温度変動の少ない温度制御が可能であ
る等工業的価値の大なるものである。
第1図は本発明の一実施例を示す温度制御装置の電気回
路図、第2図A,b,c,d,eは同回路要部の電圧波
形図、第3図は同回路におけるサーミスタの抵抗値とf
点電位の特性図である。
路図、第2図A,b,c,d,eは同回路要部の電圧波
形図、第3図は同回路におけるサーミスタの抵抗値とf
点電位の特性図である。
Claims (1)
- 1 温度検出用のサーミスタを用いてサイリスタのゲー
ト回路を構成し、このサイリスタによつてヒータの通電
制御を行なう温度制御装置において、前記サーミスタの
検出温度が第1の設定温度より低いと前記サイリスタを
導通し、第1の設定温度より高いと前記サイリスタを遮
断する第1の制御手段と前記サーミスタの検出温度が前
記第1の設定温度より低い第2の設定温度以下であると
、第1の設定温度より高い第3の設定温度に達するまで
前記第1の制御手段を強制駆動し、前記サイリスタを導
通する第2の制御手段とを備え、前記第2の設定温度を
、電源に接続されたバイアス抵抗により設定した温度制
御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8263778A JPS6053882B2 (ja) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | 温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8263778A JPS6053882B2 (ja) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | 温度制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS559291A JPS559291A (en) | 1980-01-23 |
JPS6053882B2 true JPS6053882B2 (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=13779932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8263778A Expired JPS6053882B2 (ja) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | 温度制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053882B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0549010U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-29 | 株式会社クボタ | バケットストレーナ装置 |
JPH0549009U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-29 | 株式会社クボタ | バケットストレーナ装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57195479U (ja) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | ||
JPH04105912A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-07 | Nippon Paint Co Ltd | 樹脂成形体への皮膜形成方法 |
-
1978
- 1978-07-06 JP JP8263778A patent/JPS6053882B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0549010U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-29 | 株式会社クボタ | バケットストレーナ装置 |
JPH0549009U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-29 | 株式会社クボタ | バケットストレーナ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS559291A (en) | 1980-01-23 |
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