JPS6053882B2 - 温度制御装置 - Google Patents
温度制御装置Info
- Publication number
- JPS6053882B2 JPS6053882B2 JP8263778A JP8263778A JPS6053882B2 JP S6053882 B2 JPS6053882 B2 JP S6053882B2 JP 8263778 A JP8263778 A JP 8263778A JP 8263778 A JP8263778 A JP 8263778A JP S6053882 B2 JPS6053882 B2 JP S6053882B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- thermistor
- point
- transistor
- thyristor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Control Of Temperature (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感温素子としてサーミスタを用い、昇温特性
を改善した温度制御装置に関するものである。
を改善した温度制御装置に関するものである。
保温容器を取り出しやすくするために、保温容器の外
側にヒータ取付枠を設け、その枠にヒータおよびサーミ
スタを取り付け、そのサーミスタの抵抗変化によりヒー
タ制御用サイリスタのゲートに信号を供給するスイッチ
ング回路を構成した温度制御装置において、サーミスタ
温度を一定温度でのみ制御する従来の方式では、保温す
べき物質の温度が低いとき、サーミスタが温度を検知し
て スイッチング回路が働き、ヒータが導通し、ヒータ
熱によりヒータ取付枠の温度が上昇してサーミスタが目
的の制御温度になり、サイリスタがＯＦＦしても、ヒー
タの熱は熱伝導の悪い空気層等を通じて保温容器に伝わ
るため、保温容器温度とヒータ取付枠温度の間には時間
遅れが生じ、保温容器の温度は目的の温度に達していな
いという欠点があつた。
側にヒータ取付枠を設け、その枠にヒータおよびサーミ
スタを取り付け、そのサーミスタの抵抗変化によりヒー
タ制御用サイリスタのゲートに信号を供給するスイッチ
ング回路を構成した温度制御装置において、サーミスタ
温度を一定温度でのみ制御する従来の方式では、保温す
べき物質の温度が低いとき、サーミスタが温度を検知し
て スイッチング回路が働き、ヒータが導通し、ヒータ
熱によりヒータ取付枠の温度が上昇してサーミスタが目
的の制御温度になり、サイリスタがＯＦＦしても、ヒー
タの熱は熱伝導の悪い空気層等を通じて保温容器に伝わ
るため、保温容器温度とヒータ取付枠温度の間には時間
遅れが生じ、保温容器の温度は目的の温度に達していな
いという欠点があつた。
しかも、サーミスタはヒータ取付枠の温度を一定に保つ
ためにＯＮ、ＯＦＦするので保温容器の温度が目的の温
度に達するのに時間がかかる欠点があつた。 本発明は
上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、以下本発明の
一実施例を添付図面を参照して説明する。
ためにＯＮ、ＯＦＦするので保温容器の温度が目的の温
度に達するのに時間がかかる欠点があつた。 本発明は
上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、以下本発明の
一実施例を添付図面を参照して説明する。
第１図において、Ａはヒータ、ＢはヒータＡに直列接続
したサイリスタ、Ｃはコンデンサ１、抵抗２、定電圧ダ
イオード３よりなる電源部、Ｄはサーミスタ、Ｅは抵抗
４、５、６、８、９、１２、１３、１５、１６、１７、
１８、トランジスタ７、 １１、１４、コンデンサ１０
、１９’よりなる温度設定回路部てある。 次に動作を
説明する。
したサイリスタ、Ｃはコンデンサ１、抵抗２、定電圧ダ
イオード３よりなる電源部、Ｄはサーミスタ、Ｅは抵抗
４、５、６、８、９、１２、１３、１５、１６、１７、
１８、トランジスタ７、 １１、１４、コンデンサ１０
、１９’よりなる温度設定回路部てある。 次に動作を
説明する。
第２図ａに示す電源電圧はコンデンサ１により位相が進
み、定電圧ダイオード３によつてを点の電位は第２図を
に示す波形となる。さらに、サーミスタＤおよび温度設
定回、路部Ｅに加えられる。抵抗１５の抵抗値を抵抗１
７、１８の抵抗値よりも十分小さい値にし、コンデンサ
１９、抵抗１６，１７，１８によつてきまる充放電時定
数を商用電源周波数の周期よりも十分大きい値に選定し
、温度設定回路部Ｅにおいて、サーミスタＤの温度が高
く、サーミスタＤの抵抗値が小さく、第２図ｂに示す電
圧波形の正の半サイクル時にｃ点電位がｄ点電位よりも
常に高い場合には、トランジスタ７は常に０ＦＦ状態で
あり、サイリスタＢのゲートに電流は流れない。このた
めサイリスタＢは点弧せず、ヒータＡには通電が行われ
ない。この場合、他方のトランジスタ１１は常に０Ｎ状
態となり、抵抗１２を通じてトランジスタ１４にベース
電流が流れてトランジスタ１４は０Ｎし抵抗１５により
コンデンサ１９の電荷は放電される。ここで、抵抗１７
，１８の抵抗値は抵抗１５の抵抗値よりも十分に大きい
値であるため、コンデンサ１９の端子間電圧は、ほぼト
ランジスタ１４のコレクターエミッタ飽和電圧ＶｃＥ（
Ｓａｔ）に保たれる。なお、電源からも抵抗４によりト
ランジスタ７がバイアスされているため、ｃ点の電位は
第２図ｃの電圧波形となり、サーミスタＤの抵抗値があ
る程度大きくなりｃ点とｄ点の電位が第２図ｂの正の半
サイクルで一致する時点があると、トランジスタ７はそ
の時点まで０Ｎし、トランジスタ１１はｃ点とｄ点の電
位が一致した以後ＱＮする（第２図のｅ）。ここで、ト
ランジスタ７の０Ｎが第２図ａの立上りのＯ電圧以後で
あれば、０電圧の時点でサイリスタＢは点弧し、ヒータ
Ａは半サイクル導通する。なお、第３図においてＲＯは
トランジスタ７が電源電圧の０Ｖのしきい値におけるサ
ーミスタＤの抵抗！値、すなわち、目的の制御温度にお
けるサーミスタＤの抵抗値である。一方温度が低くてサ
ーミスタＤの抵抗値がＲｕ以上の場合、ｃ点の電位はｄ
点の電位より常に低くなつており、トランジスタ７は常
に０Ｎ１トランジスタ１１は常に０ＦＦ状態ことなつて
いる。この状態ではトランジスタ１４のベース電流が流
れず、トランジスタ１４も０ＦＦとなり、コンデンサ１
９は、抵抗１６，１７を通じて充電されｆ点の電位は高
レベルになる。この結果サーミスタＤの温度が上昇し、
サーミスタＤ４が目的の制御温度における抵抗値ＲＯと
なつても、まだｄ点の電位がｃ点の電位よりも高く、ト
ランジスタ７は０Ｎしたままである。さらにサーミスタ
Ｄの温度が上昇し、このためサーミスタＤの抵抗値が小
さくなつて、第２図ｂの正の半サイクルの中で、少しで
もｃ点の電位がｄ点の電位よりも高くなれば、トランジ
スタ１１はその間ＯＮする。その結果、トランジスタ１
４が０Ｎし、ｆ点の電位が低下するので同様ｄ点の電位
が低下する。この結果トランジスタ１１が０Ｎし、ｅ点
の電位が上昇し、ｃ点の電位が上昇するのでトランジス
タ７が０ＦＦとなる。この時点でサーミスタＤの抵抗値
は目的の制御温度における抵抗値ＲＯフ以下のため、ト
ランジスタ７が０ＦＦする時点は、電源電圧の立上りの
０Ｖよりも以前となり、サイリスタＢは点弧せずヒータ
Ａは不導通となる。そして、サーミスタＤの温度は下が
り、サーミスタＤの抵抗値が増大し、抵抗がＲ。になる
・と、ｃ点の電位とｄ点の電位が電源電圧の０Ｖで一致
する。サーミスタＤの抵抗値がＲＯ以上になると、電源
電圧のＯ■以後の時点でｄ点の電圧とｅ点の電圧が一致
し、トランジスタ７はその時点まで０Ｎするため、サイ
リスタＢのゲートに電流が流れ、サイリスタＢは電源電
圧の立上りの０Ｖで点弧する。そしてヒータＡは導通す
る。次にヒータＡの熱によりサーミスタＤの温度が上昇
すれば、サーミスタＤの抵抗値が減少し、サーミスタＤ
の抵抗値がＲＯ以下になると、ｃ点の電位とｄ点の電位
が電源電圧の０Ｖ以前の時点で一致し、それ以後はトラ
ンジスタ７は０ＦＦするため、サイリスタＢのゲート電
流が流れなくなり、サイリスタＢは点弧せず、ヒータＡ
は不導通となる。このようにして、サーミスタＤの低抗
値が上限値ＲＯよりも小さい時は、サーミスタＤは、目
的の制御温度における抵抗値ＲＯになるように制御され
るが、サーミスタ温度が低く、抵抗値が上限値ＲＯより
も大きいときは、目的の制御温度における抵抗値ＲＯよ
りも小さい下限値ＲＬまで小さくなつたのち目的の制御
温度における抵抗値ＲＯになる。また、ｃ点とｄ点の電
位が電源電圧の立上りの０Ｖで一致する時のサーミスタ
Ｄの抵抗値がＲＯであり、サーミスタＤの抵抗値が大き
くなり、ｃ点の電位がｄ点の電位より低くなる時点のサ
ーミスタＤの抵抗値がＲ。でありｃ点の電圧は電源から
のバイアス抵抗４によつて変化するため、抵抗値Ｒｕ＜
！：．ＲＯの巾は抵抗４を変化することにより、任意に
設定できる。さらに、抵抗値ＲＯとＲしの巾は抵抗１６
，１７の抵抗値に対して抵抗１８の抵抗値を変えること
により、トランジスタ１４のＯＮと０ＦＦ時のｄ点の電
位変化巾が決定されるので、任意に設定できる。また、
パルス性雑音が抵抗４によりトランジスタ７のベースの
みに加わると、トランジスタ７が電源電圧の正の半サイ
クルの途中てＯＮし、サイリスタＢがヒータＡを移相制
御してしまうが、これを防止するために、コンデンサ１
０を接続し、パルス性雑音がトランジスタ７とトランジ
スタ１１のベースに同様に加わるようにしてある。
み、定電圧ダイオード３によつてを点の電位は第２図を
に示す波形となる。さらに、サーミスタＤおよび温度設
定回、路部Ｅに加えられる。抵抗１５の抵抗値を抵抗１
７、１８の抵抗値よりも十分小さい値にし、コンデンサ
１９、抵抗１６，１７，１８によつてきまる充放電時定
数を商用電源周波数の周期よりも十分大きい値に選定し
、温度設定回路部Ｅにおいて、サーミスタＤの温度が高
く、サーミスタＤの抵抗値が小さく、第２図ｂに示す電
圧波形の正の半サイクル時にｃ点電位がｄ点電位よりも
常に高い場合には、トランジスタ７は常に０ＦＦ状態で
あり、サイリスタＢのゲートに電流は流れない。このた
めサイリスタＢは点弧せず、ヒータＡには通電が行われ
ない。この場合、他方のトランジスタ１１は常に０Ｎ状
態となり、抵抗１２を通じてトランジスタ１４にベース
電流が流れてトランジスタ１４は０Ｎし抵抗１５により
コンデンサ１９の電荷は放電される。ここで、抵抗１７
，１８の抵抗値は抵抗１５の抵抗値よりも十分に大きい
値であるため、コンデンサ１９の端子間電圧は、ほぼト
ランジスタ１４のコレクターエミッタ飽和電圧ＶｃＥ（
Ｓａｔ）に保たれる。なお、電源からも抵抗４によりト
ランジスタ７がバイアスされているため、ｃ点の電位は
第２図ｃの電圧波形となり、サーミスタＤの抵抗値があ
る程度大きくなりｃ点とｄ点の電位が第２図ｂの正の半
サイクルで一致する時点があると、トランジスタ７はそ
の時点まで０Ｎし、トランジスタ１１はｃ点とｄ点の電
位が一致した以後ＱＮする（第２図のｅ）。ここで、ト
ランジスタ７の０Ｎが第２図ａの立上りのＯ電圧以後で
あれば、０電圧の時点でサイリスタＢは点弧し、ヒータ
Ａは半サイクル導通する。なお、第３図においてＲＯは
トランジスタ７が電源電圧の０Ｖのしきい値におけるサ
ーミスタＤの抵抗！値、すなわち、目的の制御温度にお
けるサーミスタＤの抵抗値である。一方温度が低くてサ
ーミスタＤの抵抗値がＲｕ以上の場合、ｃ点の電位はｄ
点の電位より常に低くなつており、トランジスタ７は常
に０Ｎ１トランジスタ１１は常に０ＦＦ状態ことなつて
いる。この状態ではトランジスタ１４のベース電流が流
れず、トランジスタ１４も０ＦＦとなり、コンデンサ１
９は、抵抗１６，１７を通じて充電されｆ点の電位は高
レベルになる。この結果サーミスタＤの温度が上昇し、
サーミスタＤ４が目的の制御温度における抵抗値ＲＯと
なつても、まだｄ点の電位がｃ点の電位よりも高く、ト
ランジスタ７は０Ｎしたままである。さらにサーミスタ
Ｄの温度が上昇し、このためサーミスタＤの抵抗値が小
さくなつて、第２図ｂの正の半サイクルの中で、少しで
もｃ点の電位がｄ点の電位よりも高くなれば、トランジ
スタ１１はその間ＯＮする。その結果、トランジスタ１
４が０Ｎし、ｆ点の電位が低下するので同様ｄ点の電位
が低下する。この結果トランジスタ１１が０Ｎし、ｅ点
の電位が上昇し、ｃ点の電位が上昇するのでトランジス
タ７が０ＦＦとなる。この時点でサーミスタＤの抵抗値
は目的の制御温度における抵抗値ＲＯフ以下のため、ト
ランジスタ７が０ＦＦする時点は、電源電圧の立上りの
０Ｖよりも以前となり、サイリスタＢは点弧せずヒータ
Ａは不導通となる。そして、サーミスタＤの温度は下が
り、サーミスタＤの抵抗値が増大し、抵抗がＲ。になる
・と、ｃ点の電位とｄ点の電位が電源電圧の０Ｖで一致
する。サーミスタＤの抵抗値がＲＯ以上になると、電源
電圧のＯ■以後の時点でｄ点の電圧とｅ点の電圧が一致
し、トランジスタ７はその時点まで０Ｎするため、サイ
リスタＢのゲートに電流が流れ、サイリスタＢは電源電
圧の立上りの０Ｖで点弧する。そしてヒータＡは導通す
る。次にヒータＡの熱によりサーミスタＤの温度が上昇
すれば、サーミスタＤの抵抗値が減少し、サーミスタＤ
の抵抗値がＲＯ以下になると、ｃ点の電位とｄ点の電位
が電源電圧の０Ｖ以前の時点で一致し、それ以後はトラ
ンジスタ７は０ＦＦするため、サイリスタＢのゲート電
流が流れなくなり、サイリスタＢは点弧せず、ヒータＡ
は不導通となる。このようにして、サーミスタＤの低抗
値が上限値ＲＯよりも小さい時は、サーミスタＤは、目
的の制御温度における抵抗値ＲＯになるように制御され
るが、サーミスタ温度が低く、抵抗値が上限値ＲＯより
も大きいときは、目的の制御温度における抵抗値ＲＯよ
りも小さい下限値ＲＬまで小さくなつたのち目的の制御
温度における抵抗値ＲＯになる。また、ｃ点とｄ点の電
位が電源電圧の立上りの０Ｖで一致する時のサーミスタ
Ｄの抵抗値がＲＯであり、サーミスタＤの抵抗値が大き
くなり、ｃ点の電位がｄ点の電位より低くなる時点のサ
ーミスタＤの抵抗値がＲ。でありｃ点の電圧は電源から
のバイアス抵抗４によつて変化するため、抵抗値Ｒｕ＜
！：．ＲＯの巾は抵抗４を変化することにより、任意に
設定できる。さらに、抵抗値ＲＯとＲしの巾は抵抗１６
，１７の抵抗値に対して抵抗１８の抵抗値を変えること
により、トランジスタ１４のＯＮと０ＦＦ時のｄ点の電
位変化巾が決定されるので、任意に設定できる。また、
パルス性雑音が抵抗４によりトランジスタ７のベースの
みに加わると、トランジスタ７が電源電圧の正の半サイ
クルの途中てＯＮし、サイリスタＢがヒータＡを移相制
御してしまうが、これを防止するために、コンデンサ１
０を接続し、パルス性雑音がトランジスタ７とトランジ
スタ１１のベースに同様に加わるようにしてある。
なお、停電等で電源が一時ストップしても、サーミスタ
の抵抗値がＲｕ以下である時には、ただちにＲＯになる
ように制御を行なう。以上のように、本発明によれば、
保温容器にある時間遅れを持つてヒータの熱が伝わり、
しかもヒータの熱が伝わり易い場所にサーミスタを取付
け、サーミスタが保温容器温度を直接検知しない構造の
温度制御装置において、サーミスタ温度を任意温度だけ
目的の制御温度よりもオーバーシュートさせることによ
り、保温容器の温度を早く目的の温度に保つことができ
る。
の抵抗値がＲｕ以下である時には、ただちにＲＯになる
ように制御を行なう。以上のように、本発明によれば、
保温容器にある時間遅れを持つてヒータの熱が伝わり、
しかもヒータの熱が伝わり易い場所にサーミスタを取付
け、サーミスタが保温容器温度を直接検知しない構造の
温度制御装置において、サーミスタ温度を任意温度だけ
目的の制御温度よりもオーバーシュートさせることによ
り、保温容器の温度を早く目的の温度に保つことができ
る。
又サーミスタの目的の制御温度に対してサーミスタの低
下温度巾が小さい場合には、オーバーシュートなしの制
御を行なうため、温度変動の少ない温度制御が可能であ
る等工業的価値の大なるものである。
下温度巾が小さい場合には、オーバーシュートなしの制
御を行なうため、温度変動の少ない温度制御が可能であ
る等工業的価値の大なるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す温度制御装置の電気回
路図、第２図Ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは同回路要部の電圧波
形図、第３図は同回路におけるサーミスタの抵抗値とｆ
点電位の特性図である。
路図、第２図Ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは同回路要部の電圧波
形図、第３図は同回路におけるサーミスタの抵抗値とｆ
点電位の特性図である。
Claims (1)
- １ 温度検出用のサーミスタを用いてサイリスタのゲー
ト回路を構成し、このサイリスタによつてヒータの通電
制御を行なう温度制御装置において、前記サーミスタの
検出温度が第１の設定温度より低いと前記サイリスタを
導通し、第１の設定温度より高いと前記サイリスタを遮
断する第１の制御手段と前記サーミスタの検出温度が前
記第１の設定温度より低い第２の設定温度以下であると
、第１の設定温度より高い第３の設定温度に達するまで
前記第１の制御手段を強制駆動し、前記サイリスタを導
通する第２の制御手段とを備え、前記第２の設定温度を
、電源に接続されたバイアス抵抗により設定した温度制
御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263778A JPS6053882B2 (ja) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | 温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263778A JPS6053882B2 (ja) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | 温度制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS559291A JPS559291A (en) | 1980-01-23 |
| JPS6053882B2 true JPS6053882B2 (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=13779932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8263778A Expired JPS6053882B2 (ja) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | 温度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053882B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0549010U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-29 | 株式会社クボタ | バケットストレーナ装置 |
| JPH0549009U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-29 | 株式会社クボタ | バケットストレーナ装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57195479U (ja) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | ||
| JPH04105912A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-07 | Nippon Paint Co Ltd | 樹脂成形体への皮膜形成方法 |
-
1978
- 1978-07-06 JP JP8263778A patent/JPS6053882B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0549010U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-29 | 株式会社クボタ | バケットストレーナ装置 |
| JPH0549009U (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-29 | 株式会社クボタ | バケットストレーナ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS559291A (en) | 1980-01-23 |
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