JPS5820967Y2 - オンドコントロ−ラ - Google Patents

オンドコントロ−ラ

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JPS5820967Y2
JPS5820967Y2 JP2628175U JP2628175U JPS5820967Y2 JP S5820967 Y2 JPS5820967 Y2 JP S5820967Y2 JP 2628175 U JP2628175 U JP 2628175U JP 2628175 U JP2628175 U JP 2628175U JP S5820967 Y2 JPS5820967 Y2 JP S5820967Y2
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JP
Japan
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capacitor
voltage
circuit
temperature
transistor
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Application number
JP2628175U
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English (en)
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JPS51107599U (ja
Inventor
伊藤真一
Original Assignee
松下電器産業株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はヒータ等の熱源を一定温度に保持する温度コン
トローラに関するものである。
従来、この種の温度コントローラとしては、たとえば第
4図に示すようなものが知られている。
すなわち、ヒータ41と熱的に結合されたサーミスタセ
ンサ42を制御回路43に接続し、トランジスタ44.
45を有するシュミット回路4.6と、抵抗47および
コンデンサ48からなる時定数回路49と、スイッチン
グトランジスタ50,51゜52.53,54および電
界効果トランジスタ55を含む半導体スイッチング回路
56との作動によって、リレー57を開閉作動させて、
上記ヒータ41の電源を0N−OFF制御し、ヒータ4
1の温度を第5図の曲線Cで示すようにはマ一定に保持
する如く回路構成されたものが知られている。
上記従来の温度コントローラはサーミスタセンサ42の
リード線42aが断線した場合にトいて制御回路43の
電源スィッチ58を短時間内に0N−OFF操作すると
、ヒータ41が異常高温に過熱される欠点がある。
以下、このことについて詳細に説明する。
いま、サーミスタセンサ42のリード線42aが断線し
た状態において、制御回路43の電源スィッチ58を投
入すると、ヒータ41の温度は低いので、サーミスタセ
ンサ42の抵抗値ハ高い。
このためシュミット回路46の一方のトランジスタ44
は非導通状態で、他方のトランジスタ45は導通する、
そして、スイッチングトランジスタ500ベース電圧は
低下し、このトランジスタ50が導通して、次段のスイ
ッチングトランジスタ51を導通状態にする。
このときスイッチングトランジスタ52のベースには電
圧が印加されていないので、このトランジスタ52は非
導通状態である。
したがって、時定数回路49のコンデンサ48には抵抗
47を介して電荷が蓄積され、このコンデンサ48は回
路49の時定数にしたがって充電される。
コンデンサ48の両端電圧vgが第6図に示すようにし
だいに高くなって、電界効果トランジスタ55がON作
動するゲート電圧egに達したとき(第6図のt1参照
)、上記電界効果トランジスタ55はON作動して、コ
ンデンサ48の両端電圧■2は上記ゲート電圧egにク
ランプされる。
電界効果トランジスタ55がON作動すると、このトラ
ンジスタ55のドレイン電圧が低下するので、スイッチ
ングトランジスタ53が導通してそのコレクタ電圧が高
くなる。
このため、スイッチングトランジスタ54を非導通にし
て、リレー57をOFF作動させるので、ヒータ41の
温度は低下しはじめる。
この時、すなわち第5図の時間taにおいて電源スィッ
チ58をOFF’操作すると、コンデンサ48に蓄積さ
れた電荷は抵抗47および電界効果トランジスタ55を
介して放電し、コンデンサ48の両端電圧■gは第6図
に示すように短時間内に零になる。
ここで、再び電源スィッチ58を投入する(第5図のt
3参照)と、コンデンサ48の両端電圧Vgは零からし
だいに高くなり、初期と同様の時間を経過した時点t4
においてスイッチングトランジスタ54およびリレー5
7をOFFにする。
このように短時間内に電源スィッチ58を0N−OF’
F操作すると、ヒータ41の温度が下がり切っていない
ので、ヒータ41の高温状態から時定数回路49の時定
数で定まった時間まで、リレー57は閉成状態を維持す
るので、ヒータ41の温度は第5図に曲線dで示すよう
に極めて高い異常高温になって非常に危険である。
上述したように従来の温度コントローラにおいては、サ
ーミスタセンサ42のリード線42aが断線した状態に
おいて、電源スィッチ58を短時間内に開閉操作すると
、ヒータ41の温度が危険温度に過熱される欠点かあっ
た。
本考案はこのような従来の欠点を解消するためになされ
たものであり、以下本考案の一実施例を図面にしたがっ
て説明する。
第1図は本考案に係る温度コントローラの電気回路図で
、同図中1は電源に接続されたヒータ、2は制御回路3
を介して上記ヒータ1の温度を検出制御スるセンサで、
このセンサ2はたとえばサーミスタ等の感熱抵抗体から
構成されていて、そのリード線2aは制御回路3に接続
されている。
上記制御回路3はトランジスタ4,5を有するシュミッ
ト回路6と、抵抗7およびコンデンサ8からなる時定数
回路9と、スイッチングトランジスタ10,11.12
,13,14および電界効果トランジスタ15を含む半
導体スイッチング回路16と、上記ヒータ1への供給電
源をON−〇FF制御するリレー17と、制御回路3の
電源スィッチ18と、瞬時充電要素であるトランジスタ
19と、放電抑制要素であるダイオード20゜21.2
2とから構成されている。
上記トランジスタ19は電界効果トランジスタ15のO
N作動後このコンデンサ8を瞬時的に電源電圧EBまで
充電させるためのものである。
上記ダイオード20〜22はコンデンサ8の放電電流を
抑制するためのもので、これらのダイオード20〜22
は上記コンデンサ8に接続されている。
23は保護抵抗で、この抵抗23はコンデンサ8の充電
時に大電流が流れてトランジスタ19およびダイオード
21を破壊するのを防止するためのものである。
上記トランジスタ19は保護抵抗23およびダイオード
21を介して上記コンデンサ8に接続されて釦り、これ
らトランジスタ19、ダイオード21及び抵抗23によ
りコンデンサ8を瞬時に電源電圧E6まで充電するため
の回路が構成される。
勿論抵抗23の抵抗値は小さく設定されている。
つぎに上記構成の作動について説明する。
いま、センサ2のリード線2aが断線し、ヒータ1の温
度が所定の温度よりも低い状態において、制御回路3の
電源スィッチ18を投入すると、センサ2の抵抗値は高
いので、シュミット回路6の一方のトランジスタ4は非
導通状態で、他方のトランジスタ5は導通する。
そして、スイッチングトランジスタ10のベース電圧が
低下しこのトランジスタ10が導通して、次段のスイッ
チングトランジスタ11を導通状態にする。
このときスイッチングトランジスタ12は非導通状態で
ある。
したがって時定数回路9のコンデンサ8には抵抗7およ
びダイオード20を介して電荷が蓄積され、このコンデ
ンサ8は回路9の時定数にしたがって緩徐的に充電され
る。
コンデンサ8の両端電圧■3が第3図に示すようにしだ
いに高くなって電界効果トランジスタ15がON作動す
るゲート電圧egに達したとき(第3図のt1参照)、
上記電界効果トランジスタ15はON作豐する。
つまり、ダイオード22はコンデンサ8により蓄積され
た電荷が電界効果トランジスタ15を通って放電するの
を防止するために用いたものであり、また電界効果トラ
ンジスタ15は入力インピーダンスが非常に高く、通常
のトランジスタとは異なり電圧駆動が可能な素子である
従ってコンデンサ80両端電圧Vgはダイオード22が
逆方向に挿入されてはいるが、電界効果トランジスタ1
5を駆動でき、前述のように電界効果トランジスタ15
がON作動する。
勿論、電流は阻止される。なおダイオード22が挿入さ
れていない場合でも、電界効果トランジスタ15であれ
ば放電時間を長く取ることができる。
このトランジスタ15がON作動すると、そのドレイン
電圧が低下するので、スイッチングトランジスタ13と
瞬時充電要素であるトランジスタ19とが導通する。
トランジスタ13が導通すると、そのコレクタ電圧が高
くなるのでスイッチングトランジスタ14が非導通状態
になり、リレー17をOFF作動させて、ヒータ1の温
度は第2図の曲線すで示すように低下しはじめる。
一方、トランジスタ19が導通ずると、コンデンサ8に
は各要素19,23,21を介して電荷が瞬間的に蓄積
され、コンデンサ8の両端電圧Vgは第3図に示すよう
に制御電圧EBとはマ等しくなる。
この時、電源スィッチ18がON状態のまXであれば、
コンデンサ8の端子電圧■gは電源電圧EBのま\保た
れる。
上記の時点t1から短時間経過した時点t2において電
源スィッチ18をOFF操作すると、コンデンサ8は放
電を開始するが、このコンデンサ8の放電電流はダイオ
ード20〜22によって抑制されているので、第3図に
特性曲線で示すように徐々に放電し、時点t3において
コンデンサ8の両端電圧■2は上記ゲート電圧egに達
する。
ここで、コンデンサ80両端電圧■3が電界効果トラン
ジスタ15のゲート電圧8g以上の時に電源スィッチ1
8をON操作すると、リレー17がOFF作動すること
は上述の説明から明らかであろう。
したがって時点t2〜t3間において、電源スィッチ1
8を再度投入すると、コンデンサ80両端電圧Vgは再
び制御電圧EBとはソ等しくなり、その時点から放電を
開始するので、コンデンサ8の両端電圧vgが上記ゲー
ト電圧egに達する時間はより一層長くなる。
また、コンデンサ8の両端電圧vgが上記ゲート電圧8
g未満になった時点t4において電源スィッチ18を投
入した場合には、コンデンサ8に残留電荷があるために
、その両端電圧Vgは短時間内に上記ゲート電圧egに
達し、この時点t5にお−いてリレー17をOFF作動
させるので、ヒータ1の温度が従来のように異常高温に
なるのを完全に防止することができる。
このことは、コンデンサ8の両端電圧Vgが上記ゲート
電圧egに達するまでの時間が従来のものと比較して極
めて長いこと、並びにこの間にヒータ1の温度が低下す
ることからも明らかであろう。
なむ、第2図において曲線aはセンサ2のリード線2a
が正常な場合にトげるヒータ1の温度変化曲線である。
本考案は以上詳述したように、センサのリード線が断線
した状態に釦いて、電源スィッチを短時間内に開閉操作
したとき、熱源の温度が危険温度に過熱されるのを完全
に防止することができ、従来のものと比較して安全性が
極めて優れている温度コントローラを提供することがで
きる利点をもっている。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す電気回路図、第2図1よ
び第3図は本考案の作動を説明するための特性図、第4
図は従来例を示す電気回路図、第5図および第6図は従
来の欠点を説明するための特性図である。 1・・・ヒータ、2・・・センサ、3・・・制御回路、
I・・・抵抗、8・・・コンデンサ、9・・・時定数回
路、16・・・半導体スイッチング回路、19・・・瞬
時充電要素、20.21,22・・・放電抑制要素。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 熱源の温度を検出する感熱抵抗体から成るセンサと、熱
    源か一定温度となる様に前記センサからの信号により熱
    源への電力供給を0N−OFF制御する制御回路とを備
    え、この制御回路の熱源への電力供給がON動作時、抵
    抗とコンデンサで構成した時定数回路のコンデンサを充
    電し、前記コンデンサの充電電圧が規定電圧以上になっ
    た時、前記制御回路の熱源への電力供給をOFF操作す
    る様に構成した温度コントローラにおいて、前記時定数
    回路のコンデンサの一端にスイッチング2子と抵抗を直
    列に接続した回路を前記時定数回路の抵抗と並列に接続
    すると共に、前記時定数回路のコンデンサの放電電流を
    抑制する要素を設け、前記スイッチング素子は前記時定
    数回路のコンデンサの端子電圧が規定電圧以下の時は0
    FF1規定電圧以上の時はONになる様に構成した温度
    コントローラ。
JP2628175U 1975-02-25 1975-02-25 オンドコントロ−ラ Expired JPS5820967Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP2628175U JPS5820967Y2 (ja) 1975-02-25 1975-02-25 オンドコントロ−ラ

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Publication Number Publication Date
JPS51107599U JPS51107599U (ja) 1976-08-27
JPS5820967Y2 true JPS5820967Y2 (ja) 1983-05-02

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