JPS6220672B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6220672B2 JPS6220672B2 JP8263478A JP8263478A JPS6220672B2 JP S6220672 B2 JPS6220672 B2 JP S6220672B2 JP 8263478 A JP8263478 A JP 8263478A JP 8263478 A JP8263478 A JP 8263478A JP S6220672 B2 JPS6220672 B2 JP S6220672B2
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- Japan
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- temperature
- thyristor
- thermistor
- point
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感温素子としてサーミスタを用い、温
度復帰特性を改善した温度制御装置に関するもの
である。
度復帰特性を改善した温度制御装置に関するもの
である。
従来、電子ジヤー等における温度制御は、保温
容器を取り出しやすくするために、保温容器の外
側にヒータ取付枠を設け、このヒータ取付枠にヒ
ータを取付けるとともにサーミスタを取付け、こ
のサーミスタを用いてサイリスタのゲート回路を
構成し、サイリスタをON−OFF制御することに
より、ヒータへの通電を制御していた。この従来
の温度制御装置において、ヒータ取付枠の熱は熱
伝導の悪い空気層等を介して保温容器に伝わるた
め、第１図に示すようにサーミスタ温度（実線
Ａ）を１つの設定温度T1のみで制御すると、保
温すべき物質の温度（点線Ｂ）が低すぎる場合、
サイリスタによつてヒータに通電が行われ、ヒー
タ取付枠の温度が上昇して、サーミスタ温度が目
的の制御温度T1になると、サイリスタがOFFす
るが、このOFFした時刻t1では保温容器内の物質
温度は目的の保温温度に達していないことにな
る。しかもサーミスタはヒータ取付枠の温度を目
的の制御温度に保つため、保温容器内の物質温度
が目的の保温温度に達するまでにヒータへの通電
が断たれることになり、その結果、物質温度が目
的の保温温度に達するのに時間がかかるという欠
点があつた。
容器を取り出しやすくするために、保温容器の外
側にヒータ取付枠を設け、このヒータ取付枠にヒ
ータを取付けるとともにサーミスタを取付け、こ
のサーミスタを用いてサイリスタのゲート回路を
構成し、サイリスタをON−OFF制御することに
より、ヒータへの通電を制御していた。この従来
の温度制御装置において、ヒータ取付枠の熱は熱
伝導の悪い空気層等を介して保温容器に伝わるた
め、第１図に示すようにサーミスタ温度（実線
Ａ）を１つの設定温度T1のみで制御すると、保
温すべき物質の温度（点線Ｂ）が低すぎる場合、
サイリスタによつてヒータに通電が行われ、ヒー
タ取付枠の温度が上昇して、サーミスタ温度が目
的の制御温度T1になると、サイリスタがOFFす
るが、このOFFした時刻t1では保温容器内の物質
温度は目的の保温温度に達していないことにな
る。しかもサーミスタはヒータ取付枠の温度を目
的の制御温度に保つため、保温容器内の物質温度
が目的の保温温度に達するまでにヒータへの通電
が断たれることになり、その結果、物質温度が目
的の保温温度に達するのに時間がかかるという欠
点があつた。
本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもの
で、以下、本発明の一実施例を添付図面を参照し
て説明する。
で、以下、本発明の一実施例を添付図面を参照し
て説明する。
第２図において、１はヒータ、２はヒータ１に
直列接続されたサイリスタ、３は定電圧電源回路
部、４は温度設定回路部であり、前記サイリスタ
２は、ゲートに温度設定回路部４からの信号が供
給されることにより、ON、OFFしてヒータ１へ
の通電制御を行なう。
直列接続されたサイリスタ、３は定電圧電源回路
部、４は温度設定回路部であり、前記サイリスタ
２は、ゲートに温度設定回路部４からの信号が供
給されることにより、ON、OFFしてヒータ１へ
の通電制御を行なう。
定電圧電源回路部３は、ダイオード５、抵抗
６，７（抵抗７は電源電圧依存回路に相当す
る）、コンデンサ８、定電圧ダイオード９により
構成されており、また温度設定回路部４は、抵抗
１０，１１，１２，１３、トランジスタ１７，１
８、半固定抵抗２２，２３、サーミスタ２４から
成る第１の制御手段４１と、抵抗１４，１５，１
６、トランジスタ１９，２０、コンデンサ２１か
ら成る第２の制御手段４２により構成されてい
る。
６，７（抵抗７は電源電圧依存回路に相当す
る）、コンデンサ８、定電圧ダイオード９により
構成されており、また温度設定回路部４は、抵抗
１０，１１，１２，１３、トランジスタ１７，１
８、半固定抵抗２２，２３、サーミスタ２４から
成る第１の制御手段４１と、抵抗１４，１５，１
６、トランジスタ１９，２０、コンデンサ２１か
ら成る第２の制御手段４２により構成されてい
る。
次に、上記回路構成における動作について説明
する。
する。
ダイオード５によつて整流された交流電源２５
の電圧は抵抗６、コンデンサ８によつて平滑され
るとともに、定電圧ダイオード９、抵抗７により
定電圧化され、温度設定回路４の電源電圧とな
る。温度設定回路４において、トランジスタ１
７，１８は差動回路を構成しており、抵抗１０，
１１、半固定抵抗２２，２３、およびサーミスタ
２４で構成されたブリツジ回路の抵抗１０と抵抗
１１の接続点であるｅ点の電位と半固定抵抗２３
とサーミスタ２４の接続点であるｆ点の電位を比
較する。なお、サーミスタ２４が目的とする第１
の設定温度T1のときｅ点とｆ点の電位が等しく
なるように半固定抵抗２３の抵抗値が設定されて
いる。サーミスタ２４の温度（実線Ｃ）が第１の
設定温度T1よりも低いときは、サーミスタ２４
の抵抗値は大きく、ｅ点の電位がｆ点の電位より
低くなるため、トランジスタ１７がONするとと
もに、トランジスタ１８がOFFし、そしてトラ
ンジスタ１７のONによりサイリスタ２のゲート
にトリガ電流が流れるため、サイリスタ２は点弧
し、ヒータ１に通電が行われる。逆に、サーミス
タ２４の温度が第１の設定温度T1よりも高いと
きは、サーミスタ２４の抵抗値は小さく、ｅ点の
電位がｆ点の電位より高くなるため、トランジス
タ１７がOFFするとともに、トランジスタ１８
がONし、そしてトランジスタ１７のOFFにより
サイリスタ２のゲートに電流が流れなくなるた
め、サイリスタ２は遮断し、ヒータ１への通電が
断たれる。
の電圧は抵抗６、コンデンサ８によつて平滑され
るとともに、定電圧ダイオード９、抵抗７により
定電圧化され、温度設定回路４の電源電圧とな
る。温度設定回路４において、トランジスタ１
７，１８は差動回路を構成しており、抵抗１０，
１１、半固定抵抗２２，２３、およびサーミスタ
２４で構成されたブリツジ回路の抵抗１０と抵抗
１１の接続点であるｅ点の電位と半固定抵抗２３
とサーミスタ２４の接続点であるｆ点の電位を比
較する。なお、サーミスタ２４が目的とする第１
の設定温度T1のときｅ点とｆ点の電位が等しく
なるように半固定抵抗２３の抵抗値が設定されて
いる。サーミスタ２４の温度（実線Ｃ）が第１の
設定温度T1よりも低いときは、サーミスタ２４
の抵抗値は大きく、ｅ点の電位がｆ点の電位より
低くなるため、トランジスタ１７がONするとと
もに、トランジスタ１８がOFFし、そしてトラ
ンジスタ１７のONによりサイリスタ２のゲート
にトリガ電流が流れるため、サイリスタ２は点弧
し、ヒータ１に通電が行われる。逆に、サーミス
タ２４の温度が第１の設定温度T1よりも高いと
きは、サーミスタ２４の抵抗値は小さく、ｅ点の
電位がｆ点の電位より高くなるため、トランジス
タ１７がOFFするとともに、トランジスタ１８
がONし、そしてトランジスタ１７のOFFにより
サイリスタ２のゲートに電流が流れなくなるた
め、サイリスタ２は遮断し、ヒータ１への通電が
断たれる。
また、サーミスタ２４が第１の設定温度T1の
とき、抵抗１５と抵抗１６の接続点であるｇ点の
電位がｆ点の電位よりも高くなるように抵抗７，
１５，１６の抵抗値は設定されている。そして、
サーミスタ２４が第１の設定温度T1の近傍では
トランジスタ１９，２０はOFFしている。今、
サーミスタ２４の温度が第２の設定温度T2より
低下した場合は、ｆ点の電位が高くなり、そして
ｆ点の電位とｇ点の電位の差が、トランジスタ２
０のコレクタ電流が流れ始めるときのベースーエ
ミツタ間電圧ＶBE（ON）以上になると、トラン
ジスタ２０はONし、かつ抵抗１４の端子電圧も
トランジスタ１９のＶBE（ON）以上となるた
め、トランジスタ１９はONする。このトランジ
スタ１９のONによりｋ点の電位はほぼａ点の電
位に等しくなり、その結果、ｆ点の電位が引き上
げられる。
とき、抵抗１５と抵抗１６の接続点であるｇ点の
電位がｆ点の電位よりも高くなるように抵抗７，
１５，１６の抵抗値は設定されている。そして、
サーミスタ２４が第１の設定温度T1の近傍では
トランジスタ１９，２０はOFFしている。今、
サーミスタ２４の温度が第２の設定温度T2より
低下した場合は、ｆ点の電位が高くなり、そして
ｆ点の電位とｇ点の電位の差が、トランジスタ２
０のコレクタ電流が流れ始めるときのベースーエ
ミツタ間電圧ＶBE（ON）以上になると、トラン
ジスタ２０はONし、かつ抵抗１４の端子電圧も
トランジスタ１９のＶBE（ON）以上となるた
め、トランジスタ１９はONする。このトランジ
スタ１９のONによりｋ点の電位はほぼａ点の電
位に等しくなり、その結果、ｆ点の電位が引き上
げられる。
これにより、トランジスタ１８がOFFに、ま
たトランジスタ１７，１９，２０がONに保持さ
れ、サイリスタ２は点弧状態を続ける。この状態
では、第３図に示すようにサーミスタ２４の温度
（実線Ｃ）が上昇して第１の設定温度T1に達して
も、ｆ点の電位がｇ点の電位よりも高いため、同
じ状態が保持される。サーミスタ２４の温度がさ
らに上昇し、第１の設定温度T1より高い第３の
設定温度T3に達すると、ｆ点の電位とｇ点の電
位の差がＶBE（ON）以下になる。この結果、ト
ランジスタ２０がOFFし、さらにトランジスタ
１９もOFFするため、ｆ点の電位が低下する。
これにより、トランジスタ１８がONし、かつト
ランジスタ１７がOFFすることになるため、サ
イリスタ２のゲートにはトリガ電流が流れず、し
たがつてサイリスタ２は遮断する。この後は、第
１の設定温度T1にてサイリスタ２がヒータ１の
ON−OFF制御を行なう。なお、第３の設定温度
T3は、半固定抵抗２３を変化させることにより
任意に設定することができる。コンデンサ２１は
サーミスタ２４の温度が第２の設定温度以上のと
き、外来雑音によりトランジスタ１９がONする
のを防ぐためのものである。
たトランジスタ１７，１９，２０がONに保持さ
れ、サイリスタ２は点弧状態を続ける。この状態
では、第３図に示すようにサーミスタ２４の温度
（実線Ｃ）が上昇して第１の設定温度T1に達して
も、ｆ点の電位がｇ点の電位よりも高いため、同
じ状態が保持される。サーミスタ２４の温度がさ
らに上昇し、第１の設定温度T1より高い第３の
設定温度T3に達すると、ｆ点の電位とｇ点の電
位の差がＶBE（ON）以下になる。この結果、ト
ランジスタ２０がOFFし、さらにトランジスタ
１９もOFFするため、ｆ点の電位が低下する。
これにより、トランジスタ１８がONし、かつト
ランジスタ１７がOFFすることになるため、サ
イリスタ２のゲートにはトリガ電流が流れず、し
たがつてサイリスタ２は遮断する。この後は、第
１の設定温度T1にてサイリスタ２がヒータ１の
ON−OFF制御を行なう。なお、第３の設定温度
T3は、半固定抵抗２３を変化させることにより
任意に設定することができる。コンデンサ２１は
サーミスタ２４の温度が第２の設定温度以上のと
き、外来雑音によりトランジスタ１９がONする
のを防ぐためのものである。
次に第３の設定温度T3の電源電圧依存性につ
いての説明を行なう。前述のように、サーミスタ
２４の温度が第２の設定温度T2より低下した場
合は、トランジスタ１９，２０がONするため、
ｋ点の電位はほぼａ点の電位に等しくなり、その
結果、ｆ点の電位が引き上げられる。このｆ点の
電位とｇ点の電位をトランジスタ２０が比較し、
ｆ点の電位＜ｇ点の電位＋ＶBE（ON）………(1)
になると、トランジスタ２０がOFFするが、交
流電源２５の電圧が低いときは、抵抗７の両端電
圧が小さく、かつｇ点の電位は高い。一方、交流
電源２５の電圧が高いときは、抵抗７の両端電圧
は大きくなり、かつｇ点の電位は低くなる。この
結果、交流電源２５の電圧が低いときは(1)式が成
り立つｆ点の電位は高く、つまりサーミスタ２４
の抵抗値が大きくなるため、第３の設定温度は低
くなる。一方、交流電源２５の電圧が高いとき
は、(1)式が成り立つｆ点の電位は低く、つまり、
サーミスタ２４の抵抗値が小さくなるため、第３
の設定温度は高くなる。
いての説明を行なう。前述のように、サーミスタ
２４の温度が第２の設定温度T2より低下した場
合は、トランジスタ１９，２０がONするため、
ｋ点の電位はほぼａ点の電位に等しくなり、その
結果、ｆ点の電位が引き上げられる。このｆ点の
電位とｇ点の電位をトランジスタ２０が比較し、
ｆ点の電位＜ｇ点の電位＋ＶBE（ON）………(1)
になると、トランジスタ２０がOFFするが、交
流電源２５の電圧が低いときは、抵抗７の両端電
圧が小さく、かつｇ点の電位は高い。一方、交流
電源２５の電圧が高いときは、抵抗７の両端電圧
は大きくなり、かつｇ点の電位は低くなる。この
結果、交流電源２５の電圧が低いときは(1)式が成
り立つｆ点の電位は高く、つまりサーミスタ２４
の抵抗値が大きくなるため、第３の設定温度は低
くなる。一方、交流電源２５の電圧が高いとき
は、(1)式が成り立つｆ点の電位は低く、つまり、
サーミスタ２４の抵抗値が小さくなるため、第３
の設定温度は高くなる。
なお、交流電源２５の電圧変化による第３の設
定温度の変化割合は抵抗７，１５，１６により任
意に設定できる。
定温度の変化割合は抵抗７，１５，１６により任
意に設定できる。
以上のように本発明によれば、電子ジヤー等の
ように、ヒータ取付枠の熱が熱伝導の悪い空気層
等を介して保温容器に伝わる構造において、ヒー
タ取付枠に取付けられたサーミスタの温度が第１
の設定温度より低い第２の設定温度よりさらに低
い場合には、サーミスタの温度が第１の設定温度
より高い第３の設定温度に達するまでサイリスタ
を強制的にONさせ、ヒータへの通電を行うよう
にしているため、最初からサーミスタが第１の設
定温度となるようにヒータへの通電制御を行なう
場合に比べて被保温物質を目的とする温度に速く
到達させることができる。また電源電圧が高いと
きにはヒータの発熱が大きいため、ヒータ取付枠
と保温容器の温度差は大きくなり、一方、電源電
圧が低いときにはヒータの発熱が小さいため、ヒ
ータ取付枠と保温容器の温度差は小さくなるが、
第３の設定温度に電源電圧依存性を持たせること
により、ヒータ取付枠と保温容器の温度差の影響
を抜ち消すようにしているため、オーバーシユー
トを行なうことなく、被保温物質を目的とする温
度に速く到達させることができるものである。
ように、ヒータ取付枠の熱が熱伝導の悪い空気層
等を介して保温容器に伝わる構造において、ヒー
タ取付枠に取付けられたサーミスタの温度が第１
の設定温度より低い第２の設定温度よりさらに低
い場合には、サーミスタの温度が第１の設定温度
より高い第３の設定温度に達するまでサイリスタ
を強制的にONさせ、ヒータへの通電を行うよう
にしているため、最初からサーミスタが第１の設
定温度となるようにヒータへの通電制御を行なう
場合に比べて被保温物質を目的とする温度に速く
到達させることができる。また電源電圧が高いと
きにはヒータの発熱が大きいため、ヒータ取付枠
と保温容器の温度差は大きくなり、一方、電源電
圧が低いときにはヒータの発熱が小さいため、ヒ
ータ取付枠と保温容器の温度差は小さくなるが、
第３の設定温度に電源電圧依存性を持たせること
により、ヒータ取付枠と保温容器の温度差の影響
を抜ち消すようにしているため、オーバーシユー
トを行なうことなく、被保温物質を目的とする温
度に速く到達させることができるものである。
第１図は従来の温度制御装置の温度特性図、第
２図は本発明の一実施例を示す温度制御装置の電
気回路図、第３図は同装置の温度特性図である。 １……ヒータ、２……サイリスタ、７，１０，
１１，１５，１６……抵抗、１７，１８，２０…
…トランジスタ、２３……半固定抵抗、２４……
サーミスタ。
２図は本発明の一実施例を示す温度制御装置の電
気回路図、第３図は同装置の温度特性図である。 １……ヒータ、２……サイリスタ、７，１０，
１１，１５，１６……抵抗、１７，１８，２０…
…トランジスタ、２３……半固定抵抗、２４……
サーミスタ。
Claims (1)
- １ 温度検出用のサーミスタを用いてサイリスタ
のゲート回路を構成し、このサイリスタによつて
ヒータへの通電制御を行なう温度制御装置におい
て、前記サーミスタの検出温度が第１の設定温度
より低いと前記サイリスタを導通し、第１の設定
温度より高いと前記サイリスタを遮断する第１の
制御手段と、前記サーミスタの検出温度が前記第
１の設定温度より低い第２の設定温度以下である
と、前記サーミスタの検出温度が第１の設定温度
より高い第３の設定温度に達するまで前記第１の
制御手段を強制駆動し、前記サイリスタを導通す
る第２の制御手段と、前記第３の設定温度を、電
源電圧が低いときは低くし、かつ電源電圧が高い
ときは高くする電源電圧依存回路とを備えてなる
温度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263478A JPS559369A (en) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | Temperature controller |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263478A JPS559369A (en) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | Temperature controller |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS559369A JPS559369A (en) | 1980-01-23 |
| JPS6220672B2 true JPS6220672B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=13779857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8263478A Granted JPS559369A (en) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | Temperature controller |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS559369A (ja) |
-
1978
- 1978-07-06 JP JP8263478A patent/JPS559369A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS559369A (en) | 1980-01-23 |
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