JPH0555491U - 自己温度制御型ヒータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 温度センサを使用することなくヒータエレメ
ントの温度制御を行なうと共に、交流電源を使用可能と
する。 【構成】 ヒータエレメントＲh 自体を抵抗要素の一つ
として組み込まれたブリッジ回路２と、ブリッジ回路か
らの偏差電圧を記憶して所定期間信号を出力するメモリ
回路４と、メモリ回路からの信号により作動して電源Ｅ
からヒータエレメントへの通電を行なうドライバ回路５
と、ヒータエレメントの温度検出を行なう第１の期間
と、温度制御を行なう第２の期間とを区分し、ブリッジ
回路を前記第１の期間だけ作動させ、ドライバ回路を前
記第２の期間だけ作動させるタイミング回路３とを備え
た構成としたものである。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、ヒータエレメントの温度を、温度センサを用いることなく検知し て高精度で自己制御を行なう自己温度制御型ヒータに関する。

【０００２】

【従来の技術】

近年、半導体のＰＴＣＲ効果を応用した自己制御型セラミックヒータが開発さ れ、ヘヤードライヤ、布団乾燥器等の分野で使用されてきている。このタイプの ヒータに用いられる半導体としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ）系半導 体がよく知られている。この半導体は、正方晶から立方晶への転移に伴い抵抗値 が急激に増加する性質（ＰＴＣＲ効果）を備えており、その転移温度（キューリ 点）は、ストロンチウム（Ｓｒ）、アンチモン（Ｓｂ）等を添加すると低温側に 移行し、鉛（Ｐｂ）等を添加すると高温側に移行する。この半導体は、その化学 組成によって転移温度を一義的に決定することができるため、当該半導体を用い ることにより、−３０〜３００℃の温度範囲内で制御温度を任意に設定すること が可能である。

【０００３】 しかしながら、このタイプのヒータにおいては、制御すべき温度と用いる発熱 体の種類の組合せは一義的に定まることとなり、１つの発熱体で制御温度を自由 に変えることができない。また、現状では、３００℃を超えるキューリ点を有す る物質系は見出されていないため、当該３００℃よりも高い温度における温度制 御が出来ない等の問題がある。

【０００４】 このような問題を解決するために、本願出願人は、「ヒータエレメント及びそ れを用いたヒータ（実願平１−７１９５６）」において、電気絶縁性基板に温度 係数が異なる２個のヒータエレメント（抵抗発熱体）を設け、これらの各ヒータ エレメントを夫々抵抗要素とするブリッジ回路を構成し、ブリッジの平衡点を定 めることによりヒータエレメントの温度を前記３００℃よりも高い温度に、且つ 一定の温度に制御するようにしたヒータを開示している。

【０００５】 このヒータは、ヒータに形成される抵抗発熱体それ自身がブリッジ回路の各抵 抗要素となっているために、温度変化に対する応答が速く、優れた温度制御特性 を発揮する。また、温度センサは、不要であり、この結果、ヒータの形状を小型 化することができると共に、使用電力を有効に利用することができ、省エネルギ に資することができる等の利点がある。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

このように上記ヒータは、多くの利点を備えているが、ヒータ電源には直流の みしか使用することができず、交流である商用電源を使用する場合には、直交変 換して使用する必要がある。また、直流で用いるためにヒータの容量が比較的小 さく、被加熱物が小さなものに限られる等の問題がある。

【０００７】 この考案は上述の点に鑑みてなされたもので、温度センサを使用することなく 高精度に、かつ、応答が速く、しかも、商用電源を使用することが可能な自己温 度制御型ヒータを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するためにこの考案によれば、ヒータエレメント自体を抵抗要 素の一つとして組み込まれたブリッジ回路と、前記ブリッジ回路からの偏差電圧 を記憶して所定期間信号を出力するメモリ回路と、前記メモリ回路からの信号に より作動し電源から前記ヒータエレメントへの通電を制御するドライバ回路と、 前記ヒータエレメントの温度検出を行なう第１の期間と当該ヒータエレメントの 温度制御を行なう第２の期間とを区分し、前記ブリッジ回路を前記第１の期間だ け作動させ、前記ドライバ回路を前記第２の期間だけ作動させるタイミング回路 とを備えた構成としたものである。

【０００９】

【作用】 ヒータは、タイミング回路により第１の期間だけブリッジ回路に組み込まれた ヒータエレメントの温度検出を行ない、当該温度を検知してから所定期間経過し た後第２の期間の間ドライバ回路を作動させて前記ヒータエレメントに通電させ る。これによりヒータは、温度センサを用いることなくヒータエレメントの温度 制御が可能となる。また、電源として交流電源が使用可能となる。

【００１０】

【実施例】

以下この考案の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。 図１は、この考案に係る自己温度制御型ヒータ（以下単に「ヒータ」という） の概念図を示し、図２は、図１のヒータの温度検知期間Ｔ₁ 、制御期間Ｔ₂ 、メ モリ保持期間Ｔ₃ の時系列における相関関係を示す。図１においてヒータ１は、 ブリッジ回路２、タイミング回路３、メモリ回路４及びドライバ回路５等により 構成されており、ブリッジ回路２は、固定抵抗Ｒa 、Ｒb 、温度設定のための抵 抗Ｒc 、ヒータエレメントＲh とにより構成されている。

【００１１】 先ず、スイッチＳ₁ がタイミング回路３により温度検出期間Ｔ₁ の間閉成され 、ブリッジ回路２に電源Ｅ_B が印加される。すると、抵抗ＲａとＲｃ、及び抵抗 ＲｂとヒータエレメントＲｈに夫々電流ｉ_X 、ｉ_Y が流れ、抵抗ＲａとＲｃとの 接続点Ｘ、抵抗ＲｂとヒータエレメントＲｈとの接続端Ｙには夫々次式で表され る電位が発生する。 Ｘ点においては、Ｅ_X ＝Ｅ_B −Ｒａ・ｉ_X ここで、ｉ_X ＝Ｅ_B ／（Ｒａ＋Ｒｃ）であるから、 Ｅ_X ＝Ｅ_B −Ｒａ・Ｅ_B ／（Ｒａ＋Ｒｃ） ＝Ｅ_B （１−Ｒａ）／（Ｒａ＋Ｒｃ） ＝Ｅ_B ・Ｒｃ／（Ｒａ＋Ｒｃ） （１） 同様にして、 Ｙ点においては、Ｅ_Y ＝Ｅ_B −Ｒｂ・ｉ_Y ここで、ｉ_Y ＝Ｅ_B ／（Ｒｂ＋Ｒｈ）であるから、 Ｅ_Y ＝Ｅ_B −Ｒｂ・Ｅ_B ／（Ｒｂ＋Ｒｈ） ＝Ｅ_B （１−Ｒｂ）／（Ｒｂ＋Ｒｈ） ＝Ｅ_B ・Ｒｈ／（Ｒｂ＋Ｒｈ） （２） よって、Ｘ点及びＹ点の間には次式で表される偏差電圧ｅが現れる。 ｅ＝Ｅ_X −Ｅ_Y ＝Ｅ_B ・Ｒｃ／（Ｒａ＋Ｒｃ）−Ｅ_B ・Ｒｈ／（Ｒｂ＋Ｒｈ） ＝Ｅ_B ｛（ＲｂＲｃ＋ＲｃＲｈ）−（ＲａＲｈ＋ＲｃＲｈ）｝ ／｛（Ｒａ＋Ｒｃ）×（Ｒｂ＋Ｒｈ）｝ ＝Ｅ_B （ＲｂＲｃ−ＲａＲｈ）／｛（Ｒａ＋Ｒｃ）×（Ｒｂ＋Ｒｈ）｝ （３） ここで、予めＲａ＝Ｒｂ＝Ｒと選んでおけば、 ｅ＝Ｅ_B ×Ｒ（Ｒｃ−Ｒｈ）／｛（Ｒ＋Ｒｃ）×（Ｒ＋Ｒｈ）｝ （４） となる。

【００１２】 正の温度係数を持つヒータエレメントを使い、温度が設定値よりも低い場合は 、Ｒｃ＞Ｒｈであるから、（４）式より偏差電圧ｅは、ｅ＞０となり、このとき 偏差信号を増幅する増幅器６は高電位を出力する。この高電位の出力は、タイミ ング回路３により温度検知期間Ｔ₁ （図２（ａ））の間閉成されるスイッチＳ₂ を通してメモリ回路４に加えられる。メモリ回路４は、この期間Ｔ₁ が終了した 後もメモリ保持期間Ｔ₃ （図２（ｃ））の間前記高電位が加えられたことを記憶 し、ドライバ回路５に出力信号を送り続ける。

【００１３】 一方、ヒータエレメントＲｈの温度が設定温度よりも高くなると、Ｒｃ＜Ｒｈ となり、前式（４）より偏差電圧ｅは、ｅ＜０となり、増幅器６は、低電位を出 力する。メモリ回路４は、期間Ｔ₁ が終了した後も期間Ｔ₃ の間前記低電位が加 えられたことを記憶し、ドライバ回路５に出力信号を送り続ける。 次に、ヒータエレメントＲｈを発熱体として使用する温度制御期間Ｔ₂ （図２ （ｂ））になると、タイミング回路３がスイッチＳ₁ 及びＳ₂ を開成し、スイッ チＳ₃ を閉成する。スイッチＳ₃ が閉成されるとドライバ回路５に電源Ｅが印加 される。ドライバ回路５のスイッチＳ₄ は、メモリ回路４からの信号が高電位の ときのみ閉成されてヒータエレメントＲｈに電力を供給する。これによりヒータ エレメントＲｈがジュール熱により発熱して温度が上昇する。メモリ回路４の出 力が低電位のときにはドライバ回路５のスイッチＳ₄ は、開放されてヒータエレ メントＲｈには電力が供給されない。したがって、ヒータエレメントＲｈは、温 度が下降する。

【００１４】 このように、温度検知の期間Ｔ₁ とヒータエレメントＲｈへの電力供給を制御 する期間Ｔ₂ とを交互に繰り返して行なうことにより、温度センサを使用するこ となく自己温度制御を実現することができる。 また、図２において温度検知期間Ｔ₁ 、制御期間Ｔ₂ 、メモリ保持期間Ｔ₃ お よび期間Ｔ₁ とＴ₂ との差Δｔとの間には次の関係があることが好ましい。 （１）Ｔ₂ −Ｔ₁ ＝Δｔ（＝Δｔ₁ ＋Δｔ₂ ）＞０ （２）Ｔ₂ ＋Δｔ＞Ｔ₃ ＞Δｔ （１）は、Ｔ₁ ＞Ｔ₂ とすると、温度検知期間が長くなり、この間ヒータエレ メントＲｈに通電されず、発熱しない時間が長くなり、温度制御の精度が悪くな る。また、Ｔ₁ ＝Ｔ₂ とすると期間Ｔ₁ とＴ₂ との境界点でノイズが入り、温度 制御の精度に影響する。そこで、温度検知期間Ｔ₁ を制御期間Ｔ₂ よりも短くし ている。

【００１５】 また、（２）は、メモリ回路４の保持期間Ｔ₃ がΔｔ₂ よりも短いと、制御期 間Ｔ₂ が開始されるまでに増幅器６からの信号が消えてしまうこととなり、制御 のしようがなくなる。また、期間Ｔ₃ が期間Ｔ₂ ＋Δｔよりも長いと、次の温度 検知期間Ｔ₁ に掛かってしまい、新たなデータの検知及び当該データのメモリ回 路４への記憶に支障を来し、温度制御の精度が悪くなる。そこで、保持期間Ｔ₃ をΔｔよりも長く、かつ期間Ｔ₂ ＋Δｔよりも短くしている。

【００１６】 ここで、厳密にいうと、ドライバ回路５のスイッチ。Ｓ₄ が閉成するのに要す る時間αがあるために、上述の（２）は、次式のように表される。 Ｔ₂ ＋Δｔ＋α＞Ｔ₃ ＞Δｔ＋α また、電源電圧Ｅが、６０Ｈ_Z の場合、Ｔ₁ 及びＴ₂ は、各々約７×１０^-3秒 及び８×１０^-3秒であり、５０Ｈ_Z の場合、Ｔ₁ 及びＴ₂ は、各々約８×１０^-3 秒及び１×１０^-2秒である。よって、Δｔは、１×１０^-3〜２×１０^-3秒程度で ある。

【００１７】 ヒータエレメントＲh の温度制御は、特に温度センサを用いないために、正ま たは負の温度係数を持つヒータエレメントを使用し、発熱体としての作用と温度 センサとしての作用との両方をヒータエレメントＲh 自体に持たせ、タイミング 回路３によりヒータエレメントＲh を温度センサとして使用する期間（温度検知 期間）Ｔ₁ と、発熱体として使用する期間（制御期間）Ｔ₂ を示す信号を、交流 電源を利用して交互に発生させることにより自己温度制御を実現する。

【００１８】 次に、図１の具体的な構成を図３に基づいて説明する。尚、図１と同一の回路 には同一の符号を付してある。 ヒータ１は、ブリッジ回路２、タイミング回路３、メモリ回路４及びドライバ 回路５等により構成されており、ブリッジ回路２は、ブリッジの電流を規制する ための固定抵抗Ｒa 、Ｒb 、温度制御をするための可変および固定抵抗Ｒc 、ヒ ータエレメントＲh 、増幅器６とにより構成されている。抵抗ＲａとＲｂとの接 続点Ｕは、タイミング回路３のダイオードＤ₁ を介して電源Ｅに、抵抗Ｒｃとヒ ータエレメントＲｈとの接続点Ｖは、電源Ｅに夫々接続されており、さらに接続 点Ｖは、接地されている。このダイオードＤ₁ は、タイミング回路３により電源 Ｅ（商用電源、ＡＣ１００Ｖ、５０／６０Ｈｚ）の正の周期だけを電源Ｅ_B とし てブリッジ回路２に印加するためのものである。

【００１９】 ブリッジ回路２の抵抗ＲａとＲｃとの接続点Ｘ、抵抗Ｒｂとヒータエレメント Ｒｈとの接続点Ｙは、夫々抵抗Ｒ₁ 、Ｒ₂ を介して増幅器６の各入力端子に接続 されている。また、当該増幅器６の入力端子間にはコンデンサＣ₂ が接続されて いる。この増幅器６は、ブリッジ回路２の偏差信号ｅを増幅し、Ｒｃ＞Ｒｈのと きに高電位、Ｒｃ＜Ｒｈのときには低電位の信号を出力するオープンコレクタ形 の比較器として使用される。

【００２０】 タイミング回路３の増幅器７は、非反転入力端子が抵抗Ｒ₃ を介してダイオー ドＤ₁ のアノード側に接続されると共に抵抗Ｒ₄ を介して接地され、反転入力端 子がダイオードＤ₃ を介して接地されると共に抵抗Ｒ₅ を介して電源＋Ｖに接続 されている。この増幅器７の出力端子は、ブリッジ回路２の増幅器６の出力端子 に接続されると共に、抵抗Ｒ₆ を介して電源＋Ｖに、コンデンサＣ₁ を介してメ モリ回路４の増幅器８の反転入力端子に接続されている。

【００２１】 抵抗Ｒ₃ 及びＲ₄ は、増幅器７に電源電圧Ｅを降圧して印加するための分圧抵 抗であり、抵抗Ｒ₅ は、ダイオードＤ₃ に電流を供給するための固定抵抗、ダイ オードＤ₁ 及びＤ₂ は、ブリッジ回路２及びドライバ回路５に印加する電源のタ イミングを区分するためのダイオードである。また、ダイオードＤ₃ は、温度検 出をする期間Ｔ₁ とヒータエレメントＲｈへの通電を制御する期間Ｔ₂ の境界点 におけるノイズの発生を防ぐために期間Ｔ₂ の開始時期をΔｔ（≒１０^-3秒間） ずらすためのダイオードである。この増幅器７は、ダイオードＤ₃ の順方向の電 圧とＥ×Ｒ₄ ／（Ｒ₄ ＋Ｒ₃ ）で表される電圧とを比較して増幅器６の出力信号 の読み取り信号を出力するオープンコレクタ形比較器として使用される。

【００２２】 メモリ回路４の増幅器８の反転入力端子は、抵抗Ｒ₇ を介して電源＋Ｖに接続 されると共に抵抗Ｒ₈ を介して接地され、さらに、コンデンサＣ₁ の当該反転入 力端子側とアース間にダイオードＤ₄ が接続されており、非反転入力端子は、抵 抗Ｒ_T を介して接地されている。増幅器８の出力端子は、抵抗Ｒ₉ を介して電源 ＋Ｖに接続されると共にコンデンサＣ_T 、ダイオードＤ₅ を介して接地されてい る。また、コンデンサＣ_T とダイオードＤ₅ との接続点は、非反転入力端子に接 続されている。さらに、出力端子とアース間にはフォトカプラ９のダイオードが 接続されている。この増幅器８も増幅器６、７と同様にオープンコレクタ形比較 器として使用される。

【００２３】 抵抗Ｒ₆ は、増幅器６、増幅器７がオープンコレクタ形の比較器として使用さ れるため出力を高電位とするプルアップ抵抗、抵抗Ｒ₇ 、Ｒ₈ は、増幅器８を安 定に作動させるため反転入力端子側の入力電位を正にシフトする抵抗、抵抗Ｒ₉ は、増幅器８がオープンコレクタ形の比較器であるために出力を高電位とするプ ルアップ抵抗である。コンデンサＣ₁ は、ブリッジ回路２から出力される電位変 化（ヒータエレメントＲｈの抵抗の変化すなわち、ヒータエレメントＲｈの温度 変化）を検知するための結合コンデンサである。ダイオードＤ₄ は、増幅器８の 反転入力側の入力電位がアース電位よりも低くならないようにするためのもの、 ダイオードＤ₅ は、ブリッジ回路２からの出力信号を期間Ｔ₃ の間メモリした後 に下がった増幅器８の非反転入力側の電位を速く回復させるためのものであり、 抵抗Ｒ_T およびコンデンサＣ_T は夫々メモリ回路４のメモリ期間（時間）Ｔ₃ を 設定するためのものである。尚、メモリ回路４に単安定マルチバイブレータを使 用しており、メモリ期間Ｔ₃ （≒0.7 Ｒ_T Ｃ_T 秒）は、約５×１０^-3秒間に設定 されている。

【００２４】 ドライバ回路５は、スイッチング素子として半導体スイッチング素子（たとえ ば、トライアック）１０を使用しており、当該スイッチング素子１０の一方の電 極は、タイミング回路３のダイオードＤ₂ を介して電源Ｅに、他方の電極は、ア ースに接続されている。そして、両電極間にはフォトカプラ９と抵抗Ｒ₁₀との直 列回路が接続され、ゲート端子は、フォトカプラ９と抵抗Ｒ₁₀との接続点に接続 されている。抵抗Ｒ₁₀は、スイッチング素子１０を作動させるための抵抗、フォ トカプラ９は、メモリ回路４からドライバ回路５に制御信号を伝達し、スイッチ ング素子１０は、電源Ｅからドライバ回路５を経てブリッジ回路２のヒータエレ メントＲｈに電流を供給するためのスイッチの作用をする。

【００２５】 以下に作用を説明する。 ブリッジ回路２の抵抗Ｒｃの可変抵抗部を調節し、ヒータエレメントＲh の 設定温度を例えば、６００℃に決めて、電源Ｅを印加すると、当該ヒータエレメ ントＲｈの温度は当該設定温度（６００℃）よりも低いために、温度検出の期間 Ｔ₁ におけるブリッジ回路２における偏差電圧ｅは、 ｅ＝Ｅ_B ×Ｒ×（Ｒｃ−Ｒｈ）／｛（Ｒ＋Ｒｃ）×（Ｒ＋Ｒｈ）｝ であり、Ｒｃ＞Ｒｈであるから、偏差電圧ｅは、正（ｅ＞０）となる。従って、 ブリッジ回路２の増幅器６は、高電位を出力する。ここで、タイミング回路３は 、検出期間Ｔ₁ （図２（ａ））で高電位を、Ｔ₁ 以外では低電位を出力するよう に設定されており、したがって、当該タイミング回路３も高電位を出力して、ａ 点の電位を高電位に維持する。そして、期間Ｔ₁ の終了と同時にタイミング回路 ３の出力は、低電位となり、ａ点の電位は、高電位から低電位へと変化する。

【００２６】 このａ点における電位変化がコンデンサＣ₁ を通してメモリ回路４を作動（ト リガ）させ、ｂ点の電位を低電位から高電位へと変化させ、メモリ保持期間Ｔ₃ （図２（ｃ））の間保持される。すなわち、ブリッジ回路２からの出力信号が、 メモリ回路４により期間Ｔ₃ の間記憶されることになる。次いで、制御期間Ｔ₂ （図２（ｂ））に入った時、フォトカプラ９を通してスイッチング素子１０が作 動（トリガ）されて導通状態となり、ブリッジ回路２のヒータエレメントＲｈに 電源Ｅが印加される。これによりヒータエレメントＲｈに電流が供給されて当該 ヒータエレメントＲｈの温度が上昇する。

【００２７】 ヒータエレメントＲｈの温度が上昇し、前記設定温度（６００℃）を超えると 、Ｒｃ＜Ｒｈとなり、ブリッジ回路２の偏差電圧ｅが負（ｅ＜０）となり、増幅 器６の出力が低電位となり、ａ点の電位は、期間Ｔ₁ が終了しても低電位のまま に保持されて変化せず、メモリ回路４は、作動しない。その結果、ｂ点の電位も 低電位を維持するために期間Ｔ₂ になってもスイッチング素子１０は、作動（ト リガ）されず、したがって、ヒータエレメントＲｈには電源Ｅが印加されない。 このようにして、Ｔ₁ 及びＴ₂ の期間を交互に繰り返してヒータエレメントＲh の温度制御が行なわれる。因みに、この実施例では、前記設定温度６００℃に対 して±３℃（６００℃±３℃）の精度でヒータエレメントＲh の温度制御が達成 された。

【００２８】 尚、上記実施例においては、タイミング回路３によりヒータエレメントＲh を 温度センサとして使用する期間（温度検知期間）Ｔ₁ と発熱体として使用する期 間（制御期間）Ｔ₂ を示す信号を、交流電源Ｅを利用して交互に発生させる場合 について記述したが、これに限るものではなく、電源として直流電源を使用し、 タイミング回路により当該電源とは別個に前記温度検知期間Ｔ₁ と制御期間Ｔ₂ とを発生させ、期間Ｔ₁ の間温度検知を行ない、期間期間Ｔ₂ の間制御を行なう ようにしてもよい。

【００２９】

【考案の効果】

以上説明したようにこの考案によれば、ヒータエレメント自体がブリッジ回路 の抵抗要素となっているために、温度変化に介する応答が速く、優れた温度制御 特性を得ることができ、しかも、温度センサが不要であり、ヒータの形状を小型 化することができる。さらに使用電力を有効に利用することができ、省エネルギ に資することができる。さらに、交流電源を使用することができるために比較的 大きなものまでも加熱することができる高性能のヒータを提供することができ、 ガスセンサの検知部分、半田ごて、ヘヤドライヤ、布団乾燥器等に組込むことが できる等の優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案に係る自己温度制御型ヒータの制御回
路の概念図である。

【図２】この考案に係る自己温度制御型ヒータの温度検
知期間、制御期間及びメモリ保持期間の時系列における
相関関係を示す図である。

【図３】この考案に係る自己温度制御型ヒータの一実施
例を示す回路図である。

【符号の説明】

１ 自己温度制御型ヒータ ２ ブリッジ回路 ３ タイミング回路 ４ メモリ回路 ５ ドライバ回路 ６〜８増幅器 ９ フォトカプラ １０ 半導体スイッチング素子 Ｒｈ ヒータエレメント Ｅ 交流電源

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 ヒータエレメント自体を抵抗要素の一つ
   として組み込まれたブリッジ回路と、前記ブリッジ回路
   からの偏差電圧を記憶して所定期間信号を出力するメモ
   リ回路と、前記メモリ回路からの信号により作動し電源
   から前記ヒータエレメントへの通電を制御するドライバ
   回路と、前記ヒータエレメントの温度検出を行なう第１
   の期間と当該ヒータエレメントの温度制御を行なう第２
   の期間とを区分し、前記ブリッジ回路を前記第１の期間
   だけ作動させ、前記ドライバ回路を前記第２の期間だけ
   作動させるタイミング回路とを備えたことを特徴とする
   自己温度制御型ヒータ。