JPH07335691A - テープキャリアパッケージの実装構造 - Google Patents

テープキャリアパッケージの実装構造

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JPH07335691A
JPH07335691A JP6152887A JP15288794A JPH07335691A JP H07335691 A JPH07335691 A JP H07335691A JP 6152887 A JP6152887 A JP 6152887A JP 15288794 A JP15288794 A JP 15288794A JP H07335691 A JPH07335691 A JP H07335691A
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JP
Japan
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lead
pad
pitch
row
carrier package
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JP6152887A
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Tomoyuki Kubota
智之 久保田
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/79Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
    • HELECTRICITY
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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 アウターリードと基板側パッドとの加熱接合
時の位置ずれを低減し、もって接続不良を低減すること
が可能なテープキャリアパッケージの実装構造を提供す
る。 【構成】 フィルムキャリア5に搭載されたリード3の
インナーリード部が接続された半導体チップ1がプリン
ト配線基板に実装されると共に、リード3のアウターリ
ード部と前記基板上のパッドとが接続されるテープキャ
リアパッケージの実装構造において、前記アウターリー
ド部の1辺のリード列のセンタC部分のリードピッチに
対して両端部のリードピッチを小さくし、リードの熱膨
張に伴う前記両端部のアウターリード部と前記基板上の
パッドとの位置ずれを低減する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、TAB技術を用いてプ
リント配線基板に半導体チップの実装を行うためのTC
P(Tape Carrier Package:テープキャリアパッケー
ジ)の実装構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】チップ面積を大きくでき、かつ多ピン化
が可能なパッケージの半導体装置として、PGA(Pin
Grid Array)、QFP(Quad Flat Package )およびT
AB(Tape Automated Bonding)等がある。この中でT
AB(テープオートメーテッドボンディング)パッケー
ジは、最もリードピッチを小さくでき、大型チップの場
合でも多ピン化が可能という特徴を有している。図4は
インナーリードボンディング(ILB)工程における従
来のTCP実装構造の正面断面図を示し、図5は同じく
アウターリードボンディング(OLB)工程における従
来のTCP実装構造の正面断面図を示している。インナ
ーリードボンディング工程においては、図4に示すよう
に、四角形の半導体チップ1は、その片面の外周部を一
巡する如くに多数のバンプ(bump:微小径の半田ボ
ール)2がメッキまたは転写技術によって一定間隔に形
成されている。このバンプ2は、外部との接続を行うた
めに半導体チップ1上に設けられると共に内部の回路に
接続されている配線パッド(不図示)の各々に半田で接
合されている。
【0003】このような半導体チップ1に対し、リード
3(不図示の樹脂製フィルムに接着されている)のイン
ナーリード部を接続するに際しては、バンプ2が上側に
なるようにして半導体チップ1をセットし、更にリード
3の各々のインナーリード先端がバンプ2の各々の上部
に位置するようにリード3のインナーリード部をセット
する。この状態で、リード3の上方から加圧手段及び加
熱手段を備えたインナーリード用のボンディングツール
4をインナーリード部の先端上に位置決めした後、この
ボンディングツール4を降下させる。インナーリード部
をボンディングツール4の下面で押圧すると、ボンディ
ングツール4から与えられる熱によってバンプ2の各々
が溶融し、各バンプ2とインナーリード部の各々が一括
接続(接合)される。
【0004】この後、リード3のアウターリード部を略
J字形に曲げ加工を施す(この時点では、リード3はま
だフィルムキャリア5に保持されている)。ついで、図
5に示すように、半導体チップ1をボンディングツール
6(加圧手段及び加熱手段を備えている)の下面に吸着
すると共に内蔵(不図示)するヒータに通電する。つい
で、リード3のアウターリード部をプリント配線基板7
上のパッド8(アウターリード部との接続を行う為の電
極)に対向するように位置合わせ(各アウターリード部
の先端が対向するパッド8に重なるように位置決め)を
し、半導体チップ1を吸着した状態のボンディングツー
ル6を降下させ、その下端でアウターリード部を押圧す
る。この過程でボンディングツール6の先端部の熱は各
アウターリード部及び各パッド8に伝達され、パッド8
とアウターリード部間の半田が溶融し、両者は一括接続
される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
技術にあっては、半導体チップの多ピン化に伴ってパッ
ケージサイズが大きくなると、これに伴ってアウターリ
ード用のボンディングツールのサイズも大きくなり、該
ボンディングツールの熱膨張の為にアウターリードと基
板上のパッドとの間に図6に示す様な位置ずれが生じ、
末半田、半田ブリッジ等の接続不良を招くという問題が
ある。このような位置ずれを生じる理由は、各バンプ列
の中間部(センタ)とパッド間の位置精度は高いのに対
し、両端部に向かうほど相対位置ずれ(リード間ピッ
チ)が大きくなる為である。なお、位置ずれを解決する
1つの手段として、ボンディングツールにスリット等を
入れ、熱膨張によるずれを緩和することが考えられる。
しかし、リードピッチが極めて微小であることから、加
工精度を出すことが難しく、実用化は困難である。そこ
で本発明は、アウターリードと基板側パッドとの加熱接
合時の位置ずれを低減し、もって接続不良を低減するこ
とが可能なテープキャリアパッケージの実装構造を提供
することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、テープキャリアパッケージ方式によ
ってリードのインナーリード部が接続された半導体チッ
プをプリント配線基板に実装すると共に、前記リードの
アウターリード部と前記プリント配線基板上のパッドと
を接続して構成されるテープキャリアパッケージの実装
構造において、前記アウターリード部のリード列または
前記基板上のパッド列のセンタ部に対して両端部のリー
ドまたはパッドのピッチを異なる値に設定している。
【0007】そして、前記アウターリード部のリード列
におけるリードピッチは、端部がセンタ部より小さく
し、或いは、前記基板上のパッド列におけるパッドピッ
チは、端部がセンタ部より大きくなるようにしている。
さらに、前記アウターリード部のリード列のセンタ部か
ら端部に向けてリード毎にリードピッチを小さくし、或
いは、前記パッド列のセンタ部から端部に向けてパッド
毎にパッドピッチを大きくなるようにしている。また、
前記リード列をセンタ部と端部との少なくとも2グルー
プに分け、前記端部のリードピッチを前記センタ部に対
して小さくし、或いは、前記パッド列をセンタ部と端部
との少なくとも2グループに分け、前記端部のピッチを
前記センタ部のピッチに対して大きくするようにしてい
る。
【0008】
【作用】上記した手段によれば、アウターリード部とプ
リント配線基板上のパッドを接続する際、ボンディング
ツールの熱によって各リードが加熱されることによる膨
張のため、アウターリード部のピッチがリード列の端部
に向かうほど大きくなるのに対し、アウターリード部と
パッドとの間の位置ずれが修正されるように、リード列
またはパッド列のピッチをセンタ部と端部とで異ならせ
ている。これにより、熱膨張によってリードピッチが拡
大したときにアウターリード部とパッドの位置が一致
し、末半田、半田ブリッジ等の接続不良を低減すること
ができる。このとき、リード列におけるリードピッチが
〔センタ部>端部〕の関係を満足し、或いは、パッド列
におけるパッドピッチが〔センタ部<端部〕の関係を満
足するように設定すれば、熱膨張によるリードピッチの
位置ずれを低減することができ、簡単な構成によって半
導体チップの多ピン化、大型化に対処することが可能に
なる。
【0009】この場合、前記アウターリード部のリード
列のセンタ部から端部に向けてリード毎にリードピッチ
を連続的に小さくし、或いは、前記パッド列のセンタ部
から端部に向けてパッド毎にパッドピッチを連続的に大
きくなるようにすれば、全てのアウターリード部に対し
て熱膨張によるリードピッチの位置ずれを補償でき、ど
のアウターリード部においても位置ずれの生じない接続
が可能になる。また、前記リード列またはパッド列に対
し、1つの列をセンタ部と端部とを2グループに分け或
いはセンタ部以外を更に複数にグループ分けると共に、
リードにあっては端部のリードピッチをセンタ部に対し
て小さくし、パッドにあっては端部のパッドピッチをセ
ンタ部に対して大きくなるようにすれば、アウターリー
ド部とパッドとの間の位置ずれを実用上問題とならない
レベルにすることができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1は本発明によるテープキャリア
パッケージの実装構造にあって、インナーリード部が接
続された状態の半導体チップを示す平面図である。図6
で説明した様に、アウターリード部のボンディングに際
しては、ボンディングツール6が降下の開始より前に加
熱されている。このため、ボンディングツール6はX,
Y,Zの各方向へ膨張し、これを避けることができな
い。この膨張に伴って、吸着されているリード3も熱膨
張する。したがって、中間部より端部に向かうほど(即
ち、図1のA方向及びB方向に向かうほど)、リード3
のアウターリード部とパッド8間の位置ずれは大きくな
る。
【0011】ここで、ボンディングツール6の一辺の長
さをL、熱膨張係数をα、ボンディング温度をT1 、常
温をT2 とすると、熱膨張によるボンディングツール6
のセンタC(ここでは水平方向についてのみ設定)から
の伸びeは、次のように表される。
【数1】 e=α(T1 −T2 )×L/2 ・・・(1) 例えば、リード3とパッド8間の距離(L)が20m
m、リード幅0.1mm、リード間ギャップ0.2mm
の各寸法とし、ピン数168(1辺のピン数は42)の
半導体チップ1に対して半田接合するものとする。この
とき、熱膨張係数α=14×10-6/℃、ボンディング
温度T1 =320℃、常温T2 =20℃であれば、ボン
ディングツール6のセンタCからの伸びeは、
【数2】 e=14×10-6×300×20/2=42(μm) ・・・(2) となり、端部ではリード幅の約半分がパッドセンタCよ
りも位置ずれすることになる。更に、ボンディングツー
ル6が大型化(大容量化)して半導体チップ1が多ピン
になると、リードとパッドの位置ずれは更に大きくな
り、末半田や半田ブリッジの接続不良を招くことにな
る。なお、ピン数168の半導体チップでは、そのセン
タCから各端部までは42/2=21(ピン)であり、
1ピン当たり2μmの伸びを吸収しなければならない
為、この場合のリードピッチは、0.3−0.002=
0.298(mm)が最適ということになる。
【0012】そこで、本発明では、ボンディングツール
6の材質、サイズ及び接合温度に応じて予めアウターリ
ード部のピッチをセンタ部分と端部(センタ以外の部
分)とで異ならせている。リードピッチを部分的に異な
らせる方法には、次の3つのケースがある。 (i)一辺のアウターリード列のセンタCから各端部
(両端)へ向けて、熱膨張の状況に応じて1リード毎に
連続にピッチを小さくする。或いは、プリント配線基板
7の一辺のパッドリード列のセンタから各端部へ向け
て、熱膨張の状況に応じて1パッド毎に連続にピッチを
大きくする。
【0013】(ii)一辺のアウターリード列のセンタC
近傍のアウターリードのピッチaと端部寄りのアウター
リードのピッチbとを、a>bの関係にする。なお、2
分割に限らず、数本のリードを1つのブロックとし、a
>b>c・・・の様に複数ブロックに分けてピッチを設
定すれば、更に位置ずれを低減することができる。この
場合、n番目のリードピッチは、{nb−(n−1)
a}となる。 (iii)アウターリードピッチは在来のままとし、プリン
ト配線基板のパッドピッチを異ならせる。具体的には、
各辺のパッド列のセンタ近傍のパッドピッチDと端部寄
りのパッドピッチEとを、E>Dの関係にする。この場
合も1つのパッド列を複数に分け、En >・・・>E2
>E1 >・・・D2 >D1 の様にピッチを設定し、更に
位置ずれを低減することもできる。この場合も、n番目
のリードピッチは、{nE−(n−1)D}となる。 以上の3つのケースの内、アウターリードとパッド8の
組み合わせの全てについて位置ずれを生じさせないよう
にできるのが(i)のケースであり、最上の効果が得ら
れる。この場合、リードピッチが通常0.3mm程度の
小ささであることから、全てのリードに対してピッチを
設定する為には高い加工精度が要求される。このため、
歩留り及び生産性を低下させずに加工するには、相応の
技術が必要になる。
【0014】これに対し、(ii)及び(iii)のケースは
部分的に若干の位置ずれを生じる可能性はあるものの、
末半田、半田ブリッジ等の接続不良は防止することがで
き、実用性に優れている。この(ii)のケースを採用し
たのが図1の実施例であり、1辺のリード列に対しセン
タCの近傍のリードのピッチをa、このピッチ領域より
も端部寄りにあるリードのピッチをbとするとき、a>
bとなるようにリード間隔を設定している。ここでは半
導体チップ1の1辺についてのみ説明しているが、他の
3辺についても同様である。また、このようなピッチの
アウターリード部とパッド8のボンディングは図5で説
明した通りであり、ここでは説明を省略する。
【0015】図1のように設定したリードピッチのリー
ドを用いた場合のボンディング結果が図2であり、ボン
ディングツール6の加熱による膨張でリード列端部のリ
ード間隔が大きくなるのを見越して端部のピッチを小さ
くしたことにより、端部においてもアウターリード部と
パッドの相互位置ずれを小さくでき、末半田、半田ブリ
ッジ等の接続不良の発生を防止することができる。図3
は本発明の他の実施例を示すもので、上記した(iii)の
ケースを採用している。すなわち、プリント配線基板7
上の1辺のパッド列の各パッドのピッチをセンタ部と端
部とで異ならせている。この場合、センタ部のパッドの
ピッチDと端部のパッドのピッチEとの関係が、D<E
を満たすように設定される。パッドにおいては、リード
側とは逆に端部のピッチをセンタ部より小さくしてい
る。これはボンディングツール6の加熱による膨張でリ
ード列端部のリード間隔が大きくなるのに対応して予め
端部のパッド間隔を大きくし、アウターリード部とパッ
ドの相互間の位置ずれを小さくする為である。
【0016】このような構成により、ボンディングツー
ル6の熱がリード3に伝達され、そのアウターリード部
が熱膨張し、リード列の両端部のピッチが大きくなって
も、端部のパッドピッチを予め大きくしてあるため、ア
ウターリード部とパッドの接合時点における両者の位置
ずれは極めて小さいものとなる。したがって、図1の実
施例と同様に、末半田、半田ブリッジ等の接続不良の発
生を防止することが可能になる。なお、上記実施例にお
いては、異なるピッチの設定をリード側またはプリント
配線基板側(パッド側)のいずれか一方において実施す
るものとしたが、リード側とプリント配線基板側の両方
で行うようにしてもよい。この場合、上記したa>b及
びD<E等の設定幅は、片方のみに対して行う場合に比
べ小さく(例えば、1/2)することになる。また、上
記実施例においては、半導体チップ1の4辺にリード列
が展開しているものとしたが、最低1列が存在すれば、
本発明の適用が可能である。
【0017】
【発明の効果】本発明は上記の通り構成されているの
で、次に記載する効果を奏する。請求項1のテープキャ
リアパッケージの実装構造においては、アウターリード
部のリード列または基板上のパッド列のセンタ部に対し
て両端部のリードまたはパッドのピッチを異なる値に設
定するようにしたので、アウターリード部に熱膨張があ
ってもアウターリード部とパッドの位置を一致させるこ
とができ、末半田、半田ブリッジ等の接続不良を低減す
ることができる。請求項2のテープキャリアパッケージ
の実装構造においては、前記アウターリード部のリード
列におけるリードピッチは、端部がセンタ部より小さく
したので、簡単な構成によって半導体チップの多ピン
化、大型化に対処することが可能になる。請求項3のテ
ープキャリアパッケージの実装構造においては、前記ア
ウターリード部のリード列のセンタ部から端部に向けて
リード毎にリードピッチを小さくしていくようにしたの
で、全てのアウターリード部に対して熱膨張によるリー
ドピッチの位置ずれを補償でき、どのアウターリード部
においても位置ずれの生じない接続が可能になる。
【0018】請求項4のテープキャリアパッケージの実
装構造においては、前記リード列をセンタ部と端部との
少なくとも2グループに分け、前記端部のリードピッチ
を前記センタ部に対して小さくするようにしたので、ア
ウターリード部とパッドとの間の位置ずれを実用上問題
とならないレベルにすることができる。請求項5のテー
プキャリアパッケージの実装構造においては、前記基板
上のパッド列におけるパッドピッチは、端部がセンタ部
より大きくなるようにしたので、簡単な構成によって半
導体チップの多ピン化、大型化に対処することが可能に
なる。請求項6のテープキャリアパッケージの実装構造
においては、前記パッド列のセンタ部から端部に向けて
パッド毎にパッドピッチを大きくしていくようにしたの
で、全てのアウターリード部に対して熱膨張によるリー
ドピッチの位置ずれを補償でき、どのアウターリード部
においても位置ずれの生じない接続が可能になる。請求
項7のテープキャリアパッケージの実装構造において
は、前記パッド列をセンタ部と端部との少なくとも2グ
ループに分け、前記端部のパッドピッチを前記センタ部
に対して大きくするようにしたので、アウターリード部
とパッドとの間の位置ずれを実用上問題とならないレベ
ルにすることができる。請求項5のテープキャリアパッ
ケージの実装構造においては、前記基板上の1辺のパッ
ド列におけるパッドピッチは、端部がセンタ部より大き
くなるようにしたので、簡単な構成によって半導体チッ
プの多ピン化、大型化に対処することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるテープキャリアパッケージの実装
構造にあって、インナーリード部が接続された状態の半
導体チップを示す平面図である。
【図2】図1におけるリードを用いた場合のボンディン
グ結果を示す主要部の平面図である。
【図3】本発明によるテープキャリアパッケージの実装
構造にあって、プリント配線基板上のパッド配列を説明
する説明図である。
【図4】インナーリードボンディング工程における従来
のテープキャリアパッケージ実装構造を示す正面断面図
である。
【図5】アウターリードボンディング工程における従来
のテープキャリアパッケージ実装構造を示す正面断面図
である。
【図6】従来の実装構造にあってボンディングツールの
熱膨張によりアウターリードと基板上のパッドとの間に
位置ずれが生じる様子を示す説明図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 バンプ 3 リード 4 ボンディングツール 5 フィルムキャリア 6 ボンディングツール 7 プリント配線基板 8 パッド

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テープキャリアパッケージ方式によって
    リードのインナーリード部が接続された半導体チップを
    プリント配線基板に実装すると共に、前記リードのアウ
    ターリード部と前記プリント配線基板上のパッドとを接
    続して構成されるテープキャリアパッケージの実装構造
    において、 前記アウターリード部のリード列または前記基板上のパ
    ッド列のセンタ部に対して両端部のリードまたはパッド
    のピッチを異なる値に設定することを特徴とするテープ
    キャリアパッケージの実装構造。
  2. 【請求項2】 前記アウターリード部のリード列におけ
    るリードピッチは、端部がセンタ部より小さいことを特
    徴とする請求項1記載のテープキャリアパッケージの実
    装構造。
  3. 【請求項3】 前記アウターリード部のリード列のセン
    タ部から端部に向けてリード毎にリードピッチを小さく
    していくことを特徴とする請求項2記載のテープキャリ
    アパッケージの実装構造。
  4. 【請求項4】 前記リード列をセンタ部と端部との少な
    くとも2グループに分け、前記端部のリードピッチを前
    記センタ部に対して小さくすることを特徴とする請求項
    2記載のテープキャリアパッケージの実装構造。
  5. 【請求項5】 前記基板上のパッド列におけるパッドピ
    ッチは、端部がセンタ部より大きいことを特徴とする請
    求項1記載のテープキャリアパッケージの実装構造。
  6. 【請求項6】 前記パッド列のセンタ部から端部に向け
    てパッド毎にパッドピッチを大きくしていくことを特徴
    とする請求項5記載のテープキャリアパッケージの実装
    構造。
  7. 【請求項7】 前記パッド列をセンタ部と端部との少な
    くとも2グループに分け、前記端部のパッドピッチを前
    記センタ部に対して大きくすることを特徴とする請求項
    5記載のテープキャリアパッケージの実装構造。
JP6152887A 1994-06-10 1994-06-10 テープキャリアパッケージの実装構造 Pending JPH07335691A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605523B2 (en) 2000-03-10 2003-08-12 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605523B2 (en) 2000-03-10 2003-08-12 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for semiconductor device

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