JPH07335528A - マスク露光装置 - Google Patents
マスク露光装置Info
- Publication number
- JPH07335528A JPH07335528A JP6127195A JP12719594A JPH07335528A JP H07335528 A JPH07335528 A JP H07335528A JP 6127195 A JP6127195 A JP 6127195A JP 12719594 A JP12719594 A JP 12719594A JP H07335528 A JPH07335528 A JP H07335528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- light
- light source
- exposure
- luminous flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトレジストを使った微細加工フォトリソグ
ラフィに使用される露光マスクの製造において、安価で
精度の良いフォトリソグラフィ用露光マスクを製造する
ことを目的とする。 【構成】水銀ランプ光源のシャッタ露光でエマルジョン
乾板を露光出来るようにしたものであって、水銀ランプ
光源、集光ミラー、レンズ、シャッタ、レチクル、縮小
投影レンズ、Ｘ−Ｙステージとエマルジョン乾板固定治
具からなるマスク露光フォトリピータを用い、レチクル
面の水銀ランプ側に、減光またはマゼンタ系の光学フィ
ルタを置くことにより、水銀ランプ光源の光量、分光特
性を制御してエマルジョン乾板でも精度の良い露光マス
クが製造できる。
ラフィに使用される露光マスクの製造において、安価で
精度の良いフォトリソグラフィ用露光マスクを製造する
ことを目的とする。 【構成】水銀ランプ光源のシャッタ露光でエマルジョン
乾板を露光出来るようにしたものであって、水銀ランプ
光源、集光ミラー、レンズ、シャッタ、レチクル、縮小
投影レンズ、Ｘ−Ｙステージとエマルジョン乾板固定治
具からなるマスク露光フォトリピータを用い、レチクル
面の水銀ランプ側に、減光またはマゼンタ系の光学フィ
ルタを置くことにより、水銀ランプ光源の光量、分光特
性を制御してエマルジョン乾板でも精度の良い露光マス
クが製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造等、
フォトレジストを用いた微細加工フォトリソグラフィに
使用する露光マスクのマスク露光装置に関するものであ
る。
フォトレジストを用いた微細加工フォトリソグラフィに
使用する露光マスクのマスク露光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ
ｄ Ｃｉｒｃｉｔ：集積回路）を初めとする半導体装置
の製造においては、フォトレジストを使った微細加工フ
ォトリソグラフィが多用されている。このフォトリソグ
ラフィは、例えば、半導体ＩＣの製造で説明すると、主
として、シリコンウェーハ上にフォトレジストを塗布
し、露光マスクのパターンを、フォトレジストを塗布し
た面に結像し焼き付け、さらに、現像、エッチングなど
の工程を繰り返すことにより、微細な電子回路構成要素
を形成するプロセスである。この半導体ＩＣ製造のフォ
トリソグラフィに使用される露光マスクの製造方法は、
製造される半導体ＩＣの集積度、規模の大きさ、微細化
度、寸法精度などによりいろいろなプロセスが実用化さ
れている。
ｄ Ｃｉｒｃｉｔ：集積回路）を初めとする半導体装置
の製造においては、フォトレジストを使った微細加工フ
ォトリソグラフィが多用されている。このフォトリソグ
ラフィは、例えば、半導体ＩＣの製造で説明すると、主
として、シリコンウェーハ上にフォトレジストを塗布
し、露光マスクのパターンを、フォトレジストを塗布し
た面に結像し焼き付け、さらに、現像、エッチングなど
の工程を繰り返すことにより、微細な電子回路構成要素
を形成するプロセスである。この半導体ＩＣ製造のフォ
トリソグラフィに使用される露光マスクの製造方法は、
製造される半導体ＩＣの集積度、規模の大きさ、微細化
度、寸法精度などによりいろいろなプロセスが実用化さ
れている。
【０００３】例えば、ガラス板にクロム膜をコーティン
グし、フォトレジストを塗布したクロムブランクスによ
るマスク露光では、図２に示すように、水銀ランプ露光
光源１、水銀ランプ露光光源１からの光を均一な面照度
を有する露光光にするために必要な集光ミラー２、均一
な面照度を有する露光光を平行光にするレンズ３、露光
光を決められた時間通過させるシャッタ４、レチクル
６、レチクル透過光パターンを等倍もしくはそれ以下の
大きさに縮尺し、Ｘ−Ｙステージ８上のフォトレジスト
を塗布したクロムブランクス１３に結像させる投影レン
ズ７、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ一定間隔で移動する
Ｘ−Ｙステージ８を備えたフォトリピータを用いたもの
がある。そして、上記構成を用いて、Ｘ方向，Ｙ方向に
一定間隔動いた後Ｘ−Ｙステージ８が止まり、シャッタ
４を開けてＸ−Ｙステージ８上のクロムブランクス１３
を露光するシャッタ露光方式が実用化されている。
グし、フォトレジストを塗布したクロムブランクスによ
るマスク露光では、図２に示すように、水銀ランプ露光
光源１、水銀ランプ露光光源１からの光を均一な面照度
を有する露光光にするために必要な集光ミラー２、均一
な面照度を有する露光光を平行光にするレンズ３、露光
光を決められた時間通過させるシャッタ４、レチクル
６、レチクル透過光パターンを等倍もしくはそれ以下の
大きさに縮尺し、Ｘ−Ｙステージ８上のフォトレジスト
を塗布したクロムブランクス１３に結像させる投影レン
ズ７、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ一定間隔で移動する
Ｘ−Ｙステージ８を備えたフォトリピータを用いたもの
がある。そして、上記構成を用いて、Ｘ方向，Ｙ方向に
一定間隔動いた後Ｘ−Ｙステージ８が止まり、シャッタ
４を開けてＸ−Ｙステージ８上のクロムブランクス１３
を露光するシャッタ露光方式が実用化されている。
【０００４】また、図示しないが、他の従来技術とし
て、上記クロムブランクスの代わりにガラス板にハロゲ
ン化銀の乳化感光膜を塗布したエマルジョン乾板を用
い、さらに、上記水銀ランプ露光光源の代わりにキセノ
ンランプ等の高輝度フラッシュ発光に適した光源を用
い、上記シャッタを用いないで、上記光源の発光間隔を
制御することでエマルジョン乾板を露光するフラッシュ
露光方式も実用化されている。
て、上記クロムブランクスの代わりにガラス板にハロゲ
ン化銀の乳化感光膜を塗布したエマルジョン乾板を用
い、さらに、上記水銀ランプ露光光源の代わりにキセノ
ンランプ等の高輝度フラッシュ発光に適した光源を用
い、上記シャッタを用いないで、上記光源の発光間隔を
制御することでエマルジョン乾板を露光するフラッシュ
露光方式も実用化されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術におい
ては、クロムブランクスを露光するシャッタ露光方式で
は、クロムブランクスがエマルジョン乾板と比べると高
価で、感度が低く露光に長時間を要する欠点がある。ま
た、エマルジョン乾板を露光するフラッシュ露光方式で
は極短時間の露光時間を制御するのが難しいため、パタ
ーン寸法の再現性が均一でない等の欠点がある。本発明
は、これらの欠点を除去し、エマルジョン乾板をシャッ
タ露光方式で露光し、Ｘ方向，Ｙ方向に関わらずパター
ン寸法の再現性の良い露光マスクを、安く、短時間で製
造することを目的とする。
ては、クロムブランクスを露光するシャッタ露光方式で
は、クロムブランクスがエマルジョン乾板と比べると高
価で、感度が低く露光に長時間を要する欠点がある。ま
た、エマルジョン乾板を露光するフラッシュ露光方式で
は極短時間の露光時間を制御するのが難しいため、パタ
ーン寸法の再現性が均一でない等の欠点がある。本発明
は、これらの欠点を除去し、エマルジョン乾板をシャッ
タ露光方式で露光し、Ｘ方向，Ｙ方向に関わらずパター
ン寸法の再現性の良い露光マスクを、安く、短時間で製
造することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、水銀ランプを露光光源とし、シャッタの開
閉で露光量を制御するシャッタ方式のフォトリピータ
で、露光光源水銀ランプとレチクルの間に光学フィルタ
ーを入れて、露光量、及び露光光の分光特性を制御し、
エマルジョン乾板でもシャッタ露光方式で露光できるよ
うにしたものである。
するために、水銀ランプを露光光源とし、シャッタの開
閉で露光量を制御するシャッタ方式のフォトリピータ
で、露光光源水銀ランプとレチクルの間に光学フィルタ
ーを入れて、露光量、及び露光光の分光特性を制御し、
エマルジョン乾板でもシャッタ露光方式で露光できるよ
うにしたものである。
【０００７】
【作用】その結果、露光光の強度を制御するにあたり、
シャッタの開閉時間で露光量をコントロール出来るよう
になり、レチクルパターンの解像度が著しく悪くなるこ
となく、設計通りのパターンが形成される。露光光源水
銀ランプとレチクルの間に光学フィルタ、特にマゼンタ
系フィルタを入れることによって、約４９０ｎｍ〜約５
８０ｎｍの光をカットでき、エマルジョン乾板の分光感
度領域が、約３６０〜約５６０ｎｍであるため、主力の
約４６０ｎｍ〜約５６０ｎｍ領域の光がカットされ、露
光光量が減少すると共に、露光に関与する波長が絞られ
るので、高感度のエマルジョン乾板でも水銀ランプ露光
光源で露光出来るようになり、解像度も向上する。
シャッタの開閉時間で露光量をコントロール出来るよう
になり、レチクルパターンの解像度が著しく悪くなるこ
となく、設計通りのパターンが形成される。露光光源水
銀ランプとレチクルの間に光学フィルタ、特にマゼンタ
系フィルタを入れることによって、約４９０ｎｍ〜約５
８０ｎｍの光をカットでき、エマルジョン乾板の分光感
度領域が、約３６０〜約５６０ｎｍであるため、主力の
約４６０ｎｍ〜約５６０ｎｍ領域の光がカットされ、露
光光量が減少すると共に、露光に関与する波長が絞られ
るので、高感度のエマルジョン乾板でも水銀ランプ露光
光源で露光出来るようになり、解像度も向上する。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例のマスク露光装置
を構成するフォトリピータの断面を示す図１により説明
する。半導体ＩＣなどの半導体装置の製造における、フ
ォトリソグラフィに使われる露光マスクを製造するマス
ク露光装置は、水銀ランプ露光光源１、水銀ランプ露光
光源１からでた光を、均一な面照度を有する露光光にす
る集光ミラー２、均一な面照度を有する露光光を平行光
にするレンズ３、露光光を決められた時間通過させるシ
ャッタ４、露光光の光量と分光特性を制御する減光フィ
ルタ付きマゼンタ系光学フィルタ５、製造される半導体
の実寸の例えば、１０倍のパターンを有するレチクル
６、レチクルパターンを例えば、１０分の１に縮小する
投影レンズ７、Ｘ方向，Ｙ方向に一定間隔移動するＸ−
Ｙステージ８のフォトリピータからなる。
を構成するフォトリピータの断面を示す図１により説明
する。半導体ＩＣなどの半導体装置の製造における、フ
ォトリソグラフィに使われる露光マスクを製造するマス
ク露光装置は、水銀ランプ露光光源１、水銀ランプ露光
光源１からでた光を、均一な面照度を有する露光光にす
る集光ミラー２、均一な面照度を有する露光光を平行光
にするレンズ３、露光光を決められた時間通過させるシ
ャッタ４、露光光の光量と分光特性を制御する減光フィ
ルタ付きマゼンタ系光学フィルタ５、製造される半導体
の実寸の例えば、１０倍のパターンを有するレチクル
６、レチクルパターンを例えば、１０分の１に縮小する
投影レンズ７、Ｘ方向，Ｙ方向に一定間隔移動するＸ−
Ｙステージ８のフォトリピータからなる。
【０００９】この動作について説明する。水銀ランプ露
光光源１から発せられた光は、集光ミラー２によりレン
ズ３上に、均一な面照度を有する光束を形成する。この
均一な面照度を有する光束は、レンズ３により平行光束
になる。均一な面照度を有する平行光束は、シャッタ４
が開かれた時、減光フィルタ付きマゼンタ系光学フィル
タ５で光量と分光特性を制御されて、レチクル６に照射
され、レチクルパターンを有する光束に変換される。レ
チクルパターンを有する光束は、投影レンズ７により縮
小され、Ｘ−Ｙステージ８上のエマルジョン乾板９に結
像し焼き付けられる。露光時間が終り、シャッタ４が閉
まった後、Ｘ−Ｙステージ８が１ステップ移動し、再び
シャッタ４が開いて、エマルジョン乾板９にレチクルパ
ターンが焼付けられることが繰り返される。この繰返し
によりエマルジョン乾板９には、多数のレチクルパター
ンが焼き付けられる。このエマルジョン乾板９は、所定
の現像処理をすることにより、フォトリソグラフィに使
われる露光マスクが完成する。
光光源１から発せられた光は、集光ミラー２によりレン
ズ３上に、均一な面照度を有する光束を形成する。この
均一な面照度を有する光束は、レンズ３により平行光束
になる。均一な面照度を有する平行光束は、シャッタ４
が開かれた時、減光フィルタ付きマゼンタ系光学フィル
タ５で光量と分光特性を制御されて、レチクル６に照射
され、レチクルパターンを有する光束に変換される。レ
チクルパターンを有する光束は、投影レンズ７により縮
小され、Ｘ−Ｙステージ８上のエマルジョン乾板９に結
像し焼き付けられる。露光時間が終り、シャッタ４が閉
まった後、Ｘ−Ｙステージ８が１ステップ移動し、再び
シャッタ４が開いて、エマルジョン乾板９にレチクルパ
ターンが焼付けられることが繰り返される。この繰返し
によりエマルジョン乾板９には、多数のレチクルパター
ンが焼き付けられる。このエマルジョン乾板９は、所定
の現像処理をすることにより、フォトリソグラフィに使
われる露光マスクが完成する。
【００１０】本実施例は、実寸の１０倍のレチクルにつ
いて説明したが、実寸の５倍のレチクル、あるいは実寸
の等倍のレチクル等、様々な縮尺率のレチクルも同様の
効果を得ることは明らかである。
いて説明したが、実寸の５倍のレチクル、あるいは実寸
の等倍のレチクル等、様々な縮尺率のレチクルも同様の
効果を得ることは明らかである。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、安いエマルジョン乾板
を、水銀ランプを露光光源とし、シャッタの開閉で露光
量を制御するシャッタ方式のフォトリピータで、露光出
来るようになり、高価なクロムブランクスを用いずに、
クロムブランクスによるシャッタ方式と同等な精度の露
光マスクが、安く短時間で製造できる。
を、水銀ランプを露光光源とし、シャッタの開閉で露光
量を制御するシャッタ方式のフォトリピータで、露光出
来るようになり、高価なクロムブランクスを用いずに、
クロムブランクスによるシャッタ方式と同等な精度の露
光マスクが、安く短時間で製造できる。
【図１】本発明のマスク露光装置を示すフォトリピータ
断面図である。
断面図である。
【図２】従来技術のマスク露光装置を示すフォトリピー
タ断面図である。
タ断面図である。
１ 水銀ランプ露光光源 ２ 集光ミラー ３ レンズ ４ シャッタ ５ 減光フィルタ付きマゼンタ系フィルタ ６ レチクル ７ 投影レンズ ８ Ｘ−Ｙステージ ９ エマルジョン乾板
Claims (3)
- 【請求項１】 水銀ランプ露光光源と、パターンを有す
るレチクルと、該水銀ランプ露光光源光を、均一な光強
度を有する平行光にして上記レチクル面に照射させる光
学機構と、レチクルパターンの透過光を等倍もしくはそ
れ以下の大きさに縮尺し、Ｘ−Ｙステージ上に置かれた
被露光マスクであるエマルジョン乾板に結像させるレン
ズシステムと、Ｘ方向、Ｙ方向にそれぞれ所定の間隔に
動くことが可能なＸ−Ｙステージを備えたフォトリピー
タとからなるマスク露光装置において、上記水銀ランプ
露光光源光を均一な光強度を有する平行光となしてレチ
クル面に照射させる上記光学機構と、上記レチクルとの
間に、光学フィルタを挿入したことを特徴とするマスク
露光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のマスク露光装置におい
て、上記光学フィルタは、所定の分光特性を有すること
を特徴とするマスク露光装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のマスク露光装置におい
て、上記光学フィルタは、マゼンタ系の光学フィルタで
ある、波長が約４９０ｎｍ〜約５８０ｎｍの光を特にカ
ットするような分光特性を有するフィルタ、または上記
水銀ランプ露光光源光の波長域でほぼ一定の減光特性を
有するフィルタ、またはそれらの組合せからなることを
特徴とするマスク露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6127195A JPH07335528A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | マスク露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6127195A JPH07335528A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | マスク露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335528A true JPH07335528A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14954055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6127195A Pending JPH07335528A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | マスク露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128690A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器、デバイスの製作方法、及びそれによって製作されたデバイス |
| JP2007220933A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
-
1994
- 1994-06-09 JP JP6127195A patent/JPH07335528A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128690A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器、デバイスの製作方法、及びそれによって製作されたデバイス |
| JP2007220933A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
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